Tesis defendida por

Cesáreo Ramírez Espinoza

y aprobada por el siguiente Comité

Dr. Heriberto Márquez Becerra

Director del Comité

Dr. Raúl Rangel Rojo Dr. Víctor Ruiz Cortés

Miembro del Comité Miembro del Comité

Dr. David Salazar Miranda Dr. Francisco Javier Esparza Hernández

Miembro del Comité Miembro del Comité

Dr. Pedro Negrete Regagnon Dr. Favela Vara Jesús

Coordinador del programa de Director de Estudios de Posgrado
posgrado en Óptica

Mayo de 2014
 CENTRO DE INVESTIGACIÓN CIENTÍFICA Y DE EDUCACIÓN
SUPERIOR DE ENSENADA, BAJA CALIFORNIA

MR

Programa de posgrado en ciencias

en Óptica

Estudio de guías de onda ópticas de índice escalón obtenidas por multi-implantación de

iones de plata

Tesis

para cubrir parcialmente los requisitos necesarios para obtener el grado de

Maestro en Ciencias
Presenta:
Cesáreo Ramírez Espinoza

Ensenada, Baja California, México,

2014
 ii

Resumen de la tesis de Cesáreo Ramírez Espinoza, presentada como requisito parcial para la
obtención del grado de Maestro en Ciencias en Óptica con orientación en Optoelectrónica.

Estudio de guías de onda ópticas de índice escalón obtenidas por multi-implantación de

iones de plata

Resumen aprobado por:

Dr. Heriberto Márquez Becerra

Director de Tesis

En este trabajo se presenta un estudio teórico y experimental de guías de onda ópticas

planas con un perfil de índice escalón obtenidas mediante implantación de iones de plata en
sustratos de cuarzo fundido. El estudio comprende el diseño, fabricación y caracterización de
las guías de onda. En el diseño y fabricación se desarrolló un proceso de multi-implantación de
iones para obtener guías de onda con perfil escalonado. El perfil de implantación de iones de
Ag, en una matriz de SiO2 , fue obtenido por implantaciones secuenciales a diferentes energías
de implantación en un rango de 4.3 M eV a 9 M eV y dosis de ∼ 1014 a ∼ 1015 iones/cm2 . El
proceso de caracterización de las guías de onda comprende el análisis de: espesor, espectro
de absorción, pérdidas por propagación, modos de propagación, topografía y compactación.
Asimismo, se presenta el perfil de índice de refracción de guías de onda tipo escalón en función
de la composición química, compactación y esfuerzo.

Palabras Clave: Multi-implantación, implantación de iones, iones de plata, índice

escalón, guías de onda.
 iii

Abstract of the thesis presented by Cesáreo Ramírez Espinoza, in partial fulfillment of the
requirements of the degree of Master in Sciences in Optics with orientation in Optoelectronics.

Study of step index optical waveguides obtained by silver ion multi-implantation

Abstract approved by:

Dr. Heriberto Márquez Becerra

Director de Tesis

In this work, a theoretical and experimental study of planar optical waveguides with step-
index profile obtained by silver ion implantation in fused silica substrate is presented. The
study comprised the design, the fabrication and the characterization of optical waveguides.
The design and manufacturing process is shown employing a sequential multiple ion implan-
tation process to obtain optical waveguide with step index profile. Silver ion implantation
process, in SiO2 matrix, was obtained with energies of implantation from 4.3 M eV to 9 M eV
and doses of ∼ 1014 to ∼ 1015 ions/cm2 . Measurements of dimensions, absorption spectrum,
propagation losses, intensity distribution, and effective refractive indices of the propagation
modes of the waveguides are presented. Moreover, an approach of refractive index profile of
the waveguides was adjusted considering chemical composition, compactation and stress.

Keywords: Multi-step ion implantation, silver ion, step-index, optical waveguides.

 iv

Dedicado

A mi madre, mi abuelo,

mis hermanos y a toda

mi familia, quienes

creen y confían en mí

alentándome a seguir

adelante.
 v

Agradecimientos

A mi madre que ha sido mi orgullo e inspiración para continuar avanzando hacia adelante,

quien con su fortaleza me ha mantenido en pie permitiéndome ir más allá. A mi abuelo y mis

hermanos quienes han sido un padre para mí y a toda mi familia por su apoyo incondicional,

por estar conmigo en los momentos necesarios demostrándome su cariño y confianza. Sobre

todo un agradecimiento muy especial para aquella persona que estuvo a mi lado en los buenos

y malos momento, esa persona quien es mi modelo a seguir, quien con su ideología me permitió

ver el mundo con una perspectiva diferente, esa persona que con su amor y cariño me estuvo

alentando a seguir adelante sin importar las circunstancias en las que me encontrara, muchas

gracias por darme la oportunidad de conocerte y pasar agradables momentos contigo. No

tengo palabras para agradecerte.

Al Dr. Heriberto Márquez por darme la oportunidad de trabajar con él, por compartir

su experiencia y conocimiento, bastaba con tan solo una palabra para aclarar mis dudas. Un

sincero agradecimiento por dedicarme su tiempo, paciencia y confianza, sobre todo, gracias

por su amistad.

A mis sinodales Dr. Raúl Rangel, Dr. David Salazar, Dr. Victor Ruiz, Dr. Francisco

Javier Esparza, por sus comentarios y sugerencias que me encaminaron a realizar un buen

trabajo.

A la Dr. Alicia Oliver y a los técnicos Karim López y Francisco Jaimes del acelerador

Peletron del Instituto de Física de la UNAM, por brindarme su ayuda para la fabricación de

mis muestras y al Dr. Erick Flores por su apoyo brindado.

A los técnicos de los talleres de óptica Francisco Javier Dávalos y M. en C. Luis Antonio

Rios, por su amistad y apoyo en el proceso de pulido de las muestras. A M. en C. Rosalía

 vi

Contreras por brindarme su ayuda con el equipo para realizar la espectrometría. Al personal

técnico del Microscopio Electrónico de Barrido, M. en C. Luis Carlos Gradilla por su ayuda

en el análisis químico de las muestras. Al personal técnico del Microscopio de Fuerza Atómica

del CNyN, M. en C. David Alejandro Dominguez por su ayuda en el análisis topografico para

medir compactación.

A mis maestros M. en C. Omar Iván Gaxiola y M. en C. Juan Carlos Cabanillas por

darme la motivación y la orientación para continuar estudiando. Al Dr. Gilberto Anzueto

por abrirme la puerta y brindarme la oportunidad de trabajar con él y conocer esto tan

apasionante como lo es la investigación.

A los investigadores y personal del departamento de óptica por su enseñanza académica

contribuyeron en mi formación profesional e intelectual. Al CICESE por darme la oportu-

nidad de adentrarme en el mundo de la ciencia y por todo su apoyo brindado.

Al CONACyT y proyecto de investigación interno (632110) por su apoyo económico

brindado mediante la beca N0 264457.

A mis compañeros de equipo Pelicarrones y Astros por darme la oportunidad de poder

defender los colores de la camiseta con ellos, por convivir y pasar buenos momentos, gracias.

A todas aquellas amistades que estuvieron conmigo durante este camino, y no me queda

más que agradecer sinceramente a todos quienes fueron un eslabón importante para la reali-

zación de este trabajo, por todo, muchas gracias.

 vii

Contenido

Página

Resumen en español . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ii
Resumen en inglés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . iii
Dedicatoria . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . iv
Agradecimientos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . v
Lista de Figuras ix
Lista de Tablas xiv
1. Introducción 1
1.1 Objetivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2 Organización de la tesis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2. Guías de onda ópticas: Fundamentos teóricos 5
2.1 Guías de onda ópticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.1.1 Análisis de propagación en la guía de onda óptica por medio de
óptica geométrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.1.2 Análisis por teoría electromagnética . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
3. Implantación de iones: Fundamentos teóricos 21
3.1 Implantación de iones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.2 Frenado de iones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.3 Efectos de implantación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
4. Simuladores: Implantación de iones e índice de refracción 30
4.1 Simulación de implantación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.2 Simulación de índice de refracción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
5. Diseño de guías de onda ópticas 34
6. Materiales y metodología 45
6.1 Método de fabricación por implantación de iones . . . . . . . . . . . . . . 45
6.2 Caracterización de guías de onda ópticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
6.2.1 Microscopía óptica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
6.2.2 Espectroscopía óptica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
6.2.3 Pérdidas por propagación y transmitancia . . . . . . . . . . . . . . 51
6.2.4 Visualización de modos de propagación . . . . . . . . . . . . . . . 55
6.2.5 Índices de refracción efectivos de los modos de propagación . . . . 56
6.2.6 Topografía y compactación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
 viii

Página
6.2.7 Perfil de índice de refracción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
7. Resultados y discusiones 62
7.1 Simulación de implantación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
7.2 Microscopía óptica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
7.3 Espectroscopía óptica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
7.4 Pérdidas por propagación y transmitancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
7.5 Visualización de modos de propagación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
7.6 Índice de refracción efectivo de los modos de propagación . . . . . . . . . 83
7.7 Topografía y compactación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
7.8 Perfil de índice de refracción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
8. Conclusiones 101
Referencias bibliográficas 104
Apéndice A. Ecuaciones de Maxwell 107
Apéndice B. Ecuaciones para el cálculo de dosis de implantación 109
Apéndice C. Método del Cálculo de la Reflectividad 110
Apéndice D. Acoplamiento por prisma de alto índice 116
 ix

Lista de Figuras

Figura Página

1 Tipos de guías de onda ópticas. a) Planas, b) Canal o angosta, c) Cilíndricas

o fibras ópticas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2 Perfiles de índices de refracción de guías de onda ópticas. a) Perfil de índice
escalón, b) Perfil de índice gradiente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3 Fenómeno de reflexión total interna. a) Refracción, b) Ángulo crítico, c) Re-
flexión interna total. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
4 Guía de onda plana dieléctrica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
5 Condición para la propagación de ondas de luz. a) Condición de auto-consistencia
para una guía de onda plana. b) Patrón de interferencia. Modificado de Saleh
Bahaa E. A. y Teich Malvin Carl (1991), p.241. . . . . . . . . . . . . . . . . 9
6 Propagación en una guía de onda plana. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
7 Modos de propagación en una guía de onda óptica. a) Modos guiados TE, b)
Modos guiados TM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
8 Distribución de campo para modos guiados TE en una guía de onda dieléctrica.
Imagen tomada del Saleh Bahaa E. A. y Teich Malvin Carl (1991), p.254. . . 19
9 Daño estructural del material implantado. a) Trayectoria de los iones. b)
Re-ordenamiento de la red vítrea. Simulación en SRIM 2012. . . . . . . . . . 23
10 Transferencia de energía: frenado electrónico y colisiones nucleares de iones
ligeros entrando en un sustrato, representados por las líneas punteada y sólida,
respectivamente. Gráfica tomada del Townsend P.D. et al. (1994), p.25. . . . 25
11 Ion incidente a un ángulo diferente de cero, viajando por el material definiendo
el rango R, rango de proyección Rp , el "straggle" proyectado ∆Rp . . . . . . . 27
12 Distribución de iones que se aproxima a un perfil de distribución gaussiano;
por ejemplo, perfil de una implantación simple de iones de Ag en un sustrato
de SiO2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
13 Perfil de implantación típico de iones de Ag implantados en SiO2 , interfaz del
simulado SRIM 2012. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
 x

Lista de Figuras (continuación)

Figura Página

14 Simulación de índice de refracción efectivo y modos de propagación para un

perfil de implantación típica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
15 Diagrama de flujo para el diseño de guías de onda ópticas de tipo escalón por
implantación de iones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
16 Perfil de índice de refracción y modo de propagación fundamental para un
perfil de índice de refracción gaussiano . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
17 Perfil de índice de refracción y modos de propagación para un perfil de índice
de refracción tipo escalón . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
18 Implantación de iones de Ag en SiO2 a diferentes energías: IP1) 9 M eV , IP2)
8 M eV , IP3) 7 M eV , IP4) 6 M eV , IP5) 5 M eV , IP6) 4 M eV , IP7) 3 M eV ,
IP8) 2 M eV . Simulación en SRIM 2012. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
19 Ejemplo de multi-implantación de iones. a) Iones de Ag a energías de 6 MeV
y 9 MeV, b) Superposición de implantaciones, la imagen interna muestra la
simulación de implantación obtenida en el SRIM 2012. . . . . . . . . . . . . 40
20 Discretización de multi-implantación, segmentos de 70nm. . . . . . . . . . . 43
21 Ejemplo de porcentaje e índice de refracción para una multi-impantación. . . 44
22 Modo de propagación fundamental para un perfil de índice de refracción tipo
escalón . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
23 Perfil de multi-implantación de iones. a) Simulación de multi-implantación
de iones de Ag en SiO2 , en SRIM 2012. b) IP1) 9 M eV , IP2) 7 M eV , IP3)
6 M eV , IP4) 5.2 M eV y IP5) 4.3 M eV . IP6) Multi-implantación. . . . . . . 46
24 Acelerador de partículas del IFUNAM, Peletrón. Imagen y esquema del acel-
erador de partículas tomada de http://www.fisica.unam.mx/peletron/. . . . 48
25 Configuración para obtener espectro de absorción o transmitancia de las guías
de ondas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
26 Arreglo experimental para obtener pérdidas y transmitancia de la guía de onda. 54
27 Perfil de distribución de campo eléctrico Ex y Ey , en el eje x y y, respectivamente. 54
28 Arreglo experimental para visualizar modos de propagación, L1 = 63x y L2 =
10x. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
 xi

Lista de Figuras (continuación)

Figura Página

29 Arreglo experimental para obtener índices de refracción efectivos y modos de

propagación. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
30 Compactación de material por proceso de implantación. . . . . . . . . . . . . 59
31 Simulación perfil de índice de refracción para los índices efectivos de 1.4820
y 1.4638. a) Perfil propuesto con sus correspondientes índices de refracción
efectivos teóricos representados con las líneas rojas, las líneas verdes represen-
tan los índices efectivos experimentales de 1.4820 y 1.4638. b) Simulación del
perfil de índice de refracción adecuado para obtener los índices de refracción
efectivos de 1.4820 y 1.4638. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
32 Proceso de implantación para el diseño de guías tipo escalonado. a) Número
de implantaciones en proporción a su factor de conversión para obtener las
guías de índice escalón, b) Perfil de multi-implantación como resultado de la
sucesión de implantaciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
33 Cálculo del perfil de índice de refracción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
34 Porcentaje de índice de refracción confiable a tomar como perfil escalonado. . 65
35 Aumento de porcentaje de iones de plata e incremento de índice de refracción
con respecto al cambio de dosis de implantación para las diferentes multi-
implantaciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
36 Imágenes de microscopía óptica de la guía de onda a) M1 a una amplificación
de 63x, b) M2 a una amplificación de 100x sumergida en aceite y c) M4 a una
amplificación de 63x. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
37 Imagen de guías de onda a) con película de carbón y b) sin carbón, a excepción
de M3 que aún tiene carbón. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
38 Espectro de absorción para las multi-implantaciones, con carbón, comparado
con el espectro del sustrato. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
39 Microscopio de barrido electrónico (SEM). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
40 Espectro de elementos químicos de M4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
41 Espectro de elementos químicos de M4 después de tratamiento térmico. . . . 73
42 Espectro de absorción para las multi-implantaciones, sin carbón, comparado
con el espectro del aire. M3 aún posee carbón. . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
 xii

Lista de Figuras (continuación)

Figura Página

43 Espectro de absorción para las multi-implantaciones, con carbón (c/C) y sin

carbón (s/C). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
44 Transmitancia de las guías de ondas M1 yM2, con carbón. a) Zona de evalu-
ación de transmitancia. b) Gráfica de transmitancia. . . . . . . . . . . . . . 76
45 Transmitancia de la guía de ondas M1, M2 y M4, sin carbón. a) Zona de
evaluación de transmitancia. b) Gráfica de transmitancia. . . . . . . . . . . . 79
46 Transmitancia de las guías de ondas M1, M2 y M4 variando potencia. a) Punto
de medición a 9.5 mm, 3.5 mm y 8 mm para M1, M2 y M4, respectivamente.
b) Gráfica de transmitancia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
47 Distribución de intensidad a la salida de la guía de onda a) M1, b) M2 y c) M4. 82
48 Modos de propagación TE y TM para la guía de onda M1. a) Ángulo de
incidencia, b) Índice de refracción efectivo y c) Valor de índice de refracción
efectivo TE y TM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
49 Modos de propagación TE y TM. Índice de refracción efectivo para las guías
de ondas M1, M2 y M4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
50 Imágenes topográfica de región de implantación donde se observa compactación
de una guía de onda angosta, con perfil gaussiano, implantada con iones de
Ag a 9 M eV y 5 × 1016 atomos/cm2 , adquiridas a través de un Microscopio
de Fuerza Atómica (AFM). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
51 Interfaz para manipulación de datos obtenidos del AFM a) Zona de inspección,
b) perfil de compactación con valores de profundidad. Imagen adquirida con
AFM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
52 Guía de ondas angosta con ancho de 20 micras. a) Imagen obtenida con el
AFM, b) Gráfica de valores de relieve obtenidos con el AFM, c) Perfil de
compactación promedio, d) Área de compactación. . . . . . . . . . . . . . . . 90
53 Perfiles de índice de refracción por composición química, simulación en WII. 92
54 Perfil de índice de refracción escalonado asimétrico. . . . . . . . . . . . . . . 92
55 Perfil reconstruido, guía M1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
56 Perfiles de índice de refracción reconstruidos para modos TE y TM. . . . . . 95
 xiii

Lista de Figuras (continuación)

Figura Página

57 Estructura y perfil de índice de refracción. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96

58 Perfil de índice de refracción y modos de propagación para un perfil de índice
de refracción tipo escalón asimétrico reconstruido . . . . . . . . . . . . . . . 97
59 Pasos para reconstruido el perfil de índice de refracción . . . . . . . . . . . . 98
60 Descripción de compactación. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
61 Método experimental para la observación de un patrón de intensidad retrore-
flejado que contiene líneas de modos obscuros. . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
62 Componentes de una onda viajera en el modelo para un sistema de guía de
onda no confinada. En el cálculo el perfil se representa hasta por cien escalones.
Imagen tomada de Townsend P.D. et al. (1994), p.170. . . . . . . . . . . . . 111
63 Excitación de modos de propagación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
 xiv

Lista de Tablas

Tabla Página

1 Parámetros de implantación teóricos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

2 Parámetros de implantación experimentales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3 Índices de refracción y porcentajes máximos del perfil de índice de refracción
de las guías de onda. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
4 Dimensiones de las guías de onda M1, M2 y M4. . . . . . . . . . . . . . . . . 67
5 Valores de pérdidas y transmitancias en una análisis general. . . . . . . . . . 79
6 Valores de pérdidas y transmitancias en ubicaciones específicas. . . . . . . . 80
7 Modos de propagación e índices de refracción efectivos para una longitud de
onda de 633 nm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
8 Birrefringencia de los modos de propagación. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
9 Índices de refracción máximos, cambio de índice de refracción y birrefringencia
para las guías de onda M 1, M 2 y M 4, con polarización TE y TM. . . . . . . 93
10 Cambio de índice de refracción por cambio de volumen de las guías de onda
M 1, M 2 y M 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
11 Características específicas de las guías de onda para una longitud de onda de
633 nm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
12 Profundidad de penetración del campo evanescente para m0 de la guía M1. . 118
Capítulo 1

Introducción

Desde hace varios años, dentro del área de comunicaciones, se han estado realizando trabajos

de investigación y desarrollo de dispositivos que operen en el dominio óptico con la finalidad

de incrementar la velocidad de procesamiento de información (Kimerling L. C. et al., 2006).

En los sistemas de comunicaciones ópticas por fibra, la señal óptica se restringía a enlaces

entre dispositivos, realizándose todo el procesado de la señal en el dominio electrónico. Sin

embargo, la revolución que ha supuesto el desarrollo de la Sociedad de la Información y la

incesante demanda de un mayor ancho de banda ha ocasionado la necesidad de una mayor

capacidad de red, constituyéndose las tecnologías fotónicas en el principal candidato para

satisfacer esta demanda. De esta forma, se han desarrollado componentes fotónicos para el

procesado de la señal en el dominio óptico y poder así eliminar o reducir las conversiones

optoelectrónicas. Existen en el mercado amplificadores ópticos, filtros ópticos, multiplex-

ores/demultiplexores y convertidores de longitud de onda, etc., para el tratamiento de la

señal de información óptica. Por otro lado, se están realizando trabajos de investigación de

dispositivos de óptica integrada para conmutación óptica (Torres-Torres C. et al., 2011).

Las guías de onda ópticas se consideran una de las componentes más importantes de

óptica integrada. El desempeño de los dispositivos depende de su calidad, por lo que el poder

fabricar guías de onda con pérdidas por propagación bajas y buen confinamiento óptico es un

paso importante para el desarrollo de circuitos de óptica integrada. Existen varias técnicas

para fabricar guías de onda ópticas, las más comúnmente utilizadas son evaporación de

películas delgadas, crecimiento epitaxial, intercambio iónico, difusión de estado sólido, sol-
 2

gel e implantación de iones (Hunsperger R. G., 1985; Hutcheson Lynn D., 1987; Bass Michael,

2010). En particular, la implantación de iones es un método versátil para fabricar guías de

onda en una variedad de materiales ópticos: vidrios, cristales y polímeros (Townsend P.D.

et al., 1994).

Investigadores del Departamento de Óptica de CICESE, IFUNAM y CIO, han realizado

diversos trabajos de investigación de guías de onda por implantación de iones de oro (Au),

plata (Ag) y cobre (Cu) en sustratos de cuarzo fundido (SiO2 ) con perfil de índice gradiente.

Por lo que, en este trabajo se pretende estudiar el diseño de guías de onda de tipo escalón

por multi-implantación de iones de plata en sustratos de cuarzo fundido SiO2 .

La implantación de iones es un proceso robusto para producir guías de onda ópticas.

