DEPARTAMENTO DE TEORIA DE LA

SEÑAL Y COMUNICACIONES

TECNOLOGÍA DE ALTA FRECUENCIA

Final Teoría (4 p.) Junio 2017
APELLIDOS:
NOMBRE: DNI:

T-1 (1.25p). Tenemos el circuito de la figura:

0,1 3 Z1=50ohm
1 ቀ ቁ 2
0 0,2 Z1
Z0=50 ohm

a) Calcule los parámetros “S11 y S22” del conjunto formado por los dos cuadripolos

Llamando al dispositivo de la derecha a y al de la izquierda b, el dispositivo a es unilateral por lo que:

𝑇 𝑎
𝑆11 = 𝑆11 = 0,1

Para calcular ST22 y teniendo en cuenta que el dispositivo a es unilateral:

𝑎
´𝑎 𝑎
1 + 𝑆22
𝑆22 = 𝑆22 → 𝑍𝑠𝑎 = 𝑍𝑜 𝑎 = 75 Ω
1 − 𝑆22

Por lo tanto, la impedancia vista desde la puerta 2 del conjunto será:

𝑍𝑠𝑎 ∙ 𝑍1 𝑍𝑠𝑇 − 𝑍0
𝑍𝑠𝑇 = 𝑇
= 30 Ω → 𝑆22 = = −0,25
𝑍𝑠𝑎 + 𝑍1 𝑍𝑠𝑇 + 𝑍0

b) Calcule el parámetro S12 y S21 del conjunto formado por los dos cuadripolos

Por ser a unilateral:

𝑇 𝑎
𝑆21 = 𝑆21 =0

Para calcular ST12, primero calculamos los parámetros S del dispositivo b:

𝑏 𝑏
2𝑍1
𝑆21 = 𝑆12 = = 0,66
2𝑍1 + 𝑍𝑜

𝑏 𝑏
(𝑍1 ‖𝑍0 )−𝑍0 −𝑍0
𝑆11 = 𝑆22 = = = −0,33
(𝑍1 ‖𝑍0 )−𝑍0 2𝑍1 + 𝑍𝑜

Por lo tanto, tendremos que:

𝑏 𝑎
𝑏𝑇
𝑆12 𝑆12
𝑆12 = 𝑏 𝑎
= 1,86
1 − 𝑆11 𝑆22

1
T-2 (0.75p). Tenemos un resonador prismático de dimensiones a=22mm b=11mm,
c=41mm
a) Calcular la frecuencia de resonancia en el modo TE102

La frecuencia de resonancia con m=1, n=0 y l=2 será:

𝑐 𝑚𝜋 2 𝑛𝜋 1 𝑙𝜋 2
𝑓0 = √ቀ ቁ + ቀ ቁ + ( ) = 10 𝐺𝐻𝑧
√𝜀𝑟 𝜇𝑟 𝑎 𝑏 𝑐

b) Si rellenamos el resonador con un dieléctrico de εr=9.

 Indique como variará la frecuencia de resonancia

Se reduce conforme a (1⁄ ) por lo tanto, fo = 3,33 GHz

√𝜀𝑟

 Comente como variará el factor de calidad del resonado.

El factor Q disminuye por las pérdidas en el dieléctrico (tg δ ˃ 0)

 Represente el campo eléctrico y magnético en el resonador para el modo

TE102.

2
 T.-3 (1p) Queremos construir un conmutador PIN paralelo a 1 GHz siguiendo el esquema
de la figura. El modelo equivalente del diodo es una resistencia en serie con una
inductancia

1 2 R(Id)

Ld

PIN

Ld = 0.159 nH R(I = 30 mA) = 1 Ω R(I = 0 mA) = 1000 Ω Zo = 50 Ω

a) Calcule el aislamiento máximo y las pérdidas de inserción mínimas que se pueden

obtener con este diodo en configuración paralelo.

Para la impedancia equivalente del diodo en paralelo tendremos que:

𝑅
𝑆21 =
2𝑅 + 𝑍𝑜
Para R= 1 Ω
𝑆21 = 0,0385 → 𝛼𝑖 = −20 𝑙𝑜𝑔|𝑆21 | = 28,3 𝑑𝐵

Para R= 1000 Ω
𝑆21 = 0,97 → 𝛼𝑖 = −20 𝑙𝑜𝑔|𝑆21 | = 0,21 𝑑𝐵

b) Calcule la longitud del stub “Ls” para conseguir el máximo aislamiento posible.

