Conferencias de

Física Universitaria Fundamental

La Teoría Electromagnética
Propiedades
Electromagnéticas
de los materiales EN ESTADO
SÓLIDO CRISTALINO

Conducción en sólidos cristalinos

Prof. Faustino Reyes Caballero

Escuela de Ingeniería Electrónica – Uptc
faustino.reyes@uptc.edu.co
WhatsApp: 57+ 318 593 6250
 Conducción en materiales sólidos cristalinos

1. Vector densidad de corriente eléctrica

Figura 1. Corriente eléctrica Figura 2. Flujo del vector densidad de

corriente eléctrica

Una corriente eléctrica consiste en un chorro de partículas cargadas o iones (ver

Figura 1). Esta definición es aplicable a los iones en un acelerador de cualquier clase, a los
de una solución electrolítica, a los de un gas ionizado o plasma, o a los electrones de un
conductor metálico. A fin de que se produzca una corriente eléctrica, al menos, debe
aplicarse un campo eléctrico para mover las partículas cargadas en una dirección
determinada. La carga total que atraviesa por unidad de tiempo cualquier superficie 𝐴 se
llama corriente eléctrica 𝐼, expresada como:

𝑑𝑄
𝐼= .
𝑑𝑡

Las corrientes eléctricas son cargas en movimiento y con un desplazamiento global

o flujo neto. Por ejemplo, en un líquido, gas o plasma hay, tal como se representa en la
Figura 2, generalmente iones, tanto negativos como positivos, algunos con carga sencilla
±𝑒, y otros con carga múltiple ±𝛾𝑒 (con 𝛾 entero), y además, posiblemente, con diferente
masa. Podemos representar el flujo de cargas por medio de un vector que nos indique la
cantidad de carga que pasa por unidad de superficie y por unidad de tiempo a través de un
elemento de superficie perpendicular al flujo. Llamaremos a este vector la densidad de
corriente y lo representaremos por 𝐽⃗, el cual, está dirigido en la dirección del movimiento
de las cargas.
 Figura 3. Densidad de corriente de una Figura 4. Vector densidad de corriente
“nube” de partículas cargadas eléctrica

El concepto de una densidad de corriente causada por una “nube” de partículas

cargadas en movimiento es muy útil en la resolución de muchos problemas
electromagnéticos prácticos. Para la densidad de corriente de sistemas de partículas
cargadas (“nubes”) que dan lugar a una densidad volumétrica de carga 𝜌, con una velocidad
de arratre 𝑣
⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑎 , tal como se representa en la Figura 3, podemos considerar que cuando esta
configuración de carga atraviesa una superficie 𝐴 representa una corriente de convección,
con densidad de corriente:

𝐽⃗ = 𝜌𝑣
⃗⃗⃗⃗⃗ 𝐴
𝑎 ( ⁄𝑚2 )

Si la sección transversal del volumen varía o si la densidad 𝜌 no es constante a

través del volumen, entonces 𝐽⃗ no será constante en el tiempo. Precisamente, 𝐽⃗ será cero
una vez la última porción del volumen cruce 𝐴.

De manera general, dado que las cargas pueden estar “suspendidas” en un sólido,
líquido, gas o plasma, los portadores de carga pueden ser positivos o negativos y estar
presentes con diferentes características. Veremos que la densidad de corriente 𝐽⃗ (𝐴⁄𝑚2 ),
expresada de manera general como 𝐽⃗ = 𝜌𝑣 𝑎 recibe más atención que la corriente 𝐼(𝐴).
⃗⃗⃗⃗⃗,
Podemos mencionar varios tipos de densidades de corriente específicas:

(a) Las densidades de corriente de conducción en conductores metálicos como el cobre;

(b) Las densidades de corriente de semiconductores;
(c) Las densidades de corriente en líquidos, gases o plasmas;
(d) Las densidades de corriente en sistemas (“nubes”) de partículas cargadas;
(e) Las densidades de corriente de polarización en dieléctricos, la cual está asociada
con cargas ligadas;
 (f) Las densidades de corriente equivalentes en materiales magnetizados;
(g) Las densidades de corriente de desplazamiento asociadas con campos eléctricos
variables.

En general, para corrientes asociadas con el movimiento de cargas libres, la literatura

especializada emplea los símbolos de ⃗⃗⃗⃗
𝐽𝑜 , ⃗⃗⃗⃗
𝐽𝑓 , ⃗𝐽⃗𝑙 , o simplemente 𝐽⃗ para la densidad de
corriente asociada con las cargas libres, e 𝐼𝑜 , 𝐼𝑓 , 𝐽𝑙 , o simplemente 𝐼 para la corriente
correspondiente.

2. La ecuación de continuidad de la corriente

La densidad de corriente está relacionada con la velocidad del flujo medio de las
cargas, llamada habitualmente velocidad de arrastre (o deriva). Si la distribución de cargas
está constituida por cargas individuales, digamos electrones, cada uno con la carga 𝑞 y
moviéndose con la velocidad media o de arrastre ⃗⃗⃗⃗⃗,
𝑣𝑎 entonces la densidad de corriente es:

𝑁
𝐽⃗ = 𝑞𝑣
⃗⃗⃗⃗⃗,
𝑉 𝑎
Donde, 𝑁 es el número de cargas contenidas en el volumen 𝑉.

Una de las leyes básicas de la Física es que la carga eléctrica es indestructible; es

decir, nunca se pierde o se crea. Las cargas eléctricas se pueden mover de un lugar a otro
pero nunca aparecer de la nada. Decimos que la carga se conserva. La corriente 𝐼 que sale
de una superficie cerrada 𝐴 representa la rapidez con que la carga abandona el volumen 𝑉
encerrado por 𝐴. En el caso de una superficie cerrada, tal como la representada en la Figura
4, una corriente neta saliente requiere una disminución de carga positiva dentro de la
superficie, lo que se expresa como:

𝑑𝑄 𝑑
∮𝐴 𝐽⃗ ∙ 𝑛̂𝑑𝐴 = 𝐼 = − 𝑑𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜
𝑑𝑡
= − 𝑑𝑡
∭𝑉 𝜌𝑑𝑉,

siendo,

𝑄𝑑𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜 = ∭ 𝜌𝑑𝑉,

donde, 𝜌 es la densidad volumétrica de carga.