Sin embargo, la técnica comúnmente usada es una sola implantación de iones que produce

una distribución de iones con un perfil semi-gaussiano asimétrico; cuya forma depende de

los parámetros de implantación (Márquez H. et al., 2013). El diseño de las guías de onda

ópticas tipo escalón es muy importante debido a que su confinamiento óptico es adecuado

para reducir perdidas por propagación y acoplamiento con fuentes de luz láser. Por lo que,

formar guías de onda tipo escalón con una sola implantación es complicado y una forma

de conseguirlo es investigado en este trabajo de tesis por medio de un proceso de múlti-

implantación de iones a diferentes energías y dosis de implantación (Montanari G. B. et al.,

2012).

1.1 Objetivo

El objetivo en este proyecto es el diseño y fabricación de guías de onda ópticas por medio

de multi-implantación de iones de plata en sustratos de SiO2 . En particular, se considera

establecer los parámetros de implantación convenientes para obtener una guía de onda con
 3

perfil de índice escalón, con bajas pérdidas de propagación que permitan un guiado óptico

de confinamiento alto en el espectro visible e infrarrojo cercano, apropiado para disposi-

tivos de óptica integrada. Además, se pretende efectuar el proceso de caracterización de

las propiedades ópticas de las guías de onda, como lo son: espesor, espectro de absorción,

pérdidas por propagación, modos de propagación, perfil de índice de refracción, topografía y

compactación.

1.2 Organización de la tesis

El presente trabajo de tesis se organiza de la siguiente manera:

En el capítulo II se presentan los fundamentos teóricos básicos de guías de onda ópticas.

En éste se presenta una breve descripción sobre guías de onda dieléctricas y su análisis con

óptica geométrica y teoría electromagnética.

En el capítulo III se describe, de manera breve, el proceso de implantación de iones

considerando los mecanismos presentes durante la interacción de iones con la materia, e.g.

procesos de frenado de iones. Se muestran los procesos implícitos en el cambio de propiedades

de los materiales implantados, e.g. los efectos causados al sustrato por la implantación de

iones.

En el capítulo IV se explican los métodos de simulación por computadora para el proceso

de implantación de iones y el simulador de índices de refracción efectivos de los modos de

propagación.

En el capítulo V se presenta el proceso de diseño de guías de onda de tipo escalón por

medio de la técnica de implantación de iones y se describe el método utilizado para determinar

los parámetros de implantación para el proceso de fabricación.

En el capítulo VI se muestran los materiales y las técnicas empleados para la fabricación

 4

y caracterización de las guías de onda.

El capítulo VII incluye las discusiones y los resultados obtenidos del proceso de diseño,

considerando la simulación de implantación de iones y la caracterización de las propiedades

ópticas de las guías de onda.

En el capítulo VIII se presentan las conclusiones a las que se llegan en el trabajo realizado.
 5

Capítulo 2

Guías de onda ópticas: Fundamentos teóricos

2.1 Guías de onda ópticas

Los dispositivos de óptica integrada se basan en el proceso de confinamiento de luz en estruc-

turas llamadas guías de onda ópticas. Son consideradas el elemento básico en la tecnología

de óptica integrada. Una guía de onda puede ser definida como una estructura óptica que

permite la propagación de luz u ondas electromagnéticas por medio de reflexiones múltiples

atrapadas en el interior por un fenómeno conocido como reflexión total interna. Existe una

variedad de configuraciones para el guiado de luz, entre las más comunes se encuentran las

guías de onda planas, de canal o angostas y las cilíndricas o fibras ópticas (Figura 1). Las

guías planas y las de canal son ampliamente utilizadas en óptica integrada y las fibras óp-

ticas son fuertemente utilizadas para transmitir información a largas distancias en el rango

de las comunicaciones ópticas, por ejemplo, 1530 nm. Estos tres tipos de guías de ondas se

caracterizan por estar compuestas por un material dieléctrico con un índice de refracción n1

embebido en otro material dieléctrico con índice de refracción menor n2 , como se puede ver

en la Figura 1. El índice de refracción se puede definir como la razón de la velocidad de la

luz en el vacío entre la velocidad de la luz en el medio; es decir, cuando la luz u onda electro-

magnética pasa a través del medio se reduce su velocidad, por lo que el índice de refracción

está dado por: n = c/ν, donde c es la velocidad de la luz en el vacío (≈ 3 × 108 m/s) y ν es

la velocidad de la luz en el medio.

Existe una variedad de clasificaciones de guías de onda dependiendo del perfil de índice

de refracción, las más comunes son las guías de onda con perfil de índice escalón y las de
 6

a) b) c)
Figura 1. Tipos de guías de onda ópticas. a) Planas, b) Canal o angosta, c) Cilíndricas o fibras
ópticas.

índice gradiente. El perfil de índice de refracción es la distribución del índice de refracción a

lo largo de su sección transversal.

Las guías de onda con perfil de índice escalón se caracterizan por contar con un índice de

refracción uniforme en la parte del núcleo y un cambio abrupto de índice en la frontera entre

el núcleo y el recubrimiento, como se muestra en la Figura 2a).

Por otra parte, la guías de índice gradiente varían su índice de refracción gradualmente

decreciendo a medida que se aproxima al recubrimiento (Figura 2b)).

2.1.1 Análisis de propagación en la guía de onda óptica por medio de óptica

geométrica

Con la ayuda de óptica geométrica se puede explicar el fenómeno de reflexión total interna,

primeramente se considera un rayo de luz propagándose en un medio con índice de refracción

n1 que incide en la frontera entre dos medios a un ángulo θ1 como se muestra en la Figura 3.

En la frontera la luz es parcialmente transmitida y parcialmente reflejada. La relación entre

los índices de refracción n1 y n2 , el ángulo de incidencia θ1 y el refractado θ2 está dada por

 7

a) b)

Figura 2. Perfiles de índices de refracción de guías de onda ópticas. a) Perfil de índice escalón,
b) Perfil de índice gradiente.

la ley de Snell (Saleh Bahaa E. A. y Teich Malvin Carl, 1991).

n1 senθ1 = n2 senθ2 . (1)

En la Figura 3 se observa un medio con un índice de refracción n1 mayor que n2 , por

lo que el ángulo θ1 es menor que θ2 . Cuando el ángulo de incidencia θ1 se incrementa

consecuentemente θ2 crece. Para cierto ángulo θ1 el haz de luz viaja paralelo a la interfaz

entre los dos medios, es decir, a un ángulo θ2 de 90◦ , tal ángulo de incidencia θ1 es llamado

ángulo crítico θc , definido como:

n2
θc = sen−1 . (2)
n1
A ángulos de incidencia mayores al θc el haz de luz será totalmente reflejado en la frontera

entre n1 y n2 hacia el primer medio n1 efectuándose la reflexión total interna. La luz se

confina y se propaga en la región con índice de refracción n1 .

Guías de onda plana dieléctricas

Una guía de onda plana dieléctrica es una estructura óptica compuesta generalmente por tres

capas de material dieléctrico, como se muestra en la Figura 4. La primera capa es denominada

 8

a) b) c)

Figura 3. Fenómeno de reflexión total interna. a) Refracción, b) Ángulo crítico, c) Reflexión

interna total.

sustrato1 con índice de refracción n1 , la parte media se le considera el núcleo2 con un índice

de refracción n2 y una capa superior con índice de refracción n3 llamada cubierta. En el caso

donde (n1 , n3 ) < n2 se tiene una estructura para una guía de onda simétrica, mientras que

n1 < n3 < n2 o n3 < n1 < n2 se tiene una estructura para una guía de onda asimétrica.

Como se mencionó anteriormente, el haz de luz se propaga a través de la guía de onda por

múltiples reflexiones que se ocasionan en las interfaces entre el núcleo y el recubrimiento

y entre el núcleo y el sustrato, confinando luz y dando lugar a la reflexión total interna,

obteniendo propagación de luz a través del núcleo bajo ciertas condiciones sin pérdidas de

radiación hacia el medio que lo rodea.

Para el guiado de luz es necesario que el ángulo de incidencia sea más grande que el

ángulo crítico θc , sin embargo no es una condición suficiente. Para que las ondas de luz

se propaguen, deben satisfacer la condición de fase en las fronteras entre el núcleo y el re-

cubrimiento y el núcleo y el sustrato, es decir, tomando en consideración la naturaleza de

onda electromagnética de la luz, después de dos reflexiones subsecuentes de la onda elec-

1
En la literatura, el sustrato también es considerado cubierta o recubrimiento.
2
El núcleo es nombrado la zona de guiado.
 9

Figura 4. Guía de onda plana dieléctrica.

tromagnética (condición de auto-consistencia, Figura 5a)), ésta interfiere constructivamente

con la onda original incidente formando en el interior de la guía una distribución de campo

(Figura 5b)).

a) b)
Figura 5. Condición para la propagación de ondas de luz. a) Condición de auto-consistencia para
una guía de onda plana. b) Patrón de interferencia. Modificado de Saleh Bahaa E. A. y Teich
Malvin Carl (1991), p.241.

Como se menciono anteriormente, la condición de auto-consistencia 3 requiere que cuando

la onda se refleja en dos ocasiones esta se reproduzca a sí misma, donde solamente un conjunto
3
Condición de auto-consistencia también conocida como condición de resonancia transversal (Lifante,

2003).
 10

discreto de ángulos cumplen con esta condición a lo largo de la guía de onda. La distribución

de campo formada en el interior de la guía de onda que cumple con la condición de auto-

consistencia son llamados eigenfunciones o modos de la guía de onda. Los modos son campos

que mantienen la misma distribución transversal y polarización en toda la trayectoria a lo

largo del eje de la guía de onda (Saleh Bahaa E. A. y Teich Malvin Carl, 1991).

Figura 6. Propagación en una guía de onda plana.

La condición de auto-consistencia para interferencia constructiva implica que el desplaza-

miento de fase total debe ser cero o un múltiplo entero de 2π (Lifante, 2003) es decir:

2k0 n2 dcosθ − φ3 − φ1 = 2πm, (3)

donde k0 = 2π/λ0 es el vector de onda o constante de propagación en el vacío, d es el

espesor de la guía de onda, φ3 y φ1 son el cambio de fase en la frontera entre el núcleo y el

recubrimiento y entre el núcleo y el sustrato para polarización TM y TE, respectivamente

y m es un número entero (0,1,2,3...) denominado el orden modal o número de modo. La

ecuación anterior es esencialmente la relación de dispersión o ecuación de eigenvalores de la

guía.
 11

El cambio de fase de φ3 y φ1 para polarización TE y TM (Reed G. T. y Knights A. P.,

2004) está dada por:

p
−1 n22 sen2 θ − n23
φ3T E = 2tan , (4a)
n2 cosθ
p
−1 n22 sen2 θ − n21
φ1T E = 2tan , (4b)
n2 cosθ
p
−1 n2 n22 sen2 θ − n23
φ3T M = 2tan , (5a)
n3 cosθ
p
−1 n2 n22 sen2 θ − n21
φ1T M = 2tan . (5b)
n1 cosθ
Únicamente un número de direcciones angulares específicas del haz incidente permite la

propagación a lo largo de la guía. Cada una de las direcciones del haz permitido corresponde

a un modo diferente de propagación de onda en la guía. Cada modo lleva asociado una

constante de propagación β m perteneciente a un ángulo discreto θm . En la Figura 6 se

observa que la onda guiada se compone de dos ondas planas distintas viajando en el plano

y-z en dirección del eje z a un ángulo θ. El vector de onda k en sus dos componentes en la

dirección de y y z (Figura 6), respectivamente, son:

kz = n2 k0 senθ, (6)

ky = n2 k0 cosθ, (7)

donde kz es la constante de propagación β m del modo para el ángulo de propagación θm .

Denotando la expresión n2 senθ como nef f , llamado índice de refracción efectivo. Este nuevo

parámetro está directamente relacionado con la constante de propagación del modo y el

número de onda en el vacío:

β
nef f = . (8)
k0
El índice de refracción efectivo representa el índice de refracción experimentado por el modo

que se está propagando, en este caso, a lo largo del eje z. El índice efectivo debe cumplir con
 12

la condición de la ecuación siguiente, que considera el rango de valores que β puede obtener.

n3 < nef f < n2 . (9)

Tomando en cuenta la polarización de las ondas propagantes, en este caso, polarización

transversal eléctrica (TE ) o transversal magnética (TM ), se pueden expresar los modos de

propagación con dos notaciones diferentes: los llamados modos TE y modos TM. Cuando el
→
−
vector de campo eléctrico E es perpendicular a la dirección de propagación se le consideran
→
−
los modos TE (Figura 7a)). Caso contrario, cuando el vector de campo magnético H es

ortogonal a la dirección de propagación se presentan los modos TM (Figura 7b)). Tomando

el caso de modos TE y teniendo en cuenta el valor de m, los modos se denotan TE m . El

primer modo4 o modo fundamental se establece cuando el valor de m = 0, se describe como

TE 0 . Modos con m 6= 0 (valores altos) se nombran modos de alto orden.

a) b)
Figura 7. Modos de propagación en una guía de onda óptica. a) Modos guiados TE, b) Modos
guiados TM.

4
Modo de bajo orden.
 13

2.1.2 Análisis por teoría electromagnética

Con base a la teoría electromagnética de la luz, se puede dar una descripción más clara acerca

de la distribución del campo eléctrico de la radiación dentro de la guía de onda, esto es, el

campo óptico o la distribución de intensidad de los modos asociados con la propagación al

interior de la guía de onda. El fundamento para el análisis de la propagación de la onda

electromagnética lo proveen las ecuaciones de Maxwell (Apéndice A).

Se puede asumir una onda plana monocromática propagándose en la dirección z que tiene

la forma (Reed G. T. y Knights A. P., 2004):

→
−
E = E(x, y)ei(ωt−βz) , (10)

→
−
H = H(x, y)ei(ωt−βz) . (11)

Para un medio homogéneo dieléctrico (σ = 0) no magnético (µ = µ0 ), isotrópico y lineal

→
− →
−
( D = ε E , ε = ε0 n2 ), las ecuaciones de Maxwell se escriben en términos del campo eléctrico
→
− →
−
E y magnético H y se reducen a:
→
−
∇ · E = 0, (12)
→
−
∇ · H = 0, (13)
→
−
→
− ∂H
∇ × E = −µ0 , (14)
∂t
→
−
→
− 2∂E
∇ × H = ε0 n , (15)
∂t
donde µ0 y ε0 representan la permeabilidad magnética y la permitividad dieléctrica en el

vacío, respectivamente, y n es el índice de refracción del medio.

Aplicando el rotacional a la ecuación (14) y sustituyendo con la ecuación (15) se tiene:

→
−
→
− ∂H
∇ × (∇ × E ) = −µ0 ∇ × , (16)
∂t
 14

2→
−
2∂ E
= −µ0 ε0 n . (17)
∂ 2t
→
− →
− →
−
Empleando el vector identidad ∇ × (∇ × A ) = ∇(∇ · A ) − ∇2 A se obtiene la ecuación de
→
− →
−
onda que describe la propagación de las ondas electromagnéticas para E , donde ∇ · E = 0:

2→
−
2→
− 2∂ E
∇ E = µ 0 ε0 n . (18)
∂ 2t
→
−
Similar al desarrollo anterior para campo magnético H

2→
−
2→
− 2∂ H
∇ H = µ 0 ε0 n . (19)
∂ 2t

Modos TE

Tomando el caso de polarización TE, como se muestra en la Figura 7a) el campo eléctrico
→
−
E se propaga perpendicular a la dirección de propagación, es decir, en dirección de x, por lo

que el campo eléctrico se puede describir como:

Ex = Ex (y)ei(ωt−βz) . (20)

→
−
Expandiendo la expresión O2 E de la ecuación (18):
→
− →
− →
−
2→
− ∂2 E ∂2 E ∂2 E
O E = + + , (21)
∂x2 ∂y 2 ∂z 2

como la polarización es en x, la expresión anterior se reduce a:

→
−
2→
− ∂2 E
O E = . (22)
∂x2

La dirección de x en la guía de onda plana se toma como infinita, por consiguiente, las

componentes del campo eléctrico de la ecuación (22) quedan:

→
− ∂ 2 Ex ∂ 2 Ex
O2 E = + , (23)
∂y 2 ∂z 2
 15

sustituyendo la ecuación (23) en (18):

2→
−
∂ 2 Ex ∂ 2 Ex 2∂ E
+ = µ 0 ε0 n 2 . (24)
∂y 2 ∂z 2 ∂ t

Al diferenciar la ecuación (20) dos veces con respecto al tiempo y la dirección de propa-

gación z y posteriormente sustituyendo en la ecuación (24) se tiene:

∂ 2 Ex (y)
2
= (β 2 − ω 2 µ0 ε0 n2 )Ex (y), (25)
∂y

el término ω 2 µ0 ε0 es igual a k02 , por lo tanto, se obtiene una ecuación de onda para Ex (y):

∂ 2 Ex (y)
2
+ (k02 n2 − β 2 )Ex (y) = 0. (26)
∂y

Para referirse al índice de refracción de los diferentes medios que componen la guía de

onda, se renombra n2 como n2j , donde j representa uno de los tres medios de la guía de onda

(sustrato=1, núcleo=2 y cubierta=3).

∂ 2 Ex (y)
2
+ (k02 n2i − β 2 )Ex (y) = 0. (27)
∂y

La amplitud del campo eléctrico Ex (y) para la propagación TE en la guía de onda debe

satisfacer esta ecuación de onda. Al resolver Ex (y) de la ecuación anterior, se tienen los

campos electromagnéticos y las constantes de propagación de los modos guiados por la es-

tructura.

De la Figura 7, la componente perpendicular a la dirección de propagación del campo

eléctrico corresponde a Ex , por lo tanto, Ey , Ez y Hx son igual a cero. Un modo TE

únicamente tiene las componentes del campo eléctrico Ex y magnético Hy y Hz . Se pueden

expresar las dos componentes del campo magnético en términos del campo eléctrico. Más

claramente:
βEx (y)
Hy = , (28a)
ωµ0
 16

1 ∂Ex (y)
Hz = . (28b)
iωµ0 ∂y
Para resolver la ecuación (27) se debe satisfacer las condiciones a la frontera en las que

Ex , Hy y Hz son continuas en y = ±d/2. También se desprende el hecho que Hz es continua

en la frontera si ∂Ex (y)/∂y es continua en ese punto. La condición en la frontera requiere que

las componentes tangenciales del campo eléctrico, al igual que del campo magnético, sean

iguales en las interfaces entre los medios adyacentes:

E2 (d/2) = E3 (d/2), (29a)

E2 (−d/2) = E1 (−d/2), (29b)

H2 (d/2) = H3 (d/2), (30a)

H2 (−d/2) = H1 (−d/2). (30b)

Teniendo en cuenta el hecho que los campos electromagnéticos guiados se confinan en el

núcleo y decaen exponencialmente en el revestimiento, la distribución del campo eléctrico se

expresa como se indica enseguida:

En la región de guiado, es decir, en −d/2 ≤ y ≤ d/2 (Figura 6), se cuenta con que el

campo Ex sea una oscilación en función de y. Para que esto sea posible k02 n22 − β 2 debe ser
p
positivo (β < k0 n2 ). Por simplicidad se introduce el término κ2 = k02 n22 − β 2 , el subíndice

2 representa el medio, en este caso el medio 2. Entonces se escribe:

d
Ex (y) = E2 cos[κ2 (y − ) + φ], (31)
2

donde E2 y la fase φ son constantes, aún sin definir, esenciales para que se satisfagan las

condiciones a la frontera (como se verá más adelante, E1 y E3 también son constantes aún

sin definir).
 17

Ya que Hz es proporcional a ∂Ex (y)/∂y, también debe ser continua en y = ±d/2 como

se mencionó anteriormente, por consiguiente:

∂Ex (y) d
= −κ2 E2 sen[κ2 (y − ) + φ]. (32)
∂y 2

Para la zona de la cubierta (zona 3), en y > d/2, donde Ex decae a medida que y aumenta.
p
Por lo que k02 n23 − β 2 debe ser negativo (β > k0 n3 ). Se introduce el término γ 3 = β 2 − k02 n23

y se escribe:
d
Ex (y) = E3 e−γ 3 (y− 2 ) , (33)
∂Ex (y) d
= −γ 3 E3 e−γ 3 (y− 2 )) . (34)
∂y
Análogo a esto, en y < −d/2, k02 n21 − β 2 debe ser negativo para la cubierta, con β < k0 n1 .
p
Donde γ 1 = β 2 − k02 n21 :
d
Ex (y) = E1 eγ 1 (y+ 2 ) , (35)
∂Ex (y) d
= γ 1 E1 eγ 1 (y+ 2 )) . (36)
∂y
Ahora resolviendo para Ey y ∂Ex (y)/∂y en la frontera núcleo-cubierta, cuando y = d/2,

se obtiene:

E3 = E2 cosφ, (37)

γ 3 E3 = κ2 E2 senφ. (38)

Igualando las dos ecuaciones anteriores se obtiene una expresión para φ:

γ3
φ = tan−1 . (39)
κ2

De la misma manera para la frontera núcleo-sustrato, en y = −d/2

E1 = E2 cos(−κ2 d + φ), (40)

γ 2 E1 = −κ2 E2 sen(−κ2 d + φ), (41)

 18

y una segunda expresión para φ

γ1
−κ2 d + φ = −tan−1 . (42)
κ2
Sustituyendo φ de la ecuación (39) en (42) se obtiene la relación de dispersión ó ecuación

característica para los modos TE :

γ3 γ
κ2 d = tan−1 + tan−1 1 + mπ, (43)
κ2 κ2
donde m = 0, 1, 2, 3..., como se ha dicho antes, m es un número entero conocido como el

número de modo. Esta es una ecuación que involucra los parámetros que definen la estructura

de guía, como lo son n1 , n2 , n3 , d, λ y β, por lo cual, la solución calculada numéricamente

de la ecuación (43), para un valor específico de m, da la constante de propagación del modo

TE m . Sin embargo, los resultados numéricos son válidos sólo para un conjunto específico

de parámetros de guía de onda. Se retoma el término de índice de refracción efectivo nef f ,

ecuación (8), de tal manera que β = k0 nef f , donde el índice efectivo nef f estará acotado entre

los índices n1 y n3 , ecuación (9). Cuando los valores de los índices de refracción del núcleo

y los medios colindantes son muy cercanos numéricamente, se complica establecer nef f , por

tanto, β no se puede obtener con precisión.

