UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE EL SALVADOR

Escuela de Ingeniería Eléctrica

MEBLEC: Modalidad de Enseñanza B-Learning Constructivista

Guía de Aprendizaje 8
“El BJT como Amplificador de Pequeña Señal”
V. 2.1

MISIÓN INSTITUCIONAL
Formar profesionales con Alto Sentido
Crítico y Ético, con capacidad de Autoformación y
Curso en Modalidad con las Competencias Técnico-Científicas requeridas
para Resolver Problemas mediante Soluciones
Semipresencial enfocadas al Desarrollo Social y Respetuosas del
Medio Ambiente

VISIÓN INSTITUCIONAL
Constituirse en modelo de calidad, diversidad de
servicios, pertinencia social e innovación, ubicándose a
nivel nacional como líder en educación semi presencial y
respeto al medio ambiente
VALORES INSTITUCIONAL
Excelencia, Perseverancia, Innovación
Respeto, Responsabilidad, Solidaridad
1
 Sección A
DATOS GENERALES PARA EL APRENDIZAJE

Carrera: Ingeniería Eléctrica

Asignatura: ELECTRÓNICA I.
Área de Formación en la Carrera: Electrónica y Control.
Unidad Didáctica IV: Análisis de Pequeña Señal con BJT.
Tema: Modelaje para “ac” y Análisis de Amplificadores.

Objetivo
1) Presentar los métodos para el análisis de amplificadores de pequeña
señal haciendo uso del modelo equivalente de “ac” en la banda medía
de frecuencia.

En Abono a las Siguientes Competencias

1) PENSAMIENTO LÓGICO Y ANALITICO relativo a circuitos de

amplificadores de pequeña señal con BJT.
2) INTERPRETAR DIAGRAMAS ELECTRÓNICOS relacionados con
amplificadores de pequeña señal con BJT.
3) CONSTRUIR MODELOS SIMPLIFICADOS PARA SU ANÁLISIS que
describan una situación compleja identificando sus elementos esenciales y
efectuando las aproximaciones necesarias.

Objetivo de Rendimiento
Posterior a la exposición de los conceptos de esta guía, el estudiante logrará:
- Modelar y Analizar circuitos amplificadores con BJT en sus tres
configuraciones.
- Tener presente las principales diferencias entre los tres amplificadores.

2
 Sección B
FUNDAMENTACIÓN TEÓRICA

B1. Introducción al Análisis de Amplificadores de Pequeña Señal con

BJT.

En las últimas guías de aprendizaje, hemos aprendido el principio de funcionamiento de los

transistores bipolares BJT, también, las principales configuraciones posibles y diferentes tipos de
polarización para estas configuraciones; lo anterior con el objetivo de situarnos en las tres regiones
de operación del transistor en las cuales determinamos que la Región Activa es la región en la cual
el transistor debe operar si queremos utilizar este como amplificador. Es importante destacar en
este momento que, al BJT se le hace operar en la región activa por medio de los sistemas de
polarización tanto, en su circuito de entrada como en su circuito de salida y que estas polarizaciones
se logran con la alimentación de CC y con las resistencias de polarización de base y emisor que
hacen circular un nivel de corriente.

Hay que enmarcarnos que, con estos transistores, hay dos tipos de amplificadores:

- Amplificadores de Pequeña Señal.

- Amplificadores de Gran Señal o Potencia.

El primer grupo de amplificadores es el que considera esta guía de aprendizaje, pero no

son menos importantes que los segundos en vista que, un sistema de amplificación está compuesto
por varias etapas transistorizadas de las cuales, lo más seguro es que la última etapa sea de
potencia o de gran señal y las previas a estas sean etapas de amplificación de pequeña señal.

Para el análisis de pequeña señal estamos interesados conocer lo siguiente:

a) El punto de operación en que está operando el transistor.

b) La Ganancia de corriente del amplificador, Ai (adimensional)
c) Ganancia de Voltaje del amplificador, Av (adimensional)
d) Impedancia de Entrada Zi. (en Ohmios)
e) Impedancia de Salida Zo. (en Ohmios)

A excepción del literal “a” el cual, lo encontramos tal como hemos hecho hasta hoy o sea
con el análisis en CC; para conocer los otros cuatro valores, necesitamos transformar al transistor en
un modelo equivalente que nos permita analizarlo en “ac”; hasta hace unos años el único modelo
utilizado era a base de los Parámetros Híbridos (Parámetros h) pero desde hace unos años también
se utiliza el modelo re.