De acuerdo a la definición de la divergencia, y de acuerdo a la definición del límite,

tenemos:
 ∮𝐴 𝐽⃗ ∙ 𝑛̂𝑑𝐴 𝜕 ∭𝑉 𝜌𝑑𝑉
lim = lim −
∆𝑉→0 ∆𝑉 ∆𝑉→0 𝜕𝑡 ∆𝑉

Ahora, aplicando el teorema de Gauss, podemos concluir:

𝜕𝜌
∮ 𝐽⃗ ∙ 𝑛̂𝑑𝐴 = ∭(∇
⃗⃗ ∙ 𝐽⃗) 𝑑𝑉 = ∭ (− ) 𝑑𝑉.
𝜕𝑡

Es decir, la ley de conservación de la carga se puede escribir de la siguiente forma

diferencial:

𝜕𝜌
⃗⃗ ∙ 𝐽⃗ = −
∇ ,
𝜕𝑡
o,

𝜕𝜌
⃗∇⃗ ∙ 𝐽⃗ + = 0,
𝜕𝑡

la cual es llamada la ecuación de continuidad de la corriente. En ella 𝜌 es la densidad neta

de carga y no solo la densidad de carga móvil.

3. Densidad de corriente y conductividad eléctrica en conductores metálicos

(a) (b)

Figura 5. Densidad de corriente en Figura 6. Densidades de corriente de

conductores metálicos conducción laminar
 La densidad de corriente de conducción en conductores metálicos como el cobre, que se
debe al arrastre de los electrones de conducción, y que expresamos como:
𝑁 (−𝑒)
𝑣𝑎 (𝐴⁄𝑚2 )
𝐽⃗ = 𝑣𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛 ⃗⃗⃗⃗⃗

𝑁(−𝑒)
Donde, 𝜌 = 𝑣𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛 (𝐶⁄𝑚3 ) es la densidad volumétrica de portadores.

Tal como se ilustra en la Figura 5, debido a un campo eléctrico 𝐸⃗⃗ (𝑉⁄𝑚) aplicado al
material, la velocidad promedio (de corrimiento o de arrastre) a través de la estructura
cristalina es:

𝑣𝑎 = 𝜇𝐸⃗⃗ (𝑚⁄𝑠 )
⃗⃗⃗⃗⃗
2
Donde, 𝜇 (𝑚 ⁄𝑉𝑠) es la movilidad de los portadores a través del material.

En los conductores metálicos los portadores de carga son electrones que se

desplazan en dirección opuesta al campo eléctrico aplicado; por lo tanto, tanto la densidad
𝜌 como la movilidad 𝜇 son negativas. Cada metro cúbico de un conductor metálico
contiene un número de átomos del orden de 1028 . Los buenos conductores tienen uno o dos
de los electrones de cada átomo libres para moverse cuando se aplica un campo. La
movilidad varía con la temperatura y la estructura cristalina del sólido. Las partículas
presentes en el sólido tienen un movimiento oscilatorio que aumenta con la temperatura;
por lo tanto, al aumentar la temperatura se dificulta aún más el movimiento de las cargas. A
mayores temperaturas la movilidad se reduce significativamente, resultando en una menor
velocidad de arrastre para un campo 𝐸⃗⃗ determinado. En análisis de dispositivos y circuitos
este fenómeno se toma en cuenta para determinar la resistividad para cada material y
especificar un aumento de esta resistividad con temperatura creciente.

Puede escribirse,

𝐽⃗ = 𝜎(𝑇, 𝐸⃗⃗ )𝐸⃗⃗

Relación conocida como la forma puntual (local) de la ley de Ohm, donde 𝜎(𝑇, 𝐸⃗⃗) es la
conductividad, cantidad positiva, dada en siemens por metro (𝑆⁄𝑚). La conductividad tiene
en cuenta la densidad de electrones libres que se mueven 𝜌 y la facilidad relativa con que se
mueven a través de la estructura cristalina de acuerdo a la movilidad 𝜇; y es una función de
la temperatura y del campo aplicado.
 La resistividad es el inverso de la conductividad:

1
𝜌(𝑇, 𝐸⃗⃗ ) = (Ω⁄𝑚)
𝜎(𝑇, 𝐸⃗⃗ )

El siemens era anteriormente conocido como mho ℧, 1𝑆 −1 = 1Ω.

Para resaltar, la densidad de corriente 𝐽⃗ es:

𝑁 𝑁
𝐽⃗ = 𝑞𝑣
⃗⃗⃗⃗⃗
𝑎 = 𝑞𝜇𝐸⃗⃗ = 𝜎(𝐸⃗⃗ , 𝑇)𝐸⃗⃗ ,
𝑉 𝑉

Por lo tanto, la movilidad es la magnitud de la velocidad de arrastre en un campo eléctrico

de intensidad igual a la unidad:
𝑣𝑎 𝑞𝜏
𝜇= = ,
𝐸 𝑚

donde, 𝑞 y 𝑚 son la carga y masa del portador, respectivamente, y 𝜏 es el tiempo medio de

recorrido libre de los portadores de carga. Siendo la conductividad eléctrica una
característica del material que de manera general es proporcional al campo 𝐸⃗⃗ y a la
temperatura absoluta 𝑇, su magnitud puede ser expresada como:

𝑁 𝑁 𝑞2 𝜏
𝜎 = 𝑞𝜇 = .
𝑉 𝑉 𝑚

4. Densidades de corriente de conducción laminar

La corriente 𝐼 que atraviesa una superficie 𝐴 es dada por:

𝑑𝑄
𝐼= = ∬ 𝐽⃗ ∙ 𝑛̂𝑑𝐴
𝑑𝑡 𝐴

En ocasiones la corriente esta “confinada” en la superficie del conductor, tal como

en las paredes internas de una guía de onda o en un tablero impreso. Para tal corriente
⃗⃗ o ⃗⃗⃗
laminar es útil definir la densidad de corriente laminar 𝐾 𝐽𝑠 que da la razón de cambio
(rata) de transporte de carga por unidad de longitud. En la Figura 6 (a) la corriente total 𝐼,
fluye en sentido positivo del eje 𝑧, a lo largo de las paredes de la hoja cilíndrica de radio 𝑟;
por lo tanto,

𝐼
⃗⃗ =
𝐾 𝑢
̂,
2𝜋𝑟 𝑧
en cada punto de la hoja.