Para aplicar la ecuación de dispersión anterior a un conjunto general de guías de onda,

se requiere introducir un grupo de parámetros, llamados parámetros de normalización o

generalizados. Éstos son definidos como (Lifante, 2003):

n2 − n23
a = 21 Medida de la asimetría de la estructura, (44)
n2 − n21
q
V = k0 d n22 − n21 Espesor de la guía normalizada, (45)
n2ef f − n21
b= Índice de la guía normalizada, (46)
n22 − n21
donde ahora la condición para los modos guiados (nef f ) está expresada por:

0 < b < 1, (47)

 19

conocida como constante de propagación b normalizada. De la ecuación (43) y los parámetros

de normalización a, V y b se puede re-escribir la relación de dispersión para los modos TE

en términos de los parámetros normalizados:

√
r r
b a+b
V 1 − b = tan−1 + tan−1 + mπ. (48)
1−b 1−b

Al aplicar las condiciones a la frontera entre el núcleo y la cubierta y entre el núcleo y

el sustrato se pueden obtener tres ecuaciones con cuatro incógnitas de las cuales se pueden

eliminar tres de las cuatro constantes, E1 , E2 , E3 y φ. Así que la solución para Ex (y) en las

ecuaciones (33),(35),(37) puede ser expresada en términos de una constante de amplitud, en

este caso E0 . Por lo tanto, Ex (y) se escribe como (Lifante, 2003):


d



 E0 e−γ 3 (y− 2 ) y> d
2

Ex (y) =
 E0 {cos[κ2 (y − d2 ] − κγ 32 sen[κ2 (y − d2 ]} − d2 ≤ y ≤ d2 . (49)


 E [cos(κ d) + γ 3 sen(κ d)]eγ 1 (y+ d2 )

y < − d2
0 2 κ2 2

En la Figura 8 se muestran los perfiles de la distribución del campo eléctrico para los

modos confinados m=0,1,2,3 y 8.

Figura 8. Distribución de campo para modos guiados TE en una guía de onda dieléctrica. Imagen
tomada del Saleh Bahaa E. A. y Teich Malvin Carl (1991), p.254.
 20

Modos TM

Siguiendo un procedimiento similar al empleado para modos TE se pueden obtener las ecua-

ciones siguientes para TM :

β2
   
∂ 1 ∂Hx (y) 2
+ k0 − 2 Hx (y) = 0, (50)
∂y n2 ∂y ni

−βHx (y)
Ey = , (51a)
ωε0 n2
1 ∂Hx (y)
Ez = , (51b)
iωε0 n2 ∂y
donde Ex = Hy = Hz = 0. Escribiendo Hx (y) en las fronteras con ±d/2

d



 H3 e−γ 3 (y− 2 ) y > d2

Hx (y) = H2 cos[κ2 (y − d2 ) + φ] − d2 ≤ y ≤ d2 . (52)


 d
H1 eγ 1 (y+ 2 ) y < − d2



Obteniendo la ecuación de dispersión para TM:

n22 γ 3 2
−1 n2 γ 1
κ2 d = tan−1 + tan + mπ, (53)
n23 κ2 n21 κ2
Para contar con una ecuación de dispersión general, en este punto, se necesita de unos

parámetros de normalización extras, adicionados a los establecidos anteriormente para TE.

Estos parámetros complementarios pueden ser: (c = n21 /n22 ) o [d = n31 /n22 = c − a(1 − c)] con

las cuales se obtiene la ecuación de dispersión normalizada para los modos TM :

√
r r
−1 1 b −1 1 a+b
V 1 − b = tan + tan + mπ. (54)
c 1−b d 1−b
Para Hx (y) en términos de H0

d



 H0 e−γ 3 (y− 2 ) y > d2

Hx (y) =
 H0 {cos[κ2 (y − d2 ] − κγ 32 sen[κ2 (y − d2 ]} − d2 ≤ y ≤ d2 . (55)


 H [cos(κ d) + γ 3 sen(κ d)]eγ 1 (y+ d2 )

y < − d2
0 2 κ2 2
 21

Capítulo 3

Implantación de iones: Fundamentos teóricos

3.1 Implantación de iones

Como se ha mencionado anteriormente, las guías de onda son elementos fundamentales para el

diseño de dispositivos de óptica integrada. Por esta razón se requieren técnicas de fabricación

capaces de cumplir con las características estructurales adecuadas para obtener guías de onda

ópticas, que permitan obtener bajas pérdidas por propagación de luz. Se han propuesto varias

técnicas de fabricación de guías en diferentes sustratos, en las que destaca la implantación de

iones (Hunsperger R. G., 1985; Hutcheson Lynn D., 1987; Bass Michael, 2010). Este proceso

posee varias ventajas en comparación con las técnicas alternativas, en la que predomina la

aplicación a una diversidad de materiales (Townsend P.D. et al., 1994) en ambientes de bajas

temperaturas.

La implantación de iones1 es una técnica que implica la modificación de las propiedades

superficiales de los materiales, cambiando sus características (Townsend P.D. et al., 1994).

Cambios que se derivan de las interacciones básicas de los iones con la materia cuando los

iones de un material seleccionado se inyectan en otro material en una región cercana a la

superficie. Con este método se pueden proporcionar iones de características muy controladas,

además de ser un proceso reproducible, debido a que se tiene la propiedad de controlar la

cantidad de impurezas que se deseen ingresar. Asimismo, permite la colocación de iones en

el material a una profundidad de penetración determinada por la energía y la masa de los

1
Un ion es una partícula que se forma cuando un átomo neutro o un grupo de átomos ganan o pierden

uno o más electrones.

 22

iones. La profundidad de los iones implantados puede ser unos cuantos micrómetros por

debajo de la superficie del material, proporcionando de ese modo una manera de cambiar las

propiedades físicas de los materiales en una forma controlada.

Por lo que se ha dicho en el párrafo anterior, los iones que se introducen provocan cambios

en el material implantado, cambios que pueden ser tanto químicos como estructurales. Esto

es interesante para aplicaciones en las que se desea el cambio químico o estructural del

material, por ejemplo, el caso de una guía de onda óptica que puede ser generada por cambio

de composición química.

Al inyectar iones sobre un material se deben tomar en cuenta varios parámetros impor-

tantes, algunos de ellos pueden ser: los tipos de iones a implantar, el material del sustrato

donde se desean implantar los iones, la dosis 2 de implantación, y la energía de implantación

que se traduce a profundidad de penetración, siendo los dos últimos de gran interés. La dosis

se puede definir como el número de iones a implantar por unidad de área, en otros términos,

atomos/cm2 . La profundidad3 de penetración de los iones depende de la masa del ion, el

material del sustrato, la energía de aceleración de los iones y la orientación del haz de iones

incidentes (ángulo de incidencia con respecto al sustrato). La energía de implantación varía

desde unos cuantos keV a algunos M eV .

En el proceso de implantación, los iones son extraídos de una fuente generadora de iones,

son acelerados bajo un campo eléctrico, y al final, por medio de un haz de iones, se hacen

incidir en un material sólido, realizando un barrido o escaneo sobre la superficie. Al incidir,

dependiendo la energía de aceleración, los iones interactúan con el material, principalmente

con el núcleo y los electrones de los átomos que constituyen el material. Por lo que, los iones al

incorporarse en el sustrato, experimentan una desaceleración cuando se van adentrando en la

2
En ocasiones, la dosis es llamada fluencia.
3
La profundidad de penetración está limitada por el equipo de implantación.
 23

estructura atómica de la materia, hasta llegar a un estado de relajación a cierta profundidad,

dando como resultado un perfil de concentración de iones. En la interacción con el material,

la red sufre modificaciones durante la transición de los iones en la materia, es decir, la matriz

vítrea sufre un re-ordenamiento en la red atómica, como se muestra en la Figura 9. En

la Figura 9a) se muestra la trayectoria de los iones a través del materia implantado y en

la Figura 9b) se muestra el re-ordenamiento de los atómos del material al colisionar con

los iones entrantes. Los iones al bombardearse contra un material sólido colisionan con los

átomos que componen el material, provocando compactación y un cambio de densidad en la

red atómica del material modifica sus propiedades. Por consiguiente, tanto el frenado de los

iones como la modificación del sustrato ya sea por el daño interno sufrido por el paso de los

iones dentro del material como la compactación causada por el impacto de los iones en su

primera interacción con la materia son factores que se toman en cuenta durante el proceso

de implantación de iones.

a) b)
Figura 9. Daño estructural del material implantado. a) Trayectoria de los iones. b) Re-
ordenamiento de la red vítrea. Simulación en SRIM 2012.
 24

3.2 Frenado de iones

Los iones incidentes, sienten una resistencia durante su tránsito en el material, que se opone

a su circulación a través de la red atómica del material, provocando una desaceleración que

frena por completo los iones, resultando en una cierta profundidad de penetración dentro del

sustrato4 . Durante la trayectoria, los iones transfieren su energía a la matriz del sustrato

a través de excitaciones electrónicas inelásticas y colisiones nucleares elásticas causando el

frenado de los mismos (Townsend P.D. et al., 1994). En la Figura 10 se muestra la trans-

ferencia de energía de los dos fenómenos que se presentan. Dependiendo del peso atómico

y la energía, el frenado electrónico predomina a energías elevadas, típicamente en el rango

de M eV , mientras que las colisiones nucleares se manifiestan a energías bajas, energías de

keV . En tanto la energía de los iones al trasladarse por el sustrato es elevada, el frenado

electrónico es el predominante, en cambio los iones transfieren energía llegando a valores

bajos, dominando las colisiones nucleares.

Las pérdidas de energía, durante el tránsito de los iones por la materia, ya sean elásticas

e inelásticas, se pueden escribir como la suma de energías perdidas por cada componente

(Townsend P.D. et al., 1994):

     
dE dE dE dE
− = + + , (56)
dx dx nucl dx electr dx otras

donde E, para implantación de iones, es la energía del ion, −dE/dx es llamado poder de

frenado o fuerza de frenado, que indica la pérdida de energía de una partícula por unidad

de longitud, ya sea, electrónica, nuclear o alguna otra, el signo negativo define a la fuerza

de frenado como cantidad positiva, (dE/dx)nucl y (dE/dx)electr son la pérdida de energía

4
Sustrato es un término dado para referirse al material donde se desean depositar los iones, comúnmente

llamado blanco o "target" en el idioma inglés.

 25

Figura 10. Transferencia de energía: frenado electrónico y colisiones nucleares de iones ligeros
entrando en un sustrato, representados por las líneas punteada y sólida, respectivamente. Gráfica
tomada del Townsend P.D. et al. (1994), p.25.

elástica e inelástica, respectivamente. Como las energías (dE/dx)otras , de algún otro proceso

de frenado, son muy pequeñas, en este caso se pueden despreciar.

Por otra parte, un parámetro importante en la escala atómica, es lo que se conoce como

sección transversal de frenado, que se define como la propiedad del material para detener los

iones incidentes. Esto a su vez, se indica como una normalización del frenado a la densidad

de átomos N en el material, se relaciona con la fuerza de frenado por medio de (Townsend

P.D. et al., 1994):

1 dE
S(E) = − = S(E)n + S(E)e , (57)
N dx
donde Sn (E) y Se (E) son la sección transversal de frenado nuclear y electrónico, respectiva-

mente. La sección de frenado electrónico depende de la velocidad de los iones y esta dado

por (Townsend P.D. et al., 1994):

4πe4 Z12 Z2
Se (E) = L(ν), (58)
me ν 2

con Z1 el número atómico del ion y Z2 el del material a implantar, me la masa del electrón

del átomo de frenado, ν la velocidad del ion y L( ν) el número de frenado de Bethe.

 26

La sección de frenado nuclear es una función de la energía de los iones (Townsend P.D.

et al., 1994):
Z Tmax
Sn (E) = N T dσ, (59)
0

donde dσ es una sección transversal diferencial y T es la transferencia de energía por colisión

dada por (Townsend P.D. et al., 1994):

4m1 m2 2 Φ
T = E sen ( ), (60)
(m1 + m2 )2 2

obteniendo un Tmax cuando Φ = π, donde Φ es el ángulo de colisión en el sistema de centro

de masa.

Como se a mencionado anteriormente, dependiendo de la masa y la energía, los iones

penetran moviéndose dentro del material, recorriendo una distancia total promedio que se

conoce como el alcance o rango del ion, comúnmente denotada por R, término relacionado

con la potencia de frenado, a través de (Townsend P.D. et al., 1994):

Z E0
dE
R= , (61)
0 N S(E)

donde E0 es la energía inicial. En torno a R se presentan una serie de parámetros utilizados

para cuantificar la distancia recorrida por un ion, para explicar esto, en la Figura 11 se

observa la trayectoria R recorrida por un ion, con una profundidad de penetración promedio

Rp , definida como la distancia que un ion recorre desde el punto de incidencia hasta una

profundidad X. El termino ∆Rp se conoce como "straggle"5 proyectado, es un parámetro

que representa la desviación estándar del rango y es empleado para encontrar la distribución

de iones alrededor de Rp , es decir, los iones esparcidos en torno a Rp , que resulta en una

aproximación a una distribución gaussiana, cuando se cuenta con una cantidad mayor de

iones, como se muestra en la Figura 12. La profundidad de penetración promedio Rp se

5
Straggle, significado en inglés para rezagarse o extraviarse.
 27

m2
relaciona con R mediante una expresión analítica dada por: Rp ≈ R/(1 + 3m1
) (Townsend

P.D. et al., 1994). Cuanto más profundo viajen los iones en el material, ∆Rp aumentará su

valor, ya que los iones se encontrarían con una mayor cantidad de capas atómicas o número

de átomos, los cuales dispersan los iones.

Figura 11. Ion incidente a un ángulo diferente de cero, viajando por el material definiendo el
rango R, rango de proyección Rp , el "straggle" proyectado ∆Rp .

3.3 Efectos de implantación

En el proceso de implantación, los iones interactúan con el material a través de dos meca-

nismos de frenado, ya mencionados en la sección anterior. Estos procesos se caracterizan

a partir del poder de frenado nuclear S(E)n y el poder de frenado electrónico S(E)e . Los

iones proyectados en la estructura atómica del material, a causa de los procesos de frenado,

ocasionan modificaciones dentro del material usualmente por parte de colisiones nucleares,

a bajas energías. Los iones se someten a una serie de colisiones, desplazando los átomos,

produciendo un desorden de la red atómica a lo largo de su trayectoria. Las primeras colisiones

 28

nucleares pueden producir colisiones secundarias originando un mayor desalojo de átomos,

así pues, se produce un daño dentro del material. Mientras tanto, en la excitación electrónica

se presenta una secuencia de procesos que producen daño. La interacción de los iones con los

electrones de los átomos del material está regida por la ley de Coulomb. Los electrones de los

átomos en la interacción pueden ser excitados a tal grado que pueden volverse libres. Tras

el paso de los iones, los electrones de la estructura pueden llegar a un estado de excitación

elevado que al interactuar entre ellos el sistema se somete a un estado de termalización de muy

poco tiempo (femtosegundos-picosegundos) generando un calentamiento en la red, pudiendo

ocasionar modificaciones de la red (Rivera A. et al., 2012; Agulló-López F. et al., 2006).

Estos dos procesos de frenando de iones, establecen la profundidad de penetración de los

iones. Por lo que la ubicación de los iones dentro del material resulta en una distribución de

iones comúnmente nombrada concentración de iones, ésta se refiere a la cantidad de iones en

un volumen determinado, es decir, atomos/cm3 . Expresión dada por (Townsend P.D. et al.,

1994):
−(x−Rp )2
2
C(x) = Cp e 2π∆Rp
, (62)

donde el termino Cp es la concentración máxima de iones, que se escribe como (Townsend

P.D. et al., 1994):

ϕ
Cp = √ , (63)
2π∆Rp
donde ϕ es la dosis de implantación.

Un perfil de concentración de iones típico para una implantación simple de iones se mues-

tra en la Figura 12, como característica se observa un perfil gaussiano asimétrico a una cierta

profundidad.

La concentración de iones dentro del material causa un cambio de composición química en

la región a la profundidad donde se encuentran ubicados los iones. Por consecuencia, tanto
 29

Figura 12. Distribución de iones que se aproxima a un perfil de distribución gaussiano; por ejemplo,
perfil de una implantación simple de iones de Ag en un sustrato de SiO2 .

el daño ocasionado durante el proceso de frenado como el cambio de composición química

por la inclusión de iones dentro del material permiten la modificación de las propiedades de

los materiales a unas cuantas micras por debajo de la superficie del material.

A partir de los conceptos previos se pueden implementar diseños específicos para distintas

aplicaciones y desarrollar una variedad de dispositivos en óptica integrada, como es el caso

de guías de onda ópticas de índice escalón, que es el interés de este trabajo.

En resumen, para implantación de iones, se selecciona un ion y un sustrato (material a

implantar), a partir de esto, se emplea una dosis a una energía definida para producir un perfil

de implantación, el cual a su vez esta relacionado directamente con el perfil de concentración

de iones.
 30

Capítulo 4

Simuladores: Implantación de iones e índice de refracción

En el capítulo II y capítulo III se definieron algunos conceptos básicos acerca de guías de

onda e implantación de iones.

En el capítulo II se presentó un concepto esencial para el funcionamiento de guías de

onda ópticas, como es el índice de refracción y los modos de propagación presentes en ellas.

Recordando, una guía de onda básica está compuesta por un material con índice de refracción

n1 embebido en un material con índice de refracción menor n2 (Figura 1), por lo que, esta

característica es importante para diseñar guías de onda.

A su vez, en el capítulo III se describe brevemente el proceso de implantación de iones y

algunas características presentes en la interacción de iones con la materia. Con la técnica de

implantación de iones se pueden fabricar las guías de onda considerando los parámetros im-

plícitos durante el proceso de fabricación. Los parámetros importantes son: iones a implantar,

sustrato, dosis, energía de implantación, profundidad de penetración, concentración, rango,

distribución de iones y daño estructural. Con la implantación de iones se pueden obtener

guías de ondas modificando el índice de refracción del material o sustrato donde se depositan

los iones. Para el caso en particular de este trabajo, la incrustación de iones aumenta el

índice de refracción en la zona donde se posicionen los iones, por lo que, el confinamiento de

luz se llevara a cabo a través de la zona de implantación.

En la metodología orientada a diseñar guías de ondas ópticas en una matriz dieléctrica se

debe tener en cuenta los índice de refracción de las guías y los parámetros de implantación de

iones. Por esto es que se han desarrollado varios programas de simulación por computadora,
 31

ya sea para estimar el índice de refracción como para predecir los parámetros de implantación.

4.1 Simulación de implantación

Una opción eficaz y rápida para estimar los fenómenos presentes durante el proceso de im-

plantación es la utilización de modelos teóricos a través de software de simulación por com-

putadora. En los últimos años se han desarrollado una variedad simuladores por computadora

para realizar implantación de iones (Flores Romero Erick, 2008; Ziegler J., 2008). En razón

de la importancia de estimar la distribución de iones, el perfil de implantación, concentración

y la distribución de daño causados al sustrato. En este trabajo, para la simulación de im-

plantación de iones se utilizó el programa SRIM 2012 (Stopping and Range of Ions in Matter),

el cual es una versión actualizada de la sub-rutina TRIM (Transport of Ions in Matter) creada

por Ziegler y Biersack (Ziegler J., 2008). Este simulador se ejecuta a partir del método Monte

Figura 13. Perfil de implantación típico de iones de Ag implantados en SiO2 , interfaz del simulado
SRIM 2012.

Carlo relacionado a colisiones binarias en las que mediante el cálculo estadístico se determina

el número de átomos desplazados por ion. Virtualmente se pueden simular implantaciones

 32

de una gran variedad de elementos.

El simulador SRIM 2012 cuenta con una interfaz amigable en la que se pueden seleccionar

los iones, el sustrato, la energía y el número de iones a simular. El simulador proporciona

las trayectorias y fenómenos de frenado asociados a estas. Se puede determinar el perfil

de distribución de iones cuando su trayectoria finaliza a una profundidad de penetración

establecida.

4.2 Simulación de índice de refracción

Con los parámetros de implantación de iones que se obtienen a partir del programa SRIM

2012 se puede hacer uso de programas de simulación de perfil de índice de refracción con los

modos de propagación asociados a dicho perfil. Uno de estos simuladores es el programa G.

Lifante Software: Ion Implanted Waveguides (WII ). En este simulador se calculan los índices

de refracción efectivos y los modos de propagación característicos de las guías de onda. Por

Figura 14. Índice de refracción efectivo y modos de propagación para una curva típica de iones de
Ag implantados en SiO2 con un cambio de índice de refracción de 0.013 para una λ = 633 nm
simulado en WII.

ejemplo se puede simular el perfil de índice de refracción de la curva de implantación simulada

 33

en el SRIM 2012 (Figura 13), dando como resultado los parámetros mostrados en la Figura

14 para dicho perfil como lo son el número de modos de propagación, la distribución de

intensidad de los modos y el índice de refracción efectivo de cada modo.

El programa WII utiliza el Método del Cálculo de la Reflectividad (Apéndice C) para

obtener los valores teóricos de índice efectivo a partir de un perfil de índice de refracción dado.

Este modelo teórico utiliza el parametro de índice de refracción efectivo (nef f , ecuación 8)

que se relaciona con las constantes de propagación y a su vez con los modos de propagación

mencionado en el capítulo 2.1.2. Se pueden definir diferentes parámetros del perfil de índice

de refracción como lo son: índice de refracción del sustrato, cambio máximo de índice de

refracción y profundidad. Estos valores se pueden modificar hasta obtener el perfil de índice

de refracción que se desee, como el ejemplo propuesto anteriormente, donde se deseaba un

perfil como el mostrado en la Figura 14.

Con un perfil de índice de refracción determinado, se pueden simular los modos de propa-

gación característicos para cada longitud de onda, con las dimensiones obtenidas con dicho

perfil, como se muestra en la Figura 14. Dependiendo de las dimensiones del perfil se puede

conocer la capacidad de confinamiento para cada modo de propagación.

 34

Capítulo 5

Diseño de guías de onda ópticas

Se ha dado una introducción a las bases teóricas y fabricación de guías de onda ópticas

planas, además de las herramientas de simulación a utilizar. Dado ésto, se puede decir que

se cuenta con los elementos esenciales para iniciar con el diseño de guías de onda.

