Electrónica Analógica I

Laboratorio N°2

Autores:

Matrícula Apellido y Nombre Carrera

41602175 Carrillo, Federico Angel Ing Electrónica

41288156 Fruttero, Federico Ing Electrónica

Año 2020
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Enunciado: Trabajo de laboratorio Nº 2.

Laboratorio Nº 2:

Diseño de amplificador BIFET multietapa con acoplamiento capacitivo.

El laboratorio en modalidad virtual consiste en diseñar un amplificador

multietapa que combina una etapa con FET y otra con BJT como la de la
figura a continuación.

Requisitos de diseño:
1. Ganancia de vo/vin >80
2. Zin>2 Mohm
3. Zo = 8 ohm vista por R9.
4. Selección de componentes y tolerancias.

Análisis del circuito:

1. Modelo circuital calculado y simulado.

2. Análisis de PSD por etapa. Se pretende reportar qué etapa
generó más armónicos causados por las alinealidades de cada
una.
3. THD (Distorsión armónica total) por etapa y total.
4. Límites del circuito. Min. Carga, Máx. Fuente de alimentación etc.
5. Máxima tensión de entrada posible.

1
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Polarización 1°Etapa:

Mediante el siguiente circuito procedemos al gráfico de la curva de transconductancia

del transistor BSV79

Con los siguientes circuitos procedemos a graficar las curvas paramétricas de salida y la
curva de transferencia del transistor BSV79

Solapando ambos gráficos se obtiene:

2
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Queremos polarizar para 𝑉𝑔𝑠 = −3.5𝑉 y 𝐼𝑑𝑠𝑞 = 12.5 𝑚𝐴

𝐼𝑑𝑠𝑞 = 12.5 𝑚𝐴

𝑉𝑑𝑠𝑞 = 6.2 𝑉

Como Vg = 0 ⇒ 0𝑉 − 𝑉𝑔𝑠 − 𝐼𝑑𝑠 ∗ 𝑅1 = 0

⇒ 𝑅1 = 𝑉𝑔𝑠/𝐼𝑑𝑠𝑞 = 280 𝛺

De la ecuación de la recta de carga se obtiene:

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑑𝑠
𝑉𝑐𝑐 = 𝑉𝑑𝑠 + 𝐼𝑑𝑠 ( 𝑅3 + 𝑅1) → − 𝑅1 = 𝑅3 = 184 𝛺
𝐼𝑑𝑠

Recta de Carga de Alterna:

𝑅𝑐𝑎 = (𝑅3//(𝑅4//𝑅5)) + ℎ𝑖𝑒1 = (184𝛺//4.25𝑘𝛺) + 271𝛺 = 448𝛺

⇒ 𝑉𝑑𝑠𝑐𝑎 = 𝑉𝑑𝑠𝑞 + 𝐼𝑑𝑠𝑞 ∗ 𝑅𝑐𝑎 = 11.8𝑉

1
⇒ 𝐼𝑑𝑠𝑐𝑎 = 𝐼𝑑𝑠𝑞 + 𝑉𝑑𝑠𝑞 ∗ = 26.3𝑚𝐴
𝑅𝑐𝑎

3
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Cálculo gm:
Debemos hacer cambios alrededor del punto Q, al tiempo que mantenemos Vds con un
valor constante de 6.2 V. Así, los cambios incrementales se hacen a lo largo de una línea
vertical que pasa por el punto Q. Realizamos los cambios a partir de la curva situada bajo
el punto Q y terminando en la curva situada por encima del punto Q,

𝑖𝐷 19.569 𝑚𝐴 − 6.632 𝑚𝐴
𝑔𝑚 =
𝛥
𝛥𝑉𝑔𝑠
= = 12.93𝑚𝑆
4𝑉 − 3𝑉

4
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Polarización 2°Etapa:

Análisis Gráfico:
Procedimos al trazado de las curvas paramétricas del transistor 2N3904, para
ello armamos el siguiente circuito:

Mediante un barrido anidado, variamos la corriente de base entre 64 𝜇𝐴 𝑦 118𝜇𝐴

con un incremento de 6𝜇𝐴 y la tensión Vce entre 0V y 13V con un incremento de
100 mV. El resultado fue el siguiente:

CURVAS PARAMÉTRICAS

5
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Se definió una ICQ = 16mA, decidimos que la tensión caiga un 33% en VCE, un 33% en
VRE y un 33% en VRC.

