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ESCUELA PROFESIONAL DE

INGENIERÍA EN ENERGÍA

AISLANTES

CURSO : Ciencia y Tecnología de los Materiales


DOCENTE : Ing. Mg. Alipio Pacheco Lopez

SEMESTRE ACADÉMICO
Noviembre del 2022 2022 B

15. AISLANTES
Los aislantes son
materiales con baja
conductividad.
La tabla 15.1 muestra
valores de conductividad
en aislantes desde 10−10
hasta 10−16 Ω−1 ∙ 𝑚−1

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Esta reducción de la conductividad de aproximadamente 20 órdenes de magnitud
en comparación con los metales, es el resultado de una separación entre bandas
mayor que 2 eV (en los metales esta separación es nula).
Los materiales de baja conductividad son parte importante de la industria
electrónica.
La figura 15.20 muestra la distribución de cargas en una típica aplicación de los
aislantes, o dieléctricos, un condensador de placas paralelas.
A escala atómica, la distribución de cargas se debe a la alineación de los dipolos
eléctricos en el interior del dieléctrico.

Figura 15.20.
Un condensador de placas
paralelas está formado por un
aislante, o dieléctrico, entre dos
electrodos metálicos. La densidad
de carga creada en la superficie
del condensador está relacionada
con la constante dieléctrica del
material, tal y como indica la
Ecuación 15.13.

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Este concepto será explicado en detalle mas adelante, junto a los materiales
ferroeléctricos y piezas eléctricas.
Aparece una densidad de carga, 𝐷 𝐶 Τ𝑚2 es proporcional al campo eléctrico
aplicado, E 𝑉 Τ𝑚 :
𝐷 = ℇ𝐸 . . . (15.11)
Donde: ℇ = permitividad eléctrica del dieléctrico 𝐶 Τ𝑉 ∙ 𝑚
Si existe vacío entre las placas de la figura 15.20, la densidad de carga es:
𝐷 = ℇ0 𝐸 . . . (15.12)
Donde: ℇ0 = es la permitividad eléctrica del vacío, ℇ0 = 8.854𝑥10−11 𝐶 Τ𝑉 ∙ 𝑚
Para un dieléctrico cualquiera la ecuación 15.11 se puede escribir en la forma:
𝐷 = ℇ0 𝑘𝐸 . . . (15.13)
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Donde: k = es una constante adimensional llamada permitividad relativa.


En un dieléctrico determinado, existe un gradiente de voltaje límite, que se llama
resistencia dieléctrica, aparece un apreciable de flujo de corriente (ruptura), y el
dieléctrico falla.
La tabla 15.4 proporciona valores de la constante dieléctrica y la resistencia
dieléctrica para varios aislantes.

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Ferroeléctricos
Son materiales dieléctricos pueden presentar una polarización nula bajo un
campo eléctrico nula debido a la orientación aleatoria de los dominios de escala
microscópica, regiones donde los ejes C de las celdas unitarias adyacentes tienen
direcciones comunes. Al aplicarse un campo eléctrico las orientaciones de los
dipolos de la celda unidad que son aproximadamente paralelas al campo eléctrico
aplicado se ven favorecidos. En este caso, los dominios con tales orientaciones
“crecen” a expensas del resto, los de orientación menos favorecida.
El mecanismo del movimiento de las fronteras de los dominios es un pequeño
desplazamiento de los iones en el interior de la celda unidad, que da como
resultado un cambio neto en la orientación tetragonal del eje C.
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La figura 15.23 muestra que, en contraste con un material con estructura cúbica,
la estructura del dipolo de la celda unidad tetragonal permite una alta polarización
del material como respuesta a la aplicación de un campo eléctrico; esto se
presenta como un efecto microestructural, así como cristalográfico.
Este movimiento de las fronteras de los dominios tiene como consecuencia una
polarización espontánea. En contraste, los materiales con celdas unitarias
simétricas son paraeléctricas, y tan sólo es posible una pequeña polarización ya
que el campo eléctrico aplicado causa pequeños dipolos inducidos (cationes que
se desplazan ligeramente hacia el electrodo negativo y aniones hacia el electrodo
positivo).