En este trabajo, se propone un algoritmo para el diseño óptimo de una guía de onda tipo

escalón enlistado en los pasos siguientes:

1. Definición de parámetros de la guía de onda: dimensiones, perfil de índice de refracción,

comportamiento óptico, grado de implantación (cantidad de Ag dentro de la red vítrea o

sustrato).

2. Selección de parámetros de implantación secuencial múltiple: número de implanta-

ciones, orden de la secuencia de implantación, dosis y energía de cada sub-implantación.

3. Simulación de la implantación secuencial múltiple por medio del software SRIM.

4. Evaluación de perfil de implantación.

5. Optimización de implantación.

6. Cálculo del perfil de índice de refracción n(x).

7. Evaluación de propiedades ópticas a través del software WII.

8. Optimización de propiedades ópticas.

9. Fabricación.

10. Evaluación y pruebas.

11. Medidas correctivas u optimización.

Para un entendimiento más claro acerca del diseño, se pueden representar los pasos por
 35

Figura 15. Diagrama de flujo para el diseño de guías de onda ópticas de tipo escalón por im-
plantación de iones.

medio del diagrama de flujo mostrado en la Figura 15.

En la metodología orientada al diseño de guías de onda ópticas por implantación de iones

se deben considerar algunos parámetros importantes como lo son: tipo de ion, estructura del

sustrato y profundidad1 del núcleo de la guía. Estos parámetros dan la pauta para establecer

las características específicas con las que se desea que cuenten las guías de onda: perfil de

índice de refracción, dimensiones, modos de propagación y cambio de índice de refracción.

1
Como se ha mencionado, la profundidad está limitada por el equipo de implantación de iones.
 36

Uno de los objetivos principales es obtener una guía de onda con propiedades óptimas para

una buena propagación de ondas electromagnéticas. Las simulaciones son un instrumento

eficaz para considerar los parámetros requeridos para las guías de onda. Por lo antes dicho,

se utiliza el simulador WII para el cálculo de índice de refracción efectivo, donde se puede

estimar el número de modos que se pretenden se propaguen por la guía, en función de las

dimensiones y cambio de índice de refracción. Dos puntos importantes que se obtienen en el

WII, son el perfil de índice de refracción y el espesor requerido para la propagación de modos.

Refiriéndose a este trabajo, se desea un perfil de índice de tipo escalón. Por otra parte, se a

mencionado que una curva típica de implantación se muestra como una curva semi-gaussiana

(Figura 13), siendo un perfil adecuado para obtener dispositivos de tamaño reducido (≈ 1 µm)

con la desventaja de presentar un bajo confinamiento de modos de propagación a longitudes

de onda en el visible (e.g. 633 nm) e infrarrojo cercano (e.g. 1064 nm), como se muestra en

la Figura 16. Por consiguiente, se necesita plantear un método para obtener guías de onda de

tipo escalón con un espesor determinado para el buen confinamiento de modos en el visible

e infrarrojo cercano.

Para una guía de onda plana adecuada, se encontró que una guía de onda sumergida

requiere de un núcleo con un ancho de ≈ 3−4 µm y un cambio de índice de refracción de ∆n ≈

0.008, donde al realizar la simulación de los modos de propagación con las características de

esas guías indican un adecuado confinamiento: uno o dos modos para el visible (e.g. 633 nm)

y un modo para longitudes de onda en el infrarrojo cercano (e.g. 1064 nm), como se muestra

en la Figura 17a) y b), respectivamente.

En este proyecto, como técnica para obtener, el perfil aproximado de índice de refracción

deseado, se está proponiendo realizar una multi-implantación que consiste de una serie de

implantaciones sucesivas, que superpuestas proporcionen un perfil de índice escalón. Por

 37

Figura 16. Perfil de índice de refracción y modo de propagación fundamental para un perfil
gaussiano con un cambio de índice de refracción de 0.008 para una longitud de onda de 633 nm
y 1064 nm, simulado en WII.

consiguiente, para aclarar el segundo paso para el diseño de guías y siguiendo la secuencia

del diagrama de flujo, se requieren varias implantaciones (e.g. IP12 a IP8, Figura 18) con

diferentes energías y dosis de implantación. Las implantaciones primarias se pueden simular

en el programa SRIM 2012 proporcionando una distribución de iones como se muestra en la

Figura 18. En esta se muestran 8 implantaciones con una misma dosis a diferentes energías

de implantación.

A mayor energía de implantación más profundo llegarán los iones, la concentración pico

Cp disminuirá y la dispersión de los iones será mayor, ejemplo IP1 de la Figura 18. Con

una selección de diferentes implantaciones, con distintas dosis de implantación a diferentes

profundidades, se puede obtener el perfil deseado. Como se ha mencionado, Cp y el ancho de la

curva semi-gaussiana varían con la profundidad, este es un aspecto importante al seleccionar

las implantaciones.
2
IP se refiere al perfil de implantación.
 38

a) b)
Figura 17. Perfil de índice de refracción y modo de propagación para un perfil de índice de
refracción tipo escalón con un ancho medio de ≈ 3 − 4 µm y ∆n ≈ 0.008 para a) λ = 633 nm
y b) λ = 1064 nm. Simulación en WII.

El orden de las implantaciones es importante. En una implantación simple, se tiene

un perfil con una cierta cantidad de iones ubicados a una determinada profundidad, si se

desea efectuar una segunda implantación, se deben considerar las posiciones de los iones de

la primera implantación, esto por motivo del frenado de los iones a causa del material del

sustrato. Si se realiza una segunda implantación a una energía mayor, los iones no solo se

frenarán con el sustrato, sino además con los iones ya implantados. Esto provoca una mayor

dispersión de iones, cambiando el perfil de implantación de la segunda implantación, por

lo tanto, para motivos de este trabajo, el método adecuado para implantar, es ordenando

las implantaciones de mayor a menor energía. De esta manera se reducirá el problema de

frenado con los iones de las implantaciones previas y se tendrá un mejor control del proceso

de multi-implantación y sus propiedades ópticas al igual que el perfil considerado.

Al realizar varias implantaciones se deben tomar en cuenta los cambios o las modificaciones

que se producen al efectuar la primera implantación, es decir, esta primera implantación

 39

Figura 18. Implantación de iones de Ag en SiO2 a diferentes energías: IP1) 9 M eV , IP2) 8 M eV ,

IP3) 7 M eV , IP4) 6 M eV , IP5) 5 M eV , IP6) 4 M eV , IP7) 3 M eV , IP8) 2 M eV . Simulación
en SRIM 2012.

ocasiona daño en la red, re-ordenando la red vítrea, modificando las características del ma-

terial, dejando un trayectoria diferente para la siguiente implantación, por lo que, el perfil

considerado y la profundidad estimada, para esta segunda implantación varían en pequeña

proporción.

En el proceso de varias implantaciones se debe tomar en cuenta la contribución o el efecto

que causará cada implantación, refiriéndose a cantidad de iones o composición química, esto

quiere decir que, al tener la primera implantación, los iones se ubican a cierta profundidad,

formando un perfil semi-gaussiano, por ejemplo IP1 de la Figura 18. Para la siguiente im-

plantación, de menor energía, la profundidad de los iones disminuye (e.g. IP2 Figura 18).

Si la energía disminuye en comparación con la primera implantación, en ese caso, la dosis de

ésta también se debe reducir. La dosis se reduce debido a que en la posición donde se estima

que llegarán los iones de la siguiente implantación se encuentra una porción de iones de la
 40

primera implantación. Por lo anterior, al realizar la siguiente implantación se debe contem-

plar la posición estimada de los iones a implantar y la cantidad de iones ya presentes en esta

posición. Por ejemplo, supongamos dos implantaciones con la misma cantidad de iones a

diferentes energías de implantación, 6 M eV y 9 M eV (Figura 19a))3 , al estar por separado

a) b)
Figura 19. Ejemplo de multi-implantación de iones. a) Iones de Ag a energías de 6 MeV y 9
MeV, b) Superposición de implantaciones, la imagen interna muestra la simulación de implantación
obtenida en el SRIM 2012.

poseen un perfil semi-gaussiano, localizados a profundidades diferentes en posiciones deter-

minadas. Algunos iones de la parte inferior del lado izquierdo de la implantación a 9 M eV

se encuentran a la misma profundidad de algunos iones de la implantación a 6 M eV , por lo

que, al superponer las curvas el perfil cambia, obtiene un perfil de multi-implantación como

se muestra en la Figura 19b), MIP 4 . En la parte central del nuevo perfil se tiene una mejor

apreciación de la contribución entre cada una de las curvas. En este ejemplo, para formar

un perfil escalonado, se puede reducir la dosis de implantación de la primera implantación y

se puede realizar una implantación entre las dos curvas ya generadas, con la precaución de
3
Note que la Cp del perfil IP1 es menor a IP2.
4
MIP, perfil de multi-implantación.
 41

implantar de mayor a menor energía, reduciendo la dosis a ingresar para las implantaciones

sucesivas.

En efecto, al proponer una cantidad mayor de implantaciones, se debe considerar la

aportación de cada una de las implantaciones al nuevo perfil de multi-implantación, sigu-

iendo el procedimiento propuesto anteriormente y aplicándolo para cada implantación suce-

siva. Por consiguiente, como las implantaciones contribuyen entre ellas, al superponer las

implantaciones se puede obtener el perfil propuesto, como por ejemplo, un perfil escalonado.

De lo anterior, la participación de cada una de las implantaciones causa la variación de las

dosis de implantaciones sucesivas a la primera implantación.

El cambio de índice de refracción es un punto crucial requerido para el diseño de guías

de ondas ópticas. Existen varios modelos para el cálculo del índice de refracción en relación

a implantación de iones (Miliou Amalia N. et al., 1991; Sum T.C. et al., 2005; Oven, 2011;

Lu Fei et al., 2012). En ellos se presentan tres factores importantes que contribuyen al

cambio de índice de refracción, producido por: cambio en función de la composición química

o por la diferencia de polarizabilidad5 electrónica ∆nR , en función del cambio de volumen

por compactación ∆nv y por tensiones o estrés que producen birrefringencia en la red vítrea

∆nTσ E,T M , como se indica en la siguiente ecuación (Oven, 2011):

∆nT E,T M = ∆nR + ∆nv + ∆nTσ E,T M . (64)

Se produce un cambio de índice de refracción debido a la variación de la composición

química provocada por la interacción de los iones dopantes introducidos dentro del material

implantado. Al implantar los iones colisionan con el sustrato originando compactación que
5
La polarizabilidad de un átomo se puede definir como la facilidad que presenta dicho átomo para poder

ser distorsionado por un campo eléctrico externo, que puede ser causado por la presencia de un ion cercano

o un dipolo.
 42

provoca un cambio de densidad atómica y produce un cambio de volumen. La red atómica

del sustrato se somete a esfuerzos debido a la alteranción ocasionada por la irrupción de

los iones embebidos, es decir, los iones incrustados en el material empujan los átomos del

sustrato perturbando la interacción entre los átomos del sustrato ocasionando tensión dentro

de éste. Para el diseño de guías de onda, aquí se aplica un método utilizado en tecnología de

vidrios ópticos para obtención de propiedades ópticas en función de la composición química,

en este caso implementado a guías de onda en sustratos de vidrio (SiO2 ). Una consideración

inicial para estimar el cambio de índice de refracción en el perfil de tipo escalón, se obtiene

calculando la distribución de iones generada por el proceso de multi-implantación, mostrada

en la Figura 19b). Existe un modelo que permite, calcular el índice de refracción del perfil

escalonado en función de la composición química de los materiales involucrados. En este

caso, la relación entre la composición química del sustrato, integrado por SiO2 , y los iones

que se desean ingresar, iones de plata (Ag), esta dado por (Fantone Stephen D., 1983):
P
R aM NM
n=1+ =1+ P , (65)
V k + bSi + CM NM

donde:

n = Índice de refracción.

R = Refracción por átomo gramo de oxigeno.

V = Volumen por átomo gramo de oxigeno.

aM = Constante de refracción para M .

NM = Número de iones M por átomo de oxigeno.

k = Constante típicamente comprendida entre 0.001 a 0.05.

bSi = Constante para diferentes valores de NM del silicio.

CM = Constante para óxidos de M .

M = Tipo de elemento químico.

 43

El cambio de composición química se ocasiona durante el proceso de implantación de iones

y el cambió de índice de refracción ∆n se presenta en la diferencia de composición química

entre el sustrato y la región de implantación. Para estimar el cambio de índice de refracción,

Figura 20. Discretización de multi-implantación, segmentos de 70nm.

en este trabajo, se realizó una segmentación de la curva de distribución de iones presente en

la Figura 19b), calculando el índice de refracción de cada segmento con un espesor de 70 nm,

mostrados en la Figura 20.

La plataforma del programa SRIM 2012 proporciona valores del perfil de implantación

con una cierta separación entre cada valor, el simulador permite seleccionar la distancia de

cada separación. Para obtener el índice de refracción de la curva de multi-implantación

se aplica la ecuación (65) a cada segmento que la conforma. En relación a la cantidad de

elementos químicos involucrados en la implantación (e.g. Ag y SiO2 ) se puede considerar el

porcentaje de iones a implantar (Figura 21a)) además de estimar los índices de refracción

que conforman la guía de onda óptica. Por ejemplo para la multi-implantación de la Figura

19b) se obtiene un índice de refracción como el mostrado en la Figura 21b).

 44

a) b)
Figura 21. a) Cocentración de Ag (% en peso) dentro del sustrato de SiO2 . b) Índice de refracción
de la multi-implantación de iones de Ag en SiO2 a energías de 6 M eV y 9 M eV con una dosis
de 5 × 1014 atomos/cm2 para ambas energías.

En el proceso de diseño se presentaron tres etapas importantes: definición de paráme-

tros de guía de onda, simulación de implantación de iones y simulación de comportamiento

óptico. En rasgos generales, para el diseño se propone un tipo de guía de onda con algunas

características específicas, por ejemplo, perfil de guía de onda, espesor, cambio de índice de

refracción y comportamiento óptico.

En este trabajo se propone obtener guías de onda tipo escalón que permitan la propagación

de longitudes de onda en el visible e infrarrojo cercano, utilizando la técnica de implantación

de iones. Realizando multi-implantaciones para obtener un perfil escalonado, implantando

de energías mayores a menores, reduciendo la dosis de implantación conforme se reduce la

energía de implantación. Realizando el cálculo de índice de refracción mediante el cambio de

composición química y estimando el comportamiento óptico del diseño final.

 45

Capítulo 6

Materiales y metodología

6.1 Método de fabricación por implantación de iones

En la etapa de diseño se obtuvieron los parámetros básicos para la fabricación de guías de

onda ópticas planas: energía de implantación, dosis y distribución de iones implantados.

Adicionalmente, se ha encontrado una metodología que permite diseñar guías de onda de

índice de escalón basada en un proceso de multi-implantación de iones por medio de la

variación de la energía y dosis de cada implantación.

a) b)
Figura 22. Modo de propagación fundamental para un perfil de índice de refracción tipo escalón
con un ancho medio de ≈ 2 − 3 µm y ∆n ≈ 0.008 para a) λ = 633 nm y b) λ = 1064 nm.
Simulación realizada en WII.

Por medio de un análisis de las propiedades de guías de onda se ha encontrado que para

lograr que las guías de onda tengan la capacidad de propagación, con un confinamiento óptico

adecuado de dos modos para el rango visible (e.g. 633 nm) y un modo para el infrarrojo (e.g.

1064 nm), se requiere de una guía de onda con un núcleo de aproximadamente de 2−3 µm de
 46

ancho y un ∆n ≈ 0.008, como se muestra en la Figura 22. Asimismo, se ha determinado que

dichas condiciones pueden obtenerse usando una multi-implantación que consiste de ∼ 5 − 6

implantaciones a diferentes dosis y energías de implantación, en la Figura 23a) se muestra

el perfil de multi-implantación simulado en el SRIM 2012. En esta figura se aprecia que

este perfil se aproxima a un perfil de índice de refracción tipo escalón (Montanari G. B.

et al., 2012). Por ejemplo, para la guía M1, en la Tabla 1 y Figura 23b) se encuentran las

implantaciones necesarias para obtener dicho perfil de índice escalonado. Las implantaciones

se encuentran a energías y dosis (Drel × DIP 1 ) de: 9M eV :(1.0 × DIP 1 ), 7M eV :(0.5 × DIP 1 ),

6M eV :(0.29 × DIP 1 ), 5.2M eV :(0.41 × DIP 1 ) y 4.3M eV :(0.39 × DIP 1 ), donde Drel es la dosis

relativa de cada implantación IP2-IP5 y DIP 1 se refiere a dosis de implantación inicial que

está directamente relacionada con la dosis a alcanzar.

a) b)
Figura 23. Perfil de multi-implantación de iones. a) Simulación de multi-implantación de iones
de Ag en SiO2 , en SRIM 2012. b) IP1) 9 M eV , IP2) 7 M eV , IP3) 6 M eV , IP4) 5.2 M eV y
IP5) 4.3 M eV . IP6) Multi-implantación.

En este trabajo se presenta el diseño de guías de onda por multi-implantaciones de iones,

proponiendo diferentes dosis de implantación. Esto va a permitir analizar la dependencia

 47

del índice de refracción en función de la dosis de implantación. En la Tabla 1 se presentan

los parámetros para las diferentes multi-implantaciones, los valores de energía de cada im-

plantación es en orden descendente por los motivos descritos anteriormente. Asimismo, se

muestran los valores calculados para la concentración de los iones de Ag(% en peso) y sus

correspondientes cambios de índices de refracción ∆n.

Tabla 1. Parámetros de implantación teóricos.

Energía de Dosis [atomos/cm2 ]

multi-implantación M1 M2 M3 M4

9 MeV 5 × 1014 1 × 1015 2.5 × 1015 5 × 1015

7 MeV 2.512 × 1014 5.025 × 1014 1.256 × 1015 2.512 × 1015

6 MeV 1.475 × 1014 2.95 × 1014 7.375 × 1014 1.475 × 1015

5.2 MeV 2.069 × 1014 4.137 × 1014 1.034 × 1014 2.069 × 1015

4.3 MeV 1.95 × 1014 3.9 × 1014 9.75 × 1014 1.95 × 1015

Ag(% en peso) 0.04 0.08 0.2 0.4

∆n 0.00017 0.00034 0.00089 0.0017

El proceso de implantación se realizó en el acelerador de partículas Peletrón (9SDH-2), del

Instituto de Física de la Universidad Nacional Autónoma de México (IFUNAM), mostrado

en la Figura 24. El sustrato se coloca dentro de la cámara de implantación, a un ángulo de

inclinación de 8◦ , con respecto a la dirección de propagación del haz de iones1 , en alto vacío

y temperatura ambiente. El proceso de implantación, se puede describir de manera general

en tres pasos: a) extracción, b) aceleración e c) irradiación de iones sobre la superficie del

1
Los 8◦ son para disminuir o evitar el efecto de acanalamiento que permite que los iones viajen a mayores

profundidades o traspasen el sustrato.

 48

Figura 24. Acelerador de partículas del IFUNAM, Peletrón. Imagen y esquema del acelerador de
partículas tomada de http://www.fisica.unam.mx/peletron/.

sustrato a implantar. En este equipo se producen iones en la fuente de iones pesados, iones

con carga negativa que son atraídos y acelerados por la terminal de alta tensión con carga

positiva. Los iones atraviesan una nube de gas nitrógeno, ubicada en la terminal de alto

voltaje, que arranca electrones de los iones cambiándolos a iones positivos sufriendo una

nueva aceleración, aumentado su energía. Al salir de la terminal el haz de iones es enfocado

hacia la línea de implantación mediante el cuadrupolo magnético y el electroimán selector.

Para finalizar se bombardea el sustrato ubicado en la cámara de implantación con los iones
 49

acelerados.

Se implantaron dos tipos de iones en cada multi-implantación, para energías de 9M eV y

7M eV se implantaron iones con carga Ag +3 y para energías de 6M eV , 5.2M eV y 4.3M eV se

implantaron iones con carga Ag +2 . Por tratarse de una guía de onda plana, se irradia toda

la superficie del sustrato a implantar.

Tabla 2. Parámetros de implantación experimentales.

Energía de Dosis [atomos/cm2 ]

multi-implantación M1 M2 M3 M4

9 MeV 5 × 1014 1 × 1015 2.5 × 1015 5 × 1015

7 MeV 2.5121 × 1014 5.025 × 1014 1.256 × 1015 2.5119 × 1015

6 MeV 1.4748 × 1014 2.9505 × 1014 7.3757 × 1014 1.475 × 1015

5.2 MeV 2.0689 × 1014 4.1375 × 1014 1.034 × 1014 2.069 × 1015

4.3 MeV 1.9508 × 1014 3.9 × 1014 9.75 × 1014 1.95 × 1015

En la Tabla 1 se tienen los parámetros propuestos para las multi-implantaciones: ener-

gías y dosis, sin embargo se debe tomar en cuenta que en la práctica puede haber ligeras

variaciones de dichos parámetros. En la Tabla 2 se tienen los parámetros experimentales

logrados durante la implantación de iones en el acelerador Peletrón. De las energías de

implantación prácticamente se podría decir que la variación fue mínima, por ello, se registran

los mismos valores. Por lo contrario, las dosis de implantación presentaron algunas variaciones

durante el proceso. Para más detalles acerca del método utilizado para calcular los valores

de implantación experimentales ver Apéndice B.

 50

6.2 Caracterización de guías de onda ópticas

El estudio de guías de onda ópticas, en este caso, se compone de tres etapas: diseño, fab-

ricación y caracterización. Hasta este punto, se ha desarrollado el diseño y fabricación de

las guías de ondas. El paso siguiente consiste en la evaluación requerida para comprobar el

comportamiento óptico de las guías de ondas. Por lo que, en esta etapa se presenta el proceso

de caracterización de guías: espesor, espectro de absorción, pérdidas por propagación, modos

de propagación, perfil de índice de refracción, topografía y compactación.

