PROPIEDADES

ELÉCTRICAS DE LOS
MATERIALES
JESSICA BENAVIDES
SEMICONDUCTORES
INTRÍNSECOS
 T=0K

4 valence
electrons
What is?
Covalent
bond

Made from a
single material.
 EJEMPLOS DE
SEMICONDUCTORES
TEORÍA DE BANDAS
 MOBILIDAD
ELECTRÓNICA

¿Qué es un hueco?
carga positiva
(+1,6 × 10-19 C)
SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO ANTES Y
DESPUÉS DE LA EXCITACIÓN
 CONDUCTIVIDAD
INTRÍNSECA

p = número de agujeros por metro cúbico.

𝜇h = la movilidad de los agujeros.
n = número de electrones libres o conductores por unidad de volumen
|e|= magnitud absoluta de la carga eléctrica de un electrón (1,6 ×10-19 C).
𝜇e = la movilidad de electrones.
CADA ELECTRÓN PROMOVIDO A TRAVÉS DE
LA BRECHA DE BANDA DEJA UN AGUJERO
EN LA BANDA DE VALENCIA

n=p=ni
ni = concentración intrínseca de
portadores
 EJERCICIO

CÁLCULO DE LA LAS MOVILIDADES

CONCENTRACIÓN DE ELECTRONES Y
INTRÍNSECA DE AGUJEROS SON,
PORTADORES A LA RESPECTIVAMENTE,
TEMPERATURA CONDUCTIVIDAD DE 0,80 Y 0,04 M2
AMBIENTE PARA EL ELÉCTRICA A /V-S.
ARSENIURO DE TEMPERATURA
GALIO AMBIENTE ES DE
3 × 10-7 (Ω-M)-1
SOLUCIÓN
GRACIAS
POR TU
ATENCIÓN