En la Figura 6 (b), puede observarse la situación de una densidad de corriente de

conducción laminar o superficial que varía de un punto a otro, la corriente que fluye a
través de una curva ∁ se obtiene integrando la componente normal de 𝐾 ⃗⃗ a lo largo de la
curva:

𝐼 = ∫ 𝐾𝑛 𝑑𝑙
∁

5. Carga neta dentro de un conductor

𝜕𝜌
En un conductor, puede ser diferente de cero sólo transitoriamente. Entonces la
𝜕𝑡
ecuación de continuidad se expresa como:

⃗∇⃗ ∙ 𝐽⃗ = 0,

la cual, viene a ser la ecuación de campo equivalente a la ley de corriente de Kirchhoff, que
establece que la corriente neta que abandona una unión de varios conductores es cero.

Un conductor tiene electrones libres que pueden moverse bajo la aplicación de un

campo eléctrico. Así que, mientras estos electrones están en movimiento no existirán
condiciones estáticas. Sin embargo, estos electrones no deben confundirse con la carga
neta, porque cada electrón de conducción esta balanceado por un protón en el núcleo de tal
manera que la carga neta es cero en cada delta de volumen ∆𝑉 del material. Considerando
un desbalanceo temporal, una región situada dentro de un conductor sólido presenta una
densidad neta de carga 𝜌𝑜 en el tiempo 𝑡 = 0. Entonces como:

𝐽⃗ = 𝜎𝐸⃗⃗ y ⃗⃗ = 𝜀𝐸⃗⃗
𝐷

Tenemos,
𝜎
𝐽⃗ = ⃗⃗ ,
𝐷
𝜀
y por lo tanto,
 𝜎 𝜕𝜌
⃗∇⃗ ∙ 𝐽⃗ = ⃗∇⃗ ∙ ( ) 𝐷
⃗⃗ = −
𝜀 𝜕𝑡

En una muestra homogénea 𝜎 y 𝜀 son constantes, por lo tanto:

𝜎 𝜕𝜌
⃗⃗ ∙ 𝐷
(∇ ⃗⃗ ) = −
𝜀 𝜕𝑡

𝜎 𝜕𝜌 𝜕𝜌 𝜎
𝜌 = − 𝜕𝑡 ó +𝜀𝜌=0
𝜀 𝜕𝑡

La solución de esta ecuación es:

𝜎
𝜌(𝑡) = 𝜌𝑜 𝑒 −( 𝜀 )𝑡
𝜕𝜌 𝜀
Se ve que 𝜌 y decaen exponencialmente con una constante de tiempo 𝜏 = 𝜎, también
𝜕𝑡
conocida como tiempo de relajación para el material particular. Para la plata, 𝜎 =
6.17 × 107 (𝑆⁄𝑚) y 𝜀 ≈ 𝜀𝑜 , por lo tanto el tiempo de relajación es: 1.44 × 10−19 (𝑠). Ello
quiere decir, que si una densidad de carga 𝜌𝑜 existe de alguna manera en el interior de un
bloque de plata, las cargas se separarían debido a las fuerzas eléctricas entre ellas, y
después de 1.44 × 10−19 (s) la densidad restante seria el 36.8% de 𝜌𝑜 . Después de cinco
constantes de tiempo; es decir, después de 7.20 × 10−19 (𝑠), sólo el 0.67% de 𝜌𝑜
permanece. En conclusión, para campos estáticos la carga neta dentro de un conductor es
cero. Si hay carga neta está debe estar en la superficie externa.

6. Conductores lineales u óhmicos

Experimentalmente, se encuentra que en un metal a temperatura constante la densidad

de corriente 𝐽⃗ es linealmente proporcional al campo eléctrico. Así,

1
𝐽⃗ = 𝜎 (𝑇)𝐸⃗⃗ = 𝜌(𝑇) 𝐸⃗⃗ .

1
La resistividad 𝜌(𝑇) = 𝜎 (𝑇), no depende en este caso del campo eléctrico 𝐸⃗⃗ . Los materiales
que obedecen este comportamiento son llamados medios lineales o medios óhmicos. En
estos materiales la resistividad (𝑑𝑎𝑑𝑎 𝑒𝑛, 𝛺 ∙ 𝑚) depende un poco de la temperatura. Esto
no es sorprendente, porque a temperaturas más elevadas los átomos se mueven más
rápidamente y se arreglan en una forma menos ordenada. De ese modo es de esperarse que
interfieran en mayor medida con el flujo de electrones. Si el cambio de temperatura no es
demasiado grande, la resistividad de los metales aumenta casi linealmente con la
temperatura. Esto es:

𝜌𝑇 = 𝜌𝑜 (1 + 𝛼 [𝑇 − 𝑇𝑜 ]),

donde, 𝜌𝑇 es la resistividad a la temperatura 𝑇, 𝜌𝑜 es la resistividad conocida a una

temperatura estándar 𝑇𝑜 y 𝛼 es llamado el coeficiente térmico de resistividad.

Tabla 1. Resistividad 𝝆𝒐 (𝑻𝒐 = 𝟐𝟎 °𝑪) y coeficiente térmico 𝜶 para diferentes Metales

Metal 𝝆𝒐 (𝜴 ∙ 𝒎) 𝜶(°𝑪−𝟏)
Plata 1.59 x 10-8 0.0061
-8
Cobre 1.68 x 10 0.0068
Aluminio 2.65 x 10-8 0.00429
Tungsteno 5.6 x 10-8 0.0045
Hierro 9.71 x 10-8 0.00651
Platino 10.6 x 10-8 0.003927
Mercurio 98 x 10-8 0.0009
Nicromio 100 x 10-8 0.0004
(aleación de Ni, Fe, Cr)

Los valores correspondientes de 𝜌𝑜 y 𝛼 para diferentes metales son dados en la

Tabla 1. Estos valores dependen de la pureza, el tratamiento térmico, la temperatura, así
como de otros factores. Nótese que la plata tiene la resistividad más baja y es, en
consecuencia, el mejor conductor; pero es costosa. El cobre no se queda muy atrás en
cuanto a baja resistividad, de manera que resulta claro por qué la mayor parte de los
alambres se elaboran con cobre. El aluminio si bien cuenta con una mayor resistividad, es
mucho menos denso que el cobre y por ello en algunas situaciones, se usa el aluminio en
vez del cobre; por ejemplo, en las líneas de transmisión, debido a que la resistencia a la
corriente para el mismo peso es menor que la del cobre.

Figura 7. Conductor lineal u óhmico

 La corriente que pasa por una sección de alambre, representado en la Figura 7, es:

𝐼 = ∬ 𝐽⃗ ∙ 𝑛̂𝑑𝐴 = 𝐽𝐴,

siendo 𝐴 la sección transversal del alambre.

