6.

Resonancia
Ing. Fernando Ubiría, Ing. Pedro Castro

1
6.1 Condición de Resonancia

Supongamos que tenemos una red de dos terminales compuesta

internamente por resistores, inductores y capacitores, a la cual excitamos con
una señal senoidal cuya frecuencia podemos variar a voluntad. Como las
reactancias inductiva y capacitiva dependen de la frecuencia de la señal de
excitación, habrá alguna frecuencia para la cual XL y XC se anulen mutuamente,

presentando la red una impedancia resistiva pura.

Definición: En una red eléctrica de dos terminales que contenga por lo menos
un inductor y un capacitor, la resonancia se define como la condición que existe
cuando la impedancia de entrada de la red es puramente resistiva. Una red está
en resonancia cuando la tensión y la corriente en los terminales de entrada de la
red se encuentran en fase.

Se habla en general de dos tipos de resonancia:

1) La resonancia en serie, o neutralización de la reactancia en serie
2) La resonancia en paralelo, o neutralización de la susceptancia en paralelo

En una red compleja, dependiendo del número y características de las mallas

que la componen, pueden ocurrir para diferentes frecuencias y más de una vez
ambos tipos de resonancia.

1 Aunque aquí nos ocuparemos exclusivamente de la resonancia eléctrica, la resonancia no es un

fenómeno que se limite a las redes eléctricas, sino que aparece en otros campos de la física. En
mecánica se refiere a un sistema capaz de vibrar, al cual se le suministra energía en forma
periódica con una frecuencia igual a la frecuencia de vibración propia de ese sistema, lográndose
así una gran amplitud de vibración mediante la aplicación de una fuerza relativamente pequeña.
6. Resonancia 6-2

6.2 Resonancia en serie

En la figura 1 podemos ver el circuito resonante más sencillo, compuesto por

un resistor, un inductor y un capacitor conectados en serie. Este circuito estará
en condición de resonancia cuando la reactancia neta total sea cero, o sea que la
corriente i estará en fase con la tensión vT .

La impedancia del circuito será:

1 i
Z = R S  jL −  1
C + +

Cuando la reactancia del inductor sea igual a la del L vL = i·XL

-
capacitor, la impedancia será resistiva. Si excitamos el +
circuito mediante una corriente senoidal cuya frecuencia vT = i·Z RS vR = i·RS
-
podamos variar a voluntad, la frecuencia de resonancia fr
+
C
será aquella frecuencia para la cual se alcance dicha vC = i·XC
- -
condición. En la fig. 2 están representados los diagramas
fasoriales de este circuito para f < fr , f = fr y f > fr . fig. 1

ℑ ℑ ℑ

vL
vL
vL
vR i vR = vT i vT i

0 ℜ 0 ℜ 0 ℜ
vT vR
vC
vC
vC
f < fr f = fr f > fr

fig. 2

Por tratarse de un circuito en serie, lo más conveniente es tomar la corriente i

como referencia. La tensión vR estará en fase con la corriente i, estando vL

adelantada 90º y vC atrasada 90º respecto a i. A la frecuencia de resonancia, la

suma fasorial de las caídas de tensión en L y C es cero. La tensión total, que es

igual a la suma fasorial de las tres caídas individuales de tensión, es entonces
mínima para una corriente dada e igual a la caída de tensión debida a la
resistencia. Si se aumenta o disminuye la frecuencia, aumenta la reactancia total
6. Resonancia 6-3

y así es mayor la caída de tensión para una corriente

1
dada. Para calcular la frecuencia de resonancia, fr = 2
2  L C
hacemos XL = XC y despejamos f, obteniendo la ec.(2).

A esta frecuencia desaparece entonces el término reactivo, siendo Zr = RS y el

factor de potencia del circuito es 1. Para f < fr se cumple que XC > XL y la

reactancia total es capacitiva, mientras que para f > fr se cumple que XC < XL y el

circuito es inductivo.

6.2.1 Curvas de reactancia y lugares geométricos de Z e Y

Para determinar como varía la reactancia en función de la frecuencia,

podemos recurrir a las curvas que representan el comportamiento de los
elementos individuales:

X X ωL X
XL
XT

0 f 0 f 0 fr f
−1 XC
ωC

(a) (b) (c)

fig. 3

En la fig. 3a se muestra la curva de variación de la reactancia del capacitor

en función de la frecuencia, es la hipérbola XC = −1/ωC . La fig. 3b muestra la

curva correspondiente para la reactancia del inductor XL = ωL .