Figura 15.23.
En un gráfico de polarización
(P) frente al campo eléctrico
(E), un material paraeléctrico
presenta tan sólo una
modesta polarización con el
campo aplicado. En
contraste, un material
ferroeléctrico presenta una
polarización espontánea en
la que los dominios de celdas
unidad con orientación
similar crecen bajo campos
de orientación similar.
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La figura 15.24 resume el ciclo de histéresis resultante cuando el campo eléctrico
es repetido cíclicamente (aplicando corriente alterna), nítidamente, la trayectoria
seguida por la polarización frente al campo no vuelve sobre si misma.
Los parámetros cuantifican el ciclo de histéresis, la polarización de saturación, 𝑃𝑠 ;
es la polarización debido al crecimiento máximo de los dominios.
El 𝑃𝑠 es extrapolado para un campo eléctrico aplicado nulo 𝐸 = 0 para eliminar
la polarización inducida que no es debido a la reorientación de los dominios.
La polarización remanente, 𝑃𝑟 ; es aquella que permanece después de eliminar el
campo eléctrico aplicado.

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Figura 15.24. El ciclo de


histéresis
ferroeléctrico es el resultado
de un campo eléctrico alterno.
La línea discontinua muestra
la polarización espontánea
ilustrada en la Figura 15.23.
La polarización de saturación
(P) es resultado del máximo
crecimiento de los dominios
(extrapolado a campo nulo).
Una vez eliminado el campo,
permanece la polarización
remanente (P). Es necesario
un campo coercitivo (E) para
alcanzar una polarización
nula (igual volumen de
dominios opuestos).
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Como se muestra en la figura 15.24, con la reducción de 𝐸 a cero, los dominios de
la estructura no regresan a volúmenes iguales de polarizaciones opuestas. Es
necesario aplicar un campo eléctrico 𝐸𝑐 (campo coercitivo) para conseguir este
resultado.
Piezoeléctricos
Los materiales piezoeléctricos dan una respuesta eléctrica a la aplicación de una
presión mecánica. Por el contrario, las señales eléctricas pueden hacer de ellos
generadores de presión. Esta habilidad para convertir energía eléctrica en
energía mecánica, y viceversa, es un buen ejemplo de transductor, que en
general, es un dispositivo para convertir una forma de energía en otra.

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La energía 15.25 representa las funciones de un transductor piezoeléctrico.


La figura 15.25a muestra el efecto piezoeléctrico directo, en el cual la aplicación
de presión produce un cambio de voltaje en el material piezoeléctrico.
La figura 15.25b ilustra el efecto piezoeléctrico inverso, en el cual la aplicación del
voltaje cambia la polarización del material piezoeléctrico y, en consecuencia, su
espesor.

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Figura 15.25.
Haciendo uso de ilustraciones esquemáticas de transductores piezoeléctricos, se observa que
(a) las dimensiones de la celda unidad de un cristal piezoeléctrico cambian al aplicar una tensión,
modificándose por tanto los dipolos eléctricos. El resultado es un cambio de voltaje. Éste es el
efecto piezoeléctrico directo. (b) De forma inversa, un campo aplicado modifica los dipolos y, por
tanto, produce un cambio dimensional. Éste es el efecto piezoeléctrico inverso.

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Ciñéndose al cambio de espesor (por ejemplo, presionando un piezoeléctrico


contra un bloque de material sólido), la aplicación de voltaje produce presión
mecánica. A través de la figura 15.25, que el funcionamiento de un transductor
piezoeléctrico depende de la orientación de la polarización de las celdas unitarias
adyacentes. Una forma de asegurar esto es utilizar un transductor fabricado con
un único cristal.
Para utilizar el 𝐵𝑎𝑇𝑖𝑂3 (Titanato de Bario) como transductor piezoeléctrico, el
material es fabricado en una configuración similar al monocristal. En este
proceso, las partículas de un fino polvo de 𝐵𝑎𝑇𝑖𝑂3 son alineadas en una única
dirección cristalográfica sometiéndose a un fuerte campo eléctrico.