El análisis de la propagación de luz de las guías de onda requiere del acoplamiento eficiente

de luz hacia la guía. Para que esto sea posible se necesita que las caras de entrada/salida de

las guías de onda tengan un pulido óptico, además de que los bordes de las guías presenten

la menor cantidad de imperfecciones que permitan obtener una mejor evaluación de las guías

de ondas.

El proceso de pulido óptico de las guías de onda es similar al de cualquier componente

óptica con pasos de esmerilado, pulido y acabado. El esmerilado se realiza empleando un

plato corrector de vidrio y abrasivos de carburo de silicio, con tamaños de 30, 12, 9, 5 y

3 µm. Después se continúa con el pulido óptico asistido por una superficie plana de brea

grado óptico y abrasivo pulidor de alúmina de dimensiones de 0.5 µm y finalmente se realiza

el acabado óptico con un abrasivo de 0.05 µm. Una forma de asegurar que las guías de

onda tengan el pulido óptico y calidad adecuados; consiste en inspeccionar todo el proceso

por microscopía óptica para verificar la reducción de los defectos presentes en las caras de

entrada y salida de las guías. Con lo anterior, se asegura que las guías pulidas presentaran

un mejor acoplamiento láser-guía de onda, facilitando el análisis de la propagación de luz.

 51

6.2.1 Microscopía óptica

La caracterización de las dimensiones físicas de las guías de ondas se realizó por medio de

microscopía óptica, principalmente para conocer el espesor y la profundidad de las mismas.

El análisis de las caras de entrada y salida de las guías se efectuó examinando los bordes de

las guías, en su sección de entrada y salida.

El equipo usado para ese propósito es un microscopio marca OMANO con cámara digital

marca ScopeTek modelo DCM500. Se efectuaron mediciones utilizando objetivos con una

amplificación máxima de 100x. Asimismo, las dimensiones de las imágenes fueron asistidas

por una escala micrométrica de referencia.

6.2.2 Espectroscopía óptica

Los espectros de absorción y transmisión de las guías de ondas fueron obtenidos en un es-

pectrofotómetro Hewlett-Packard modelo 8453HP. Los espectros característicos para cada

guía de onda fueron obtenidos en sección transversal, como se muestra en la Figura 25 en un

rango de longitudes de onda que va de 190 nm a 1100 nm.

6.2.3 Pérdidas por propagación y transmitancia

Una de las características más importantes de las guías de onda es la capacidad de propa-

gación de luz. El material dopante del núcleo de la guía de onda son iones de plata, aunque la

cantidad de iones ingresados es un porcentaje muy bajo (Tabla 1), se debe considerar que los

iones del metal presentan absorción, por consecuencia se debe analizar la propagación de luz

a través de las guías. En el simulador se obtuvo una adecuada propagación para longitudes

de onda en el espectro visible, por lo que se emplea una fuente de alimentación a una longitud

de onda de 635 nm.

 52

Figura 25. Configuración para obtener espectro de absorción o transmitancia de las guías de
ondas.

En la Figura 26 se observa el arreglo experimental utilizado para caracterizar la propa-

gación de luz. La fuente de luz láser se acopla a la entrada de la guía de onda plana a través

de una fibra óptica monomodal, a la salida se utiliza un microscopio para enfocarla sobre el

medidor de potencia. Entre el microscopio y el detector se coloca una rendija para eliminar

la luz que podría propagarse ya sea por la cubierta o el sustrato, permitiendo el paso de

luz únicamente de la señal propagada a través del núcleo de la guía de onda. El equipo

de detección es un medidor de potencia óptico Melles-Griot modelo 13PDH005 con esfera

integradora y detector de silicio modelo 13PDC001.

Pérdidas por propagación

Las guías de onda cuentan con varios elementos causantes de pérdidas en la propagación de

ondas de luz, estas pueden ser por absorción, esparcimiento, radiación, efectos no lineales y

curvatura, entre otros. Las técnicas para medir atenuación o pérdidas, implican medición

de luz transmitida y/o esparcimiento como una función de la distancia de propagación. Las
 53

pérdidas por propagación se describen utilizando el coeficiente de absorción de la guía de

onda αw , definido por (Márquez H. et al., 2013):

 
Pent
αw = ln /L, (66)
Psal

y en decibeles αwdB (Saleh Bahaa E. A. y Teich Malvin Carl, 1991):

 
Pent
αwdB = 10 log10 /L, (67)
Psal

donde Pent y Psal son la potencia de entrada y salida respectivamente y L es la longitud de la

guía. En este proyecto las pérdidas por propagación de la guía se determinarán por medio del

método de transmisión de luz (Márquez H. et al., 2013), recurriendo al arreglo experimental

mostrado en la Figura 26.

Transmitancia en la guía de ondas

La transmitancia en la guía de ondas, tg , puede evaluarse por medio del arreglo experimental

mostrado en la Figura 26. La transmitancia T del sistema óptico se calcula con la medición

de potencia a la salida del sistema con respecto a la potencia de entrada proveniente de la

fuente de luz, usando la ecuación (68). Por lo cual, es necesario considerar todos los factores

que influyen en la transmitancia del sistema óptico: reflexión de Fresnel en la cara de entrada

tf −g , acoplamiento de modos de la fibra y la guía de onda η 0 , reflexiones de Fresnel en la

cara de salida tsal y transmitancia del microscopio tm (Márquez H. et al., 2013), donde T

está dado por:

T = tf −g η 0 tg tsal tm , (68)

donde tg = I0 e−αg L y tf −g = 1 − η R .

La reflexión de Fresnel en la interfaz fibra-guías puede representarse por (Márquez H.

 54

Figura 26. Arreglo experimental para obtener pérdidas y transmitancia de la guía de onda.

et al., 2013):
 2  2   
n1 − n2 n3 − n2 n1 − n2 n3 − n2
+ +2 cos(4πn2 g λ1 )
n1 + n2 n3 + n2 n1 + n2 n3 + n2
ηR =  2  2    , (69)
n1 − n2 n3 − n2 n1 − n2 n3 − n2 1
1+ +2 cos(4πn2 g λ )
n1 + n2 n3 + n2 n1 + n2 n3 + n2
donde n1 y n3 son el índice de refracción de la fibra y de los modos guiados, respectivamente,

n2 el índice de refracción en la separación g entre la fibra y la guía y λ es la longitud de onda

de la fuente de alimentación.

Figura 27. Perfil de distribución de campo eléctrico Ex y Ey , en el eje x y y, respectivamente.

Hay una diferencia de tamaños entre el núcleo de la fibra óptica (≈ 10 µm) y el núcleo de
 55

la guía onda (≈ 3 µm) que produce pérdidas por desempatamiento de fase, porque el modo

transversal de la fibra no se puede acoplar por completo al de la guía. En el acoplamiento

entre fibra y guía, los componentes de campo eléctrico Ex y Ey , se acoplan en proporciones

diferentes; el campo eléctrico en Ex se puede acoplar por completo, en esta dirección las

dimensiones de la guía satisfacen las dimensiones de la fibra, en contraste con la componente

Ey que difiere en tamaño, causando pérdidas de energía. En casos generales, el perfil del

modo puede ser aproximado por una combinación de medias gaussianas, es decir, se pueden

enlazar diferentes partes medias de gaussianas hasta obtener o aproximarse al perfil del modo,

Figura 27, dado por (Márquez H. et al., 2013):

 2
√ √
 r w1 w2
 
 w1 w0 + r 
w2 w0 
+ +
w0 w1 w0 w2
η0 =   , (70)
w1 + w2 w3 w0
+
2 w0 w3

donde w0 es la cintura del modo de la fibra, w1 , w2 y w3 son la media cintura del modo de

la guía.

6.2.4 Visualización de modos de propagación

Utilizando el arreglo experimental empleado para obtener propagación de luz (Figura 26),

se pueden visualizar algunos de los modos de propagación capaces de transmitirse por la

guía, con la diferencia de que para este arreglo se sustituye el detector por la cámara digital

mostrada en la Figura 28. Por medio de la cámara se adquiere la distribución de intensidad

de los modos de propagación a la salida de la guía de onda.

 56

Figura 28. Arreglo experimental para visualizar modos de propagación, L1 = 63x y L2 = 10x.

6.2.5 Índices de refracción efectivos de los modos de propagación

Una de las principales características de las guías de onda ópticas son los índices de refracción

efectivos de los modos de propagación que puede ser excitados en ella. La técnica de

acoplamiento por prisma es un método práctico para caracterizar los modos de propagación.

Ésta técnica consiste en excitar los modos de propagación de la guía de onda óptica medi-

ante el acoplamiento del campo evanescente presente en un prisma, colocado sobre la guía

de onda, como se muestra en la Figura 29. Sobre el prisma con un índice de refracción np

mayor al índice de refracción n2 del núcleo de la guía de onda se hace incidir un haz láser

realizando una variación del ángulo de incidencia. El haz incidente se refleja totalmente en

la base del prisma, produciendo un campo evanescente. Bajo ciertas condiciones el campo

evanescente se acopla a algunos de los modos de propagación de la guía de onda por medio

de tunelaje óptico, transfiriendo una parte de energía del haz incidente (Tien P. K. y Ulrich

R., 1970), cuando el haz incidente se encuentra a un ángulo de orientación adecuado para

ésto (Figura 29), resultando en una reducción considerable de la potencia detectada. Los

modos de propagación de la guía de onda fueron analizados por medio del uso del sistema

de acoplamiento por prisma de alto índice Metricon Modelo 2010, este equipo cuenta con las
 57

herramientas de acoplamiento esenciales para la transferencia de energía prisma-guía.

Figura 29. Arreglo experimental para obtener índices de refracción efectivos y modos de propa-
gación.

De acuerdo a Tien P. K. et al. (1969) las condiciones para el acoplamiento son:

1) El haz incidente debe tener el ángulo de incidencia adecuado de tal manera que el

campo evanescente en el espacio de separación entre el prisma y la guía viaje a la misma

velocidad de fase que la del modo a excitar en la guía de onda. Es decir, el acoplamiento de

luz sucede cuando se tiene un ángulo θ en el cual la velocidad de fase de la onda incidente

en la base del prisma, es igual a la velocidad de fase de alguno de los modos de propagación

de la guía de onda (Ulrich R. y Torge R., 1973), cumpliendo con la condición

k0 np senθ = k0 nef fm , (71)

donde nef fm es el índice de refracción efectivo del modo a acoplar en la guía.

2) Los modos de la guía tienen distinta polarización, TE o TM, por lo tanto, el haz

incidente debe tener la misma polarización que la del modo a excitar.

3) La guía debe colocarse lo suficientemente cerca de la base del prisma, típicamente, la

separación debe ser del orden de media longitud de onda.

En la Figura 29 se observa el haz láser incidente sobre una de las caras del prisma, con

un ángulo ϕ característico. Este ángulo posee una relación directa con el ángulo θ (Najafi S.
 58

I., 1992), lo que permite obtener la siguiente ecuación:

  
−1 senϕ
nef fm = np sen α + sen , (72)
np

donde α es el ángulo de la base. La ecuación (72) da como resultado el índice de refracción

efectivo de cada modo capaz de ser excitado en la guía de onda en función del ángulo de

incidencia ϕ. La intensidad proyectada sobre el detector (Figura 29) experimenta una dis-

minución cuando se presenta acoplamiento a algún modo de la guía. El sistema Metricon

2010 registra esa disminución, indicando la presencia de modos excitados en la guía de onda,

por tal motivo, el sistema de acoplamiento por prisma es capaz de medir el número de modos

que pueden ser excitados en las guías de onda planas a estudiar, además establece el ángulo

adecuado para dicha excitación, por lo que con la ecuación (72) se pueden obtener los índices

de refracción efectivos para cada modo.

Las guías de ondas aquí evaluadas, son guías de ondas sumergidas, es decir, el núcleo de

las guías se encuentra a cierta profundidad de la superficie del sustrato. Por tal motivo, el

campo evanescente debe penetrar lo suficiente para excitar los modos de propagación. Como

se mencionó con anterioridad, los campos electromagnéticos guiados se confinan en el núcleo

y decaen exponencialmente en la cubierta o el sustrato caracterizados por la profundidad de

penetración Lp , la cual es definida como la distancia de la interfaz a la que la amplitud del

campo decrece por un factor de 1/e (Zappe Hans P., 1995). Dado esto, el campo evanescente

debe de ser del orden que satisfaga la condición Lp . En el Apéndice D se presenta una

explicación más detallada de lo antes mencionado.

6.2.6 Topografía y compactación

Durante el proceso de implantación, los iones impactan a los átomos del sustrato, pudiendo

producir una compactación del material (Oven, 2011), como se muestra en la Figura 30.
 59

La compactación del material produce un aumento de densidad en la parte superficial de la

cara de implantación del sustrato. Al variar la densidad del material el índice de refracción

de dicho material se altera, por tanto se debe considerar cuanto es el cambio de índice de

refracción, debido la influencia que tiene con respecto al índice de refracción del núcleo de la

guía de onda (Oven, 2011).

Figura 30. Compactación de material por proceso de implantación.

Para medir la compactación que causa la implantación de iones se utilizó un equipo de

Microscopio de Fuerza Atómica (AFM)2 , localizado en el Centro de Nanociencias y Nano-

tecnología UNAM Ensenada (CNyN).

6.2.7 Perfil de índice de refracción

Para obtener el perfil de índice de refracción de las guías de onda se utilizan los valores

experimentales de los índices de refracción efectivos de los modos de la guía de onda y se

reproducen en el simulador WII. El perfil de índice de refracción que se proponga debe

considerar los valores de índice de refracción efectivos experimentales y calculados de la guía

2
AFM por sus siglas en inglés: Atomic Force Microscope.
 60

de onda. Los índices efectivos calculados deben aproximarse y/o coincidir con los valores de

índices efectivos medidos experimentalmente.

a) b)
Figura 31. Simulación perfil de índice de refracción para los índices efectivos de 1.4820 y 1.4638.
a) Perfil propuesto con sus correspondientes índices de refracción efectivos teóricos representados
con las líneas rojas, las líneas verdes representan los índices efectivos experimentales de 1.4820
y 1.4638. b) Simulación del perfil de índice de refracción adecuado para obtener los índices de
refracción efectivos de 1.4820 y 1.4638.

Para aclarar este punto considérese una guía de onda que tiene dos índices de refracción

efectivos de 1.4820 y 1.4638; estos valores se introducen en el simulador WII, se propone un

perfil de índice de refracción y se verifica si estos índices de refracción efectivos coinciden con

los índices de refracción efectivos del perfil que se está proponiendo, como se ilustra en la

Figura 31a). Como se muestra en dicha figura, los índices de refracción efectivos no coinciden,

por tal motivo se requiere plantear un perfil de índice de refracción diferente, como el que se

propone en la Figura 31b), donde se disminuyó el valor de índice de refracción en la parte

superior del perfil hasta lograr que los índices efectivos de los modos del perfil propuesto

coincidieran con el índice efectivo de la guía.

No obstante, para motivos del presente trabajo, al proponer un perfil de índice de refrac-
 61

ción que coincida con los índices de refracción efectivos de las guías de onda, se debe tomar

en cuenta que la cubierta de la guía sufrió cambio de índice de refracción principalmente por

el proceso de implantación. Así pues, el índice de refracción efectivo y el cambio de índice de

refracción de la cubierta son factores importantes para evaluar el perfil de índice de refracción

de las guías de onda.

 62

Capítulo 7

Resultados y discusiones

7.1 Simulación de implantación

En el proceso de diseño descrito anteriormente, se muestran las curvas típicas de concen-

tración de iones implantados en función de la energía de implantación. En la Figura 18 se

muestran los perfiles de concentración de implantación de iones de plata para energías de

2 M eV a 9 M eV , con incrementos de 1 M eV . A partir de ahí, se pueden seleccionar las im-

plantaciones que conforman un perfil de índice específico, por ejemplo una guía de onda tipo

escalón. Para generar una guía de onda tipo escalón es necesario seleccionar una combinación

adecuada de implantaciones de diferentes energías y dosis. Para este trabajo, se seleccionaron

cinco implantaciones a diferentes energías y dosis de implantación (Figura 23b)). El crite-

rio usado para la separación entre implantaciones depende de la contribución particular de

cada una al diseño final. Por consiguiente, implantaciones a menor energía se encuentran a

una separación de energía más cercanas con respecto a la separación de las implantaciones

a mayor energía, e.g. la primera, segunda y tercera implantación se encuentran a 1 M eV

de separación, mientras que entre la tercera y cuarta y la cuarta y quinta implantación la

separación entre energías es menor, 0.8 M eV y 0.9 M eV , respectivamente.

En la Figura 32a) se observan las implantaciones con las proporciones de iones correspon-

dientes utilizadas para obtener el perfil de indice escalón, simulación en el SRIM 2012, y en

la Figura 32b) se muestra el perfil escalonado con las implantaciones semi-gaussianas que lo

conforman. La elección de dosis de implantación fue seleccionada en función de la contribu-

ción de cada implantación, en este caso se tienen las siguientes condiciones de energía y dosis
 63

relativas: (Drel × DIP 1 ) de: 9M eV :(1.0 × DIP 1 ), 7M eV :(0.5 × DIP 1 ), 6M eV :(0.29 × DIP 1 ),

5.2M eV :(0.41 × DIP 1 ) y 4.3M eV :(0.39 × DIP 1 ). Las simulaciones en el SRIM 2012 pro-

porcionan los perfiles de concentración de implantación de iones que se pueden lograr en un

sustrato específico. Para esto es necesario conocer la dosis de cada implantación para deter-

minar su contribución al perfil de concentración final del dispositivo. Una vez definidas las

a) b)
Figura 32. Proceso de implantación para el diseño de guías tipo escalonado. a) Número de
implantaciones en proporción a su factor de conversión para obtener las guías de índice escalón,
b) Perfil de multi-implantación como resultado de la sucesión de implantaciones.

condiciones iniciales de energía y dosis, se realiza la primera implantación, Figura 32a) IP1,

y se aplica la proporcionalidad correspondiente a las implantaciones sucesivas. En el presente

trabajo, como se a mencionado anteriormente, se simulan cinco implantaciones que compo-

nen una multi-implantación. En la Figura 32a) se observan las implantaciones por separado,

donde, para visualizar las implantaciones que componen la multi-implantación se realizó un

conteo de iones correspondientes a una determinada dosis de implantación. Al simular dichas

implantaciones como una multi-implantación se obtiene como resultado el perfil escalonado

que se muestra en la Figura 32b), al igual que las curvas de implantaciones individuales que
 64

lo componen.

a) b)
Figura 33. a) Discretización del perfil de multi-implantación, b) Porcentaje de Ag en el sustrato
e índice de refracción del perfil de multi-implantación.

Ya realizada la multi-implantación de iones es de gran importancia calcular el perfil del

índice de refracción correspondiente; debido a que el perfil de índice de refracción representa

al núcleo de la guía de onda. Para el cálculo de índice de refracción perteneciente a ciertos

puntos del perfil de multi-implantación, Figura 32b), en este caso se realizó una discretización

del perfil de multi-implantación como se muestra en la Figura 33a). Los segmentos discretos

cuentan con un tamaño de 70 nm. Se aplicó la ecuación (65) a cada uno de los segmentos

que forman el perfil de multi-implantación. En este trabajo se muestran los resultados de

cuatro multi-implantaciones con diferentes grados de concentración de Ag mostradas en la

Tabla 1. Por ejemplo, para el cálculo de índice de refracción del perfil de multi-implantación,

se realizó el cálculo para M1 de la Tabla 1, donde los valores utilizados en la ecuación (65),

por ejemplo para uno de los segmentos de la parte máxima del perfil de multi-implantación,

son: aSi = 12.51, aAg = 15.97, NSi = 0.4999, NAg = 2.245 × 10−4 , k = 0.0511, bSi = 0,

CSi = 27.26 y CAg = 12.72 (Fantone Stephen D., 1983), obteniendo un cálculo de índice de
 65

Figura 34. Porcentaje de índice de refracción confiable a tomar como perfil escalonado.

refracción de 1.45736.

De la ecuación (65) se calculó el porcentaje de iones de Ag implantados en relación a

los elementos químicos que conforman el sustrato1 (SiO2 ) donde se encuentran embebidos

los iones, mostrado en la Figura 33b). Además, en la Figura 33b) se muestra el índice de

refracción de cada uno de los segmentos del perfil de multi-implantación escalonado de la

muestra M1.

Se puede considerar un valor fiable del cambio de índice de refracción como 0.95∆nmax

para un perfil escalonado para evitar el ruido que se tiene en la parte superior del perfil

(Figura 34).

En la Figura 35 se muestran los índices de refracción correspondientes a cada una de las

multi-implantaciones de la Tabla 1. Se puede observar como el incremento de la dosis de

implantación, provoca un aumento proporcional del porcentaje de plata y un incremento del

índice de refracción. Los índices de refracción máximos2 , ≈ 95 % del perfil, se muestran en

1
Silicio y Oxigeno (SiO2 ,).
2
Los valores de la Tabla 3 son valores aproximados.
 66

Figura 35. Aumento de porcentaje de iones de plata e incremento de índice de refracción con
respecto al cambio de dosis de implantación para las diferentes multi-implantaciones.

la Tabla 3, con sus correspondientes cambios de índice de refracción (∆nRmax ) y porcentajes

de plata en la composición química del sustrato.

Tabla 3. Índices de refracción y porcentajes máximos del perfil de índice de refracción de las guías
de onda.

Guía de onda nRmax ∆nRmax Ag % en peso

M1 1.45736 0.00016 0.04

M2 1.45752 0.00032 0.08

M3 1.45801 0.00081 0.2

M4 1.45883 0.00163 0.4

7.2 Microscopía óptica

Las caras de entrada y salida de las guías de onda fueron inspeccionadas por medio de

microscopía óptica. En la Figura 36, se muestran las microfotografías de las guías de ondas

M1, M2 y M4, respectivamente. Los valores de las dimensiones correspondientes a cada una
 67

de las guías de ondas se presentan en la Tabla 4. En la segunda columna de la Tabla 4

se indican que se pueden alcanzar diferentes tamaños del núcleo en un rango de 2.75 µm -

3.5 µm.

a) b)

c)
Figura 36. Imágenes de microscopía óptica de la guía de onda a) M1 a una amplificación de 63x,
b) M2 a una amplificación de 100x sumergida en aceite y c) M4 a una amplificación de 63x.