En la fig. 2c se han combinado ambas curvas para obtener la curva de la

reactancia total XT . La frecuencia de resonancia corresponde al punto en que

esta curva corta al eje de las abscisas.

En el mundo real no hay reactancias puras y la resistencia RS se debe

mayoritariamente al inductor, pero las consideraciones generales son las

mismas. La caída de tensión medida a través de un elemento reactivo cuya
resistencia interna es RS, será la suma fasorial i·X + i·RS . Debido a que en todo

circuito resonante verdadero habrá inevitablemente una componente resistiva, es

6. Resonancia 6-4

importante estudiar la variación de Z e Y en función de la frecuencia.

Sabemos que la impedancia del circuito resonante serie es: Z = R S  j XT

Como RS es constante, al variar XT el lugar geométrico de Z será una recta

paralela al eje X y a una distancia RS del mismo, tal como se ve en la fig. 4a.

El valor mínimo Z = RS se obtendrá a la frecuencia de resonancia.

Plano Z Plano Y
X Z6 B B
f f
Z5 Y1
Z4 1/RS Y2
RS
1/2RS Y3
0 Z3 R 0 G 0 G
Y4
Z2 Y Y5 1/RS
f jYXT/RS
Y6
Z1

(a) (b) (c)

fig. 4

Para encontrar el lugar geométrico

1 1 R S − jX T
de Y, planteamos la ecuación (3): Y= = = 2 3
Z RS  j X T RS  XT
2

Observando esta ecuación, vemos que:

i) A la frecuencia de resonancia fr tenemos que XT = 0 siendo el valor de Y = 1/RS

Esto implica que el lugar geométrico de Y pasará por el punto (1/RS , 0).

ii) El argumento del vector Y será arctg (− XT/RS ), o sea que a los valores de la

recta de Z situados en el semiplano superior o inferior del plano Z, les

corresponderán valores en el semiplano opuesto del plano Y.
iii) Si tomamos la ec. (3) Y = 1/(RS + jXT), Y R S  jX T  = 1 ⇒
multiplicamos ambos miembros por (RS + jXT) Y⋅R S  jY XT = 1 ⇒

y luego dividimos ambos miembros entre RS Y XT 1

Yj =
RS RS
obtenemos:
El vector Y y el vector jYXT/RS forman un ángulo de 90º y su suma es

constante y vale 1/RS, tal como se ve en la fig. 4b. Por lo tanto al variar XT, el

extremo de Y se moverá sobre una circunferencia de diámetro 1/RS.

6. Resonancia 6-5

En la fig. 4a, la recta vertical en el plano Z representa entonces la variación de

Z con la frecuencia para un valor constante de RS y un valor variable de X. La

variación de la admitancia Y correspondiente, queda representada en el plano Y

por la circunferencia de diámetro G = 1/RS representada en la fig. 4c. Los valores

correspondientes de Z e Y se identifican con iguales subíndices.

6.2.2 Factor de calidad

El concepto de factor de calidad Q, definido en el capítulo 4 para inductores y

capacitores, puede ser extendido para el caso de una red de dos terminales.

Recordemos que por definición: max.energia almacenada

Q=  4
P media disipada
Como en la ec. (4) aparece la Emáx i

almacenada por ciclo, al determinar el

Rg
QT del circuito de la fig. 5, el mismo se RS

expresará en términos de L o C, según

+ ω rL
que la frecuencia de la corriente sea _ vg (QT)r =
L RS

mayor o menor que fr . Según lo visto

C
en el punto 4.9.6, la energía máxima
almacenada por ciclo en el inductor
ω rL
es: 2
Qr =
Rg + RS
∣I m∣ L 2
w L max = = ∣i∣ L 5
2 fig. 5

La energía máx. almacenada 2

∣ ∣
2
∣Vm∣ C 2 i ∣i∣2
w C max = = ∣v∣ C = C= 2 6
por ciclo en el capacitor es: 2 C  C

Sabemos que la potencia media disipada es P = |i|2·RS.