Todos los circuitos de polarización de la guía de aprendizaje anterior, tienen al menos dos
capacitores de acoplamiento, uno de entrada C1 y otro de salida C2, solo la configuración que lleva
resistencia de emisor utiliza un capacitor llamado de desvió C 3. Estos capacitores aíslan los
niveles de polarización de CC con los niveles de amplificación de “ac” en vista que estos son
dispositivos abiertos para niveles de CC y circuito cerrado para niveles de señal de “ac”.

3
B1.1. Modelaje del Transistor BJT.

Consideraremos el siguiente circuito para luego modelarlo en su circuito equivalente:

Fig. 1: “Amplificador de Emisor Común para Circuito Equivalente de ac”

El correspondiente circuito equivalente de “ac” en pequeña señal para Q1 será:

Fig. 2: “Circuito Equivalente de ac de Emisor Común para Circuito de Fig.1”

El circuito equivalente de la figura anterior se obtiene de la siguiente manera:

1) Haciendo todas las fuentes de CC cero y reemplazándolas por un corto circuito equivalente.
2) Reemplazando todos los capacitores por un corto circuito equivalente.
3) Eliminando todos los elementos en paralelo con un elemento de desvío mediante los
equivalentes de corto circuito que fueron presentados en los pasos 1 y 2.
4) Redibujando la red de manera más conveniente y más lógica como la anterior

Los cuatro parámetros fundamentales se encuentran de la siguiente manera:

Impedancia de entrada, Zi:

4
 Vi
Zi = Ec.1
Ii

Notar de la figura 2 a donde está ubicado V i o sea después de la fuente de alimentación de

“ac” lo que quiere decir que nos conviene que un amplificador tenga una impedancia de entrada alta
para que no afecte a la señala de entrada. Recuerda el concepto del divisor de tensión, aquí se
cumple que para una impedancia de entrada bastante alta, se garantiza que la mayoría de la señal
de entrada a amplificar se reproduzca en la parte de entrada del amplificador.

Impedancia de salida, Zo:

VO
Zo = Ec. 2
IO

Normalmente las impedancias de las cargas de un amplificador son de baja impedancia por
lo tanto nos conviene que la Zo de salida sea alta para que la corriente de salida caiga casi por
completo en la carga a alimentar.

Ganancia de voltaje, Av:

VO
Av = Ec. 3
Vi

Dependiendo la configuración Av para un amplificador a transistor bipolar está en el rango

de menos de 1 a unos cuantos cientos; sin embargo, un amplificador de varias etapas puede llegar a
tener una Av de varios miles ya que las ganancias de cada etapa se multiplican.

Ganancia de corriente, Ai:

IO
Ai = Ec. 4
Ii

Las ganancias de corriente pueden variar desde un poco menos de 1 hasta exceder los 100.

B1.2. El Modelo Hibrido Equivalente del Transistor BJT.

Para que el circuito de la figura 2 este completo para su respectivo análisis de pequeña señal, le
hacen falta las consideraciones internas del transistor Q 1, estas consideraciones son traducidas en
los llamados parámetros híbridos los cuales son:

- hie, el cual es una impedancia interna de entrada de Q 1 en el orden de los kΩ para la mayoría
de transistores.
- hre, el cual es un numero adimensional como una especie de retroalimentación de voltaje
desde la entrada de Q.
5
 - hfe, que se traduce en la ganancia de corriente de pequeña señal propia de Q.
- hoe, el cual es una especie de admitancia de salida de Q.

Los parámetros anteriores están identificados para la configuración de Emisor Común de

allí el acompañamiento de la letra “e” en cada uno, si fuera para base común, la letra fuera la “b” y si
fuera para colector común, la letra fuera “c”.

La siguiente figura muestra el mismo circuito de la fig.2 pero ahora considerando los parámetros
híbridos de Q1:

Fig. 3: “Circuito Equivalente de ac de Emisor Común con Parámetros Híbridos”

De forma genérica, se denominan híbridos en vista que relacionan variables de voltajes y

corrientes de entrada y salida; una nomenclatura para visualizar lo anterior es la siguiente:

Vi
h11 = en Ω con VO=0
Ii

Vi
h12 = sin unidad con Ii=0
VO

IO
h21 = sin unidad con VO=0
Ii

IO
h22 = en Siemens con Ii=0
VO

El subíndice 11 significa que este parámetro se calcula con variables solo de entrada; el
subíndice 12, significa que se calcula con una variable de entrada y una de salida; el subíndice 21
con una variable de salida y una de entrada y el subíndice 22 que se calcula con dos variables de
salida.