𝑉𝑅𝐶 = 𝐼𝑐𝑞 ∗ 𝑅𝐶 → 4 = 16 𝑚𝐴 ∗ 𝑅𝐶 → 𝑅𝐶 = 250Ω

𝑉𝑅𝐸 = 𝐼𝑐𝑞 ∗ 𝑅𝐸 → 4 = 16 𝑚𝐴 ∗ 𝑅𝐸 → 𝑅𝐸 = 250Ω

6
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

𝑉𝐵 = 4𝑉 + 𝑉𝐵𝐸 = 4,7 𝑉

Aplicamos el criterio de estabilidad el cual es: 𝛽𝑅𝐸 >> 𝑅𝐵

𝑅𝐵 = (𝑅𝐸. 170) / 10 = 4250 𝐾𝛺 → 𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐵 + 𝐼𝐵𝑅𝐵 = 5,1 𝑉

𝑅𝐵 𝑅𝐵.𝑉𝐶𝐶
𝑅5 = = 7391 𝛺 𝑅4 =
1− (𝑉𝐵𝐵/𝑉𝐶𝐶) 𝑉𝐵𝐵 = 10𝐾𝛺

Recta de Carga de Alterna:

𝑅𝑐𝑎 = (𝑅8 // 𝑅9// (ℎ𝑖𝑒2 + (𝑅6´ // 𝑅10´)) =

𝑅𝑐𝑎 = (250𝛺 // 290𝑘𝛺// (1136𝛺 + (1260 𝛺. 170 // 5𝑘𝛺. 170)) = 249,4 𝛺

⇒ 𝑉𝑐𝑒, 𝑐𝑎 = 𝑉𝑐𝑒𝑞 + 𝐼𝑑𝑠𝑞 ∗ 𝑅𝑐𝑎 = 8 𝑉

1
⇒ 𝐼𝑐, 𝑐𝑎 = 𝐼𝑐𝑞 + 𝑉𝑐𝑒𝑞 ∗ = 32 𝑚𝐴
𝑅𝑐𝑎

7
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Polarización 3°Etapa:

Análisis Gráfico:
Procedimos al trazado de las curvas paramétricas del transistor 2N3904, para
ello armamos el siguiente circuito:

Mediante un barrido anidado, variamos la corriente de base entre 10 𝜇𝐴 𝑦 34𝜇𝐴

con un incremento de 6𝜇𝐴 y la tensión Vce entre 0V y 13V con un incremento de
100 mV. El resultado fue el siguiente:

8
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Definimos una ICQ = 3.8mA, decidimos que la tensión que cae sobre RE sea un 40% de
VCC y la que cae en VCE sea un 60%.

𝑉𝐶𝐸 = 7,2 𝑉 𝑉𝑅𝐸 = 4,8 𝑉

𝑉𝑅𝐸 = 𝐼𝑐𝑞 ∗ 𝑅𝐸 → 4,8 = 3,8 𝑚𝐴 ∗ 𝑅𝐸 → 𝑅𝐸 = 1263Ω

𝑉𝐵 = 𝑉𝑅𝐸 + 0,7 = 4,8 + 0,7 = 5,5 𝑉

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵 12 − 5,5
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵 = 𝑅𝐵. 𝐼𝑏 → 𝑅𝐵 = 𝐼𝑏
= 22,35 𝑢𝐴 = 290𝐾𝛺

9
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Recta de Carga de Alterna:

𝑅𝑐𝑎 = 𝑅6//𝑅10 = 1𝑘𝛺

⇒ 𝑉𝑐𝑒, 𝑐𝑎 = 𝑉𝑐𝑒𝑞 + 𝐼𝑑𝑠𝑞 ∗ 𝑅𝑐𝑎 = 11𝑉

1
⇒ 𝐼𝑐, 𝑐𝑎 = 𝐼𝑐𝑞 + 𝑉𝑐𝑒𝑞 ∗ = 11𝑚𝐴
𝑅𝑐𝑎

La máxima excursión de la corriente de colector de la tercera etapa será:

𝑖𝐶3,𝑀𝐴𝑋 = 𝐼𝑐𝑞 = 3.8𝑚𝐴
Por lo que calcularemos la 𝑖𝐿,𝑐𝑎 𝑚á𝑥 :
Para RL=5k:

VL,MAX =iC3,MAX * ( Re3 // RL ) = 3.82 V

IL,MAX =VL,MAX / RL = 0.77 mA

Para RL=2k:

VL,MAX =iC3,MAX * ( Re3 // RL ) = 2.94 V

IL,MAX =VL,MAX / RL = 1.5 mA

Circuito Equivalente De Pequeña Señal:

Para el análisis en pequeña señal procedemos al cálculo de los parámetros necesarios:

● Según el modelo proporcionado por el Multisim para el transistor BSV79, el valor de

la transconductancia gm y la tensión de foco Vaf son:

𝑔𝑚 = 3.25 𝑚𝐴/𝑉
𝑉𝑎𝑓 = 112𝑉

𝑉𝑎𝑓 + 𝑉𝑑𝑠𝑞
⇒ 𝑟𝑑𝑠 = = 9458 𝛺
𝐼𝑑𝑠𝑞
● Calculamos hie1 y hie2 para los BJT 2N3904:

10
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Tomando un Beta típico de 170:

25𝑚𝑉 25𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑒1 = ∗ 𝛽𝑡𝑦𝑝 = ∗ 170 = 271𝛺
𝐼𝑐𝑞2 15.7𝑚𝐴
25𝑚𝑉 25𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑒2 = ∗ 𝛽𝑡𝑦𝑝 = ∗ 170 = 1136 𝛺
𝐼𝑐𝑞2 3.74𝑚𝐴

Una vez obtenidos estos parámetros, procedemos al trazado del circuito equivalente
para pequeña señal:

Cálculo Ganancia Tensión:

𝑉𝑜 𝑉𝑜 𝑉1´ 𝑉2´
= ∗ ∗
𝑉𝑖𝑛 𝑉1´ 𝑉2´ 𝑉𝑖𝑛

𝑉𝑜 − (𝑅𝐸3 𝑟𝑒𝑓 // 𝑅𝐿 𝑟𝑒𝑓)

= = 0,999
𝑉1´ ℎ𝑖𝑒2 + (𝑅𝐸3 𝑟𝑒𝑓 // 𝑅𝐿 𝑟𝑒𝑓)

𝑉1´ 𝛽 [𝑅𝐶2 // 𝑅𝐵3 // (ℎ𝑖𝑒2 + (𝑅𝐸3 𝑟𝑒𝑓 // 𝑅𝐿 𝑟𝑒𝑓))]

= = 119,3
𝑉2´ ℎ𝑖𝑒1

𝑉2´
= −𝑔𝑚 [𝑅𝑑𝑠 // 𝑅𝐷1 // 𝑅𝐵2 // ℎ𝑖𝑒1] = 1,36
𝑉𝑖𝑛

𝑉𝑜 𝑉𝑜 𝑉1´ 𝑉2´
= ∗ ∗ = 162
𝑉𝑖𝑛 𝑉1´ 𝑉2´ 𝑉𝑖𝑛

11
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Podemos ver que de la simulación del modelo simplificado de pequeña señal se obtiene el
mismo valor de Av.

Si analizamos nuestro modelo completo, podemos observar que la ganancia de tensión

obtenida luego de realizar la simulación es:

𝑉𝑜
= 163
𝑉𝑖𝑛
El cual es un valor totalmente aproximado al calculado anteriormente mediante el circuito
equivalente de pequeña señal. Se cumple con la especificación de ganancia propuesta.

Cálculo de Impedancia De Entrada y De Salida:

Se calcularon las impedancias de salida Zout (vista desde la carga) y de entrada Zin (vista
desde la fuente):

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐺1 = 2𝑀𝛺

12
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

ℎ𝑖𝑒2 𝑅𝐵3 𝑅𝐶2

𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐸3 //( +[ // ]) = 8,07 𝛺
𝛽 𝛽 𝛽
Estos valores cumplen con los requisitos dados para el diseño.

THD ( Total Harmonic Distortion ) :

Es un parámetro técnico que mide la relación entre el contenido armónico de la señal y la
primera armónica o fundamental. Su valor se ubica entre 0% e infinito. Es el parámetro de
medición de distorsión más conocido, es útil cuando se trabaja con equipos que deben
responder sólo a la señal fundamental, como en el caso de algunos relevadores de
protección.

𝑇𝐻𝐷 = 𝑉1 + 𝑉2 + 𝑉3+. . . +𝑉𝑚/𝑉0

Vi: Amplitud o tensión de armónicas

V0: Amplitud de la fundamental

Por cuestiones prácticas, nos valdremos de un instrumento de medida de THD que nos
proporciona el simulador lla
mado “Distortion Analyzer”:

THD total:

Lo colocamos a la salida ajustando el valor de la frecuencia fundamental en 2 kHz. En

primer lugar mediremos la distorsión armónica total, el valor obtenido es el siguiente:

13
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

El valor obtenido está dentro de los límites permisibles.

THD Primera etapa:

Valor obtenido:

14
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

THD Segunda etapa:

15
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Valor obtenido:

Análisis PSD:
Para hacer un análisis PSD (Power Spectral Density) debemos exportar la señal de salida a
un script de Matlab y se trabajará con algo conocido como “Periodogram”,la cual,en el
procesado de señal, es un estimado de la densidad espectral de la señal( nos informa de
cómo está distribuida la potencia o la energía de dicha señal sobre las distintas frecuencias
de las que está formada). Es decir que mediante la transformada de Fourier descomponemos
la señal y vemos sus distintos armónicos. Procedemos a guardar la señal de salida como
archivo CSV.