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A continuación, el polvo se consolida en un sólido denso mediante sinterización.
El material policristalino resultante, con una única dirección cristalográfica se dice
que está polarizado eléctricamente.
Otros materiales piezoeléctricos tenemos: 𝑃𝑏𝑇𝑖𝑂3 , 𝑃𝑏𝑍𝑟𝑂3 , 𝑃𝑏 𝑇𝑖, 𝑍𝑟 𝑂3 𝑜 𝑃𝑍𝑇
Una importante razón es una temperatura crítica 𝑇𝐶 , notablemente más alta.
La 𝑇𝐶 , para el 𝑃𝑏𝑇𝑖𝑂3 es 120 °C.
La 𝑇𝐶 , para 𝑃𝑏𝑇𝑖𝑂3 Τ𝑃𝑏𝑍𝑟𝑂3 es ≅ 200 °C.
Finalmente, la figura 15.26 muestra un típico diseño de transductor piezoeléctrico
utilizado como transmisor y/o receptor ultrasónico.
En esta aplicación, las señales eléctricas (oscilaciones de voltaje) en el rango de
los megahercios producen o detectan ondas ultrasónicas de esa frecuencia.
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Figura 15.26.
Una aplicación usual de los materiales
piezoeléctricos es como transductores ultrasónicos.
En este corte, el cristal piezoeléctrico (o
«<elemento>>) está encapsulado. La restricción
impuesta por el material de respaldo provoca que,
por el efecto piezoeléctrico inverso (Figura 15.25b),
se genere una presión cuando se presiona la
protección contra el sólido a inspeccionar. Cuando
el transductor opera de esta forma (como
transmisor ultrasónico) una corriente eléctrica
alterna (normalmente en el rango de los
megahercios), produce una señal ultrasónica (onda
elástica) de la misma frecuencia. Cuando el
transductor funciona como receptor ultrasónico, se
hace uso del efecto piezoeléctrico directo (Figura
15.25a). En este caso, la onda elástica de alta
frecuencia choca con la protección, generando una
oscilación de voltaje de la misma frecuencia. (De
Metals Handbook, 8th ed., Vol. 11, American
Society for Metals, Metals Park, OH, 1976.) 18

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Ejercicio Resuelto 15.11
Se puede cuantificar la polarización en el 𝐵𝑎𝑇𝑖𝑂3 usando el concepto de momento
dipolar, definido como el producto de la carga, 𝑄, y la distancia de separación, 𝑑.
Calcúlese el momento dipolar total para:
(a) La celda unidad tetragonal del 𝐵𝑎𝑇𝑖𝑂3 .
(b) La celda unidad cúbica del 𝐵𝑎𝑇𝑖𝑂3 .

Solución:
En primer lugar, debemos considerar el uso de la figura 15.21.

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Figura 15.21.
(a) Vista frontal de la estructura cúbica del BaTiO3, comparable con la de la Figura 3.14. (b) Por
debajo de 120°C tiene lugar una modificación de la estructura tetragonal. El resultado neto es un
desplazamiento de los cationes hacia arriba y de los aniones hacia abajo.

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(a) Usando la figura 15.21b, se puede calcular la suma de todos los momentos
dipolares relativos al plano medio de la celda unidad (indicado por la línea
central en la figura). Una forma directa de calcular Σ 𝑄𝑑 sería calculando el
producto 𝑄𝑑 para cada ion o la fracción relativa al plano medio y sumarlo. Sin
embargo, podemos simplificar los cálculos, teniendo en cuenta que la
naturaleza de esta suma tendrá un valor neto asociado con el desplazamiento
relativo a los iones. Por ejemplo, no es necesario tener en cuenta los iones
𝐵𝑎2+ ya que están simétricamente localizados dentro de la celda unidad. El
ion 𝑇𝑖 4+ se desplaza hacia arriba 0.006 nm, de lo que se obtiene:
𝑚𝑜𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜 𝑑𝑒 𝑇𝑖 4+ = (+4𝑞)(+0.006 𝑛𝑚)

