Transistores de Unión Bipolar BJT Conoce Su Funcionamiento

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PUBLICADO EL 11/10/2019 POR FABIAN AYALA
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¿PORQUÉ DEL TUTORIAL?

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En el siguiente tutorial tiene como objetivo explicar de manera sencilla que son los
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transistores de unión bipolar BJT, cómo funcionan, características técnicas, parámetros
importantes, configuraciones básicas y los tipos de transistores BJT más utilizados.
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¿QUÉ SON LOS TRANSISTORES BJT?

Los transistores de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor),
son(Busca tus productos)
dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten controlar el paso de
corriente o disminuir voltaje a través de sus terminales.
¿DONDE SE UTILIZAN LOS TRANSISTORES BJT?
Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el campo de la electrónica, pero

comúnmente son utilizados como interruptores electrónicos, amplificadores de señales o
como conmutadores de baja potencia.
Como ejemplo se usan para controlar motores,
accionar reveladores y producir sonidos en bocinas. Estos transistores son muy comunes
y de uso general los cueles pueden encontrarse en cualquiera de los aparatos de uso
cotidiano como en radios, alarmas, automóviles, ordenadores, etc.
¿ESTRUCTURA DE LOS TRANSISTORES BJT?
más nuevo
Los transistores BJT están formados por dos uniones de tipo “P y N” o bien de dos diodos
semiconductores. Email

Existen dos tipos transistores BJT, el de tipo NPN y el PNP. Las letras hacen referencia a las
capas de material semiconductor que están construidos.
1-Transistor tipo NPN: Esta formado por dos capas de material tipo “N” y separadas por
una capa tipo “P”.Enviaremos las noticias más recientes de nuestros
productos
2-Transistor tipo PNP: Esta formada por dos capas de material tipo “P” y separadas por
una capa tipo “N”.
Estos transistores cuentan con tres terminales, emisor, base y colector. La zona central se
denomina base, y las laterales emisor y colector. Estos pines se representan por la inicial
del nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) y C (colector).
– La zona de E (emisor), es la más fuertemente dopada, es la zona en cargada de “emitir”

o inyectar portadores mayoritarios hacia la base.
1
-La B (base), tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se
 de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misión es la
trata
de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el
colector.   0
-La zona de C (colector),TIENDA DE COMPONENTES

es encargada de recogerELECTRÓNICOS
o “colectar” los portadores inyectados
que han sido capaces de atravesar la base por parte del emisor. Es la zona con un nivel
de dopado inferior de las tres.

Para diferenciar los pines y el tipo de transistor NPN o PNP, debes identificar la terminal
del emisor, ya que esta tiene una flecha que cambia de dirección. En las imágenes 1 y 2
podrás observar el esquemático del transistor tipo NPN – PNP y te darás cuenta que lo
único que lo diferencia es la orientación de la flecha.
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Los transistores BJT son fabricados en distintos materiales como Si (Silicio), Ge
(Germanio) y GasAs (Arseniuro de   0
galio) los cuales son recubiertos en diferentes
encapsulados los más comunes son los TO-92, TO-18, SOT-23. Por lo general, se utiliza el
encapsulado TO-92. En las imágenes 3, 4, 5 se muestran los encapsulados más usados y
el pinout de cada uno de ellos.
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PARAMETROS PRINCIPALES DE LOS TRANSISTORES BJT

POL: Polaridad PNP- NPN (POLARITY) – Es la condición de voltaje y de corriente que se
establece en un transistor paramás
fijar unnuevo
punto de operación (Q), para mantener el
transistor en la región activa directa.
Email
VCE: Voltaje Colector Emisor (VOLTAGE COLLECTOR EMITTER).
IC: Corriente de colector, medida en amperios (COLLECTOR CURRENT).
PD: Potencia de disipación,

Enviaremos medidas enmás
las noticias watts (POWER
recientes de DISIPATION).
nuestros
productos
FT: Frecuencia de trabajo, medida en kilohertz (FRECUENCY).
HFE: Ganancia de corriente (CURRENT GAIN O BETA) – Este parámetro de modelo Hibrido
“H” de corriente alterna, el cual se usa para el diseño de circuitos con transistores, “F”
proviene de los términos (FORWARD CURRENT) amplificación con polarización directa y
“E” de (COMMON EMITTER) configuración de emisor común.
REGIÓN DE SATURACIÓN: Las uniones colector-base y base emisor están polarizadas

directamente, el voltaje colector-emisor es pequeño y la corriente es muy grande.
REGIÓN DE CORTE: En esta región la corriente de colector es cero o casi cero para

cualquier valor de voltaje colector-emisor, las uniones colector-base y base emisor
están inversamente polarizadas.
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REGIÓN ACTIVA DIRECTA: En esta región la unión de colector-base esta polarizada en

inversa y la unión base-emisor esta polarizada en directa. Esta región nos permite utilizar
al transistor como amplificador de voltaje, de corriente o de potencia.
¿COMO FUNCIONAN LOS TRANSISTORES BJT?

