PRÁCTICAS DE ELECTRÓNICA

Grado en Ingeniería Eléctrica

Pre-Lab
Práctica 4: Medida experimental de características de un inversor CMOS.

Nombre: Fecha: ………………

Grupo:

1-. Con los datos de la hoja de datos del inversor CMOS HEF4069UB adjunta y de la
característica de la Fig. 4, obtener:
 

Hoja de datos con VDD = 5 V; VSS = 0 V;Io = 0

Nivel máximo de tensión de salida, VOH (V)
Nivel mínimo de tensión de salida, VOL (V)
Tensión para vO=vI , VM (V)
Corriente de drenador máxima, ID,max (A)
Tiempo de propagación alto a bajo, tPHL (ns)
Tiempo de propagación bajo a alto, tPLH (ns)

 
2-. Dibujar la característica de transferencia en tensión del inversor CMOS esperada,
indicando los niveles de tensión de entrada, VIH, VIL, de salida, VOH, VOL y los márgenes de
ruido, NMH, NML.
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Grado en Ingeniería Eléctrica

3-. La configuración de oscilador en anillo mostrada en el Ejercicio #2 del guión de la

Práctica 4 se utiliza a menudo para medir el tiempo de propagación medio. Deducir la
fórmula que relaciona el tiempo de propagación medio con el período de la forma de onda
observada en la salida de cualquiera de las puertas inversoras del oscilador.