Es obvio que para poder trabajar con el modelo equivalente de la figura 3, tendremos que
tener los cuatro parámetros híbridos proporcionados por el fabricante del transistor que esté
operando en el amplificador de pequeña señal que vayamos a analizar; esto no siempre es posible
para lo cual tenemos dos alternativas:

- Trabajar con este modelo híbrido aproximado o simplificado.

6
 - Trabajar con el modelo re simplificado en donde solo se necesita el parámetro β.

B1.3. El Modelo Hibrido Equivalente aproximado del Transistor BJT.

El modelo equivalente hibrido aproximado está basado en el hecho que, el parámetro h re

tiene un valor muy pequeño, por lo tanto, al multiplicar este valor muy pequeño por V O
retroalimentado a la entrada, prácticamente estaríamos hablando de un voltaje casi cero dando
como resultado un cortocircuito en esta parte. Ocurre algo similar con el parámetro h oe a la salida,
resultando que el valor de 1/hoe es significativamente grande si lo comparamos con la resistencia
óhmica de polarización y con la que se cargan los amplificadores, por lo tanto, esta admitancia en
Siemens se puede considerar como circuito abierto a la salida; con estas consideraciones y el hecho
que, la fuente de alimentación VS y la carga RL , no son parte del amplificador, el circuito equivalente
de la figura 3 se transforma en el circuito mostrado a continuación:

Fig. 4: “Circuito Equivalente Aproximado de ac de Emisor Común con Parámetros Híbridos”

Notar de la figura 4 lo siguiente:

- Solo los parámetros hie y hfe se han tomado en cuenta, el primero tiene que ver con la
impedancia de entrada del transistor y el segundo es la ganancia de corriente que contribuye
a la transferencia de potencia desde la entrada a la salida.
- La impedancia de entrada es el paralelo de las resistencias de polarización R B1 y RB2 con el
parámetro hie.
- La impedancia de salida queda supeditada a RC.
- Notar que la referencia a tierra de la figura 3 en este circuito aproximado se ha cambiado,
como debe ser, a un bus del terminal de emisor en vista que se está modelando la
configuración de emisor común.
- El circuito aproximado simplifica los cálculos para las 4 variables a calcular de un
amplificador, impedancia de entrada y salida, ganancia de corriente y ganancia de voltaje.

B1.4. El Modelo Equivalente re para el Transistor BJT.

Se dijo anteriormente, que antes solo se disponía de los parámetros híbridos dados por el
fabricante de los transistores para efectuar el cálculo de las cuatro variables a calcular para un
amplificador; desde hace un poco menos de 15 años se tiene otra alternativa bastante válida y
7
aproximada para estos cálculos, nos referimos, al modelo r e el cual está basado y relacionado por el
lado del circuito de entrada, a la resistencia dinámica de ac de la unión P-N del transistor entre base
y emisor; de lo anterior, tendremos que recordar que:
26 mV
rD = ID

Si recordamos, la expresión anterior era para un diodo; traducida esta expresión para un transistor
sería:

26 mV
re = Ie Ec.5

Tomando en cuenta re, un transistor bipolar NPN se puede representar de la siguiente manera:

Fig. 5: “BJT modelado para parámetro re”

Para los transistores bipolares, todo lo que se observa desde la base de Q 1, se multiplica
por el factor β y lo que se observa desde el emisor, hacia atrás, se divide por este mismo factor; de
la figura 5 se observa que los transistores bipolares son dispositivos controlados por corriente, a la
salida aparece la corriente de colector en función de la corriente de base y el factor de ganancia β;
con las consideraciones anteriores, el modelo re queda de la siguiente manera para un transistor
bipolar:

8
 Fig. 6: “Modelo re para la Configuración de Emisor Común”

Si observamos las figuras 4 y 6, tienen bastante similitud, lo único que cambia son los parámetros
utilizados. En la práctica y en la solución de algunos problemas propuestos, se pueden mezclar a
conveniencia los dos modelos explicados en esta guía, tal como se ve en la siguiente figura:

Fig. 7: “Modelo re mezclado con parámetro hibrido hoe para la Configuración de Emisor Común”

En la figura anterior se ha considerado la impedancia de salida ro como el inverso del

parámetro hibrido hoe dado este último en µS (micro siemens o micro mho), r o nos daría en ohmios
por cierto para esta configuración algunos miles de Ω. En vista que se pueden mezclar ambos
modelos podemos decir que:

hie = βre Ec.6

B2. Ejercicios de Aplicación.

