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L.] En las subestaciones HV aisladas por gas, los transitorios muy veloces pueden
ser causados toda vez que sean operadas llaves de desconexióno disyuntores.
Los VFTs, con un tiempo de elevación medido en nanosegundos, se originan como
resultado de la descomposición del gas entre los contactos durante los feno-
menos de arcos previos o de reignición. El sistema de potencia completo reac-
ciona con tiempos de elevación en la faja de los microsegundos a los milise-
gundos. Una operación de maniobra, por lo tanto, genera VFTs y voltajes de
maniobra que se agregan a las solicitaciones causadas por los voltajes de los
rayos sobre la aislación de todos los equipos conectados. El efecto de las on-
das provenientes de los rayos sobre el equipo en operacion ya es suficientemen-
te bien conocido. Un nuevo factor, sin embargo, es la respuesta del equipo an-
te los transitorios muy veloces, como tambien, la influencia de los VFTs sobre
la compatibilidad electromagnetica del equipo secundario.
El comportamiento fundamental de los fenomenos transitorios envolvi-
dos ha sido investigado teoricamente y experimentalmente. Se obtuvieron
resultados de los cuales se pudo derivar diagramas valederos de circuitos
equivalentes para los VFTs, permitiendo que los transitorios fuesen calcu-
lados. Estos conocimientos tienen amplia aplicación en la actualidad para
el estudio de los problemas de aislación y cuando se planifican disposicio-
nes de subestaciones.
[Z. |La Figura 2 muestra en forma resumida como los transitorios muy veloces ocur-
ren y se propagan en las subestaciones GIS, y cómo afectan el equipo de la
subestación. Su origen se encuentra en la abrupta descomposición del gas
SFg aislante que ocurre toda vez que sean operadas llaves de desconexión, al-
gunas veces en disyuntores, y como resultado de fallas de aislacion.
5 La Figura 3 muestra los voltajes medidos en un sistema de 110-kV cuando una lla-
vé de desconexión es utilizada para cerrar una barra en circuito abierto [2].
La primera ignición de arco tiene lugar en el tiempo t¡ en la Figura 3b; las
Figuras 3c-f muestran resoluciones de tiempo mas elevadas en tj]. En la Figura
3c, se puede ver que en la faja de los nanosegundos el voltaje desciende
abruptamente en el lado de la alimentación y asciende abruptamente (en solo
unos pocos ns) en lado de la carga. Estos impulsos de voltaje son propagados
como ondas viajeras alejándose desde ambos lados de la llave de desconexion.
El equipo de operacion en la subestación GIS causa que su característica de
voltaje cambie debido a refracción y reflexión. Despues de varios reflejos,
el frente abrupto de la onda viajera se achata debido al efecto atenuante de
la barra y a las propiedades electricas de los equipos instalados. Los transi-
torios cambian a una oscilación mono-frecuente. A medida que esta oscilación
decae, los transitorios muy veloces desaparecen, a ser seguidos por transito-
rios en la faja de los microsegundos a milisegundos que pertenecen, en
efecto, a los voltajes de maniobra. La Figura 3e muestra el estado transitorio
en el lado de la alimentacion.
Figura 1. Una subestacion GIS de 800-kV, en operación desde enero, 1988,
en el sistema 800-kV de ESCOM en Sud Africa.
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También cabe hacer notar que ocurren VFTs repetitivos cuando son operadas
llaves de desconexión, o sea, el equipo operacional puede ser sometido a
varios cientos de VFTs durante tales operaciones. En comparacion, solo un
VFT es causado cuando se cierra un disyuntor, y su valor depende del momen-
to de la maniobra.
Los VFTs son propagados entre el conductor y el envólucro de las barras ais-
ladas por gas. Al alcanzar un buje de alto voltaje, las ondas viajeras trans-
fieren desde la barra coaxial hasta la linea aérea para crear un nuevo tipo
de voltaje transitorio - el voltaje transitorio externo en la Figura 2.
La Figura 4 muestra como son generados los VFTs externos, en este caso
el tipo de arco superficial que ocurre a lo largo del eje del conductor in-
terno cuando una llave de desconexión es operada. Este arco superficial dis-
para la propagación de ondas viajeras, tal como fue descripto arriba. El im-
pulso de voltaje que se aleja del espacio en dirección al buje de HV es ilus-
trado en la Figura 4 en terminos de sus campos eléctricos y magneticos. El
envolucro tubular constituye el punto de cambio a la linea aérea. Son gene-
radas dos ondas viajeras, una de las cuales es propagada a lo largo de la
linea aerea. Como resultado, las lineas de fuerza magnéticas se unen, por via
de la tierra y la superficie externa del envolucro, con la fuente adentro del
envolucro. En consecuencia, una segunda onda viajera - el VFT externo - es
propagado entre el envolucro y la tierra, llevando a un aumento transitorio
del potencial del envólucro metálico. La Figura 4 muestra estas dos ondas
viajeras también en términos de sus campos eléctricos y magneticos. El signo
del voltaje entre el envolucro y la tierra es el opuesto al signo del volta-
je de la linea aérea. La Figura 4b muestra los resultados de las mediciones
realizadas sobre un buje de alto voltaje 800-kV.