Dado que,

1
𝐽= 𝐸 𝑦 ∆𝑉 = 𝐸𝑙,
𝜌

entonces,

𝑙
∆𝑉 = 𝜌 𝐼 = 𝑅𝐼,
𝐴
donde,

𝑙
𝑅=𝜌 ,
𝐴

es llamada la resistencia del alambre (𝛺, 𝑜ℎ𝑚𝑖𝑜𝑠). El trabajo realizado por el campo
eléctrico cuando una carga 𝑑𝑞 se mueve a través de una diferencia de potencial ∆𝑉 es:

𝑑𝑊 = ∆𝑉𝑑𝑞.

Por lo tanto, la potencia correspondiente es (Ley de Joule):

𝑑𝑊 𝑑𝑞 (∆𝑉 )2
𝑃= = ∆𝑉 = ∆𝑉𝐼 = 𝐼 2 𝑅 = .
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑅
Esta potencia se disipa como calentamiento del material, energía reconocida como
Calor de Joule.
 7. Bandas de energía

Figura 8. Desdoblamiento de un nivel de Figura 9. Distribución de bandas de

energía energía

Es particularmente importante preguntarse qué les sucede a los niveles de energía

atómicos cuando dos o más átomos del mismo material se acercan, ya que nuestro objetivo
es trabajar con sólidos en los cuales los átomos se encuentran muy cercanos entre sí.
Conforme dos átomos se acercan, cada electrón empieza a moverse en un potencial
producido tanto por su propio ion como por el ion vecino. Esta interacción de los átomos
produce un desdoblamiento de los niveles de energía de tal manera que cada nivel se separa
en dos.

Figura 10. Distribución de las bandas de valencia y conducción de materiales

aislantes, semiconductores y conductores
 La contribución aumenta a medida que los átomos se acercan. Si en lugar de
aproximarse 2 átomos lo hacemos con un conjunto de N veremos que cada nivel, en vez de
desdoblarse en dos, se separa en 2N niveles, como se muestra cualitativamente en la Figura
8. Por consiguiente, cada nivel da lugar a 2N niveles cercanos que tienen un espaciamiento
y posición dependiente de la separación interatómica. Por ejemplo, para una distancia
interatómica a, los niveles de energía caen entre P y Q. Cuando N es un número muy
grande, como lo es para cualquier sólido de dimensiones prácticas, los niveles tienen un
espaciado tan fino que prácticamente se forma una banda continua de energía. Se dice
entonces que el diagrama de energía que representa esta situación está formado por bandas
de energía eventualmente separadas por bandas prohibidas como se muestra en la Figura
9. Estas últimas representan aquellos valores de la energía para los cuales no pueden existir
electrones en el material. Cada uno de estos N niveles de energía puede alojar como
máximo 2 electrones.

Figura 11. Distribución de bandas de Figura 12. Distribución de bandas de

energía de un material buen conductor energía del sodio

Figura 13. Distribución de bandas de Figura 14. Distribución de bandas de

energía del magnesio energía de un aislante
 Dentro de este proceso de desdoblamiento, es posible que bandas provenientes de
niveles de energía contiguos lleguen a superponerse parcialmente como se muestra en la
Figura 9, para distancias interatómicas a’. Además, el hecho de que átomos de diferentes
elementos tengan diferentes valores para sus niveles de energía y que se combinen en
infinidad de estructuras cristalinas con diferentes distancias interatómicas hace que
prácticamente cada material tenga su propia y exclusiva estructura de bandas.

Por lo tanto, para describir completamente las propiedades eléctricas de un material

en estado sólido cristalino es necesario conocer la forma como los electrones se ubican en
las diferentes bandas, tal como se representa en la Figura 10. Los materiales aislantes o
dieléctricos, como el diamante y el cuarzo, son en realidad muy pobres conductores de la
electricidad; mientras, los metales son excelentes conductores; entre estos extremos existe
una tercera clase de sólidos en estado cristalino que no conducen tanto como los metales y
además, a diferencia de estos, su conductividad aumenta con la temperatura, ellos son los
semiconductores, sus representantes típicos son el silicio y el germanio.

Consideremos un sólido con la estructura de bandas ilustrada en la Figura 11 que

podría corresponder, por ejemplo, a los niveles de energía del sodio de la Figura 12. Las
bandas correspondientes a los niveles 1s, 2s, 2p están completamente llenas, pero la banda
3s, que puede acomodar 2N electrones sólo tiene la mitad ya que el nivel 3s del sodio sólo
está ocupado por un electrón en cada átomo y nuestro sólido tiene N átomos. Bajo la acción
de un campo eléctrico externo estos electrones pueden acelerarse y adquirir una pequeña
cantidad adicional de energía y pasar a estados vacíos vecinos dentro de la banda. Esto es,
la disponibilidad de estados desocupados permite un movimiento colectivo a través del
cristal el cual constituye una corriente eléctrica. Por lo tanto, un material con esta estructura
de bandas y pobladas de esta manera debe ser un buen conductor de la electricidad. Dicho
de otra manera, un material cuya última banda ocupada no está completamente llena es un
Metal.

Como se muestra en la Figura 12 las bandas 3s y 3p del sodio se superponen. Los

electrones que las pueblan tienen muchos más estados disponibles que los correspondientes
a la 3s solamente. Consideremos el caso del magnesio que tiene dos electrones en el nivel
3s. Normalmente, no habiendo superposición, la banda 3s estaría llena y la 3p
completamente vacía y el magnesio debería ser un aislante, como se explicaba antes.
Debido a la superposición, tal como se ilustra en la Figura 13, los electrones más
energéticos de la banda 3s tienen a su disposición los estados menos energéticos de la
banda 3p y en consecuencia pasan a ocuparlos. Como el número de estados disponibles
excede en mucho al número de electrones presentes, habrá estados vecinos disponibles y,
por lo tanto, el magnesio es buen conductor. Realmente, la situación es un poco más
compleja por la posible superposición de bandas más energéticas. Aquellos materiales
cuyos átomos tienen capas completas pero que son conductores debido a la superposición
de las bandas reciben el nombre de Semimetales.

En un material, si la banda más energética poblada no está completamente llena la

llamaremos Banda de Conducción; si está llena la llamaremos Banda de Valencia por
contener los electrones responsables del enlace químico y entonces la banda siguiente,
completamente vacía, será la banda de conducción.