B2.1. EJERCICIO 1: Sobre Modelos Equivalentes

Este ejemplo numérico puede aclarar algunas dudas, supongamos que se nos proporcionan
los siguientes datos:

- IE = 2.5mA
- hfe = 140 ≈ β
- hoe = 20 µS
- hob = 0.5 µS

9
Se nos pide calcular a) El circuito híbrido equivalente para Emisor Común y b) El modelo r e para
Base Común.

Solución para “a”:

26 mV 26 mV
re =
IE
= = 10.4 Ω
2.5 mA

hie = βre = (140) (10.4 Ω) = 1.456 kΩ

1 1
ro = h = 20 µS = 50 kΩ
oe

Con los datos calculados anteriormente dibujamos el equivalente híbrido para Emisor Común:

Fig. 8: “Equivalente Hibrido para la Configuración de Emisor Común de problema anterior”

Solución para “b”:

re ya se ha calculado antes, 10.4 Ω.

Recordar que, para Base Común, la entrada es el emisor y la salida es el colector y la relación de
corriente entres estos dos terminales es el parámetro α≈1.

1 1
ro =
hob
= = 2 MΩ
0.5 µS

Con los datos anteriores tenemos el equivalente re siguiente:

10
 Fig. 9: “Equivalente modelo re para la Configuración de Base Común de problema anterior”

B2.2. EJERCICIO 2: Amplificador de Emisor Común con Polarización Mediante Divisor

de Voltaje.

Tenemos el siguiente amplificador polarizado mediante Divisor de Voltaje:

Los datos son los siguientes:

VCC=22 voltios; R1=56kΩ; R2=8.2kΩ; RC=6.8kΩ; RE=1.5kΩ y β=90; se nos pide encontrar:
a) El modelo Equivalente re; b) re; c) Zi; d) Zo cuando ro=αΩ; e) Av cuando ro=αΩ; f) Ai cuando ro=αΩ;
g) Calcular los parámetros del “c” al “f” pero si ro = 1/hoe = 50kΩ y comparar los resultados.

Solución:
11
Parte a:
Siguiendo las indicaciones de la página 4 de esta guía, el circuito equivalente es:

Parte b:

Para encontrar re tenemos que hacer el análisis de CC; aquí podemos utilizar el método aproximado
en vista que βRE>10R2, por lo tanto:

R2 10.2 kΩx 22V

VB = VCC = = 3.72 Voltios
R 1+ R 2 5 0 kΩ+10 .2 kΩ

Luego:

VE = VB – VBE = 3.72 – 0.7V = 3.02 Voltios.

Luego:

V E 3.02 V
IE = = = 1.67 mA
R E 1.8 kΩ

Luego:

26 mV 26 mV
re = = = 15.66Ω
IE 1.67 mA

Parte c:

Zi = R’//βre, pero:

R’= R1//R2 = 50kΩ//10.2kΩ= 4.90kΩ; luego:

Zi = 4.90kΩ//(100)(15.66Ω)= 3.12kΩ

Parte d:

12
Zo = RC en vista que se está considerando ro=α, luego:

Zo = 6.8kΩ

Parte e:

Vo
AV = , para cuando ro es α(Infinito) o sea circuito abierto, entonces:
Vi

De acuerdo a la dirección de IO infringe una corriente negativa en RC luego:

−I O RC −βI b RC
AV = = Ec.A
Ii Zi I i Zi
'
I b ( R ' + β re) R ( β re )
Pero por ley de divisor de corrientes a la entrada y despejando Ii, Ii = , y Zi = '
R' R + β re
sustituyendo estas dos ecuaciones en la ecuación “A”, tenemos:

−β I b R C
−β I b R C ' '
AV = = I b ( R + β r e ) R ( β r e ) , eliminando términos:
I i Zi '
x '
R R + β re
−RC 6.8 kΩ
AV = = = - 434.22
re 15.66 Ω

