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Tra
ansistor Bipola
ar
1. TIEMPO
OS DE CONMU
UTACIÓN
N EN EL TR
RANSISTO
OR
BIP
POLAR
Commo muestra el gráfico del núcleo de conocimiento, el tema de e estudio en esta
e
leccióón será loss tiempos de
d conmuta ación propios del funccionamiento
o del transiistor
bipollar. Para po
oder entendder estos fe
enómenos es
e necesario que el esstudiante te
enga
claro
os los conceptos dad dos en lass leccioness anteriores correspoondientes a la
temáática del Tra
ansistor Bipolar.
Los temas
t que trataremos
t uientes:
son los sigu
- Tiempo de
d encendido y tiempoo de apagad
do
- Retardo de conmutaación
- Retardo de bajada
- Retardo de almacennamiento
- Retardo de subida
1.1. Tiempo
os de conm
mutación
Ideallmente el transistor
t debe
d conduucir en el mismo insttante en que aparece e la
corrie
ente de ba ase o pasa ar a circuitto abierto en el mismmo instante e en que estae
desaaparece. En n otras pallabras, el transistor
t s convierte
se e en corto o circuito entre
emissor y colecttor en el instante en que
q la corriente de ba
ase Ib alcan nza el nivel de
saturración, baja
ando instanttáneamentee la tensión de colectorr a cero: Vcee ≈ 0 [V].
Pero
o en la realid
dad la tensiión de colecctor tarda un
u determina
ado tiempo en cambia
ar su
valorr.
Tra
ansistor Bipola
ar
Conssideremos el e circuito de
d emisor común
c de la figura 1,, excitado ppor la ondaa de
volta
aje de entraada que se indica en la l misma figura. Esta onda realizza transicio ones
entre
e los niveless de tensiónn V2 y V1. Con
C Vent= V2 = 0 [V] el transistor está
e bloquea
ado,
y conn Vent =V1 e
el transistorr se satura. La onda Vi de entradaa se aplica entre la basse y
el em
misor a travvés de una a resistenciaa Rs, que puede
p uirse explíccitamente en el
inclu
circu
uito o pued de estar co onstituida por
p la impe edancia de salida de la fuente que
sumiinistra esta onda.
Nota:
En un transsistor bipolar Ib
controla la ma
agnitud de Ic
A continuación veremos
v loss cuatro rettardos que intervienen
i meno.
en el fenóm
1.2 Tiempo
T de
e encendid
do (ton) y tiempo de
e apagado
o (toff)
Pode emos disting guir entre tiiempo de exxcitación o encendido (ton) y tiemp
po de apag
gado
(toff). Cada uno de estos tiempos
t se puede dividir en otro
os dos. En la figura 3 se
obse ervan los differentes retardos que influyen en el fenómen no.
Tra
ansistor Bipola
ar
1.2.1
1 Retardo utación: (De
o de conmu elay Time, td).
Es el
e tiempo quue transcurre desde el instante e
en que se aplica
a la se
eñal de entrrada
) en el dispositivo conmutador, hasta que la señal de
(Vent), e salida (Vc) disminuy
ye al
90%.
Nota:
El tiempo de conmutación
c m
más importante
e,
dessde el punto de d vista de la a disipación dee
pottencia es el dee caída, y desde el punto de e
vistta de la conmuttación, es el de caída más el de
e
alm
macenamiento.
Tra
ansistor Bipola
ar
1.2.2
2 Retardo a: (Fall Time
o de bajada e, tf).
Es el
e tiempo que
q necesitta la tensió
ón de colecctor (Vc) pa ara bajar d del 90 al 10%.
Refle
eja el tiempo que neceesita la corriente de colector del trransistor pa
ara atravesa
ar la
regió es debida a la capacidad del colecctor.
ón activa y e
tonn= td + tf
1.2.3
3 Retardo enamiento: (ts).
o de almace
Es el
e tiempo quue transcurrre entre la bajada a cero
c de la te
ensión de eentrada (deesde
que se
s quita la excitación
e d entrada) y el instantte en que la
de a tensión de
e colector sube
s
0% de su valor final. Este retard
al 10 do se debe al tiempo necesario
n p
para elimina
ar el
exceeso de carga almace enado en la l unión dee base cua ando el traansistor esttaba
saturrado.
1.2.4
4 Retardo a: (tr).
o de subida
Es el
e tiempo ne ecesario pa ara que la tensión de colector su uba del 10 al 90% de e su
valorr final. Reflleja el tiemp
po que neccesita la corrriente de colector
c del transistor para
p
atravvesar la región activa.
El retardo total al
a bloqueo o al corte, tiiempo de apagado, ess:
tofff = ts + tr
Bibliografía