—D n|
no 19.4.
Y3
, Us UL
Us 100 U, 100,
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0 , 9)
a Barra en circuito abierto cerra-
-100!: Y eel lo El j da por llave de desconexion.
UL 50 100 150 ms 200 0t 50 100 150 ms 200
el e 1 b Curva del voltaje en el lado de
D, Da la alimentacion y en el lado de -
la carga.
0 Sh > 0,5 YT
L 1 Lado de la alimentación.
DE 4 6 8 us 10 04 2 4 6 8 ps 10
al a ps 11 Lado de la carga.
d, da
Us Voltaje de la alimentación.
U, Voltaje en el lado de la carga,
Figura 3.
Fenomenos transitorios que
ocurren cuando un disyuntor
es utilizado para cerrar una
180 270 ys 360
barra en circuito ablerto
— ( — ( dentro de una subestación GIS.
8, ez
1,5 á 1.5
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UY ATAR y o
hos ; : | 0,5
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0 ru? 3 4 ms 5 0 a 3 4 ms5
Las operaciones de maniobra en gas SFg
provocan la ocurrencia de voltajes tran-
sitorios cuya caracteristica compleja
es conformada parcialmente por el equipo
instalado y parcialmente por la disposi-
cion física de la subestación.
A
Linea aérea
Resultados de mediciones ejecu-
A
tadas con impulsos de bajo vol-
taje sobre un buje de 800-kV
Voltaje entre el conductor in-
terno y el envolucro
Potencial transitorio del en-
volucro
Figura 4
Origen de un voltaje transito-
rio externo en una estacion
GIS de alto voltaje
La propagación de voltajes transitorios hoy en
dia puede ser simulada de manera realista y
con alta precisión por medio de diagrams de
circuitos equivalentes procesados por computa-
doras personales. La precisión de tales medi-
ciones ha sido confirmada por las verificacio-
nes efectuadas en el campo.
control (8)
¡a
Linea aérea
A
Buje de alto voltaje
PS
Pararrayos
Instalación a la intemperie
Instalación GIS
Edificio
A
Llave de desconexión
Tablero de control conteniendo
elementos microelectronicos
Figura 5
Campos electromagneticos
transitorios medidos dentro
de una subestación piloto
de 800-kV
9.
Los transitorios muy veloces en las subestaciones nunca pueden ser completa-
mente evitados a un costo razonable. Sus consecuencias deben, entonces, ser
mantenidas a raya, y los fabricantes de equipo de maniobra HV aislado por gas
SFg toman todas las medidas necesarias para asegurar esto. En años recientes,
la ABB ha llevado a cabo estudios sobre los principios fundamentales envolvi-
dos; estos han conducido a una comprensión cualitativa de las consecuencias
de los VFTs, y permiten que sean implementadas medidas economicamente viables
que aseguran la operación libre de problemas. Esto tiene aplicación particular
a las siguientes áreas:
. Comportamiento de la aislación bajo condiciones de VFTs
Verificación EMC
El analisis EMC es utilizado para identificar las fuentes de ruidos y para
determinar los variables de las perturbaciones. El acoplamiento de ruido
Ahora que los transitorios son completamente com-
prendidos y la EMC esta asegurada a traves de la
instalación, ya es posible instalar sistemas de
control provistos de microelectronica en subesta-
ciones GIS para voltajes nominales de hasta 800
kV sin cualquier riesgo de interferencia.
Figura 6.
Efecto del potencial transitorio del envólucro sobre los seres humanos
Antes que nada fue necesario realizar tareas preliminares básicas para ob-
tener diagramas valederos de circuitos equivalentes y sus limitaciones. Éstas
ultimas fueron determinadas para los componentes relevantes y equipo de ope-
ración de la estación al ir midiendo el comportamiento de transmision de los
impulsos en cada caso. Las mediciones ejecutadas con bajo y alto voltaje en
una subestación GIS piloto de 800-kV confirman la validez de los diagramas de
circuitos equivalentes para los componentes individuales usados para calcular
Los sensores permiten la medición de los
campos mag-
néticos transitorios y proporcionan los
datos reque-
ridos para la planificación de la EMC del
equipo se-
cundario.
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Figura 7.
Sistema digital de registro de datos para la medición
de transitorios en subestaciones GIS de alto voltaje.
Amplitud de la banda análoga: 500 MHz.
los VFTs en las estaciones de gran escala. Se ha demostrado que los diagra-
mas de circuitos equivalentes pueden ser confeccionados tanto mas sencillos
cuanto mas alejados esten los componentes desde la operacion misma de la
maniobra.
Mediciones
Unos sensores de campos que transmiten sus senales por cable de fibra
Optica son usados para medir los transitorios muy veloces en los equipos ad-
yacentes de operacion, aislados por aire [12, 13]. Para las investigaciones
EMC en la obra, relacionadas con equipos secundarios en GIS, la ABB utiliza
generadores de impulsos provistos con interfaces de acoplamiento proyectados
conforme a la norma IEC 801. Esto permito que las medidas de aterramiento y
de filtrado sean ensayadas adecuadamente durante el comisionamiento.
REFERENCIAS