Otra manera de calcular AV es tomando en cuenta que Vi está en paralelo a la entrada y por ende es
el mismo voltaje en la base, entonces:

Vo
AV = , para cuando ro es α(Infinito) o sea circuito abierto tenemos:
Vi

−I O RC −β I b R C
AV = = eliminando términos en numerador y denominador tenemos:
I b βre I b βre

−RC 6.8 kΩ
AV = = = - 434.22
re 15.66 Ω

“El signo menos significa que en los amplificadores de Emisor Común, la señal amplificada
de salida está desfasada 180 respecto a la señal de entrada”

Parte f:

Io
Ai = Ec.B, pero:
Ii

13
 I b ( R ' + β re)
Io = βIb y haciendo el divisor de corriente a la entrada y despejando I i, Ii = , sustituyendo
R'
estas dos en la ecuación “B” y eliminado términos, tenemos:

β Ib '
' βR
Ai = I b ( R + β r e ) = ' , sustituyendo valores:
R + β re
R'

Ai = 73.04

B2.3. EJERCICIO 3: Amplificador de Emisor Común con Resistencia de Emisor sin

Condensador de Desvío.

El siguiente es un amplificador de esta configuración:

Sin considerar los efectos de ro, y RB=470kΩ; RC=2.2kΩ; RE=0.56kΩ; VCC=20 voltios; β=120
encontrar lo siguiente:

a) El modelo equivalente del amplificador; b) re; c) Zi; d) ZO; e) AV; f) Ai.

Solución:

Parte a:

14
Notar la influencia de RE tanto para la entrada como para la salida de tal manera que los 4
parámetros a encontrar están de alguna manera influenciados por RE.

Parte b:

Para esta parte tendremos que utilizar el análisis de CC para encontrar r e a partir de la corriente IE
pero para encontrar la corriente de emisor determinamos primero IB así:

V CC −V BE 20 V −0.7 V
IB = = = 35.89µA, luego:
R B + ( β +1 ) R E 470 kΩ+ (120+ 1 ) 0.56 kΩ

IE = (β+1)IB = (120+1)35.89µA = 4.34mA, luego:

26 mV 26 mV
re = = = 5.99Ω
IE 4.34 mA

Parte c:

Zi = RB//Zb , pero:

Zb = βre + (β+1)RE ; pero β>>>1 entonces:

Zb = β(re+RE) = 120(5.99Ω+560Ω) = 67.92kΩ, luego:

Zi = RB//Zb = 470kΩ//67.92kΩ = 59.34kΩ

Parte d:

Zo = RC = 2.2kΩ

Notar que aquí RE no tiene influencia alguna debido a que la fuente de corriente propia del transistor
βIb tiene alta impedancia por lo tanto se puede considerar circuito abierto.

Parte e:

15
 V O −I O RC −β I b R C
AV = = = , eliminado términos:
Vi Ib Zb Ib Z b

−β RC −( 120 ) (2.2 kΩ)

AV = = = -3.89
Zb 67.92 kΩ

Esto es válido debido que hay que recordar la aproximación IC ≈ Ie

Parte f:

β Ib
IO β RB ( 120 )(470 kΩ)
Ai = = I b (R B+ Z b ) = = = 104.84
Ii RB+ Zb 470 kΩ+ 67.92kΩ
RB

B2.4. EJERCICIO 4: Amplificador de Colector Común o Seguidor de Emisor.

El siguiente circuito es un amplificador básico de Colector Común:

El voltaje de salida siempre es ligeramente inferior al de entrada debido a la caída entre la

base y el emisor por lo tanto la aproximación siguiente es válida:

AV ≈ 1

A diferencia del amplificador de emisor común en donde la señal de salida no está en fase
con la señal de entrada, en este amplificador ambas señales están en fase; esto acredita el nombre
de seguidor de emisor. Esta configuración se utiliza con frecuencia para propósitos de

16
acoplamiento de impedancias entre etapas transistorizadas o sistemas electrónicos debido a que
presenta una alta impedancia de entrada y una impedancia baja en la salida.

Para la figura anterior:

RB=220kΩ; RE=3.3kΩ; β=100; VCC=12 voltios, determinar, sin considerar el efecto de rO:

a) Modelo equivalente; b)re; c) Zi ; d) ZO ; e) AV ; f) Ai.