Sí sustituimos en la ec. (4) para las frecuencias 1

QT = f f r
inferiores a resonancia la ec. (6) y para las  C RS
superiores la ec. (5) tenemos:
L
QT = f f r
En la frecuencia de resonancia, la energía máx. RS
almacenada es la misma para el inductor
r L 1
y para el capacitor, de modo que podemos QT r = = f =f r 7
RS r C R S
expresar Q en términos de L o C.
6. Resonancia 6-6

A menudo es necesario conocer el factor de calidad del circuito completo,

incluida la resistencia interna del generador Rg. En
r L
estos casos, usamos en las fórmulas la resistencia neta Qr = 8
Rg  RS
total del circuito, en el caso de la fig. 5 será la ec. (8)
Podemos relacionar el valor de Qr con
 r L /RS QT r
el valor de (QT)r dividiendo numerador y Qr = = 9
1  R g /RS 1  R g /R S
denominador de la ec. (8) entre RS :

6.2.3 Agudeza de resonancia

Hemos visto que el lugar geométrico de la admitancia de un circuito

resonante serie es una circunferencia en el plano Y, obteniéndose el valor
máximo Y = 1/RS a la frecuencia de resonancia. Alternativamente, podemos

representar |Y| y θ en función de la frecuencia en un sistema de coordenadas

cartesianas, tal como se ve en la fig. 6.

θ
|Y| , |i| π
2
1
2

1
fr
f

2
-π
fr f 2

(a) (b)
fig. 6

Cuando se le aplica al circuito una tensión constante, la ordenada en la fig.6a

también representa a la corriente i = vg·Y que circula por el mismo. Si aumenta

la resistencia del circuito, la admitancia disminuye para todas las frecuencias

pero esta disminución es más notoria en la vecindad de f r , adónde XT toma sus

valores más bajos. La curva 2 en la fig. 4 corresponde a una combinación con

mayor resistencia que la curva 1. La curva 1 tiene una mayor discriminación a
favor de las frecuencias próximas a fr y se dice entonces que el circuito es “más

selectivo”. Como lo muestra la fig. 6a, la corriente es máxima a la frecuencia de

resonancia y por lo tanto la potencia que una carga que forma parte de un
6. Resonancia 6-7

circuito resonante puede absorber de un generador es también máxima a fr . Se

dice que el circuito está “sintonizado” a la frecuencia del generador. La potencia

es menor a las frecuencias más bajas y más altas que fr . Se considera útil la

energía que entrega un generador a una carga, cuando la potencia absorbida no

es menor de la mitad de la máxima que podría entregar ese generador a esa
carga. Esta condición de media potencia se cumple para una frecuencia menor y
una mayor que fr , las que denotaremos f1 y f2 y que se llaman respectivamente

frecuencias de media potencia, límite o de corte inferior y superior.

Partiendo de esta definición, f =f r P r = i r⋅R
2
ir
podemos hallar la relación entre la Pr ⇒ i = 10
f =f 1 ,f 2
2
= i f1 ,2⋅R
f 1,2
2
corriente a fr y la corriente a f1 y f2 : 2

A f1 y f2 la corriente es igual a la vg vg
ir = ⇒ i f 1,2= 11
máxima dividida  2 . Como Zr = R R 2 R
Por lo tanto, a f1 y f2 el valor absoluto de la impedancia del circuito tendrá que

ser 2 veces la impedancia en resonancia, o sea: ∣Zf 1,2∣ =  2⋅∣Z r∣ =  2⋅R

Si escribimos la expresión de la 1
Z = R  j L − =
impedancia Z, sacamos R como factor C
común y dividimos y multiplicamos los  r L r
= R [1  j − ]
términos entre paréntesis por ωr : r R  r C R
r L 1  r
Sustituyendo Qr = = ⇒ Z = R [1  jQr  − ] 12
R r C R r 

En la ec. (12), para que la impedancia 1  r

a f 1, Qr  −  = − 1 13
 r 1
pueda tener una magnitud igual a 2 R
2 r
el cuadrado de la parte imaginaria de la a f 2, Qr  − = 1 14
r 2
cantidad entre corchetes tiene que ser 1:

Hallaremos las frecuencias angulares ω1 y ω2 a partir de las ec. (13) y (14):