Tabla 4. Dimensiones de las guías de onda M1, M2 y M4.

Guía Tamaño Profundidad Profundidad

de ondas del núcleo mínima máxima

M1 2.82 µm 0.98 µm 3.99 µm

M2 2.88 µm 0.97 µm 4.29 µm

M4 2.75 µm 0.96 µm 3.96 µm

 68

7.3 Espectroscopía óptica

Un objetivo inicial de este trabajo fue el diseño de guías de onda con índice tipo escalón con

capacidad de propagación de luz en el rango del visible (e.g. 633 nm) e infrarrojo cercano

(e.g. 1064 nm), además, de controlar el grado de concentración de iones de plata para tener

la capacidad de diseño de guías de onda ópticas. El grado de concentración de iones de

plata puede permitir controlar la saturación de la matriz vítrea. Si se presentan niveles

de dopados inferiores al límite de saturación de la Ag en SiO2 se va a lograr un aumento

del índice de refracción; si el nivel de dopado rebasa el límite de saturación de Ag en SiO2

(0.4 − 0.8% en peso (Stepanov A.L., 2010)) existe la posibilidad de nucleación y crecimiento

de nanopartículas metálicas de plata dentro de la guía de onda.

En la Figura 37a) se muestra una fotografía de las guías de onda implantadas, donde

se puede apreciar que presentan diferentes tonos de gris, cuanto mayor fue la dosis de im-

plantación más obscuras se tornaron las guías de ondas. En la Figura 38 se presentan los

resultados de espectrofotometría, donde se muestran los espectros de absorción de la sección

transversal de las guías de ondas en un rango de longitudes de onda de 190 nm a 1100 nm.

En principio, se puede observar que existe aumento de absorción con el incremento de la

cantidad de iones dentro del sustrato.

El rango tan amplio de longitudes de ondas que se absorben, con un aumento de absorción

notoria en las dosis más elevadas (Figura 38), provoca la sospecha que las guías de onda

poseen un material adicional3 , no solamente la presencia de iones de plata implantados,

sino además algún otro material que provoque la absorción. Por consiguiente, se realizó

una inspección a través de un Microscopio Electrónico de Barrido (SEM)4 con microsonda

3
Aunado al color oscuro presentes en las guías de onda.
4
SEM por sus siglas en ingle Scanning Electron Microscope.
 69

a) b)
Figura 37. Imagen de guías de onda a) con película de carbón y b) sin carbón, a excepción de
M3 que aún tiene carbón.

Figura 38. Espectro de absorción para las multi-implantaciones, con carbón, comparado con el
espectro del sustrato.

de rayos X (MEB/EDX) mostrado en la Figura 39, y se hizo un microanálisis químico de

las guías de onda ópticas. Se aplicó el análisis químico a la guía de onda M4, dado que

ésta presentaba un tono más obscuro, aportando un resultado con más certidumbre. En

los datos aportados por el SEM se encontró la presencia de carbón (C ), como se ilustra en

la imagen mostrada en la Figura 40. En la imagen se observan algunos picos indicando la

manifestación de ciertos elementos químicos asociados al sustrato (SiO2 ) y agentes pulidores

(Al2 O3 ). El aluminio encontrado en las muestras son residuos de los materiales abrasivos
 70

Figura 39. Microscopio de barrido electrónico (SEM).

de óxido de aluminio de tamaño 0.5 µm y 0.05 µm, utilizados para realizar el pulido de

las entradas/salidas de las distintas guías de ondas. Las caras de entrada y salida de las

guías tienen algunas imperfecciones que pueden alojar residuos de abrasivos, provocando la

presencia de éstos en el análisis químico.

La presencia de carbón en la superficie de las guías de onda indica que existe contami-

nación durante el proceso de fabricación. Esta información fue proporcionada por miembros

del equipo de investigadores encargados del acelerador de partículas Peletrón, donde se nos

comunicó que la causa probable de presencia de carbón en las guías de ondas se atribuye al

equipo de bombeo que genera el vacío en la cámara de implantación de iones. Se cree que

dentro de la cámara de implantación se filtraron los gases del aceite que utiliza el equipo de

vacío. Este gas contaminante se depositó en la cara de implantación de las guías de ondas

formando una película de carbón superficial.

Para eliminar la presencia de carbón en las guías de onda, se utilizó la técnica de

tratamiento térmico para realizar la termo-oxidación del carbono (C + O2 −→ CO2 ) para

disminuir y/o eliminar el carbón presente en las guías de onda en forma de gas CO2 . La
 71

Figura 40. Espectro de elementos químicos de M4.

técnica consiste en someter las guías de onda a una temperatura determinada que provoque la

evaporación del carbón, es decir, el carbón sometido a ciertas temperaturas se puede combi-

nar con el oxígeno presente en el ambiente, causando la oxidación o evaporización del carbón

(Tanarro I. et al., 2009). Las guías de onda se sometieron a un tratamiento térmico en un

horno a una temperatura máxima de 450 ◦ C durante un periodo de tiempo de alrededor

de 2.50 horas, a una presión atmosférica normal. La rapidez de remoción de carbón a esta

temperatura es de ∼ 100 nm/hr (Tanarro I. et al., 2009). Las guías de ondas M1, M2 y M4

fueron sometidas de manera individual a tratamiento térmico. Cabe resaltar que a la guía

de onda M3 no se le aplicó tratamiento térmico. La temperatura de tratamiento térmico

seleccionada fue inferior a los puntos de recocido del SiO2 (1140 ◦ C) y punto de fusión de la
 72

plata (961.8 ◦ C). Lo anterior debido a que se quiere evitar en lo posible efectos adicionales

que afecten las propiedades ópticas y estructurales de las guías de onda.

A la guía de onda M1 se le introdujo dentro de un horno a temperatura ambiente, pasando

de temperatura ambiente a los 450 o C a 15 minutos después de encendido el horno, mantenién-

dose dentro del horno durante dos horas y media. Pasado el tiempo se retiró la guía de onda

del horno, dejando enfriar a temperatura ambiente5 . Se efectuó el mismo procedimiento para

la guía de onda M2, iniciando el tratamiento térmico desde temperatura ambiente, pasando

de temperatura ambiente a 450 o C alrededor de 13 min después, manteniendo un tiempo

aproximado de dos horas y media dentro del horno y por útimo, se retiró la muestra del horno

dejando enfriar a temperatura ambiente. Para la guía de onda M4 las condiciones sufrieron

algunos cambios durante el calentamiento, se inicio el proceso de calentamiento desde tem-

peratura ambiente pasando a 450 o C en un tiempo de poco más de 15 min. Transcurrido el

tiempo aproximado de una hora, se extrajo temporalmente la guía de onda del horno por un

tiempo cercano de 10 seg, con el fin de verificar la remoción de carbón. Media hora después,

de nuevo se retiró la guía de onda por otros ≈ 10 seg, examinado nuevamente. Pasadas

las dos horas y media después del inicio del calentamiento se extrajo finalmente la guía de

onda del horno. La coloración más oscura de M4 en comparación con las demás guías de

ondas, hizo pensar que esta guía poseía una película de carbón más gruesa, por tal motivo,

constantemente se realizaba una revisión con el fin de verificar si el tiempo de alrededor de

dos horas y media sería un tiempo suficiente para retirar la película de carbón presente en

M4.

Después del tratamiento térmico, se observa una reducción y/o eliminación del color gris
5
A cada una de las guías de ondas que se sometieron a tratamiento térmico se le dejó enfriar a temperatura

ambiente.
 73

Figura 41. Espectro de elementos químicos de M4 después de tratamiento térmico.

oscuro de las guías de ondas, como se muestra en la Figura 37b), indicando la disminución

de la absorción de longitudes de ondas, a excepción de M3 que aún tiene carbón. Para

comprobar la reducción o eliminación de carbón, nuevamente se efectuó el análisis químico

a M4, mostrado en la Figura 41. El pico o perfil que representaba el espectro químico del

carbón mostrado con anterioridad (Figura 40), previo al tratamiento térmico, no se manifiesta

en el nuevo análisis después de sometida la guía a tratamiento térmico.

Reiteradamente se midió el espectro de absorción de longitudes de ondas y se realizó

un nuevo análisis espectral a las guías de ondas. El resultado del nuevo análisis espectral

se presenta en la Figura 42, donde se puede ver la disminución de la absorción espectral.

El espectro de absorción mostrado en la Figura 42 toma como referencia el espectro de

 74

Figura 42. Espectro de absorción para las multi-implantaciones, sin carbón, comparado con el
espectro del aire. M3 aún posee carbón.

absorción para el aire. Como se observa, la absorción de energía mostrada es mínima. Se

realizó el análisis espectral de las cuatro guías de onda donde se observa la diferencia notoria

de absorción de la guía M3 en comparación con las demás guías de ondas. Cabe mencionar

que a la muestra M3 no se le aplicó tratamiento térmico, por lo tanto, no fue removido el

carbón presente en esta guía de onda.

En la Figura 43 se muestran los espectros de absorción efectuados a las guías de ondas

cuando estaban contaminadas con carbón y después de retirado el carbón6 . Se observa un

cambio en relación a la cantidad de energía óptica absorbida por las guías.

7.4 Pérdidas por propagación y transmitancia

En principio, las guías de ondas que se investigan en este trabajo se componen de un núcleo

con iones de Ag inmersas en un sustrato de cuarzo fundido (SiO2 ). Se fabricaron guías

de onda con porcentajes de plata muy bajos, estimando que dicho porcentaje aumentó el
6
A excepción de M3 que aun presenta carbón.
 75

Figura 43. Espectro de absorción para las multi-implantaciones, con carbón (c/C) y sin carbón
(s/C).

índice de refracción del sustrato y formó el núcleo de la guía que permite una propagación de

luz adecuada a través de ésta. En el diseño del experimento se consideraron distintas dosis

de implantación para cada una de las guías de onda fabricadas; ésto conlleva a realizar un

estudio que permita ver su efecto en la propagación de luz a través de las guías de ondas.

Para caracterizar la propagación de luz en las guías de onda se implementó el arreglo

experimental que se muestra en la Figura 26. Se realizó la captura de datos en función a

las potencias de entrada y salida, obteniendo resultados de propagación evaluando pérdidas

y transmitancias. Se efectuaron mediciones de potencia a la salida del sistema, en función

de la potencia de entrada al sistema, procedente de una fuente de alimentación de 635 nm.

Para valorar las pérdidas y la transmitancia de las guías de ondas se utilizaron las ecuaciones

(66) y (68), respectivamente.

Como se menciona en el Capítulo 6.2.3, se valoraron las pérdidas en cada uno de los

elementos que integran el arreglo experimental propuesto, evaluándose pérdidas a lo largo de

la trayectoria de la luz en el sistema implementado. La ecuación (68) indica la transmitancia

 76

de todo el sistema, es decir, la transmisión de luz que se propaga desde la guía de onda hasta

el detector de potencia, pasando por la guía de onda, atravesando el microscopio y la rendija.

De dicha ecuación se calcula la transmitancia a través de la guía de onda, determinando la

tf −g = 1 − η R , donde η R se calcula con la ecuación (69), mientras que con la ecuación (70)

se determina el desempatamiento de modos (η 0 ) entre fibra y guía. Por otra parte, como se

mencionó antes, el cálculo de pérdidas se obtuvo utilizando las ecuaciones (66) y (67).

a)

b)
Figura 44. Transmitancia de las guías de ondas M1 yM2, con carbón. a) Zona de evaluación de
transmitancia. b) Gráfica de transmitancia.
 77

Se realizaron mediciones a cada una de las guías de ondas fabricadas a excepción de la

guía de onda M3. En primera instancia, se obtuvieron datos de propagación cuando las

guías de onda estaban contaminadas con una película de carbón que se encontraba sobre

ellas. Para la guía M1 se capturaron datos en una zona de ≈ 12 mm, como se indica

en la Figura 44a), variando la posición de la fuente de alimentación de luz de izquierda a

derecha aproximadamente cada 1 mm de separación entre cada medición, con potencia de

alimentación constante. Por ejemplo, para M1 tomando el primer dato adquirido mostrado en

la Figura 44b), de los valores de transmitancia para T ≈ 0.0022, tf −g = 0.9498, η 0 ≈ 0.7422,

tsal = 0.96 y tm ≈ 0.8161 se calcula una transmitancia en la guía de onda tw ≈ 0.0041.

De los valores obtenidos para M1 en la zona de evaluación proporcionan un resultado de

transmitancia como se muestra en la Figura 44b), donde se tiene una transmitancia promedio

(Twprom ) de ≈ 0.0036. Por otra parte, las pérdidas (αw ) por propagación obtenidas son de

≈ 7.04 cm−1 ó ≈ 30.58 dB/cm.

A M2 se le efectuó el mismo procedimiento, pero en este caso en una sección de ≈

13.6 mm, Figura 44a). Se realizaron mediciones de potencia haciendo una variación de

posición de la fuente de alimentación de alrededor de 0.5 mm entre mediciones. Calculando

una transmitancia promedio de ≈ 0.00174, como se muestra en la Figura 44b), y pérdidas

por propagación de ≈ 7.97 cm−1 ó ≈ 34.61 dB/cm.

En referencia a la guía de ondas M4, se tenía una propagación de potencia de luz muy baja,

los valores de potencia obtenidos eran tan bajos que no fue posible obtener datos adecuados

de potencia. El ruido de luz o la fuga de luz por el exterior de la guía de onda superaba

los valores de potencia transmitidos por el núcleo de la guía, por lo que las mediciones

no se pudieron considerar confiables. A causa de ésto, se puede decir que los valores de

transmitancia a través de la guía de ondas M4 son muy bajos y despreciables, por lo que no
 78

se presentan datos de transmitancia para esta guía de ondas.

Los valores de transmitancia mostrados anteriormente, representan la transmitancia o

propagación de luz a lo largo de las guías de ondas, cuando estas tenían una película de carbón

en ellas. Se observa que la transmitancia es muy baja, presentando pérdidas consideradas

como elevadas.

Después de removida la película de carbón de las guías de ondas, nuevamente se realizaron

mediciones de potencia, al igual que el cálculo de pérdidas y transmitancias. Por consiguiente,

después de someter las guías de ondas a tratamiento térmico, se adquirieron valores de poten-

cia en diferentes áreas para M1, M2 y M4, Figuras 45a), obteniendo transmitancias como las

que se muestran en las Figuras 45b), c) y d) para M1, M2 y M4, respectivamente, donde por

ejemplo para M1, el primer valor de transmitancia se calculó con T ≈ 0.4761, tf −g = 0.9498,

η 0 ≈ 0.7422, tsal = 0.96 y tm ≈ 0.8451, obteniéndose un resultado de transmitancia tw ≈ 0.83.

Los valores de pérdidas y trasmitancias se muestran en la Tabla 5.

Se seleccionó la posición o sitio donde se registró la potencia más elevadas en cada una de

las guías de onda evaluadas, mostradas en la Figura 46a), donde para valorar transmitancia

en cada posición en específico, se realizó una variación de potencia, obteniendo un resultado

de transmitancia promedio de ≈ 0.92, ≈ 0.57 y ≈ 0.034, como se muestra en la Figura 46b),

c) y d) para M1, M2 y M4, respectivamente.

En la Tabla 6 se presentan los valores de pérdidas promedios αwprom y transmitancias

promedios Tprom para las posiciones donde se presentó la mejor propagación de luz a través

de las guías de onda.

Comparando los datos obtenidos de pérdidas y transmitancias antes y después de retirar el

carbón contaminante, en la Tabla 5 se observa un aumento en la transmitancia de las guías de

onda, como consecuencia se tiene una disminución de pérdidas. Refiriéndose principalmente

 79

a) b)

c) d)
Figura 45. Transmitancia de la guía de ondas M1, M2 y M4, sin carbón. a) Zona de evaluación
de transmitancia. b) Gráfica de transmitancia.

Tabla 5. Valores de pérdidas y transmitancias en una análisis general.

−1
Guía Tprom αwprom (cm ) αwprom (dB/cm)

M1 0.872 0.1733 0.752

M2 0.488 0.9046 3.929

M4 0.0186 4.484 19.47

a M1, los valores de pérdidas y transmitancias indican una excelente propagación de luz

en el espectro visible (e.g. 635 nm). Por tal motivo, se puede decir que la guía de onda
 80

a) b)

c) b)
Figura 46. Transmitancia de las guías de ondas M1, M2 y M4 variando potencia. a) Punto
de medición a 9.5 mm, 3.5 mm y 8 mm para M1, M2 y M4, respectivamente. b) Gráfica de
transmitancia.

Tabla 6. Valores de pérdidas y transmitancias en ubicaciones específicas.

−1
Guía Posición Tprom αwprom (cm ) αwprom (dB/cm)

M1 9.5 mm 0.926 0.0958 0.208

M2 3.5 mm 0.575 0.6918 1.193

M4 8.0 mm 0.034 3.742 6.452

M1, es adecuada para la propagación de luz en el visible, obteniendo una alta eficiencia

en transmisión de luz. Además, la guía M2 presentó una eficiencia de ≈ 0.48 que podría
 81

considerarse como apropiada para propagación de luz a longitudes de onda visibles.

De los valores de transmitancias obtenidos ya sea cuando las guías de ondas estaban con-

taminadas con carbón, como cuando fue removido el carbón, por ejemplo en la Tabla 5 se

puede observar la disminución de la transmitancia en función del aumento de dosis de im-

plantación, es decir, a mayor cantidad de iones, se tiene una disminución de la transmitancia.

7.5 Visualización de modos de propagación

Los resultados presentados anteriormente indican propagación de luz a través de las guías

de onda. En esta sección se presentan imágenes del perfil de intensidad de los modos de

propagación. Para visualizar la propagación de modos se utilizó el arreglo experimental

de la Figura 28. En la Figura 47 se muestran imágenes de distribución de intensidad a la

salida de la guía de onda M1, M2 y M4, respectivamente, donde se tiene la presencia del

modo fundamental m0 y segundo modo m1 , con sus respectivos perfiles de distribución de

intensidad.

A simple vista en las imágenes de distribución de intensidad se observan unas imágenes

sin saturación de intensidad pero al realizarse el análisis de intensidad se encontraron algunas

imágenes que presentaban perfiles con saturación7 de intensidad. Por lo antes mencionado,

se muestra saturación en los perfiles de los dos modos (m0 y m1 ) de M1 y M2, mientras que

para M4 se tienen perfiles de distribución de intensidad sin saturación.

7
La saturación se observa en la parte superior del perfil de distribución donde se forma una meseta plana.
 82

Modo m0 Modo m1

a)

b)

c)

Figura 47. Distribución de intensidad a la salida de la guía de onda a) M1, b) M2 y c) M4.

 83

7.6 Índice de refracción efectivo de los modos de propagación

Por medio del Método del Cálculo de la Reflectividad se ha determinado que una guía de

onda que se encuentra sumergida en un sustrato de cuarzo fundido, con un ancho de aprox-

imadamente de 2 − 3 µm y un cambio de índice de refracción de ∆n ≈ 0.008, presenta una

propagación de dos modos para una longitud de onda de 633 nm y un modo para 1064 nm,

como se muestra en la Figura 22. El análisis de los índices efectivos de los modos de propa-

gación de las guías de onda fue realizado por el método de acoplamiento láser-guía de onda

asistido por un prisma de alto índice de refracción, mostrado en la Figura 29.

El principio de operación8 del equipo de acoplamiento láser-guía Metricon 2010 está

basado en la generación de ondas evanescentes presentes en la base de un prisma de alto

índice de refracción. Se incide luz sobre el prisma realizando una variación de ángulo de

incidencia (ϕ) y mediante un detector se registra la intensidad de luz reflejada en la base del

prisma. Al acoplarse luz láser a la guía de onda se presenta una disminución de la intensidad

detectada, es decir, cuando la onda evanescente excita un modo de propagación a un ángulo ϕ

determinado se presenta tunelaje óptico láser-guía de onda, pasando parte de la luz láser del

prisma a la guía de onda, por lo tanto causando una disminución de la intensidad registrada.

El acoplamiento de modos está relacionado con el ángulo de incidencia de haz láser (Figura

29), el cual a su vez, esta vinculado con el índice de refracción efectivo correspondiente al

modo que se esté acoplando, relacionado mediante la ecuación (72).

En la Figura 48 se muestran los resultados obtenidos mediante el Metricon 2010 para

la guía de onda M1 empleando una longitud de onda de 633 nm. Se puede observar en

la Figura 48a) una disminución en la intensidad reflejada al variar el ángulo de incidencia

para polarización TE y TM, correspondiente a un índice de refracción efectivo específico

8
Explicación más detallada en el Capítulo 6.2.5.
 84

a) b)

c)
Figura 48. Modos de propagación TE y TM para la guía de onda M1. a) Ángulo de incidencia,
b) Índice de refracción efectivo y c) Valor de índice de refracción efectivo TE y TM.

en relación a la ecuación (72) como se muestra en la Figura 48b). En la Figura 48c) se

presentan los valores de los índices efectivos perteneciente a cada modo con sus respectivas

polarizaciones.

Las tres guías de onda presentaron un acoplamiento adecuado de los dos modos soportados

por las guías, mostrados con anterioridad en la sección 7.5; es decir, los dos modos que se

propagan por el núcleo de la guía son los modos m0 y m1 , como se muestra en la Figura

49. Por otra lado, los modos m2 , m3 y m4 muestran un acoplamiento débil9 , indicando que
9
Estos últimos modos son importantes para una reconstrucción más precisa del perfil de índice de refracción
 85

Tabla 7. Modos de propagación e índices de refracción efectivos para una longitud de onda de
633 nm.

M1 M2 M4

Modos nef fT E nef fT M nef fT E nef fT M nef fT E nef fT M

m0 1.4640 1.4644 1.4642 1.4646 1.4640 1.4644

m1 1.4604 1.4607 1.4607 1.4611 1.4593 1.4597

m2 1.4542 1.4548 1.4548 1.4551 1.4518 1.4521

m3 1.4428 1.4430 1.4431 1.4433 1.4384 1.4387

m4 1.4275 1.4273 1.4287 1.4291 1.4192 1.4187

Tabla 8. Birrefringencia de los modos de propagación.

