FACULTAD DE INGENIERÍA

ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

Departamento de Electrónica, Telecomunicaciones y Redes de Información

LABORATORIO DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

PRÁCTICA N°4

1 TEMA
DIODO SEMICONDUCTOR

2 OBJETIVOS
2.1 Analizar circuitos electrónicos formados por elementos pasivos y diodos.
2.2 Identificar las regiones de operación en la curva característica del diodo.
2.3 Determinar las formas de onda resultantes en circuitos con diodos
semiconductores.

3 EQUIPO Y MATERIALES
3.1 Hardware
- Computadora IBM compatible
3.2 Software
- LTspice

4 TRABAJO PREPARATORIO
4.1 Realizar una tabla resumen con las características eléctricas más importantes del
diodo 1N4007.
4.2 Esquematizar un circuito con una fuente de voltaje continuo, un resistor y un diodo
1N4007, de tal forma que el diodo se encuentre polarizado:
4.2.1 de forma directa el diodo
4.2.2 de forma indirecta el diodo
4.3 Determinar el voltaje en la resistencia en los circuitos de los ítems 4.2.1 y 4.2.2.
4.4 Presentar un resumen sobre circuitos recortadores (serie y paralelo) y
sujetadores.
4.5 Incluir en la librería de LTspice el modelo de terceros del diodo 1N4007.
4.6 Analizar los circuitos de las Figuras 1 y 2. (La configuración de la fuente en LTspice
para los circuitos de las Figuras 1 y 2, corresponde a
PULSE(-5 5 0 1n 1n 0.5m 1m)).

Período: 2022-A 1/3

 Laboratorio de Electrónica Básica

Figura 1. Circuito sujetador

Figura 2. Circuito recortador

5 PROCEDIMIENTO
5.1 Modelación de los circuitos del numeral 4.2 del trabajo preparatorio, para esto se
debe utilizar una fuente de voltaje de 10 V y una resistencia de 4,7 kΩ.
5.2 Comprobación del valor de voltaje de barrera del diodo 1N4007, mediante las
mediciones correspondientes.
5.3 Presentación de la curva característica del diodo 1N4007 (simulación DC sweep).
5.4 Modelación en LTspice de los circuitos de las Figuras 1 y 2: realizar la simulación
en el dominio del tiempo (simulation transient analysis), colocar un tiempo
adecuado para observar las formas de onda de forma clara y verificar la señal de
voltaje en la resistencia de carga.
5.5 Tomar los datos necesarios para ser visualizados en Matlab.

Período: 2022-A 2/3

 Laboratorio de Electrónica Básica

6 INFORME PARCIAL
6.1 Presentar en un cuadro, las medidas obtenidas en el literal 5.1 y los valores
teóricos de 4.2.
6.2 Obtener los porcentajes de error con respecto al literal 6.1.
6.3 Realizar un resumen de los resultados obtenidos en la simulación de la curva
característica del diodo 1N4007.
6.4 Presentar en un cuadro, las medidas obtenidas en LTspice, los valores teóricos y
errores de las Figuras 1 y 2.
6.5 Conclusiones.
6.6 Recomendaciones.

7 REFERENCIAS
[1] Linear Technology Corporation, «Analog Devices,» [En línea]. Available:
https://www.analog.com/. [Último acceso: 19 05 2022].
[2] MediaWiki, «LTwiki,» [En línea]. Available: http://ltwiki.org/. [Último acceso: 19 05
2022].
[3] T. Floyd, Dispositivos Electrónicos, México: PEARSON EDUCACIÓN, 2008.

Elaborado por: Mgs. Thomás Borja

Ing. William Coloma
Mgs. Fernando Lara
Ing. Juan Ramírez
Mgs. Víctor Reyes
Mgs. Aldrin Reyes
Ing. Marco Serrano
Mgs. Mauricio Soria
Ing. Víctor Tibanlombo

Revisado por: Dr.-Ing. Hernán Barba Molina – Administrador del Laboratorio de

Electrónica Básica

Período: 2022-A 3/3