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El valor de 𝑞 se define como la carga unitaria


= 0.16 𝑥10−18 𝐶 , proporcionando:
𝑚𝑜𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜 𝑑𝑒 𝑇𝑖 4+ = (1 𝑖𝑜𝑛)(+4 𝑥 0.16𝑥10−18 𝐶 Τ𝑖𝑜𝑛
+6𝑥10−3 𝑛𝑚 10−9 𝑚Τ𝑛𝑚
= +3.84𝑥10−30 𝐶 ∙ 𝑚
La inspección de la celda unidad de perovskita en la
Figura 3.22 ayuda a ver que dos tercios de los iones de
𝑂2− en el 𝐵𝑎𝑇𝑖𝑂3 están asociados con las posiciones del
plano medio, resultando (para un desplazamiento hacia
abajo de 0.006 nm)

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𝑚𝑜𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜 𝑑𝑒 𝑂2− 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑝𝑙𝑎𝑛𝑜 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜 = 2 𝑖𝑜𝑛𝑒𝑠 −2 𝑥 0.16𝑥10−18 𝐶 Τ𝑖𝑜𝑛
−6𝑥10−3 𝑛𝑚 10−9 𝑚Τ𝑛𝑚
= +3.84𝑥10−30 𝐶 ∙ 𝑚
El ion 𝑂2− restante está asociado con un hueco en la cara basal que está
desplazado hacia abajo 0.009 nm, lo que proporciona:
𝑚𝑜𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜 𝑑𝑒 𝑂2− 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑏𝑎𝑠𝑒 = 1 𝑖𝑜𝑛 −2 𝑥 0.16𝑥10−18 𝐶 Τ𝑖𝑜𝑛
−9𝑥10−3 𝑛𝑚 10−9 𝑚Τ𝑛𝑚
= +2.88𝑥10−30 𝐶 ∙ 𝑚
Por tanto:
Σ𝑄𝑑 = 3.84 + 3.84 + 2.88 𝑥 10−30 𝐶 ∙ 𝑚 = 10.56𝑥10−30 𝐶 ∙ 𝑚

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(b) Para el 𝐵𝑎𝑇𝑖𝑂3 cúbico (figura 15.21a) no hay desplazamiento neto, y por
definición:
Σ𝑄𝑑 = 0

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Ejercicio Resuelto 15.12
La polarización de un material ferroeléctrico se define como la densidad de
momentos dipolares. Calcúlese la polarización para el 𝐵𝑎𝑇𝑖𝑂3 tetragonal.
Solución:
Utilizando los resultados del Ejercicio resuelto 15.11a y la geometría de la celda
unidad de la Figura 15.22, se obtiene:

Σ𝑄𝑑 10.56𝑥10−30 𝐶 ∙ 𝑚
𝑃= = = 0.165 𝐶 Τ𝑚2
𝑉 0.403𝑥10−9 𝑚 0.399𝑥10−9 𝑚 2

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Figura 15.22.
La celda
unidad
tetragonal de
la Figura
15.21b es
equivalente a
un dipolo
eléctrico (de
una magnitud
igual a la
carga por la
distancia).

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Ejercicios Propuestos
15.11 Utilizando los resultados del Ejercicio Resuelto 15.11, calcúlese el
momento dipolar total para un disco de 𝐵𝑎𝑇𝑖𝑂3 de 2 mm de espesor por 2
cm de diámetro, que se usará como transductor ultrasónico.
15.12 La polarización inherente a la celda unidad de 𝐵𝑎𝑇𝑖𝑂3 se calculó en el
Ejercicio Resuelto 15.12. Al aplicar un campo eléctrico la polarización de la
celda unidad se incrementa en 0.180 C/m2. Calcúlese la geometría de la
celda unidad bajo esta condición, utilizando esquemas similares a los de
las figuras 15.21b y 15.22 para ilustrar los resultados.

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