FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y

ELECTRÓNICA
Carrera de Ingeniería Electrónica y Control
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LABORATORIO DE CONVERSORES ESTÁTICOS

PRÁCTICA N°2
1. TEMA
CIRCUITOS DE PROTECCIÓN PARA TRANSISTORES

2. OBJETIVOS
2.1. Comprender el funcionamiento de las redes de protección (Snubber) que se
utilizan comúnmente en transistores.
2.2. Utilizar la simulación digital como herramienta de diseño de redes de
protección.
2.3. Utilizar la simulación para observar los transitorios de conmutación de
encendido y apagado de un transistor para una carga altamente inductiva,
inicialmente sin redes snubber y luego con redes incluidas.

3. MARCO TEÓRICO
Las redes de protección mejoran la curva de conmutación de los transistores a fin de
protegerlos. Para un TBJ es común utilizar las siguiente es redes de ayuda para la
conmutación (snubbers)
● Snubber de apagado (turn off)

● Snubber de encendido (turn on)

● Snubber de sobretensión (over voltage)

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4. TRABAJO PREPARATORIO
4.1. Armar un circuito con una fuente de 40Vdc, la carga es un foco de 100W y una
inductancia de alto valor (se proporcionará en laboratorio), un transistor
bipolar y un diodo de conmutación, el circuito de control para manejar la base
es un oscilador de onda cuadrada de frecuencia de trabajo 1KHz (Cualquier
método).
4.2. Diseñar el snubber de encendido y traer armado el circuito de control y de
potencia.
4.3. Simular las redes Snubber, en base al programa PSIM, considerando los
siguientes circuitos, presentar las ondas obtenidas de su simulación y
comentar y justificar los resultados
Nota: Cada estudiante debe seleccionar un TBJ de potencia y simular con
dichos parámetros, se debe adjuntar la hoja de datos en el trabajo
preparatorio
Configuración para la simulación:

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Circuito inicial sin protecciones y ondas resultantes

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Figura 1: Señales de voltaje, corriente y perdidas del semiconductor

Figura 2: Gráfica de voltaje vs corriente del semiconductor

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Circuito con snubber de apagado y ondas resultantes

Figura 3: Señales de voltaje, corriente y perdidas del semiconductor con snubber

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Figura 4: Gráfica de voltaje vs corriente del semiconductor con snubber

Circuito en el que se ha colocado una inductancia en la alimentación que

simula los cables de conexión y resultados (observar la onda de voltaje)

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Figura 5: Señales de voltaje, corriente y perdidas del semiconductor

Figura 6: Gráfica de voltaje vs corriente del semiconductor

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Circuito son snubber de sobre voltaje y ondas resultantes

Figura 7 Señales de voltaje, corriente y perdidas del semiconductor con snubber

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Figura 8 Gráfica de voltaje vs corriente del semiconductor con snubber

Circuito en el que ha cambiado el diodo rápido 1N4150 por un rectificador de

uso general 1N4004 y resultados, observar la onda de corriente

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Figura 9 Señales de voltaje, corriente y perdidas del semiconductor

Figura 10: Gráfica de voltaje vs corriente del semiconductor

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Circuito con snubber de apagado, y con snubber de sobre voltaje (necesario

pues se inserta una inductancia en serie con la fuente que provoca sobre
voltaje)

Figura 11 Señales de voltaje, corriente y perdidas del semiconductor con snubber

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Figura 12 Gráfica de voltaje vs corriente del semiconductor con snubber

Nota: Para la obtención de la curva característica de voltaje vs corriente puede

cambiar el desfase inicial de la fuente cuadrática (phase delay) y el tiempo de
simulación (total time). Dependiendo del TBJ seleccionado necesitará ajustar el time
step.

5. EQUIPO Y MATERIALES
● 1 inductor en el orden de decenas de mH que soporte algunos amperios y
un inductor del orden de uH
● Tablero con foco de 100W o una resistencia de potencia en el rango de 10
– 20 Ohm que se usará como carga.
● Fuente de poder
● Multímetro
● Osciloscopio
● 2 puntas de prueba

EL ESTUDIANTE DEBE TRAER:

● Lo necesario para armar el circuito a probar.

● Un diodo de recuperación normal y uno de rápida recuperación
● Una resistencia de 0,1 Ohm que servirá como sensor de corriente
● Un circuito de control que entregue una onda PWM de una frecuencia de
aproximadamente 1KHz y con relación de trabajo 0,5.

6. PROCEDIMIENTO
Se debe traer armado el circuito del numeral 4.2. El circuito snubber a probar es el de
encendido.

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Para alimentar los circuitos se usarán las fuentes de laboratorio con un valor cercano
a 40V, lo que se consigue poniendo en serie dos salidas de voltaje.
6.1. Probar inicialmente el circuito con carga resistiva (solo el foco). Observar las
formas de onda de voltaje y corriente en el transistor en función del tiempo
en dos canales (Vce, Ic), y luego ver las trayectorias de conmutación en el
osciloscopio poniéndolo en modo XY. Usar una resistencia de 0,1 Ohm para
censar la corriente en el TBJ.

6.2. Probar el circuito con carga RL. Usar como diodo en paralelo (Df) un diodo
común. Observar las formas de onda de voltaje y corriente en el transistor en
función del tiempo en dos canales (Vce, Ic), y luego ver las trayectorias de
conmutación en el osciloscopio poniéndolo en modo XY

6.3. Repetir el numeral anterior colocando como diodo en paralelo a la carga uno
de rápida recuperación. Observar las formas de onda de voltaje y corriente en
el transistor en función del tiempo en dos canales (Vce, Ic), y luego ver las
trayectorias de conmutación en el osciloscopio poniéndolo en modo XY.
6.4. Repetir el numeral 6.3 esta vez colocando la red snubber de encendido
solamente. Tomar nota de la diferencia de las ondas sin snubber y con
snubber.
6.5. Probar el diseño que trajo preparado, y realizar experimentalmente los ajustes
a los elementos hasta conseguir los resultados óptimos.

7. INFORME
7.1. Presentar las formas de onda obtenidas en el laboratorio, analizar y explicar
los resultados.

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7.2. Calcular las perdidas en el MOSFET para cada uno de los circuitos con las
formas de onda obtenidas
7.3. Conclusiones y Recomendaciones
7.4. Bibliografía.

8. REFERENCIAS
8.1. M. Rashid, "Power electronics handbook, Divices, Circuits and Aplications,"
Third edition, Elsevier, USA 2011, ISBN-13: 978-0123820365
8.2. Ned Mohan, "Power Electronics, a First Course", John Wiley & Sons, Inc. USA
2012, ISBN13: 978-1118074800
8.3. M. Rashid, "Electrónica de Potencia,"3ra edición Prentice Hall, 2010, ISBN-10:
9702605326

Elaborado por: Leonardo Ortega

Mateo Vásquez
Julio Pérez

Revisado por: Leonardo Ortega - Responsable de la asignatura

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