2 2
 1− r 2 2
13 ⇒ Qr  = −1 ⇒ Qr 1   r  1 − Qr  r = 0 ⇒
 r⋅1

⇒ 1 =
−  r ±  2r 4 2r Q2r
2 Qr 
= r [ 1  
1 2
2 Qr
 −
1
2 Qr
]
6. Resonancia 6-8

2 2
 2−r 2 2
14 ⇒ Qr  =1 ⇒ Qr  2 − r  2 − Qr  r = 0 ⇒
 r⋅ 2

 r ±  r 4  r Qr

2 2 2 2
1 1
⇒ 2 = = r [ 1     ]
2 Qr 2 Qr 2 Qr

Queremos ahora determinar la banda de frecuencias entre f1 y f2 dentro de la

cual la potencia es igual o mayor que la mitad de la potencia máxima.

Calculamos para ello la diferencia entre ω1 y ω2 .

  r
2 2
1 1 1 1
 2−1 =  r [ 1     ] − r [ 1    − ]=
2 Qr 2 Qr 2 Qr 2 Qr Qr
Dividiendo ambos miembros entre 2π R
f 2−f 1 = 15
y simplificando obtenemos la ec. (15): 2 L

La agudeza de resonancia de un circuito depende entonces de la relación R/L

y está por lo tanto vinculada con el Q del circuito resonante serie.
Definimos el ancho de banda de potencia mitad AB = f2 - f1

Dividiendo la ec. (15) entre fr obtenemos: AB f 2 −f 1 R 1

= = = 16
fr fr 2 f r L Q r
El ancho de banda relativo AB/fr de un

circuito resonante serie es inversamente proporcional al factor Qr .

Veremos como está distribuido ese ancho de banda con respecto fr :

Cálculo exacto:


f 1⋅f 2 = f r [ 1  
1 2
2 Qr
 −
1
2 Qr 
]⋅f r [ 1  
1 2
2 Qr
 
1
2 Qr
2
]=fr

O sea que fr es igual a la media geométrica de

⇒ f r =  f 1⋅f 2 17
las frecuencias de media potencia.

vg vg
Partiendo de la ec. (12) podemos i= = 18
Z  r
escribir la corriente en el circuito como R [1  jQ r  − ]
r 

Empleando un razonamiento análogo al seguido para f1 y f2 , para cada valor

posible de |i| habrá dos frecuencias fa y fb cuya media geométrica será fr que

satisfarán la ec. (18). Esto implica que la curva de |i| en función de f es

6. Resonancia 6-9

simétrica desde el punto de vista geométrico.

log f a log f b 
log f r  =
Si aplicamos logaritmos a la ec. (17) vemos que 2

Por lo tanto, si se traza la gráfica de |i| en función de f sobre papel

semilogarítmico, la misma será una curva simétrica con respecto a fr .

Cálculo aproximado:

f1  f 2 f r
  
2 2 2
1 1 1 1 1
= [ 1  −  1   ]=fr 1 
2 2 2 Qr 2 Qr 2 Qr 2 Qr 2 Qr

En la mayoría de los circuitos de RF se cumple que f 1f 2

fr ≈ 19
Qr >> 1, lo cual permite decir con mucha aproximación 2

AB
De modo que en ese caso, f1 y f2 son f1=fr −  20
2
aritméticamente simétricas respecto a fr . AB
f2=f r  21
2

En la fig. 7 se han graficado las |ir| , |vr|

curvas correspondientes a i, vL y
|ir| , |vr|
vC para el circuito de la fig. 5. √2 √2
|vC| |vL|
|i|
Las tres curvas tienen |i|

prácticamente la misma agudeza

|vC|
y las dos curvas de tensión están |vL|

apenas desplazadas con respecto f1 fr f2 f

a la curva de corriente.
fig. 7

vg vg
A la frecuencia de resonancia, la corriente i es i= =
R gRS R t
∣i∣ ∣v g∣
De modo que la tensión a través del capacitor es ∣v C∣ = =
r C r C R t

Pero en resonancia se cumple 1 r L

r L = ⇒ ∣v C∣ = ∣v g∣ = ∣v g∣⋅Qr  22
r C Rt

Vemos que la tensión a través del capacitor será Qr veces la tensión del

generador, a este fenómeno se lo llama sobretensión de resonancia.