A la frecuencia de trabajo ZLd = jωL = j Ω. La impedancia total del diodo será Zd = 1+j Ω

Normalizando con la impedancia de la línea  ̅̅̅

𝑍𝑑 = 0,02 + 0,02𝑗, situando este valor en carta de Smith
hay que desplazarse hasta conseguir anular la parte imaginaria pero consiguiendo que la parte real sea
la mínima. La solución es:

𝐿𝑠 = 0,497𝜆

3
 T-4 (1p) Tenemos el circuito de la figura: -j/raiz(2)
S22=0

P/2 Zo

-j/raiz(2)
Zo
z1 CC -1/raiz(2)

-j/raiz(2)
|rho1| = 1 P/2

S11=1
z2 CC

CA

a) Calcule los parámetros S11 y S22 cuando Z1= 0 y Z2=0

Debe ser recíproco, que no simétrico
En primer lugar, calculamos los parámetros S de las impedancias Z1 y Z2

𝑍 𝑍
2𝑍𝑖 −𝑍0
𝑆21 = 𝑆12 = ; 𝑆 𝑍 = 𝑆22
𝑍
2𝑍𝑖 − 𝑍𝑜 11 2𝑍𝑖 − 𝑍𝑜 S21T = 0 = S12T

−1 0 0 1
Para Zi = 0 Ω  𝑆 = ቀ ቁ para Zi = ∞ Ω  𝑆 = ቀ ቁ
0 −1 1 0

Para calcular ST11 se debe determinar la relación entre b1 y a1

𝑊 𝑊
𝑏1 = 𝑆12 𝑎2 + 𝑆13 𝑎3
𝑍 𝑍
𝑎2 = 𝜌2 𝑏2 = 𝑆111 𝑏2 ; 𝑎3 = 𝜌3 𝑏3 = 𝑆112 𝑏3
Y:
𝑊 𝑊
𝑏2 = 𝑆21 𝑎1 ; 𝑏3 = 𝑆31 𝑎1
Sustituyendo:
𝑇
𝑏1 𝑊 𝑍1 𝑊 𝑊 𝑍2 𝑊
𝑆11 = = 𝑆21 𝑆11 𝑆12 + 𝑆31 𝑆11 𝑆13 = 1
𝑎1 -j/raiz(2)*j*-j/raiz(2)

Para calcular ST22 se debe determinar la relación entre b2 y a2 (dado que la puerta 3 del Branch-Line está
cargada con Z0  a3=0)
𝐵𝐿 𝐵𝐿
𝑏2 = 𝑆21 𝑎1 + 𝑆24 𝑎4
𝑍 𝑍
𝑎1 = 𝑆221 𝑏1 ; 𝑎4 = 𝑆222 𝑏4
Y:
𝐵𝐿 𝐵𝐿
𝑏1 = 𝑆12 𝑎1 ; 𝑏4 = 𝑆42 𝑎4
Sustituyendo:
𝑇
𝑏2 𝐵𝐿 𝑍1 𝐵𝐿 𝐵𝐿 𝑍2 𝐵𝐿
𝑆22 = = 𝑆21 𝑆22 𝑆12 + 𝑆24 𝑆22 𝑆42 = 0
𝑎2
-j/raiz(2)*-1*-j/raiz(2) + -j/raiz(2)* -1*-1/raiz(2)

b) Calcule S21 y S12 cuando Z1 = 0 Ω y Z2= ∞ Ω

Pasivo y recíproco
Calculamos el ST21, siguiendo los caminos en transmisión:
𝑇
𝑏2 𝑊 𝑍1 𝐵𝐿 𝑊 𝑍2 𝐵𝐿
𝑗
𝑆21 = = 𝑆21 𝑆21 𝑆21 + 𝑆31 𝑆21 𝑆24 = -j/raiz(2)*0*-j/raiz(2) + -j/raiz(2)*1*-1/raiz(2) = -j/2
𝑎1 2
Calculamos el ST12, siguiendo los caminos en transmisión: S21 =
𝑇
𝑏1 𝐵𝐿 𝑍1 𝑊 𝐵𝐿 𝑍2 𝑊
𝑗
𝑆12 = = 𝑆12 𝑆12 𝑆12 + 𝑆42 𝑆12 𝑆13 =
𝑎2 2