Analicemos ahora un material con la configuración de bandas de la Figura 14. Su

banda de valencia se encuentra llena, por supuesto y la de conducción vacía. Estas no se
superponen. Como todos los estados de la banda de valencia están ocupados los electrones
no pueden moverse ya que para hacerlo deberían adquirir una pequeña energía cinética y
pasarían entonces a ocupar un estado más energético que se encuentra ya ocupado. La única
opción para excitar un electrón seria transferirlo a la banda de conducción pero esto
demanda una energía de unos cuantos electronvoltios que sólo campos eléctricos externos
muy intensos podrían proveer. El material es entonces un Aislante.

Figura 15. Distribución de bandas de Figura 16. Electrones promovidos a la

energía del diamante banda de conducción

La mayoría de los sólidos covalentes son aislantes. La Figura 15 muestra el

esquema de bandas del diamante (C). Las bandas corresponden a los niveles 2s y 2p. A
medida que los iones de esta red se acercan, las bandas comienzan a superponerse, pero en
seguida se desdoblan en dos, cada una con una capacidad de alojar 4 electrones por átomo.
Estos 4N electrones del sólido están normalmente en la banda de valencia y el sólido es un
aislante (para llegar a esta conclusión se requiere de un cálculo detallado). A la distancia de
equilibrio del diamante la banda de energía prohibida es de 5.33 eV, lo que hace al
diamante un buen aislante.
 Tabla 2. Brechas de energía (en eV) de algunos sólidos
Material Brecha de energía en (eV)
Carbono (diamante) 5.3
Óxido de zinc 3.3
Cloruro de plata 3.2
Carburo de silicio 3.1
Sulfuro de cadmio 3.1
Azufre 2.4
Óxido de cobre 2.1
Silicio 1.1
Germanio 0.72
Sulfuro de plomo 0.37
Telurio 0.33
Antimoniuro de indio 0.23
Estaño (gris) 0.080

El mismo esquema de bandas se aplica también al silicio y al germanio. La

diferencia entre estos materiales y los descritos anteriormente radica en que para estos
valores de energía prohibida – conocida también como Brecha ó “gap” de energía – es
relativamente fácil la promoción de electrones a la banda de conducción. Para lograrla, en
estos materiales, basta la energía derivada de la vibración de los iones aún a la temperatura
ambiente. Los electrones así promovidos se pueden mover en el material como lo harían en
un metal. Además, al ser promovidos a la banda de conducción, han dejado tras de sí – en
la banda de valencia – estados desocupados que a su vez permiten el movimiento de
electrones en la propia banda de valencia. Ahora bien, dado que el número de electrones
que adquieren suficiente energía para “saltar” a la banda de conducción aumenta
rápidamente con la temperatura, así mismo aumenta la conductividad del material. Esta
situación se ilustra en la Figura 16. Aquellos materiales que presentan las características
que acabamos de describir para el silicio y el germanio se denominan Semiconductores. La
brecha de energía típica en ellos es del orden de 1 eV.

La Tabla 2 presenta algunos sólidos y su correspondiente valor de la brecha de

energía en electronvoltios. Para entender mejor los mecanismos involucrados en la
conducción eléctrica de los semiconductores, objeto central del estudio en microelectrónica,
detallaremos un poco algunos conceptos fundamentales. Recordemos que la Temperatura T
es una medida estadística relacionada con la energía promedio de las partículas de un
sistema. La energía que por efectos térmicos pueden adquirir los electrones del material es
del orden de KT, y representa a temperatura ambiente unos 0.026 eV. K es la constante de
Botzmann. La naturaleza estadística de estas energías es tal que un material poseerá
electrones con energías mucho mayores que el promedio y algunos con suficiente energía,
superando la brecha, ocuparan estados de la banda de conducción.
 Figura 17. Movimiento relativo de los Figura 18. La energía o nivel de Fermi
electrones y huecos

Ahora bien, los electrones que han pasado a la banda de conducción debido a
efectos térmicos, dejan estados vacíos en la banda de valencia. A estos los llamaremos
Huecos.

Así, los electrones de la banda de valencia también pueden contribuir a la

conductividad del material. Imaginémoslo de esta forma: El electrón que pase a ocupar un
hueco dejará otro hueco tras de sí. Si hay campo eléctrico externo los electrones se mueven
en sentido contrario al campo, y por lo tanto, los huecos se moverían en el sentido del
campo, como lo hacen las cargas positivas. Resumiendo, un material semiconductor en
presencia de un campo eléctrico externo conducirá la corriente por el movimiento de
electrones en la banda de conducción y por el de huecos en la banda de valencia. En el
análisis teórico de la conducción eléctrica es importante hacer distinción entre estas dos
contribuciones; idea que se presenta en el esquema de la Figura 17.

Debemos además tener presente que los electrones, en algún momento promovidos
a la banda de conducción tendrán la tendencia de regresar a la banda de valencia,
recombinándose con un hueco y cediendo la diferencia de energía, ordinariamente en forma
de vibración térmica de la red. La Promoción Térmica y la Recombinación establecen un
equilibrio dinámico en la población de las bandas, en donde el número de electrones
promovidos por unidad de tiempo es igual al número de recombinaciones en ese mismo
tiempo.

Otro concepto de gran importancia es la Energía o Nivel de Fermi. Se define por

energía de Fermi aquel valor para el cual hay tantos estados ocupados con energías mayores
de este nivel, como estados desocupados haya con energías menores que él. De esta
definición resulta que en un semiconductor el nivel de Fermi se encuentra a la altura de la
mitad de la brecha prohibida, equidistante del borde superior de la banda de valencia y del
borde inferior de la banda de conducción, como lo ilustra la Figura 18.
8. Semiconductores extrínsecos

Figura 19. Representación de un átomo Figura 20. Enlace de átomos de silicio

de silicio mediante sus electrones de valencia

Figura 21. Silicio tipo N Figura 22. Distribución de bandas de

energía del material tipo N

Figura 23. Silicio tipo P Figura 24. Distribución de bandas de

energía de un material tipo P
 Hasta aquí hemos desarrollado el modelo de un semiconductor, como un material
cuya energía prohibida es de alrededor de 1 eV, que a temperatura cero absoluto no
conduce electricidad, pero que a la temperatura ambiente presenta una conductividad
modesta, mucho menor que la de los metales y que aumenta rápidamente con la
temperatura. El modelo desarrollado hasta ahora no contempla la posibilidad de que el
material estudiado contenga impurezas. Nos hemos limitado a describir la estructura de
bandas de materiales libres de ellas y de toda otra irregularidad que perturbe su estructura
cristalina, los llamaremos Semiconductores Intrínsecos ya que sus características se
derivan del propio material. Semiconductores a los que se le han añadido muy pequeñas
cantidades de impurezas específicas tienen gran importancia tecnológica y se les suele
denominar Semiconductores Extrínsecos para hacer énfasis en que sus propiedades
dependen ampliamente de agentes externos, añadidos a su estructura.