Los transistores BJT pueden funcionar en 2 formas, como interruptor electrónico y como
amplificador con ganancia variable.
FUNCIONAMIENTO COMO INTERRUPTOR
Para que los transistores BJT funcionen como interruptores electrónicos se debe operar
en la zona de corte y saturación para impedir o permitir el paso de corriente en un
circuito.
Si se polariza en la región de corte se impide el paso de corriente, cuando se polariza en
la región de másel nuevo
saturación se permite paso de la corriente, de esta manera los
transistores BJT funcionan como interruptores electrónicos donde solo hay dos estados
Email
lógicos 0 y 1.
FUNCIONAMIENTO COMO AMPLIFICADOR

Para que los transistores BJT funcionen como amplificadores de corriente se debe
aplicar una pequeña señal de corriente en la terminal base para controlar una corriente
de salida mayor en las terminales colector y emisor. Para el uso de los transistores BJT
productos
como amplificadores, tienes que tener en cuenta que hay distintos tipos de transistores
BJT los cuales tienen diferentes características técnicas, cada uno de ellos tiene una
ganancia de corriente conocida como beta del transistor, dependiendo del tipo de
amplificación que requieras verificar la beta del transistor para obtener la amplificación
de corriente deseada.
Para este tipo de transistores bipolares, la amplificación concierne de la corriente. La

corriente del colector “Ic” es proporcional a la corriente en la base multiplicada por la
«beta» del transistor.
1
Ic = (hFE)*(Ib)

Donde:
Ic = Corriente de colector
hFE = Beta del transistor

  0

Ib = Corriente en la base
(Busca
Este tusde
factor productos)
ganancia depende de la corriente del colector y en ocasiones puede
variar, es por eso que no es recomendable el uso de transistores como amplificadores
electrónicos, te recomiendo el uso de amplificadores operacionales.
CONFIGURACIONES DE LOS TRANSISTORES BJT
CONFIGURACIÓN EN BASE COMÚN
La terminología en base común se deriva del hecho de que la base es común tanto para
la entrada como para la salida de la configuración. Además, la base por lo general es la
terminal más cercana a, o en, un potencial de tierra.
CONFIGURACIÓN EN COLECTOR COMÚN
más nuevo
La configuración en colector común se utiliza sobre todo para igualar impedancias,
puesto que tieneEmail
una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo
contrario de las configuraciones en base común y en emisor común
CONFIGURACIÓN EN EMISOR COMÚN

Se llama configuración en emisor común porque el emisor es común o sirve de
referencia para Enviaremos
las terminales de entrada
las noticias y salida
más recientes de (en este caso es común para las
nuestros
terminales baseproductos
y colector). De nueva cuenta se requieren dos conjuntos de
características para describir plenamente el comportamiento de la configuración en
emisor común: uno para el circuito de entrada o de base-emisor y uno para el circuito
de salida o de colector-emisor.
TIPOS DE TRANSISTORES BJT
Existen diferentes tipos de transistores BJT que puedes utilizar para tus proyectos de
electrónica, pero dependiendo de
las características de tu proyecto puedes utilizar el
que más se acople a tus necesidades, a continuación, se mencionaran las
características de los transistores BJT más utilizados: 1

TRANSISTOR BJT 2N2222 NPN DE 30V
El transistor BJT 2N2222 es un dispositivo electrónico de tipo NPN con encapsulado TO-92
Este un transistor es de baja potencia, 
de plástico con tres terminales (pines). 0
capaz de
disipar hasta 625mW, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que
requieran tensiones de hasta 40Vdc, siempre y cuando no se sobrepase su potencia de
disipación máxima.
más nuevo
TRANSISTOR BJT 2N3904 NPN 40V
Email
El transistor BJT 2N3904 es un dispositivo electrónico de tipo NPN con encapsulado TO-92
de plástico con tres terminales (pines). Este un transistor de media potencia, destinado
para propósito general en amplificación y conmutación, capaz de disipar hasta 625mW,
puede controlar dispositivos Recibir lo último en
que consuman ingeniería
hasta 200mA o que requieran tensiones de
hasta 40Vdc.
productos