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Final Problemas (3 p.) Junio 2017
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Problema-1 (3p). Queremos diseñar un amplificador con la configuración de la figura:

L1, Z1 L2, 25 Ω

SWRS
SWRE

Ls2, 50 Ω
ρg ρL

Parámetros S del transistor: S11=0.1 S12=0.3 S21=2 S22=0.25j Zo=50 Ω

a) Considerando que ρg =0.4 en la red de entrada, calcule ρL y diseñe la red de

adaptación de salida, L2 y LS2, para conseguir la máxima ganancia posible.
Calculamos S’22:

′
𝑆21 𝑆12 𝜌𝑔
𝑆22 = 𝑆22 + = 0,25 + 0,25𝑗
1 − 𝑆11 𝜌𝑔
De modo que:
′∗
𝜌𝐿 = 𝑆22 = 0,25 − 0,25𝑗

La impedancia vista a la salida del transistor debe ser:

1 + 𝜌𝐿
𝑍𝐿 = 𝑍𝑜 = 70 − 40𝑗 Ω
1 − 𝜌𝐿

Y la admitancia normalizada con 25 Ω:

𝑌̅𝐿 = 0,27 − 0,15𝑗

Implementando la red de adaptación para ver este valor a su entrada (punto conectado al colector) se
obtiene:

i) L2 = 0,15λ LS2 = 0,33λ

ii) L2 = 0,402λ LS2 = 0,17λ

1
 b) Considerando ρg = 0,4; calcule L1 y Z1 de la red de entrada para conseguir este
valor e indique cuanto valdría el SWR de entrada y de salida del amplificador.

Dado que ρg y la impedancia del generador son reales, L1 debe ser λ/4, por lo tanto, a la entrada del
transistor debería verse Z’g = 116 Ω:

𝑍1 = √𝑍𝑜 𝑍′𝑔 = 76,4 Ω

Por otro lado, se tendrá que SWRs=1 por haber adaptación conjugada a la salida.

Para calcular SWRe hemos de calcular:

′
𝑆21 𝑆12 𝜌𝐿
𝑆11 = 𝑆11 + = 0,27 + 0,15𝑗
1 − 𝑆11 𝜌𝐿

Y la impedancia vista a la entrada del transistor:

′
1 + 𝑆11
𝑍𝑒 = 𝑍𝑜 ′ = 81,5 − 28,6𝑗 Ω
1 − 𝑆11

En el otro extremo de la línea, a su entrada la impedancia será:

𝑍12
𝑍′𝑒 = = 64,6 + 21,25𝑗Ω
𝑍𝑒

De modo que el coeficiente de reflexión a la entrada y el SWRe serán:

𝑍′𝑒 − 𝑍0 1 + |𝜌𝑒′ |
𝜌𝑒′ = = 0,156 + 0,156𝑗 → 𝑆𝑊𝑅𝑒 = = 1,57
𝑍′𝑒 + 𝑍0 1 − |𝜌𝑒′ |

c) Con ρg =0.4 y el valor de ρL obtenido en el apartado a), calcule si el amplificador

obtiene la máxima ganancia disponible.

Calculando la ganancia del amplificador se obtiene que GT = 4,55; siendo la GMAG = 4,55.

No se obtiene la ganancia máxima posible.