En la estructura cristalina del silicio y del germanio (ver Figuras 19 y 20), cada
átomo comparte con sus vecinos los cuatro electrones de su último orbital en un enlace
covalente. El conjunto de estos cuatro electrones de todos los átomos del cristal pueblan la
banda de valencia. Si algunos átomos de la red se sustituyen por átomos de P (fósforo), As
(arsénico), Sb (antimonio) con cinco electrones en su último orbital (ver Figura 21), estos
entrarán a la estructura cristalina en la misma forma que los átomos originales, con cuatro
electrones compartiendo enlaces covalentes. El quinto electrón de cada átomo de la
impureza no estará compartido con átomos vecinos y al no encontrarse ligado podrá
retirarse de la localidad de la impureza con mucha mayor facilidad que los que se
encuentran apareados. Esto es, bastará añadir una pequeña cantidad de energía para que
pueda pasar a la banda de conducción y así moverse por todo el material. Se habrá añadido
al cristal un estado, localizado en la impureza, ocupado por un electrón con energía E d,
cercana a la banda de conducción según el esquema de la Figura 22. Este tipo de impurezas,
que donan fácilmente electrones a la banda de conducción reciben el nombre de
Donadoras, y el material es ahora un Semiconductor Extrínseco de Tipo N (N porque el
portador de carga añadido es negativo).

Tabla 3. Energías de los estados aportados por impurezas (Energías en eV)

Eg Ec-Ed Ea-Ev
P As Sb B Al Ga In
Si 1.1 0.045 0.049 0.039 0.045 0.057 0.065 0.160
Ge 0.72 0.0120 0.0127 0.0096 0.0104 0.0102 0.0108 0.0192
Impurezas donadoras Impurezas aceptadoras

Podemos añadir otro tipo de impurezas al material de base, si sustituimos átomos de

la estructura inicial por unos cuantos átomos de B (boro), Al (aluminio), Ga (galio), e In
(indio), que tienen tres electrones en su último orbital (ver Figura 23), estos serán
compartidos con los átomos vecinos, pero quedará faltando un electrón para dar equilibrio
completo al enlace. Esta localidad puede entonces recibir o alojar un electrón más, y al
hacerlo recibirá uno de la banda de valencia produciendo en ella un hueco que contribuye a
la conducción del material (ver Figura 24). Esta impureza recibe el nombre de Aceptadora
y el material que la contiene se denomina Semiconductor Extrínseco Tipo P (P porque el
portador de carga añadido es un hueco que se comporta como una carga positiva).

La Tabla 3 muestra los valores de energía con que entran al material los estados
aportados por impurezas donadoras y aceptadoras; en ella se podrá apreciar cómo, a
temperatura ambiente, todas las impurezas habrán cedido o recibido sus electrones.

Figura 25. Nivel de Fermi para un Figura 26. Nivel de Fermi para un
material tipo N material tipo P

La adicción de impurezas tiene también otras consecuencias. Como a la temperatura

ambiente los portadores de carga no solo provienen de la promoción térmica sino también
del aporte de las impurezas, los semiconductores tipo N tienen en consecuencia, mayor
cantidad de portadores N (electrones) que de portadores P (huecos). Lo contrario sucede
con los semiconductores tipo P.

Otra consecuencia importante de la adicción de impurezas es la modificación del

nivel de Fermi. En las Figuras 25 y 26, se ilustran las nuevas posiciones del nivel de Fermi
en materiales tipo N y P, respectivamente, resultantes de la nueva distribución de estados
ocupados. En esta propiedad radica la importancia tecnológica de los semiconductores pues
controlando la cantidad de impurezas (dopado) se pueden determinar las propiedades
eléctricas del material.

Debemos añadir que, a diferencia de los semiconductores intrínsecos, cuyo nivel de

Fermi no se modifica con la temperatura, en los semiconductores extrínsecos este nivel se
desplaza hacia el centro de la banda prohibida con el aumento de la temperatura ya que a
medida que aumenta está, el número de portadores producidos por promoción térmica
también aumenta, mientras que aquellos debidos a las impurezas permanecen constante. Si
la temperatura es suficientemente elevada como para que la cantidad de electrones y huecos
producidos por promoción térmica sea mucho mayor que aquellos provenientes de las
impurezas, el material recupera su comportamiento intrínseco y el nivel de Fermi se
encuentra en la mitad de la banda prohibida.

Figura 27. Densidad de corriente de un semiconductor

Los conceptos desarrollados permiten explicar satisfactoriamente el comportamiento

eléctrico de los materiales semiconductores y los dispositivos construidos con estos,
recapitulemos: Obviamente, la densidad de corriente de los semiconductores (por ejemplo,
materiales en estado sólido cristalino de germanio o de silicio) es más compleja que la de
los conductores (por ejemplo, materiales en estado sólido cristalino de plata o de cobre). En
la estructura cristalina de un material como el silicio o el germanio, cada átomo tiene cuatro
enlaces covalentes con átomos adyacentes. Sin embargo, a temperatura ambiente, y bajo el
influjo de algún campo eléctrico aplicado, algunos electrones pueden moverse fuera de la
posición reservada para el enlace covalente. Esto aporta un par electrón-hueco a la
conducción. Tales materiales se denominan semiconductores intrínsecos. Los pares
electrón-hueco tienen un tiempo de vida breve y desaparecen por recombinación, pero otros
se van formando por lo que en todo tiempo hay algunos disponibles para conducción. La
conductividad puede mejorarse, mediante la introducción en el material de impurezas,
elementos de valencia tres o cinco, que se agregan para fabricar materiales semiconductores
extrínsecos tipo n o tipo p. El comportamiento intrínseco continúa pero está superpuesto
por la presencia de electrones extras en los materiales tipo n o de huecos extras en los
materiales tipo p. Por lo tanto, tal como se representa en la Figura 27, la conductividad
consiste en dos términos, uno que corresponde a los electrones y otro que corresponde a los
huecos:

𝜎(𝑇, 𝐸⃗⃗ ) = 𝜌𝑒 𝜇𝑒 + 𝜌ℎ 𝜇ℎ .

y, la densidad de corriente es igual a:

𝐽⃗ = 𝜎(𝑇, 𝐸⃗⃗ )𝐸⃗⃗ = (𝜌𝑒 𝜇𝑒 + 𝜌ℎ 𝜇ℎ )𝐸⃗⃗ .

