El diodo en la vida industrial y comercial

El comportamiento del diodo es análogo al comportamiento de un dispositivo

hidráulico llamado válvula de retención. Una válvula de retención permite el flujo
de fluido a través de ella en una sola dirección como en la figura a continuación.

Analogía de la válvula de retención hidráulica: (a) Flujo de corriente de electrones

permitido. b) Circulación de corriente prohibida.

Las válvulas de retención son esencialmente dispositivos operados por presión: se

abren y permiten el flujo si la presión a través de ellas es de la “polaridad” correcta
para abrir la compuerta (en la analogía mostrada, mayor presión de fluido a la
derecha que a la izquierda). Si la presión es de la “polaridad” opuesta, la diferencia
de presión a través de la válvula de retención se cerrará y mantendrá la compuerta
para que no se produzca flujo.

Al igual que las válvulas de retención, los diodos son esencialmente dispositivos
operados por “presión” (accionados por voltaje). La diferencia esencial entre la
polarización directa y la polarización inversa es la polaridad del voltaje caído a
través del diodo. Echemos un vistazo más de cerca al circuito simple de la batería-
diodo-lámpara que se muestra anteriormente, esta vez investigando las caídas de
voltaje en los diversos componentes en la Figura a continuación.
 Mediciones de voltaje del circuito de diodos: (a) Directo polarizado. b) Sesgo
inverso.

Un diodo de polarización directa conduce corriente y baja un pequeño voltaje a

través de él, dejando la mayor parte del voltaje de la batería caído a través de la
lámpara. Si se invierte la polaridad de la batería, el diodo se polariza hacia atrás y
baja todo el voltaje de la batería sin dejar ninguno para la lámpara. Si
consideramos que el diodo es un interruptor de accionamiento automático (cerrado
en el modo de polarización directa y abierto en el modo de polarización inversa),
este comportamiento tiene sentido. La diferencia más sustancial es que el diodo
baja mucho más voltaje al conducir que el interruptor mecánico promedio (0.7
voltios frente a decenas de milivoltios).

Esta caída de voltaje de polarización directa exhibida por el diodo se debe a la

acción de la región de agotamiento formada por la unión P-N bajo la influencia de
una tensión aplicada. Si no se aplica voltaje a través de un diodo semiconductor,
existe una región de agotamiento delgada alrededor de la región de la unión P-N,
lo que evita el flujo de corriente. (Figura abajo (a)) La región de agotamiento está
casi desprovista de portadores de carga disponibles, y actúa como aislante:

Representaciones de diodos: Modelo de unión PN, símbolo esquemático, parte

física.

El símbolo esquemático del diodo se muestra en la Figura anterior (b) de tal

manera que el ánodo (extremo apuntador) corresponde al semiconductor de tipo P
en (a). La barra catódica, extremo no apuntante, en (b) corresponde al material de
tipo N en (a). También tenga en cuenta que la banda catódica en la parte física (c)
corresponde al cátodo en el símbolo.

Si se aplica un voltaje de polarización inversa a través de la unión P-N, esta región

de agotamiento se expande, resistiendo aún más cualquier corriente a través de
ella. (Figura abajo)

La región de agotamiento se expande con sesgo inverso.

Por el contrario, si se aplica una tensión de polarización directa a través de la

unión P-N, la región de agotamiento se colapsa y se vuelve más delgada. El diodo
se vuelve menos resistivo a la corriente a través de él. Para que una corriente
sostenida pase por el diodo; sin embargo, la región de agotamiento debe estar
completamente colapsada por el voltaje aplicado. Esto requiere un cierto voltaje
mínimo para lograr, llamado voltaje directo como se ilustra en la figura a
continuación.

Incediendo el sesgo hacia adelante de (a) a (b) disminuye el grosor de la región

de agotamiento.

Para los diodos de silicio, el voltaje directo típico es de 0.7 voltios, nominal. Para
los diodos de germanio, el voltaje directo es de solo 0.3 voltios. La circunscripción
química de la unión P-N que comprende el diodo explica su cifra de voltaje directo
nominal, razón por la cual los diodos de silicio y germanio tienen tensiones directas
tan diferentes. La caída de voltaje directo permanece aproximadamente constante
para una amplia gama de corrientes de diodo, lo que significa que la caída de
voltaje del diodo no es como la de una resistencia o incluso un interruptor normal
(cerrado). Para el análisis de circuito más simplificado, la caída de voltaje a través
de un diodo conductor puede considerarse constante en la cifra nominal y no
relacionada con la cantidad de corriente.

Ecuación de diodo
En realidad, la caída de voltaje directo es más compleja. Una ecuación describe la
corriente exacta a través de un diodo, dado el voltaje caído a través de la unión, la
temperatura de la unión y varias constantes físicas. Se conoce comúnmente como
la ecuación del diodo:

El término Kt/q describe el voltaje producido dentro de la unión P-N debido a la

acción de la temperatura, y se denomina voltaje térmico, o V t de la unión. A
temperatura ambiente, esto es de aproximadamente 26 milivoltios. Sabiendo esto,
y asumiendo un coeficiente de “no idealidad” de 1, podemos simplificar la ecuación
del diodo y volver a escribirla como tal:
No necesita estar familiarizado con la “ecuación de diodos” para analizar circuitos
de diodos simples. Simplemente entienda que el voltaje caído a través de un diodo
conductor de corriente cambia con la cantidad de corriente que lo atraviesa, pero
que este cambio es bastante pequeño en una amplia gama de corrientes. Es por
esto que muchos libros de texto simplemente dicen que la caída de voltaje a través
de una conducción, el diodo semiconductor permanece constante a 0.7 voltios
para el silicio y 0.3 voltios para el germanio. Sin embargo, algunos circuitos utilizan
intencionalmente la relación de corriente/voltaje exponencial inherente de la unión
P-N y, por lo tanto, solo se pueden entender en el contexto de esta ecuación.
Además, dado que la temperatura es un factor en la ecuación del diodo, también
se puede usar una unión P-N con polarización directa como dispositivo de
detección de temperatura y, por lo tanto, solo se puede entender si se tiene una
comprensión conceptual de esta relación matemática.

Un diodo de polarización inversa evita que la corriente pase a través de él, debido
a la región de agotamiento expandida. En la actualidad, una cantidad muy
pequeña de corriente puede pasar y pasa por un diodo polarizado inverso,
llamado corriente de fuga, pero puede ignorarse para la mayoría de los propósitos.
La capacidad de un diodo para soportar voltajes de polarización inversa es
limitada, como lo es para cualquier aislante. Si el voltaje de polarización inversa
aplicado se vuelve demasiado grande, el diodo experimentará una condición
conocida como ruptura (Figura a continuación), que generalmente es destructiva.
La clasificación máxima de voltaje de polarización inversa de un diodo se conoce
como voltaje inverso pico, o PIV, y se puede obtener del fabricante. Al igual que el
voltaje directo, la clasificación PIV de un diodo varía con la temperatura, excepto
que el PIV aumenta con el aumento de la temperatura y disminuye a medida que
el diodo se vuelve más frío, exactamente opuesto al del voltaje directo.