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TECNOLOGÍA DE ALTA FRECUENCIA

Final Problema (3 p.) Junio 2017
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Problema-2 Se propone el diseño de un oscilador con resonador coaxial capaz de oscilar

a 1 GHz o a 2 GHz mediante un único bit de control. Para ello se ha desestabilizado el
transistor y mediante técnicas de compensación en frecuencia se ha conseguido que
presente los mismos parámetros S a las 2 frecuencias. El esquema es el siguiente:

 εR = 9 ZCoax = 25 Ω
 Cb, condensador de bloqueo de DC, impedancia nula a la frecuencia de trabajo
 Considere el diodo PIN y el resonador ideales.
 Los parámetros S del desfasador son:
𝑆𝜙 = ( −𝑗𝜙0 𝑒 −𝑗𝜙 )
𝑒 0
a) Sabiendo que ρR debe ser igual a 1, calcule LCoax. (Para VControl 0 ó 5 voltios). (1 p.)
El desfasador se comportará en función de VControl del siguiente modo:

0 1
𝑉𝐶𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 = 0 𝑉 → 𝑆𝛷 = ( )
1 0
0
𝑉𝐶𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 = 5 𝑉 → 𝑆𝛷 = ( −𝑗90° 𝑒 −𝑗90° )
𝑒 0

Por lo tanto, para VControl = 0 V el desfasador se comporta como una interconexión ideal, no produciendo
ningún efecto en el circuito. De modo que para que ρR =1, a la salida del resonador el coeficiente de
reflexión debe presentar este mismo valor que se corresponde con circuito abierto.
Por otro lado, el resonador está terminado en su extremo en cortocircuito, para que desde su entrada se
vea un circuito abierto:
𝜆(1 𝐺𝐻𝑧) 1 𝑐
𝐿𝐶𝑜𝑎𝑥 = → 𝐿𝐶𝑜𝑎𝑥 = = 0,025 𝑚
4 4 𝑓 √𝜀𝑟
Para ésta longitud del resonador, a 2 GHz tendremos que:

𝑐 𝜆( 2𝐺𝐻𝑧)
𝐿𝐶𝑜𝑎𝑥 = 0,025 𝑚 → 𝜆( 2𝐺𝐻𝑧) = = 0,05 𝑚 → 𝐿𝐶𝑜𝑎𝑥 =
𝑓√𝜀𝑟 2

1
Para para VControl = 5 V el desfasador producirá un retardo de fase en reflexión de -2·90º = -180º. El
resonador a 2 GHz presentará a su entrada un cortocircuito correspondiente con un coeficiente de
reflexión de -1. Con el efecto del desfasador tendremos que ρR =1.

b) Para ρR = 1 calcular la ZNL y razonar si el circuito podría oscilar. (1 p.)

Para ρR= 1  S’22 = 2-2j, calculando el valor de ZNL visto hacia el colector del BJT:
′
1 + 𝑆22
𝑍𝑁𝐿 = 𝑍𝑜 ′ = −70 + 40𝑗 Ω
1 − 𝑆22
Dado que la parte real de ZNL es negativa, el circuito podría oscilar si la impedancia de carga tiene un
valor adecuado.

c) Demuestre si con C = 2,97 pF y R = 91,9 Ω el circuito propuesto oscilaría a 1 GHz

para VCont = 0V y a 2 GHz si VCont = 5V. Indique en ambos casos si se conseguiría obtener
la condición de arranque óptima. (1 p.)

i) Para VCont = 0V  VPIN = 5 V por lo que el condensador conectado en paralelo al diodo quedará
cortocircuitado. De este modo la impedancia de carga la forman la resistencia en paralelo con un solo
condensador. La impedancia que presenta el condensador a 1 GHz será:

−𝑗
𝑍𝑐 = = −53,6𝑗 Ω
𝜔𝐶

Por lo tanto, la impedancia vista a la salida del oscilador será:

𝑍𝑐 𝑅
𝑍𝐿 = = 23,3 − 40𝑗 Ω
𝑍𝑐 + 𝑅

ii) Para VCont = 5V  VPIN = 0 V por lo que el diodo equivaldrá a un circuito abierto. En este caso habrá
que tener en cuenta el condensador conectado en paralelo al diodo. La impedancia de carga la forman la
resistencia en paralelo con los dos condensadores conectados en serie. La impedancia que presenta cada
condensador a 2 GHz será:

−𝑗
𝑍𝑐 = = −26,8𝑗 Ω
𝜔𝐶

Por lo tanto, la impedancia vista a la salida del oscilador será:

2𝑍𝑐 𝑅
𝑍𝐿 = = 23,3 − 40𝑗 Ω
2𝑍𝑐 + 𝑅

En ambos casos se cumple la condición de arranque optima