T E,T M
σm
Modos M1 M2 M4

m0 0.0004 0.0004 0.0004

m1 0.0003 0.0004 0.0004

m2 0.0006 0.0003 0.0003

m3 0.0002 0.0002 0.0003

m4 0.0002 0.0004 0.0005

estos últimos son modos radiados debido a que no cumplen con la condición n3 < nef f < n2

de la ecuación (9), en otras palabras estos son modos que no solo viajan por el núcleo de la

guía sino además lo hacen por la cubierta y el sustrato. Los valores de los índices efectivos

correspondientes a cada modo de propagación para las guías10 M1, M2 y M4 se presentan

de las guías de onda.
10
La guía de onda M3 se encuentra contaminada con carbón, por tal motivo, los valores de los índices de
 86

Figura 49. Modos de propagación TE y TM. Índice de refracción efectivo para las guías de ondas
M1, M2 y M4.

en la Tabla 711 . Al realizar el acoplamiento de modos para las polarizaciones TE y TM

T E,T M
se obtuvieron los valores de birrefringencias σ m propios de cada modo de propagación,

mostrados en la Tabla 8.
refracción efectivos pueden verse afectados.
11
Las mediciones de índice de refracción efectivos se realizaron después de remover el carbón superficial.
 87

7.7 Topografía y compactación

Durante el proceso de implantación los iones de plata se impactan con los átomos del sustrato,

produciendo la compactación de la red vítrea del sustrato (Oven, 2011). Por tal motivo, la

compactación del material puede producir un aumento de densidad, provocando un cambio

en el índice de refracción.

De antemano, se debe considerar que las guías de onda presentes en este trabajo son

guías de onda planas, por ello, la cara de implantación de las guías de onda fue irradiado en

su totalidad. Por tal motivo, la medición de compactación no se realizó directamente de las

guías de onda expuestas en este documento. Para llevar a cabo la evaluación de compactación

se utilizó una guía de onda angosta de 20 µm obtenida por implantación de iones de plata a

9 M eV y 5 × 1016 atomos/cm2 .

La compactación de la región de implantación fue analizada por medio de un equipo

de Microscopio de Fuerza Atómica (AFM) localizado en el Centro de Nanociencias y Nano-

tecnología UNAM Ensenada (CNyN). En el AFM se realizó un barrido con la punta de prueba

sobre la superficie de la guía de onda angosta, obteniendo así la topografía de la superficie

donde se realizó la implantación de iones, mostrando la compactación sufrida. En la Figura

50 se muestras algunas imágenes de compactación de la guía de onda angosta, obtenidas con

el AFM.

El AFM utilizado realiza un barrido en una superficie de 30x30 µm adquiriendo una matriz

de datos de 256x256 valores, generando imágenes en 3D como las mostradas en la Figura

50. La punta de prueba del AFM efectúa un barrido de ida y vuelta sobre la superficie

que se este analizando produciendo dos imágenes similares, como se muestra en la Figura

50a). Para una mejor visualización de las imágenes en 3D obtenidas se puede aplicar un

suavizado obteniendo imágenes como las mostradas en la Figura 50b) y c), se puede observar
 88

a)

b)
Figura 50. Imágenes topográfica de región de implantación donde se observa compactación
de una guía de onda angosta, con perfil gaussiano, implantada con iones de Ag a 9 M eV y
5 × 1016 atomos/cm2 , adquiridas a través de un Microscopio de Fuerza Atómica (AFM).

que las imágenes originales y las imágenes que fueron suavizadas presentan una diferencia en

la nitidez de las imágenes pero mantienen la misma forma. De los valores obtenidos se puede

visualizar el perfil de compactación de la guía de onda angosta. Como ejemplo se tiene la

imagen vista desde la parte superior, en el plano xy, como la que se muestra en la Figura 51a)

donde se tiene una línea de color rojo con algunos marcadores de posición. Capturando los

valores que se encuentran a lo largo de esa línea se puede apreciar el perfil de compactación

de la guía angosta, viendo la imagen desde el plano xz, como se muestra en la Figura 51b),
 89

línea de color rojo, donde se puede medir la profundidad en distintos puntos del perfil de

compactación como ejemplo se tienen tres valores distintos de profundidad (∆Y ), cursores

rojo, verde y azul.

a)

b)
Figura 51. Interfaz para manipulación de datos obtenidos del AFM a) Zona de inspección, b)
perfil de compactación con valores de profundidad. Imagen adquirida con AFM.

Para evaluar cuanto se compactó, se siguieron varios pasos, primero, como se puede ver

en la imagen obtenida por el AFM en la Figura 52a), se muestra una imagen en 3D del

perfil de compactación de la guía angosta12 . Se tomaron los valores de la matriz de 256x256,

12
Los picos que se observan en la imagen son perturbaciones por la presencia de partículas de suciedad.
 90

a) b)

c) d)
Figura 52. Guía de ondas angosta con ancho de 20 micras. a) Imagen obtenida con el AFM, b)
Gráfica de valores de relieve obtenidos con el AFM, c) Perfil de compactación promedio, d) Área
de compactación.

Figura 52b), para estimar cuanto se ha compactado, se realizó un promedio13 seleccionando

perfiles en las zonas con menos perturbaciones causadas por suciedad. Obteniendo el perfil

de compactación promedio que se puede observar en la Figura 52c). Por último se evaluó el

área de compactación del perfil obtenido, Figura 52d). Como resultado se obtuvo un área14

de compactación promedio de 357.1 f m2 .

En el perfil de compactación que se tiene por ejemplo en la Figura 52c) se observan

13
Se efectuó un promedio de 28 perfiles en distintas zonas de los valores obtenidos.
14
El área de compactación es un valor importante para determinar el índice de refracción de las guías de

onda evaluadas en este trabajo.

 91

dos valles pronunciados que se consideran para el cálculo de compactación. Como se men-

ciono anteriormente, la punta de prueba del AFM realiza un barrio de ida y vuelta sobre

la misma superficie de análisis obteniendo un registro de valores similares en ambos senti-

dos, confirmándose la presencia de los valles que se muestran en el perfil de compactación

(Dominguez David A., 2014). Un detalle importante a considerar es el hecho que la punta

de prueba realiza un escaneo con cierta velocidad y por ejemplo para el caso en el que se

tiene una caída abrupta la punta de prueba podría no registrar esa caída abrupta debido a

que la punta mantiene cierta velocidad conservando el movimiento en la caída registrando

una caída suave, que podría ser la situación del perfil obtenido en este caso. No se tiene con

certeza si la forma de los valles es la real, lo que si se confirma, es el hecho de la presencia

de los dos valles registrados en el escaneo.

7.8 Perfil de índice de refracción

Uno de los objetivos de este proyecto es obtener una guía de onda con un perfil de tipo

escalón, en el simulador de implantación SRIM 2012 se realizó el diseño de las guías de onda

por multi-implantación de iones, mostrado en la Figura 33. El perfil de índice de refracción

de las guías de onda es reproducido por el método de cálculo de reflectividad, a partir de la

medición de los valores de los índices efectivos de los modos guiados y radiados. Primeramente

se obtuvieron los gradientes de composición química producidos por la implantación de iones,

mostrados en la Figura 35, después fueron reproducidos los perfiles de índice de refracción

obtenidos utilizando el simulador WII, como se ilustra en la Figura 53, para las cuatro guías

de onda.

Uno de los retos principales es definir un perfil de índice de refracción que reproduzca los

índices efectivos de los modos de propagación de las guías de onda medidos experimentalmente
 92

Figura 53. Perfiles de índice de refracción por composición química, simulación en WII.

y mostrados en la Tabla 7. Teóricamente se tiene un perfil de índice de refracción que se

puede considerar simétrico (Figura 53) pero para proponer un perfil de índice de refracción se

utilizó un modelo con perfil de índice de refracción asimétrico, como se muestra en la Figura

54. Los índices de refracción efectivos experimentales deben aproximarse o coincidir con los

Figura 54. Perfil de índice de refracción escalonado asimétrico.

índices efectivos del perfil de índice de refracción que se está proponiendo, como se muestra

en la Figura 55a) y b), donde se tienen los índices efectivos de los modos de la guía M1 para

polarización TE y TM.

Se puede observar en la Figura 55a) y b) como los índices efectivos del perfil de índice de
 93

refracción que se está proponiendo se aproximan a los índices efectivos experimentales, por lo

tanto, el perfil de índice de refracción que se tiene en la Figura 55c), ya sea para TE o TM,

es el perfil que se asemeja o caracteriza a la guía de onda M1. Por consiguiente, de lo antes

mencionado se obtuvieron como resultado los perfiles de índice de refracción para las guías

de onda M1, M2 y M4, mostrados en la Figura 56. En la Tabla 9 se presentan los índices de

refracción máximos para las polarizaciones TE y TM, los incrementos de índice de refracción15

y las birrefringencias de las diferentes guías de onda. Dado los perfiles estimados, las guías

de onda fabricadas presentan una estructura asimétrica, como se muestra en la Figura 57.

Tabla 9. Índices de refracción máximos, cambio de índice de refracción y birrefringencia para las
guías de onda M 1, M 2 y M 4, con polarización TE y TM.

Guía de ondas nTmax

E
nTmax
M
∆nTmax
E
∆nTmax
M
σ Tmax
E,T M

M1 1.4659 1.46630 0.0087 0.00910 0.00040

M2 1.4661 1.46647 0.0089 0.00927 0.00037

M4 1.4662 1.46659 0.0090 0.00939 0.00039

Para las guías de onda con perfiles de índice de refracción tipo escalón asimétrico que se

están proponiendo en la Figura 56, se analizaron los modos de propagación en el simulador

WII, obteniendo un comportamiento de modos como el que se muestra en la Figura 58. En

las tres guías de onda se presenta una propagación de dos modos a una longitud de onda

de 633 nm y un modo en el infrarrojo cercano a λ = 1064 nm. Se puede observar como la

distribución de intensidad de los modos de propagación calculados de la Figura 58 se asemeja

a la distribución de intensidad de los modos de propagación medidos mostrados en la Figura

47.
15
Cambios de índice de refracción con respecto al índice de refracción del sustrato (1.4572).
 94

a) b)

c)
Figura 55. Reconstrucción de perfil M1 en WII para polarización a) TE y b) TM, interfaz WII. Las
líneas horizontales de color verde representan los índices efectivos obtenidos experimentalmente
mientras que las líneas horizontal de color rojo representan los índices efectivos característicos del
perfil propuesto. c) Perfil reconstruido para TE y TM.

En la Figura 59 se visualizan los pasos a seguir para obtener los perfiles de índice de

refracción propios de las guías de ondas, como ejemplo la guía M1. Si se observa el perfil

de índice de refracción de la Figura 59b) y se compara con el perfil de índice de refracción

de la Figura 59d), se apreciar una diferencia entre perfiles, para una misma guía de onda.

En las dos figuras se tienen tres secciones enumeradas, 1, 2 y 3. La sección 1 representa el

sustrato con índice de refracción n1 , la parte central es la sección 2 que constituye la zona

de implantación o el núcleo de la guía de onda, con índice de refracción n2 y la sección 3 que

 95

a) b)

Figura 56. Perfiles de índice de refracción reconstruidos para modos a) TE y b) TM.

corresponde al sustrato con índice n3 . Así pues, comparando el perfil de índice de refracción

de la Figura 59b) con respecto al perfil de la Figura 59d), la sección 1 muestra el índice

de refracción del sustrato sin presentar cambio alguno. En la parte central, la sección 2,

se presenta un aumento considerable del índice de refracción atribuido principalmente a la

implantación de iones. Uno de los cambios más notorios del índice de refracción se aprecia

en la sección 3; en esta sección se puede observar un incremento de índice de refracción del

sustrato, incremento que se explicará más adelante.

La sección número 3 se puede considerar que corresponde a la región de implantación

de iones, en virtud a esto, se puede decir que los cambios de índice de refracción se deben,

en cierta proporción, al cambio de densidad atómica a causa de la compactación ocasionada

durante el proceso de implantación de iones. No hay que olvidar que además de sufrir un

cambio en la densidad atómica por los iones implantados, a través de la sección 3 fue por

donde atravesaron los iones antes de quedar ubicados en la zona de implantación. En base

a esto, los iones interactúan durante su trayectoria con los átomos del sustrato, perdiendo
 96

Figura 57. Estructura y perfil de índice de refracción.

su energía de implantación transfiriéndola a los átomos del sustrato (sección 3.2). Como

consecuencia, la sección experimenta cambios por un re-ordenamiento y/o daño de la red

vítrea (Figura 9).

Asimismo, es conocido experimentalmente que se presentan varios factores que deben

ser considerados durante la reproducción del perfil de índice de refracción de guías de onda

ópticas: cambios en la composición química, cambios de volumen y esfuerzos en la red vit́rea

(Miliou Amalia N. et al., 1991; Sum T.C. et al., 2005; Oven, 2011; Lu Fei et al., 2012). La

simulación de la implantación de iones proporciona información de la composición química

∆nR , sin tomar en consideración los cambios de volumen ∆nv y los esfuerzos ∆nTσ E,T M ,

por tal motivo, una reconstrucción del índice de refracción de guías de onda obtenidas por

implantación de iones debe de considerar los tres factores.

Se observa una aumento en los valores de ∆nRmax de la Tabla 3 con respecto a los valores

de ∆nTmax
E,T M
de la Tabla 9, correspondiente a cambios de índice de refracción de la sección 2

mostrada en la Figura 59d). Por consiguiente, para explicar el aumento de índice de refracción

de la zona de implantación, se utiliza la siguiente ecuación:

∆nT E,T M = ∆nR + ∆nv + ∆nTσ E,T M , (73)

 97

a)

b)

c)
Figura 58. Perfil de índice de refracción tipo escalón asimétrico reconstruido y modo de propa-
gación a λ = 633 nm y λ = 1064 nm para a) M 1, b) M 2 y c) M 4. Simulación en WII.

T E,T M
donde hasta este punto se tienen los valores de ∆nR máximos (Tabla 3) y ∆nσ (Tabla

9) máximos. Así pues, otro de los factores que ocasionan el aumento de índice de refracción
 98

a) b)

c) d)
Figura 59. Pasos para reconstruido el perfil de índice de refracción. a) Perfil de índice de refracción
obtenido teóricamente utilizando el simulador SRIM 2012, b) Perfil de índice de refracción teórico,
simulado en WII, c) índices de refracción efectivos, simulación en WII y d) perfil de índice de
refracción reconstruido, simulado en WII.

se le puede atribuir al ∆nv . Con la ecuación (74) se puede obtener el cambio de índice de

refracción ∆nv en función al cambio de volumen. Por lo que, para obtener el cambio de

índice de refracción en función del cambio de volumen, se utilizó la siguiente ecuación (Oven,

2011):
(n20 − 1)(n20 + 2) ∆V
∆nv = − , (74)
6n0 V
donde n0 es el índice de refracción del sustrato, ∆V es el cambio de volumen y V el volumen.
 99

∆V /V es igual a:
∆V ∆h
= , (75)
V d
donde ∆h es la altura del escalón entre la superficie del sustrato sin implantar y la superficie

del sustrato después de implantar, d es la profundidad promedio a la que se encuentran

sumergidos los iones, es decir, la distancia promedio entre la superficie del sustrato y la zona

de implantación (Figura 60).

Figura 60. Descripción de compactación.

Con la medición de compactación de la guía de onda angosta se puede estimar la com-

pactación experimentada por las guías de onda planas que se presentan en este trabajo. Se

puede decir que la cantidad de iones con la que se bombardearon los sustratos de las guías

de onda planas, es cercana a la cantidad de iones con las que se bombardeó la guía de onda

angosta. Por lo tanto se puede suponer que la compactación sufrida por las guías de onda

planas se aproxima a la experimentada por la guía de onda angosta.

Por medio de la Figura 60, se observa que la sección transversal de la zona compactada

(area = base x altura), así pues, ∆h = area/base. El valor de área de compactación,

obtenida por AFM, es 357.1 f m2 para la guía de onda con base de 20 µm. Del análisis

de implantación de iones se obtiene un valor promedio d = 3.91 µm. Por ello, se pudo
 100

estimar el valor de ∆V /V de la ecuación (75). A su vez, con los valores de ∆nR , ∆nv y

∆nTσ E,T M , el índice de refracción máximo para las guías M 1, M 2 y M 4 es 1.4603, 1.46043 y

1.46176, respectivamente. Estos valores podrían considerarse una aproximación a los índices

de refracción máximos de los perfiles de índice de refracción reconstruidos de las guías de

onda planas.

Empleando los valores de compactación de la guía de onda angosta, se muestra que la

compactación y el cambio de volumen ∆nv son factores que influyen en el cambio de índice

de refracción. A razón de esto, teniendo los valores de ∆nT E,T M , ∆nR y ∆nTσ E,T M para las

guías de onda planas, se calculó el cambio de índice de refracción en función del cambio de

volumen ∆nv , obteniendo como resultado los valores que se muestran en la Tabla 10. A partir

Tabla 10. Cambio de índice de refracción por cambio de volumen de las guías de onda M 1, M 2
y M 4.

Guía de ondas ∆nv

M1 0.00834

M2 0.00839

M4 0.00717

de los resultados obtenidos, se puede determinar la contribución de la polarizabilidad, daño o

compactación y el estrés óptico al perfil de índice de refracción de guías de onda implantadas

con iones. Un análisis más profundo de estas contribuciones se debe explorar en el diseño

de guías de onda ópticas por implantación de iones para aplicaciones avanzadas tales como

guías de onda no lineales o circuitos de óptica integrada.

 101

Capítulo 8

Conclusiones

El proceso de implantación de iones es una técnica robusta que permite producir guías de onda

en una diversidad de sustratos. Sin embargo, esta técnica produce perfiles de concentración

asimétricos que limitan su potencial en dispositivos de óptica integrada. Por lo que en este

trabajo se ha presentado un proceso que permite el desarrollo de guías de onda ópticas de

índice escalón en sustratos de SiO2 . El proceso consiste en una secuencia de implantaciones de

iones de plata a diferentes energías y dosis que producen un perfil de concentración uniforme.

La fabricación de guías de onda fue diseñada considerando obtener guías de onda con

diferente concentración de iones de plata con un nivel de dopado de 0.04 − 0.4 % en peso, el

cual es inferior al límite de solubilidad de Ag/SiO2 .

El proceso de caracterización de las guías de onda comprende el análisis de: espesor,

espectro de absorción, pérdidas por propagación, modos de propagación, topografía y com-

pactación.

Las guías de onda obtenidas están a una profundidad de ∼ 1 µm, con un núcleo de

∼ 2.75 − 2.88 µm.

Las guías de onda obtenidas presentaron una capa superficial de carbón con absorción es-

pectral alta. Esta capa fue analizada por microscopía electrónica y asociada a contaminación

por las bombas de vacío durante la implantación de iones. Las muestras fueron sometidas a

un tratamiento térmico de 450 ◦ C durante 2.50 horas para eliminar el carbón por un proceso

de termo-oxidación. Análisis de espectrofotometría de las guias de onda presentan un bajo

nivel de absorción; indicando que prácticamente se ha eliminado la capa de carbón residual.

 102

La caracterización de pérdidas por propagación de luz de las guías de onda, αw , es de 0.17,

0.9 y 4.48 cm−1 ó 0.75, 3.92 y 19.47 dB/cm para las guías M1, M2 y M4, respectivamente. O

bien, las guías de onda tienen valores de transmitancias de 0.87, 0.48 y 0.018 para las guías

M1, M2 y M4, respectivamente.

Las guías de onda presentan tres modos de propagación con índices de refracción efectivos

con valores aproximados de 1.464, 1.460 y 1.454 para los modos m0 , m1 y m2 , respectivamente.

Los valores de la birrefringencia modal son de ∼ 3.5 × 10−4 .

Análisis de la región de implantación por microscopia de fuerza atómica revela una com-

pactación de ∼ 18 nm de profundidad. Esta compactación de la red vítrea en la región de

implantación produce un aumento de la densidad atómica provocando un ∆nv ∼ 0.008.

El valor del cambio de índice de refracción, ∆nR , asociado al cambio de composición

química es de 0.00016, 0.0003, 0.0008 y 0.0016 para guías de onda con valores de implantación

de Ag de 0.04, 0.08, 0.2 y 0.4 % en peso.

Los perfiles de índice de refracción de las guías de onda reconstruidos a partir de los

valores de índices efectivos de los modos de propagación para las polarizaciones TE y TM

presentan un perfil de índice de refracción de tipo escalón con una estructura asimétrico. El

cambio de índice de refracción en el núcleo de las guías es de ∼ 0.009.

El diseño propuesto por multi-implantación de iones se puede considerar adecuado para

el desarrollo de guías de onda de índice escalón en dimensiones micrométricas. Estas guías

presentan características de propagación de luz y confinamiento óptico idóneos, mostrados

en la Tabla 11, para la manufactura de dispositivos de óptica integrada. Un análisis más

profundo de estas contribuciones se debe explorar en el diseño de guías de onda ópticas por

implantación de iones para aplicaciones avanzadas tales como guías de onda no lineales o

circuitos de óptica integrada.

 Tabla 11. Características específicas de las guías de onda para una longitud de onda de 633 nm.

Características M1 M2 M4

Tipo Plana asimétrica Plana asimétrica Plana asimétrica

Perfil Índice escalón Índice escalón Índice escalón

Dimensiones 15 mm × 8 mm × 3.49 µm 15 mm × 8 mm × 2.88 µm 15 mm × 9 mm × 2.78 µm

nnucleo TE = 1.4659, TM = 1.4663 TE = 1.4661, TM = 1.46647 TE = 1.4662, TM = 1.46659

Modos de propagación 3 3 3

Tprom ∼ 0.87 ∼ 0.48 ∼ 0.18

αprom ∼ 0.17 (cm−1 ), ∼ 0.75 (dB/cm) ∼ 0.9 ∼ 3.93 ∼ 4.4 (cm−1 ), ∼ 19.47 (dB/cm)

Tprommax ∼ 0.82 ∼ 0.57 ∼ 0.34

103
 104

Referencias bibliográficas

Agulló-López F., Mendez A., García G., Olivares J., y Cabrera J. M. (2006). Synergy between
thermal spike and exciton decay mechanisms for ion damage and amorphization by elec-
tronic excitation. Physical Review B , 74: 174109(6), DOI: 10.1103/PhysRevB.74.174109.