Solución:

Parte a:

El modelo equivalente es el siguiente:

Parte b:

V CC −V BE 12 V −0.7 V
IB = = = 20.42µA, luego:
R B + ( β +1 ) R E 220 kΩ+ ( 100+1 ) 3.3 kΩ

IE = (β+1)IB = (101)20.42µA = 2.062mA, luego:

26 mV 26 mV
re =
IE
= = 12.61Ω
2.062mA

Parte c:

Zi = RB//Zb , pero:

Zb = βre + (β+1)RE ; pero β>>>1 entonces es válido:

Zb = β(re+RE) = 100(12.61Ω+3300Ω) = 331.26kΩ, luego:

Zi = RB//Zb = 220kΩ//331.26kΩ = 132.20kΩ

Parte d:

17
 Para encontrar la impedancia de salida ZO de este amplificador, tomaremos dos criterios, el
primero hacer cero el voltaje de entrada Vi, esto es válido en vista que la resistencia ideal de una
fuente de voltaje es cero y el segundo criterio es que, todo lo visto desde el emisor hacia atrás es
reflejado y debe ser dividido entre (β+1) al igual de cómo se ha estado manejando lo visto desde la
base es multiplicado por (β+1); con este criterio y en vista que β>>>1 diremos que (β+1)≈β,
entonces:

ZO = RE//(βre+RB)/β, haciendo Vi =0, esto elimina a RB, entonces tenemos

ZO = RE//re

En vista que re<<<RE, tenemos que:

ZO = 12.61Ω

Parte e:

Observando el modelo equivalente de este amplificador, este nos dice que VO es de emisor a tierra y
que desde la base a tierra se forma un divisor de tensión entre βre y la resistencia reflejada de emisor
entonces, en el numerador de la expresión siguiente, se ha considerado este divisor de tensión así:

V O V i β R E / β re + β R E
AV = = , haciendo las operaciones y los arreglos necesarios nos queda:
Vi Vi

RE 3300 Ω
AV = = = 0.996 lo cual es lógico en vista que la ganancia de voltaje de esta
r e + R E 12.61Ω+3300 Ω
configuración es aproximadamente igual a 1 o un poco menor que la unidad.

Parte f:

I O ( β+1 ) I b
Ai = = pero:
Ii Ii

I b ( R B + Z b)
Ii = , sustituyendo ésta en la ecuación anterior y aproximando (β+1) a β, tenemos:
RB

( β ) Ib
β RB
Ai = I b (R B+ Z b ) = , sustituyendo valores:
RB+ Zb
RB

100 (220 kΩ)

Ai = = 39.9
220 kΩ+331.26 kΩ

18
B2.5. EJERCICIO 5: Amplificador de Base Común.

El siguiente circuito es un amplificador de Base Común:

Este amplificador se caracteriza por tener una impedancia de entrada relativamente baja y
una impedancia de salida alta; la ganancia de corriente es menor que uno, sin embargo, la ganancia
de voltaje podría llegar hacer considerable.

Para el circuito anterior nos dan:

RE=1kΩ; RC=5kΩ; VEE= +2V; VCC= -8V; α=0.98 y ro=1MΩ, calcular:

a) Dibujar el modelo equivalente re; b)Calcular re; c)Zi; d)Zo; e)AV; f)Ai.

Solución:

Parte a:

El modelo equivalente del amplificador anterior es el siguiente:

Notar que la resistencia propia entre base y emisor re, ahora entre emisor y base, ya no está
reflejada o sea acompañada de β, la razón es bien obvia, ahora la entrada es el emisor y no la base,
recuerden β se multiplica reflejado visto de la base hacia lo que se ve desde allí; los parámetros
vistos desde el emisor son todo lo contrario, se dividen entre β por eso que en el modelo solo
aparece re.

19
Parte b:

26 mV
re = I E , para encontrar re, tenemos que encontrar IE así:

V EE −V BE 2V −0.7 V
IE = = = 1.3 mA, luego:
RE 1 kΩ

26 mV
re = 1.3 mA = 20Ω

Parte c:

Zi = RE//re = 1000Ω//20Ω

Zi = 19.61Ω similar a re o sea que una buena aproximación puede ser este valor.

