EJERCICIOS TAREA 2

1. a) Determine la barrera de potencial integrada 𝑉𝑏𝑖 en una unión NP de silicio (Si) a una temperatura
𝑇 = 295 K para las siguientes concentraciones:
i) 𝑁𝑑 = 𝑁𝑎 = 5 × 1015 cm−3
ii) 𝑁𝑑 = 5 × 1017 cm−3 y 𝑁𝑎 = 1 × 1015 cm−3
iii) 𝑁𝑑 = 𝑁𝑎 = 1 × 1018 cm−3
b) Repita el inciso a) para el caso del arseniuro de galio (GaAs).

c) Repita el inciso a) para el caso del germanio (Ge).

2. a) Determiné la corriente en un diodo de silicio (consideré 𝑛 = 2) a una temperatura ambiente (𝑇 =

300 K) para los voltajes 𝑣𝐷 = 0.7 V, 𝑣𝐷 = 0.9 V, 𝑣𝐷 = 1.4 V, 𝑣𝐷 = 0.2 V, 𝑣𝐷 = − 0.2 V y 𝑣𝐷 = −2
V, para una corriente de saturación inversa:
i) 𝐼𝑆 = 1 × 10−11 A
ii) 𝐼𝑆 = 1 × 10−13 A
b) Repita el inciso a) para el caso de un diodo de germanio (consideré 𝑛 = 1) a una temperatura
ambiente (𝑇 = 300 K) para los voltajes 𝑣𝐷 = 0.4 V, 𝑣𝐷 = 0.8 V, 𝑣𝐷 = 1.1 V, 𝑣𝐷 = 0.2 V, 𝑣𝐷 = − 0.2
V y 𝑣𝐷 = − 2 V, utilice los mismos valores de 𝐼𝑆 que el inciso anterior.