Bass Michael (2010). Handbook of Optics. Mc Graw Hill, tercera edición.

Dominguez David A. (2014). Comunicación privada (CNyN-UNAM).

Fantone Stephen D. (1983). Refractive index and spectral models for gradient-index materials.
Applied Optics, 22(3): 432–440.

Flores Romero Erick (2008). Estudio de guías de onda ópticas activas obtenidas por im-
plantación de iones en cristales de YAG. Tesis de doctorado, Centro de Investigación
Científica y de Educación Superior de Ensenada.

Hunsperger R. G. (1985). Integrated Optics Theory and Technology. Springer, segunda

edición.

Hutcheson Lynn D. (1987). Integrated Optical Circuits and Components Design and Appli-
cations. Marcel Dekker.

Kimerling L. C., Ahn D., Apsel A. B., Beals M., Carothers D., Chen Y-K., Conway T., Gill
D. M., Grove M., Hong C.-Y., Lipson M., Liu J., Michel J., Pan D., Patel S. S., Pomerene
A. T., Rasras M., Sparacin D. K., Tu K-Y., White A. E., y Wong C. W. (2006). Electronic-
photonic integrated circuits on the CMOS platform. Proc. of SPIE , 6125: 612502(10),
DOI: 10.1117/12.654455.

Lifante, G. (2003). Integrated Photonics: Fundamentals. Wiley.

López Karim (2013). Comunicación privada (IFUNAM).

Lu Fei, Yin Jiao-Jian, Ming Xian-Bing, Qin Zhen-Hua, y Ma Yu-Jie (2012). Theorical
modeling and experiment of refractive index change in He+ ion-implanted KTP waveguide.
Applied Optics, 51(13): 2400–2406.

Miliou Amalia N., Srivastava Ramakant, y Ramaswamy Ramu V. (1991). Modeling of the
index change in K+ -Na+ ion-exchanged glass. Applied Optics, 30(6): 674–681.

Montanari G. B., De Nicola P., Sugliani S., Menin A., Parini A., Nubile A., Bellanca G.,
Chiarini M., Bianconi M., y Bentini G. G. (2012). Step-index optical waveguide produced
by multistep ion implantation in LiNbO3 . Optics Express, 20(4): 4444–4453.
 105

Márquez H., Salazar D., Rangel-Rojo R., Angel-Valenzuela J.L., Vázquez G.V., Flores-
Romero E., Rodríguez-Fernández L., y Oliver A. (2013). Synthesis of optical waveguides
in SiO2 by silver ion implantation. Optical Materials, 35: 927–934.

Najafi S. I. (1992). Introduction to glass integrated Optics. Artech House.

Oven, R. (2011). Polarizability, volume expansion, and stress contributions to the refractive
index change of Cu+ -Na+ ion exchanged waveguides in glass. Applied Optics, 50(26):
5073–5079.

Reed G. T. y Knights A. P. (2004). Silico Photonics an Introduction. Wiley.

Rivera A., Olivares J., Garcia G., y Agulló-López F. (2012). Swift heavy ion damage to
sodium chloride: synergy between excitation and thermal spikes. Journal of Physics:
Condensed Matter , 24: 085401(6pp), DOI: 10.1088/0953–8984/24/8/085401.

Saleh Bahaa E. A. y Teich Malvin Carl (1991). Fundamentals of Photonics. Wiley.

Stepanov A.L. (2010). Synthesis of silver nanoparticles in dielectric matrix by ion implanta-
tion: a review. Rev.Adv.Mater.Sci., 26: 1–29.

Sum T.C., Bettiol A. A., van Kan J. A., Rao S. Venugopal, Watt F., Liu K., y Pun E. Y.
B. (2005). Direct imaging of the end-of-range and surface profiles of proton-beam written
erbium-doped waveguide amplifiers by atomic force microscopy. Journal of Applied Physics,
98: 033533(7), DOI: 10.1063/1.2001748.

Tanarro I., Ferreira J. A., Herrero V. J., Tabarés F. L., y Gómez-Aleixandre C. (2009).
Removal of carbon films by oxidation in narrow gaps: Thermo-oxidation and plasma-
assisted studies. Journal of Nuclear Materials, 390-391: 696–700.

Tien P. K. y Ulrich R. (1970). Theory of prism-film coupler and thin-film light guides. Journal
of the Optical Society of America, 60(10): 1325–1337.

Tien P. K., Ulrich R., y Martin R. J. (1969). Modes of propagating light waves in thin
deposited semiconductor films. Applied Physics Letters, 14(9): 291–294.

Torres-Torres C., Tamayo-Rivera L., Rangel-Rojo R., Torres-Martínez R., Silva-Pereyra

H. G., Reyes-Esqueda J. A., Rodríguez-Fernández L., Crespo-Sosa A., Cheang-Wong J.
C., y Oliver A. (2011). Ultrafast optical phase modulation with metallic nanoparticles
in ion-implanted bilayer silica. Nanotechnology, 22: 355710(8pp), DOI: 10.1088/0957–
4484/22/35/355710.

Townsend P.D., Chandler P.J, y Zhang (1994). Optical effects of ion implantation. Cambridge
University Press.

Ulrich R. y Torge R. (1973). Measurement of thin film parameters with a prism coupler.
Applied Optics, 12(12): 2901–2908.
 106

Zappe Hans P. (1995). Introduction to semiconductor integrated optics. Artech House.

Ziegler J. (2008). SRIM -The Stopping and Range of Ions in Matter. Disponible en:
http://www.srim.org/, consultado 2014-03-05.
 107

Apéndice A

Ecuaciones de Maxwell

Con las ecuaciones de Maxwell se puede describir la propagación de las ondas electromagnéti-
→
− →
−
cas, estas relacionan el campo eléctrico E y el campo magnético H , comúnmente descrita

de la forma siguiente:
→
−
∇· D =ρ (76)
→
−
∇· B =0 (77)
→
−
→
− ∂B
∇× E =− (78)
∂t
→
−
→
− ∂D → −
∇×H = + J (79)
∂t
→
− → −
donde ρ es la densidad de carga libre. El campo E y H están relacionados con la densidad
→
− →
−
de flujo eléctrico D y densidad de flujo magnético B por medio de las ecuación:

→
− →
−
B = µH (80)

→
− →
−
D = εE (81)
→
−
y J densidad de corriente dada por:
→
− →
−
J = σE (82)

µ, ε y σ representan la permeabilidad magnética, la permitividad dieléctrica y la densidad

de carga del medio, respectivamente.

Asumiendo una onda plana monocromática propagándose en la dirección z que tiene la

forma:
 108

→
−
E = E(x, y)ei(ωt−βz) , (83)
→
−
H = H(x, y)ei(ωt−βz) . (84)

Para un medio homogéneo dieléctrico (σ = 0) no magnético (µ = µ0 ), sustituyendo

→
− →
−
el campo E y magnético H en las ecuaciones (78) y (79), respectivamente, se obtiene el

siguiente conjunto de ecuaciones para las componentes del campo electromagnético:

∂Ez
+ iβEy = −iωµ0 Hx , (85)
∂y
∂Ez
−iβEx − = −iωµ0 Hy , (86)
∂x
∂Ey ∂Ex
− = −iωµ0 Hz , (87)
∂x ∂y

∂Hz
+ iβHy = iωε0 n2 Ex , (88)
∂y
∂Hz
−iβHx − = iωε0 n2 Ey , (89)
∂x
∂Hy ∂Hx
− = iωε0 n2 Ez , (90)
∂x ∂y
 109

Apéndice B

Ecuaciones para el cálculo de dosis de implantación

La fabricación de las guías de onda en este proyecto se llevo acabo en el acelerador de

partículas Peletrón 9SDH-2, ubicado en el Instituto de Física de la Universidad Nacional

Autónoma de México (IFUNAM), donde para el cálculo de la dosis de implantación de iones

se adopta la siguiente ecuación (López Karim, 2013):

dcQA
Cint = (91)
FC

donde Cint es el contador del integrador que registra la cantidad de iones implantados, d

dosis de implantación, c carga iónica (por ejemplo, +1), Q carga del electrón, A área de

implantación y F C factor de conversión del integrador. Para el control de la dosis de im-

plantación se utiliza un integrador que registra mediante corrientes la cantidad de iones

implantados donde por medio de un contador se muestran valores numéricos correspondi-

entes a una cierta cantidad de iones. El haz de iones se irradia en una determinada área, que

para el caso de las guías de onda planas para este proyecto fue un área de irradiación mayor

al área del sustrato a implantar, con el objetivo de obtener una implantación uniforme en

todo el sustrato. El integrador cuenta con algunas escalas que se utilizan para obtener una

mejor resolución de la cantidad de corriente de iones implantados, por lo que se implementa

el factor de conversión F C con respecto a la escala que se este utilizado en el momento de la

implantación.
 110

Apéndice C

Método del Cálculo de la Reflectividad

El Método del Cálculo de la Reflectividad (Townsend P.D. et al., 1994) intenta modelar

la técnica utilizada para la observación experimental de líneas de modos con el método de

modos obscuros. El fenómeno de modos obscuros es un efecto interferencial producido por

la reflectividad de la luz en un punto de la interfaz del prisma de acoplamiento (Figura

61). Éste depende del guiado de la luz que ocurre a un cierto ángulo de acoplamiento, en

el cual existe tunelaje óptico y por lo tanto se reflejará menos luz en el detector, lo cual

dará como resultado una línea obscura. Los ángulos de resonancia, de los cuales los menores

corresponden a posiciones de modos iluminados, pueden determinarse a partir de los mínimos

en la reflectividad calculada como función del ángulo de incidencia.

Figura 61. Método experimental para la observación de un patrón de intensidad retroreflejado

que contiene líneas de modos obscuros.

En la Figura 62 se muestra un modelo del perfil de índice de refracción de una guía de

onda típica de barrera. La componente transversal de la luz (ky ) se considera que incide
 111

Figura 62. Componentes de una onda viajera en el modelo para un sistema de guía de onda
no confinada. En el cálculo el perfil se representa hasta por cien escalones. Imagen tomada de
Townsend P.D. et al. (1994), p.170.

al sistema en la dirección z positiva desde el prisma de acoplamiento (y a través de una

separación de aire) hacia la región de guíado, para después fugarse parcialmente a través

de la barrera y hacia el substrato, en el caso de las guías de onda para este trabajo no hay

barrera. La forma de la barrera se simula con un conjunto de escalones discretos (hasta 50

ó 100) que para este trabajo lo escalones discretos se simulan en la interfaz entre núcleo y

el sustrato. Debido a la existencia de reflexiones parciales en las interfases de los escalones,

también existe una onda viajando en la dirección negativa de z. Estas dos ondas viajeras

opuestas pueden representarse matemáticamente como ei(±ky z−ωt) , donde ky es la componente

p
en z del vector de onda dentro del medio. Se puede escribir a partir de ky = k02 n22 − β 2

(Figura 6, Capítulo 2), recordando que β = k0 nef f , donde se tiene:

q
ky = k0 n22 − n2ef f , (92)

donde k0 es el vector de onda en el vacío, n2 es el índice de refracción del núcleo de la guía

y nef f el índice efectivo del modo n2 senθ. Debe enfatizarse que en el presente modelo, nef f
 112

ya no es un eigenvalor de un modo confinado, sino que varía continuamente. Tendrá ciertos

valores a los cuales la función de onda exhibirá fuerte resonancia. El signo de ky2 indica que la

onda se comporta de diferente manera en las diferentes regiones, ya sea de un modo oscilatorio

cuando ky es real (nef f < n2 ), por ejemplo en la región del prisma de acoplamiento, la guía,

el substrato con un valor de índice mayor que el nivel nef f ; o de un modo evanescente cuando

ky es imaginario (nef f > n2 ), por ejemplo en las regiones de la separación con índice menor

que nef f . Suponiendo que A y B representan las amplitudes de dos ondas que viajan en

direcciones opuestas en cualquier región. Por consiguiente, la función general de la onda en

la dirección z puede escribirse como:

E(z) = Ae+iky z + Be−iky z , (93)

donde ky = k0 cosθ, A y B son complejos para permitir el empatamiento de fases en las fron-

teras y ky puede ser real (representa una onda oscilatoria) o imaginaria (onda evanescente).

En el primer caso la función de onda puede reescribirse como:

E(z) = A0 cos(ky z) + B 0 sen(ky z) (real), (94)

q
donde ky = k0 n22 − n2ef f , y en el segundo la función de onda puede reescribirse como:
0 0
E(z) = Ae−ky z + Beky z (imaginario), (95)
q
donde ky = k0 n2ef f − n22 . El uso de esta terminología tiene la ventaja que en todas las

regiones sólo las amplitudes son complejas y no así los exponentes, lo cual resulta en cálculos

más simples y rápidos. Como se muestra en la Figura 62, todo el sistema de guía de onda

no confinada se divide en muchas capas, y por lo tanto las dos amplitudes complejas A y B

en una región se relacionan con las de la región adyacente por medio de dos condiciones de

frontera. Estas son:

Hj (z) = Hj+1 (z) (en la interfase j : j + 1), (96)

 113

Ej (z) = Ej+1 (z) (en la interfase j : j + 1). (97)

Para polarización TE, la ecuación (96) puede reescribirse como:

∂Ej (z) ∂Ej+1 (z)

= , (98)
∂z ∂z

y para polarización TM, la ecuación (97) se puede reescribir como:

1 ∂Hj (z) 1 ∂Hj+1 (z)

2
= 2 . (99)
nj ∂z nj+1 ∂z

Por simplicidad el origen z de cada región puede tomarse en su primer frontera. En

general, estas condiciones de frontera para un sistema de guía de onda de barrera pueden

dividirse en cuatro casos, de acuerdo con las regiones de distribución de índice. Las funciones

de onda se representan de maneras distintas en los dos tipos de regiones (k real, k imaginario),

como se mostró anteriormente, de tal forma que los cuatro casos son oscilatorio a oscilatorio,

evanescente a evanescente, oscilatorio a evanescente y evanescente a oscilatorio, como se

describe más adelante.

a) Oscilatorio a oscilatorio (es decir, dentro de la guía, substrato o prisma). En este caso

ambas funciones de onda tienen naturaleza oscilatoria, de tal forma que de acuerdo con las

ecuaciones (94), (95), (96) y (97) las condiciones de frontera nos conducen a las dos relaciones:

Aj cos(kyj Tj ) + Bj sen(kyj Tj ) = Aj+1 , (100a)

kyj Aj cos(kyj Tj ) − kyj Bj sen(kyj Tj ) = −ky(j+1) Bj+1 . (100b)

Estas dos relaciones pueden representarse con una matriz 2 × 2, la cual luego de ser invertida

se convierte en:
    
k
 Aj   cos(kyj Tj ) − y(j+1)
kyj
sen(kyj Tj )   Aj+1 
 =  . (101)
ky(j+1)
Bj sen(kyj Tj ) kyj
cos(kyj Tj ) Bj+1
 114

b) Evanescente a evanescente (por ejemplo, dentro de la barrera). En este caso ambas

funciones de onda tienen naturaleza evanescente. Con un tratamiento similar al anterior se

obtiene:
0 0
Aj e−kyj Tj + Bj ekyj Tj = Aj+1 + Bj+1 , (102a)

0 0 0 0 0
kyj Aj ekyj Tj − kyj Bj ekyj Tj = ky(j+1) Aj+1 − ky(j+1) Bj+1 , (102b)

que da la matriz:
   0 0   
ky(j+1) ky(j+1)
  
E E
 Aj   2
1 + k0 1 − k0   Aj+1 
2
 =  0
yj
ky(j+1)
  0
yj
ky(j+1)
  , (103)
1 1
Bj 2E
1 − k0 2E
1 + k0 Bj+1
yj yj

0 T
kyj
donde E = e j
.

c) Evanescente a oscilatorio (del aire a la guía o de la barrera al substrato). Aquí se tiene:

0 0
Aj e−kyj Tj + Bj ekyj Tj = Aj+1 , (104a)

0 0 0 0
kyj Aj ekyj Tj − kyj Bj ekyj Tj = −ky(j+1) Bj+1 , (104b)

y se obtiene la matriz:
    
E k E
 Aj   2
− y(j+1)
0
kyj 2   Aj+1 
 =  , (105)
1 ky(j+1) 1
Bj 2E
1+ 0
kyj 2E
Bj+1
0
donde también E = ekyj Tj .

(d) Oscilatorio a evanescente (del prisma al aire o de la guía a la barrera). Para este caso

se tiene:

Aj cos(kyj Tj ) + Bj sen(kyj Tj ) = Aj+1 + Bj+1 , (106a)

0 0
kyj Aj sen(kyj Tj ) − kyj Bj cos(kyj Tj ) = ky(j+1) Aj+1 − ky(j+1) Bj+1 , (106b)

lo cual da la matriz:
   0 0
 
ky(j+1) ky(j+1)
 Aj   C + kyj S C − kyj S   Aj+1 
 = k0 0
ky(j+1)
 , (107)
Bj S − y(j+1)
kyj
C S + kyj
C Bj+1
 115

donde C = cos(kyj Tj ), S = sen(kyj Tj ).

Las amplitudes incidente y reflejada en el prisma de acoplamiento (A1 y B1 de la Figura

62) pueden entonces ser relacionadas con las dos amplitudes en la región del substrato después

de la barrera óptica. (As y Bs ) multiplicando s − 1 matrices reales 2 × 2 (Mj ) como las

anteriores. Entonces:
      
" s−1 #
 A1  Y
Mj 
As   P11 P12   As 
 =  =  . (108)
B1 j=1 Bs P21 P22 Bs

De la Figura 62 puede apreciarse que no existe luz que viaje del substrato hacia la guía,

es decir, Bs = 0. Por lo tanto, la reflexión de la interfase del prisma está dada por
 2 
 P21 2

 B1 
R=  =
    . (109)
A1 P11 

La discusión anterior para propagación TE difiere del caso de propagación TM debido

a las diferentes condiciones de frontera. Esto introduce los factores (nj /nj+1 )2 , los cuales

multiplican a los términos (kj+1 /kj ) de las matrices Mj .

 116

Apéndice D

Acoplamiento por prisma de alto índice

a) b)

Figura 63. a) Excitación de modos por prisma de acoplamiento. b) Campo evanescente.

El núcleo de las guías de onda estan sumergidas cierta profundidad de la superficie (Figura

36), para excitar los modos de propagación el campo evanescente debe tener la capacidad

de penetrar lo suficiente como para estimular los modos de propagación cumpliendo con la

condición Lp (longitud de penetración), cual es definida como la distancia de la interfaz cuya

amplitud de campo decrece por un factor de 1/e (Zappe Hans P., 1995). Por consiguiente,
p p
retomando las ecuaciones γ 3 = β 2 − k02 n23 y γ 1 = β 2 − k02 n21 (Capítulo 2.1.2), para cu-

bierta y sustrato, respectivamente, donde se pueden reescribir en función de nef f , recordando

que nef f = β/k0 , como:

q
γ 3 = k0 n2ef f − n23 (110)
q
γ 1 = k0 n2ef f − n21 (111)

donde γ 1 y γ 3 representan el campo exponencialmente decayente para el sustrato y la cubierta,

 117

correspondientemente, k0 = 2π/λ, nef f es el índice de refracción efectivo, n1 y n3 son el índice

de refracción del sustrato y la cubierta de la guía, respectivamente. La solución a la ecuación:

∂ 2 Ex (y)
+ (k02 n2i − β 2 )Ex (y) = 0 (112)
∂y 2

para k02 n2i − β 2 < 0 debe tener una solución de la forma Ex (y) = Ei e±γ i y ,correspondiente a

un exponencial decayente en la dirección de y.

Se presentan dos casos, uno para el campo evanescente del prisma hacia el aire y otro

para el evanescente de los modos de propagación de las guías de ondas en el sustrato y la

cubierta (Figura 63).

CASO 1, prisma:

Para este caso en particular, el prisma implementado en el sistema Metricon 2010, tiene

una diferencia de λ/10. A un longitud de onda de ≈ 633 nm, la separación entre prisma y

guía es de ≈ 63 nm.

Al acoplarse el evanescente del prisma con algún modo de la guía de onda, el índice de

refracción efectivo del modo que se esté excitando es igual al nef f del modo del prisma. Por

ello, tomando el ejemplo de M1, para m0 se tiene un nef f = 1.4640 en polarización TE (Tabla

7, Capítulo 7.6).

La luz viaja de prisma a aire, que tiene un n = 1. Así pues, se puede definir γ 0 =
q
k0 n2ef f − n20 . El campo evanescente cumple con la condición 1/e, cuando γ 0 y = 1. Donde

γ 0 ≈ 106 nm−1 , dando como resultado una penetración y ≈ 94 nm.

En nuestro caso, la separación entre el prisma y la guía se encuentra a una distancia

inferior a 94 nm.

CASO 2, guía de onda:

El campo evanescente del núcleo de la guía a la cubierta está dado por la ecuación (110),

continuando con el ejemplo de M1, donde retomando nef f = 1.4640 para m0 en polarización
 118

TE y n3 = 1.4638 (Figura 56, Capítulo 7.8). Por consiguiente, el evanescente del modo en

cuestión tiene una campo evanescente 1/e a una distancia de y = 4.16 µm hacia la cubierta.

Para completar, la ecuación (111) representa el evanescente del núcleo a la cubierta.

n1 = 1.4572, por lo que el m0 de la guía de onda tiene una penetración del evanescente hacia

el sustrato de y = 714 nm.

Los valores de penetración del campo evanescente del modo m0 hacia la cubierta superan

el espesor de esta (≈ 1.2 µm), permitiendo un acoplamiento óptico eficiente, como se muestra

en la Figura 49.

En la Tabla 12 se encuentran los valores correspondientes a la profundidad de penetración

de los campos evanescentes involucrados en el acoplamiento de modos.

Tabla 12. Profundidad de penetración del campo evanescente para m0 de la guía M1.

Evanescente y = 1/e

Prisma-Aire ∼ 94 nm

Núcleo-Cubierta ∼ 4.16 µm

Núcleo-Sustrato ∼ 714 nm