Parte d:

Zo = RC = 5kΩ

Parte e:

VO I o RC α I e RC α RC
AV = V = I r = I r = r
i e e e e e

Pero como α≈1 por lo tanto se puede eliminar de la expresión y nos queda:

RC 5000Ω
AV = = = 250
re 20Ω

Parte f:

Ai = -α = 0.98 ≈ -1

Sección C
CUESTIONARIO A RESOLVER Y ENTREGAR

En esta sección se presenta un cuestionario que debes contestar y entregar según las
indicaciones que se te den; este cuestionario tiene como objetivo inducir al estudiante a la
comprensión y para algunas preguntas, fomentar el aspecto investigativo sobre el tema.

1) Se nos proporciona los siguientes datos, IE=2.7mA; hfe=135≈β; hoe=22µS; hob=0.6µS, :

a) Dibuje el circuito híbrido equivalente, con sus valores para Emisor Común.
b) Dibuje el modelo re, con sus valores para Base Común.
20
2) Nos dan el siguiente circuito:

Con RB=460kΩ; RC=2.8kΩ; +VCC=14Voltios; β=110; rO=55kΩ; calcular:

a) Dibujar el modelo equivalente tal como se ha presentado en esta guía
b) re.
c) Zi. (Sin ro)
d) ZO. (Sin ro)
e) AV. (Sin ro)
f) Ai. (Sin ro)
g) Repetir de “c a f” tomando en cuenta ro=55kΩ y comparar y concluir resultados.

3) Para el siguiente amplificador de Emisor Común:

21
 VCC=22 voltios; R1=50kΩ; R2=10.2kΩ; Rc=5.8kΩ; RE=1.8kΩ y β=100; se nos pide encontrar:
a)El modelo Equivalente re; b)re; c)Zi; d)Zo cuando ro=αΩ; e)Av cuando ro=αΩ; f)Ai cuando
ro=αΩ; g)Calcular los parámetros del “c” al “f” pero si ro = 1/hoe = 50kΩ y comparar los
resultados.

4) Soluciona el literal “g” del problema 2 desarrollado en esta guía.

5) Para el siguiente amplificador:

Sin considerar los efectos de ro, y RB=490kΩ; RC=2.8kΩ; RE=0.6kΩ; VCC=22 voltios; β=110
encontrar lo siguiente:

22
 a) El modelo equivalente del amplificador; b) re ; c) Zi ; d) ZO ; e) AV ; f) Ai.

6) Para el siguiente amplificador de Colector Común:

RB=210kΩ; RE=3.6kΩ; β=130; VCC=15 voltios, determinar, sin considerar el efecto de rO:

a) Modelo equivalente; b) re; c) Zi ; d) ZO ; e) AV ; f) Ai.

7) Para el siguiente amplificador de Base Común.

RE=1.2kΩ; RC=5.8kΩ; VEE= +2.5V; VCC= -7V; α=0.97 y ro=1MΩ, calcular:

a) Dibujar el modelo equivalente re; b) Calcular re; c) Zi; d) Zo; e) AV; f) Ai.

8) Para el siguiente circuito amplificador en configuración con Retroalimentación de colector,

calcular lo que se les pide auxiliándose para ello de la sección 4.6 y 8.7 del libro de
Boylestad:

23
 Con VCC=12 voltios, RC=3.2kΩ; RB=200kΩ; RE=0.5kΩ; β=150; r0=α, calcular:
a) ICQ y VCEQ.
b) Dibujar el modelo equivalente.
c) re.
d) Zi.
e) Zo.
f) AV.
g) Ai.

9) Para el amplificador con Retroalimentación de CC en Colector calcular lo que se les pide

auxiliándose para ello de la sección 4.6 y 8.8 del libro de Boylestad, en este problema
considerar el valor de ro :

Con VCC=15 voltios, RC=3.2kΩ; RF1=100kΩ; RF2=80kΩ; RE=0.5kΩ; β=125; r0=30kΩ, calcular:
a) IBQ y VCQ.
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 b) Dibujar el modelo equivalente.
c) re.
d) Zi.
e) Zo.
f) AV.
g) Ai.

Sección D
FUENTES DE CONSULTA

1) Boylestad, Robert L.; Nashelsky, Louis; “Electrónica: Teoría de Circuitos”; Cuarta y Sexta
Edición; Editorial Prentice-Hall; México, 1997.
2) Algunas fuentes de Internet.
3) Apuntes e Interpretaciones del Tutor de la asignatura.

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