6. Resonancia 6 - 10

Para el inductor se puede establecer una aproximación similar, ya que todo

inductor físico presenta una cierta resistencia óhmica asociada.
En el circuito de la fig. 5, la tensión a ∣vg∣ 2 2
través del inductor es ∣v L∣ = R  RS XL
t

Pero, si a la frecuencia de resonancia XL

QL =  10
el factor de mérito del inductor satisface RS

XL
Se puede decir entonces con gran aproximación ∣v L∣ ≈ ∣v g∣ R = ∣v g∣⋅Qr 23
t

Ejemplo numérico
Un inductor de 200 µH tiene un Q = 50 que se supone independiente de la
frecuencia. El inductor está conectado en serie con un capacitor de 100 pF y el
circuito es alimentado por un generador cuya fem vg = 1 V y cuya Rg = 50 Ω .

Hallar la frecuencia de resonancia, f1 y f2 y la tensión vC en resonancia.

1 1
aplicando la ec.2 fr = = = 1,1254 MHz
2  L C 2   2⋅10 H⋅10
−4 −10
F

6 −4
para f = f r , XL = 2 f r L = 2 1,1254⋅10 Hz⋅2⋅10 H = 1414 

X L 1414
a partir de la def. de Qde un inductor RS = = = 28,28 
QL 50

XL 1414 
aplicando la ec.8 Q r = = = 18
R gRS 50 28,28 

fr 1,1254 MHz
aplicando la ec.16 AB = = = 62,522 KHz
Qr 18

AB 62,522 KHz
f1= fr − = 1,1254 MHz − = 1,094 MHz
2 2

AB 62,522 KHz
f2 =fr  = 1,1254 MHz  = 1,157 MHz
2 2

aplicando la ec.22 ∣v C∣ = ∣vg∣⋅Qr = 1 V⋅18 = 18 V

6. Resonancia 6 - 11

6.3 Resonancia en paralelo

En la resonancia en paralelo o antiresonancia, dos iT

susceptancias iguales y opuestas se neutralizan, de +
iL
modo que la admitancia es mínima a la frecuencia de iC
L
resonancia. En el circuito de la fig. 8, la RS representa a
v C
la resistencia del alambre del inductor. Si dicha
RS
resistencia fuera 0 ohms, en resonancia la admitancia
sería cero y por consiguiente la corriente iT también sería -

cero. En la fig. 9 están representados los diagramas

fig. 8
fasoriales de este circuito para f < fr , f = fr y f > fr .

ℑ ℑ ℑ

iC
iC
iC v iT v iT
v

0 ℜ 0 ℜ 0 ℜ
iT iL
iL
iL
f < fr f = fr f > fr

fig. 9

A la frecuencia de resonancia, la tensión v y la corriente iT están en fase, o

sea que el factor de potencia vale 1. En frecuencias inferiores a la de resonancia

el circuito es inductivo y por encima de la resonancia es capacitivo.
La admitancia del circuito será la suma de las admitancias de ambas ramas:

1 1 RS  jX L−XC 
YT = Y L  YC =  =  24
RS  j X L −j XC  RS  j X L− j XC 

La impedancia del circuito ZT 1 X L X C − j RS X C

ZT = =
es el recíproco de dicha suma: YT R S j XL −X C 

Finalmente, 2 2 2 2
RSXC X C XL−XC X L−RS XC 
racionalizando se ZT = 2 2
j 2 2
25
RS X L−XC  RS X L−XC 
obtiene la ec. (25)
6. Resonancia 6 - 12

Para que el factor de potencia valga 1, ZT debe ser una resistencia pura, por

lo tanto la parte imaginaria de la ec. (25) debe 2 2 2

XC XL −X C X L−R S XC = 0
ser igual a cero. Despejando, obtenemos el
2
criterio para factor de potencia 1, ec. (26). ⇒ R S = XL  XC −XL  26

En los circuitos de RF normalmente se cumple que XL >> RS , con lo cual la

ec. (26) se reduce aproximadamente a XL = XC y la fr 1

fr = 27
2  L C
queda entonces determinada por la la ec. (27).