 Tabla 4. Propiedades del Germanio y del Silicio

Propiedades Ge Si

Número Atómico 32 14

Peso Atómico 72,6 28.1

Densidad en 𝒈⁄𝒄𝒎𝟑 5,32 2.33

Constante Dieléctrica (relativa) 16 12

Á𝒕𝒐𝒎𝒐𝒔⁄𝒄𝒎𝟑 4.4 × 1022 5.0 × 1022

𝑬𝑮𝟎 , 𝐞𝐕, 𝐚 𝟎𝒐 𝑲 0.785 1.21

𝑬𝑮 , 𝐞𝐕, 𝐚 𝟑𝟎𝟎𝒐 𝑲 0.72 1.1

𝒏𝒊 𝐚 𝟑𝟎𝟎𝒐 𝑲, 𝒄𝒎𝟑 2.5 × 1013 1.5 × 1010

Resistividad intrínseca a 𝟑𝟎𝟎𝒐 𝑲, 𝜴 ∙ 45 230000

𝒄𝒎

𝝁𝒏 , 𝒄𝒎𝟐 ⁄𝑽 ∙ 𝒔 𝐚 𝟑𝟎𝟎𝒐 𝑲 3800 1300

𝝁𝒑 , 𝒄𝒎𝟐 ⁄𝑽 ∙ 𝒔 , 𝐚 𝟑𝟎𝟎𝒐 𝑲 1800 500

𝑫𝒏 , 𝒄𝒎𝟐 ⁄𝒔 , = 𝝁𝒏 𝑽𝑻 99 34

𝑫𝒑 , 𝒄𝒎𝟐 ⁄𝒔 , = 𝝁𝒑 𝑽𝑻 47 13
Además, sí:

𝒏𝒊 es la concentración de portadores (#electrones libres = #huecos) por unidad de

volumen de un semiconductor intrínseco;

𝒏 es la concentración de electrones libres por unidad de volumen de un

semiconductor;

𝒑 es la concentración de huecos por unidad de volumen de un semiconductor;

𝑵𝑫 es la concentración de átomos donadores por unidad de volumen de un

semiconductor;

𝑵𝑨 es la concentración de átomos aceptadores por unidad de volumen de un

semiconductor;

𝒏𝒏 es la concentración de electrones libres por unidad de volumen de un

semiconductor tipo n;

𝒑𝒏 es la concentración de huecos por unidad de volumen de un semiconductor tipo

n;

𝒏𝒑 es la concentración de electrones libres por unidad de volumen de un

semiconductor tipo p;

𝒑𝒑 es la concentración de huecos por unidad de volumen de un semiconductor tipo

p.

Un análisis teórico nos conduce a:

1. La concentración intrínseca es función de la temperatura en la forma:

−𝐸𝐺𝑜
⁄𝐾 𝑇
𝑛𝑖2 = 𝐴𝑜 𝑇 3 𝑒 𝐵

Donde, 𝐸𝐺𝑜 es el salto de energía de la banda vacía a 0°𝐾 en eV; 𝑘𝐵 es la

constante de Boltzman igual a 8.62 × 10−5 𝑒𝑉⁄°𝐾 , y 𝐴𝑜 es una constante
independiente de la temperatura.
 2. Para un semiconductor intrínseco (puro):

𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖

En condiciones de equilibrio térmico, el producto de la concentración de las

cargas positivas y negativas libres es una constante independiente de la cantidad
de donador o aceptador. Esta ecuación se denomina Ley de acción de masas y
se expresa como:
𝑛𝑝 = 𝑛𝑖2 .

Al añadir impurezas de tipo n, disminuye el número de huecos. Análogamente, al dopar

con impurezas de tipo p disminuye la concentración de electrones libres a un valor inferior
a la del semiconductor intrínseco.

3. Como el semiconductor es eléctricamente neutro, el valor de la densidad de

carga positiva debe ser igual a la concentración de la negativa. Esta ecuación se
denomina Ley de la neutralidad eléctrica y se expresa como:

𝑁𝐷 + 𝑝 = 𝑁𝐴 + 𝑛

En la práctica, dado que los 𝑁𝐷 átomos donadores están totalmente ionizados,

aparecen 𝑁𝐷 cargas positivas por metro cúbico como contribución de iones fijos donadores;
por lo tanto, la densidad de carga total positiva es 𝑁𝐷 + 𝑝. Análogamente, si 𝑁𝐴 es la
concentración de iones aceptadores, ellos contribuyen al suministro de 𝑁𝐴 cargas negativas
por metro cúbico, siendo la densidad de carga total negativa igual a 𝑁𝐴 + 𝑛.

En un material de tipo n, la concentración de electrones libres es aproximadamente

igual a la densidad de átomos donadores, es decir:

𝑛𝑛 ≈ 𝑁𝐷

Por lo tanto, puede calcularse la concentración de huecos en el semiconductor de

tipo n mediante la expresión:

𝑛2
𝑝𝑛 = 𝑁𝑖 .
𝐷

Análogamente, en un semiconductor tipo p:

𝑛𝑝 𝑝𝑝 = 𝑛𝑖 2 ,

𝑝𝑝 ≈ 𝑁𝐴 , y

𝑛2
𝑛𝑝 = 𝑁𝑖 .
𝐴
9. El efecto Hall

http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica3/magnetico/hall/hall1.gif

(a) Montaje experimental

(b) Separación espacial de los portadores – Tensión Hall

Figura 28. Estudio experimental del efecto Hall

 La medición de la conductividad permite calcular el producto de la concentración de
𝑁
los portadores de carga por su movilidad (𝜎 = 𝑉 𝑞𝜇). Es imposible calcular por separado
ambos parámetros para un semiconductor. Para resolver este problema se utilizan los datos
obtenidos al medir el efecto Hall, cuyo montaje experimental se ilustra en la Figura 28(a).

Supongamos que por un semiconductor que tiene la forma de una placa rectangular
circula una corriente 𝑖 de densidad de corriente 𝐽⃗, tal como se representa en la Figura 28(a)
izquierda. En este caso, el vector de la densidad de corriente coincide en sentido con el
vector de intensidad de campo eléctrico 𝐸⃗⃗ (𝐽⃗ = 𝜎𝐸⃗⃗ ) aplicado a la muestra. Si el
semiconductor es homogéneo, la diferencia de potencial entre las caras opuestas de la placa
paralelas a la corriente será igual a cero.