TRANSISTOR BJT 2N3906 PNP 40V
El transistor BJT 2N3906 es un dispositivo electrónico de tipo PNP con encapsulado TO-92
Diseñado para aplicaciones de amplificación
de plástico con tres terminales (pines).  0y
conmutación de media potencia, destinado para propósito general capaz de disipar

hasta 625mW, puede controlar dispositivos que consuman hasta 200mA o que requieran
tensiones de hasta 40Vdc con una ganancia hasta de 300 MHz.
más nuevo
TRANSISTOR BJT BC547B NPN 45V
Email
El transistor BJT BC547B es un dispositivo electrónico de tipo NPN con encapsulado TO-92
de plástico con tres terminales (pines). Diseñado para aplicaciones lineales y
Recibir
hasta 500mW, puede controlar lo últimoque
dispositivos en ingeniería
consuman hasta 100mA o que requieran
tensiones de hasta 45Vdc con una ganancia hasta de 300 MHz. Comúnmente es
Enviaremos las
utilizado en aplicaciones de noticias más recientes
Protección de nuestrosde inversión de polaridad,
ESD, Protección
productos
Protección inductiva de cargo, Protección inductiva de carga y para lógica de dirección.

  0
TRANSISTOR BJT BC547C NPN 45V
El transistor BJT BC547C es un dispositivo electrónico de tipo NPN con encapsulado TO-92
más nuevo
tensiones de hasta 45Vdc con una ganancia hasta de 300 MHz. Comúnmente es
utilizado para enEmail
aplicaciones de Protección ESD, Protección de inversión de polaridad,
Protección inductiva de cargo, Protección inductiva de carga y para lógica de dirección.
PINOUT
TRANSISTOR BJT BC556B PNPRecibir
65V lo último en ingeniería
El transistor BJT BC556B es un

Enviaremos lasdispositivo
noticias máselectrónico
recientes dede tipo PNP con encapsulado TO-92
nuestros
de plástico con productos
tres terminales (pines). Diseñado para aplicaciones lineales y

  0
TRANSISTOR BJT BC557B PNP 45V
El transistor BJT BC557B es un dispositivo electrónico de tipo PNP con encapsulado TO-92
más nuevo
Email

productos
TRANSISTOR BJT BC559B PNP 30V
El transistor BJT BC559B es un dispositivo electrónico de tipo PNP con encapsulado TO-92
1

BC559B PINOUT
TRANSISTOR BJT TIP41C NPN 100V   0
TIENDA
El transistor BJT TIP41C es DE COMPONENTES
un dispositivo ELECTRÓNICOS
electrónico de tipo NPN con encapsulado TO-
220-3 de plástico con tres terminales (pines). Diseñado para aplicaciones de
conmutación y amplificación de potencia de uso general capaz de disipar hasta 65 W,
puede controlar dispositivos que consuman hasta 6 A o que requieran tensiones de
hasta 100Vdc con una ganancia hasta de 3 MHz. Comúnmente es utilizado en
aplicaciones de potencia y manejar bajas frecuencias.
TIP41C PINOUT
TRANSISTOR BJT DARLINGTON TIP120 NPN 60V
El transistor BJT DARLINGTON TIP120 es un dispositivo electrónico de tipo NPN con

encapsulado TO-220-3 de plástico con tres terminales (pines). Diseñado para
aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia de uso general capaz de
disipar hasta 65 W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 8 A o que
requieran tensiones de hasta 60Vdc con una ganancia hasta de 1000.
más nuevo
TIP120 PINOUT NPN
Email
REFERENCIAS
NASHELSKY, R. L. (2009). ELECTRONICA:

TEORIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS .
NAUCALPAN DE JUAREZ,
ESTADO DE MEXICO: PEARSON EDUCACION .
ON SEMICONDUCTOR. (20 – 07 – 2019). OBTENIDO DE HTTPS://WWW.ONSEMI.COM

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RAMIREZ, J. -J. (2016). SIMBOLOS
Y COMPONENTES ELECTRONICOS. CDMX: IMORI KIYS
ELECTRONICA PARA LA
EDUCACION.
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FABIAN AYALA
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