6.3.1 Circuito equivalente paralelo

Para analizar el comportamiento del

+
circuito antiresonante de la fig. 10(a), es
Rg
conveniente convertirlo a su circuito
L
equivalente paralelo. Para ello se aplica el TM
+
_ C v
vg de Norton al generador y se convierte la rama
RS
RL a su forma equivalente en paralelo. El
- resultado de la transformación se ve en (b).
Finalmente, se sustituyen Rg y Rp por su
(a)
equivalente y se obtiene el circuito (c).
+
vg
vg Por el TM de Norton ig = 28
ig=
Rg Rg
Rg RP L C v La admitancia YL de la rama RL es:

1 RS − j L
YL = = 2
- RS  j L RS  L
2

(b) 2 2
Si QL  10 ⇒ L ≫ RS
+
RS j
vg ⇒ YL ≈ 2
−  29
ig=
Rg
L L
Req L C v O sea, el paralelo L 
2
RP = 30
de L y Rp , siendo RS
-
Rg⋅R P L
2
R eq = = 31
Fig. 10 (c) R g R P R SL 2 /Rg
6. Resonancia 6 - 13

6.3.2 Curvas de susceptancia y lugares geométricos de Y y Z

La admitancia total del circuito

1
de la fig. 10(c) será la suma de las Y T = Geq  jC −  32
L
admitancias individuales, ec. (32).
Si comparamos la ec. (32) con
la ec. (1) correspondiente al Plano Y Plano Z
B Y6 X
circuito en serie, vemos que estos f
Y5 Z1
dos circuitos son duales, o sea, las Y4 G Z2
eq
Z3
ecuaciones son idénticas excepto
0 Y3 G 0 R
por el intercambio de impedancia y Z4
Y2 Z5 1/Geq
admitancia. La admitancia del f Z6
Y1
circuito en paralelo se comporta
(a) (b)
frente a las variaciones de
frecuencia del mismo modo que la X
B
BC
impedancia del circuito serie. BT
Basándonos en el principio de 0 fr
0 fr f f
dualidad, podemos trazar los BL
diagramas polares de admitancia e
(c) (d)
impedancia y las curvas de
susceptancia y reactancia del fig. 11
circuito en paralelo, fig. 11.

6.3.3 Factor de calidad

∣v 2∣
La potencia media disipada en el circuito de la fig. 10(c) es: P= 33
R eq

En tanto que la energía máxima 2∣v∣ 2 ∣v 2∣

w L max = ∣i L∣ L =   L= 2 34
almacenada en el inductor es: L  L

A la frecuencia de resonancia, la energía E max alm.

Q=
máxima almacenada es la misma para el P med.dis.
inductor y para el capacitor, sustituyendo
las ec. (33) y (34) en la definición de Q : ∣v 2∣/2r L R eq
Qar =  r 2 = 35
∣v ∣/R eq r L
6. Resonancia 6 - 14

6.3.4 Agudeza de resonancia

Hemos visto que el lugar geométrico de la |Z| , |v|

impedancia de un circuito resonante paralelo es una
circunferencia en el plano Z, obteniéndose el valor 1

máximo Z = 1/Geq = Req a la frecuencia de resonancia.

Alternativamente, podemos representar |Z| en 2

función de la frecuencia en un sistema de fr f

coordenadas cartesianas, tal como se ve en la fig. 12. fig. 12

Cuando se alimenta al circuito con una corriente constante, la ordenada en la
fig.12 también representa a la tensión v = ig·Z aplicada al mismo, la cual también

será máxima a la frecuencia de resonancia. La curva 1 corresponde a un valor

alto de Req y la curva 2 a un valor más bajo.

Buscaremos ahora las frecuencias de media potencia f1 y f2 .

Partiendo de la definición, f =f r
2
P r = v r⋅Geq vr
podemos hallar la relación entre la Pr ⇒ vf 1,2= 36
f =f 1 ,f 2
2
= v f1 ,2⋅G eq 2
tensión a fr y la tensión a f1 y f2 : 2

A f1 y f2 la tensión es igual a la ig ig
vr = ⇒ v f 1,2= 37
máxima sobre 2 . Como Yr = Geq
Geq  2 Geq

Por lo tanto, a f1 y f2 el valor absoluto de la admitancia del circuito tendrá que

ser 2 veces la admitancia en resonancia, o sea: ∣Yf 1,2∣ =  2⋅∣Y r∣ =  2⋅G eq

Si escribimos la expresión de la
1 1
admitancia Y, sacamos Req como factor Y = Geq  j BT =  jC − =
R eq L
común y dividimos y multiplicamos los
1  r C R eq  r R eq
términos entre paréntesis por ωr : = [1  j − ]
R eq r  r L