Colocando el semiconductor en un campo magnético 𝐵 ⃗⃗, perpendicular a la dirección

de la corriente, como se muestra en la Figura 28(a) derecha. Podemos, ver que sobre el
portador de carga 𝑞 que se mueve a la velocidad 𝑣⃗, por acción del campo magnético, actúa
la fuerza de Lorentz:

⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗.
𝑓𝑚 = 𝑞𝑣⃗ × 𝐵

La dirección de esta fuerza depende del signo de los portadores de carga 𝑞 y del
producto de la velocidad 𝑣⃗ por el campo de inducción magnética 𝐵⃗⃗. Si la velocidad de los
portadores de carga es perpendicular al campo de inducción magnética, por la acción de la
fuerza de Lorentz se desvían los portadores de carga en dirección perpendicular a 𝑣⃗ y 𝐵 ⃗⃗.
Debido a esto se origina la separación espacial de las cargas y aparece un campo eléctrico
⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐸𝐻 , denominado campo eléctrico Hall, tal como se presenta en la Figura 28(b). En este caso
la intensidad del campo eléctrico 𝐸⃗⃗ ya no coincidirá con la dirección de la densidad de
corriente 𝐽⃗, y por lo tanto, surge una diferencia de potencial 𝑉𝐻 , denominada potencial Hall
o tensión de Hall, tal como aparece en la Figura 28(a) derecha. Este fenómeno se llama
efecto Hall.

⃗⃗ y ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
Por acción de la fuerza de Lorentz, para la dirección de 𝐵 𝐸𝐻 elegidas en la Figura
28(b), los huecos del semiconductor tipo 𝑝 (Figura 28(b) izquierda) y los electrones del
semiconductor tipo 𝑛 (Figura 28(b) derecha) se desviarán hacia la cara superior de la
muestra, en tanto que en la cara inferior se registrara una insuficiencia de los
correspondientes portadores de carga, lo que determina una carga de signo contrario con
respecto a la carga de la cara superior. Este proceso continúa hasta tanto el campo eléctrico
transversal ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐸𝐻 , originado gracias a la separación de los portadores de carga, no cree una
fuerza que actué sobre los portadores de carga libre y equilibre la fuerza de Lorentz. En
estado estacionario estas fuerzas son iguales, y para el semiconductor tipo 𝑛 se escribe de la
forma:

−𝑞𝐸𝐻 = 𝑞𝑣𝐵

Si el ancho de la muestra es 𝑑, la diferencia de potencial de Hall 𝑉𝐻 entre las caras

opuestas de la misma es de magnitud:

1
𝑉𝐻 = 𝐸𝐻 𝑑 = −𝑣𝐵𝑑 = − 𝐽𝐵𝑑 = 𝑅𝐻 𝐽𝐵𝑑,
𝑁
𝑞
𝑉𝑜𝑙

donde, la magnitud 𝑅𝐻 es llamada coeficiente de Hall, y en el caso en que los portadores de

𝑁
carga son electrones con concentración (portadores por unidad de volumen) 𝑉𝑜𝑙
= 𝑛, como
se aprecia en la Figura 28(b) derecha, tenemos:

1
𝑅𝐻 = − .
𝑛𝑒
𝑁
En el caso de que los portadores de carga son huecos con concentración = 𝑝,
𝑉𝑜𝑙
cono se aprecia en la Figura 28(b) izquierda, tenemos:

𝑒𝐸𝐻 = 𝑒𝑣𝐵.

Por eso,

1
𝑉𝐻 = 𝐽𝐵𝑑 = 𝑅𝐻 𝐽𝐵𝑑,
𝑒𝑝

y,

1
𝑅𝐻 = .
𝑒𝑝

Por consiguiente, conociendo el coeficiente de Hall se puede calcular la

concentración de portadores de carga y determinar su signo.
 Apéndice A
El efecto Hall en un semiconductor de conductancia mixta o simplemente
semiconductor mixto

Este semiconductor hace referencia, al caso en que, en el semiconductor la corriente

se transfiere tanto por portadores de carga negativos como por portadores de carga
positivos, cuyas concentraciones son respectivamente iguales a 𝑛 y 𝑝.

Figura A1. Efecto Hall en semiconductor mixto y campo magnético aplicado débil

Examinemos la situación presentada en un semiconductor mixto con campo

magnético aplicado débil, tal como se ilustra en la Figura A1. Bajo la acción del campo
eléctrico 𝐸⃗⃗ los portadores de carga se aceleran. Debido a esto el movimiento de los
portadores de carga origina las corrientes de densidades:

⃗⃗⃗⃗
𝐽𝑛 = 𝜎𝑛 𝐸⃗⃗ 𝑦 ⃗⃗⃗⃗
𝐽𝑝 = 𝜎𝑝 𝐸⃗⃗ ,

siendo,
𝐽⃗ = ⃗⃗⃗⃗
𝐽𝑛 + ⃗⃗⃗⃗
𝐽𝑝 .

Puesto que, el campo magnético es débil, se forman los ángulos de Hall:

𝜑𝑛 = 𝜇𝑛 𝐵 𝑦 𝜑𝑝 = −𝜇𝑝 𝐵.
 El ángulo Hall a considerar es:

−𝑗𝑦 𝑝𝜇𝑝2 − 𝑛𝜇𝑛2

𝜑𝐻 = 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑎𝑛 = 𝐵,
𝑗𝑥 𝑝𝜇𝑝 + 𝑛𝜇𝑛

y, el coeficiente Hall es igual a:

𝜑𝐻 1 𝑝𝜇𝑝2 − 𝑛𝜇𝑛2
𝑅𝐻 = = .
𝜎𝐵 𝑒 (𝑝𝜇 + 𝑛𝜇 )2
𝑝 𝑛

Como se puede ver, en el caso de la conductancia mixta el signo del coeficiente de

Hall se determina por la correlación de las concentraciones y las movilidades de los
electrones y los huecos. La movilidad debida al efecto Hall en el semiconductor mixto es
igual a:

𝑝𝜇𝑝2 − 𝑛𝜇𝑛2
𝜇𝐻 = 𝑅𝐻 𝜎 = .
𝑝𝜇𝑝 + 𝑛𝜇𝑛

En el semiconductor intrínseco las concentraciones de electrones y huecos libres son

iguales, es decir:
𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖 ,

por eso, el coeficiente Hall es:

1 𝜇𝑝 − 𝜇𝑛
𝑅𝐻 = .
𝑒 𝑛𝑖 (𝜇𝑝 + 𝜇𝑛 )

Generalmente, éste es de signo negativo debido a la mayor movilidad de los

electrones con respecto a la de los huecos.