Señal de salida
Una vez hecho esto, procedemos a abrir el matlab y ejecutamos vamos a la pestaña Open
y buscamos el archivo, se abrirá la siguiente pestaña:

16
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Presionamos import y se guardará la tabla en una variable, ejecutamos el siguiente código:

>> valores= senialsalida.C2;

>> plot(valores)

Se obtiene la misma señal que proporcionaba el Multisim:

Una vez que tengamos la señal le aplicamos la función periodigram, obtenemos lo

17
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

siguiente:

Al utilizar la función periodigram un valor normalizado de frecuencia, no pudimos determinar

el valor de frecuencia de los picos observados, sin embargo, los 3 picos principales que se
ven se deben a la componente fundamental en 2 KHz, a la primer armónica en 4KHz, y a la
segunda armónica en 6 KHz, verificaremos nuestro razonamiento colocando un analizador
de espectros a la salida del amplificador:

Esto condice con lo que se ve dijo anteriormente, se pueden observar los 3 picos en ambas
gráficas de aproximadamente la misma amplitud

Si colocamos el analizador de espectro a la entrada del circuito podemos observar solamente

el pico de la componente fundamental en 2 Khz, aqui, la prueba de que las componentes
armónicas observados anteriormente son producidas por nuestro amplificador, debido a
alinealidades en el mismo.
Para la senoidal pura de entrada Matlab nos proporciona la siguiente gráfica:

18
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Se observa lo mismo que nos muestra el analizador de espectros en la imagen anterior

Límites del circuito:

Analizaremos los límites de nuestro circuito, encontraremos los valores tanto de carga como
tensión de entrada minimos y maximos de forma que nuestra onda a la salida no tenga
recortes, producto de que el transistor entre en zona de saturación o corte.

En primer lugar analizamos la salida del amplificador para distintos valores de RL:
1. Para un valor de 200 𝛺:

19
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Salida de la señal en corte, para una resistencia de 200 𝛺

2. Para un valor de 100 𝛺:

Salida de la señal en corte, para una resistencia de 100 𝛺

Después de realizar varias pruebas con diferentes valores de resistencia de carga se observo
que para valores menores a 210 Ω la señal de salida ya entra en zona de corte, esto se debe
a que la pendiente en la recta de carga va a ser mayor debido a que la resitencia disminuye,
por este motivo cuando la corriente excursiona entra en corte antes de entrar en saturacion.

Para una resistencia elevada, no vamos a tener problemas, debido a que la misma está
conectada en paralelo con la resistencia del emisor y queda delimitada por la misma.

Máxima tensión de entrada posible

Ahora, observaremos que sucede con la forma de onda a la salida ante variaciones de la
tensión de entrada:

1. Para Vin = 40 mV:

2. Para Vin = 25 mV:

20
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

3. Para Vin = 80 mV:

Se observa que cuando la tensión de entrada aumenta, la onda a la salida no es más senoidal
sino que la misma se encuentra deformada, esto se debe a que la onda entra en una zona
de saturación o de corte.
Esto sucede debido a que la excursión de la corriente es mayor a la excursión máxima
permitida por nuestro circuito, ya sea para la zona de corte o para la zona de saturación.
Podemos definir entonces como Vin máxima a 20 mV debido que hasta ese valor de tensión
de entrada la salida de la onda es puramente senoidal.

Simulación del circuito con valores de componentes normalizados:

Tomando una tolerancia del 10% :

21
 Carrillo, Federico; Fruttero, Federico

Colocando valores de resistencias normalizados, podemos observar que la ganancia de

tensión es 159 el cual es un valor muy aproximado al calculado anteriormente.

Conclusión:

En este trabajo, se logró diseñar un amplificador multietapa que cumpla con las
especificaciones pedidas, esta experiencia fue muy productiva debido a que se puedo
terminar de comprender diversos temas que fueron dados a lo largo de la materia así como
temas ajenos al temario de la materia como los conceptos de THD y PSD que nos permitieron
realizar un estudio más profundo sobre el funcionamiento de nuestro circuito y que, en nuestro
caso, no conocíamos.
En el desarrollo del laboratorio tuvimos ciertas dificultades, la más importante fue no poder
lograr la ganancia de tensión pedida mayor a 80 cumpliendo con las especificaciones de
impedancia, por este motivo se optó por agregar una tercera etapa y gracias a esto se pudo
lograr dicho requerimiento de ganancia.

22