R eq 1  r
Sustituyendo Qar = =  r C R eq ⇒ Y= [1  jQar  − ] 38
r L R eq r 

La ec. (38) es dual de la ec. (12). Si seguimos un razonamiento similar al

efectuado para el circuito serie llegaremos a las ec. (39) y (40), las cuales
expresan ω1 y ω2 en función de ωr y del Qar .
6. Resonancia 6 - 15

 
2 2
1 1 1 1
1 = r [ 1    − ] 39 , 2 = r [ 1     ]  40
2 Qar 2 Qar 2 Qar 2 Qar

Haciendo la diferencia entre ambas, AB f 2 −f 1 1

= = 41
dividiendo entre 2π y operando obtenemos: fr fr Q ar

El ancho de banda relativo AB/fr de un circuito resonante paralelo es

inversamente proporcional al factor Qar , o sea que es más selectivo cuando la

impedancia del generador es alta. Este caso es común en los circuitos de RF y

por ello la resonancia en paralelo se usa mucho más que la resonancia en serie.

Para estudiar como está distribuido ese ancho de banda,

f r =  f 1⋅f 2  42
procedemos como en el caso de circuito serie y obtenemos:
f1 f2
También en este caso es válida la solución aproximada: fr≈ 43
2

A la frecuencia de resonancia, la corriente ∣v∣ ∣i g∣R eq

que circula a través del capacitor es
∣i C∣ = =
1/ r C 1/ r C

1 R eq
Pero en resonancia se cumple r L = ⇒ ∣i C∣ = ∣i g∣ = ∣i g∣⋅Qar 44
r C r L

Vemos que la corriente que circula a través del capacitor será Qar veces la

corriente del generador.

Para el inductor se puede establecer una aproximación similar. Recordemos
que el circuito de la fig. 10(c) es sólo un equivalente aproximado del circuito de
la fig. 10(a), todo inductor físico presenta una cierta resistencia óhmica asociada
y la corriente que nos interesa es la de ese inductor físico.
En el circuito de la fig. 10(a), la corriente ∣v∣ R eq
∣i L∣ = = ∣i ∣
que circula a través del inductor es
 R 2SX2L  RS2X2L
g

Pero, si a la frecuencia de resonancia XL

QL =  10
el factor de mérito del inductor satisface RS

R
eq
Se puede decir entonces con gran aproximación ∣i L∣ ≈ ∣i g∣ X = ∣i g∣⋅Qar 45
L
6. Resonancia 6 - 16

Ejemplo numérico
Un inductor de 200 µH tiene un Q = 50 que se supone independiente de la
frecuencia. El inductor está conectado en paralelo con un capacitor de 100 pF y
el circuito es alimentado por un generador cuya fem vg = 10 V y cuya Rg = 100 K

Hallar la frecuencia de resonancia, f1 y f2 y la corriente iC en resonancia.

1 1
aplicando la ec.27 fr = = = 1,1254 MHz
2  L C 2   2⋅10 H⋅10
−4 −10
F

6 −4
para f = f r , XL = 2 f r L = 2 1,1254⋅10 Hz⋅2⋅10 H = 1414 

X L 1414
a partir de la def. de Qde un inductor RS = = = 28,28 
QL 50

Debemos hallar ahora el circuito equivalente paralelo:

2
vg 10 V X L 1414 2
ig = = = 100  A , RP = = = 70,7 K
R g 100 K RS 28,28

R g⋅R P 100 K⋅70,7 K

Req = = = 41,42 K
R gRP 100 K70,7 K

R eq 41,42 K
aplicando la ec.35 Qar = = = 29,3
XL 1414 

fr 1,1254 MHz
aplicando la ec.40 AB = = = 38,41 KHz
Qar 29,3

AB 38,41 KHz
f1= fr − = 1,1254 MHz − = 1,106 MHz
2 2

AB 38,41 KHz
f2 =fr  = 1,1254 MHz  = 1,145 MHz
2 2

aplicando la ec.44 ∣i C∣ = ∣i g∣⋅Qar = 100  A⋅29,3 = 2,93 mA

Bibliografía
Everitt y Anner, Ingeniería de Comunicaciones