FACULTAD DE INGENIERÍA

DEPARTAMENTO DE ELECTRICIDAD

EXPERIENCIA Nº1
“Laboratorio 3 – Rectificador trifásico de onda
completa controlado”

Asignatura : Electrónica 2.
Profesor : Edward Fuentealba Vidal Dr.
Responsable Eng.
Alumnos : Byron Briones Arias.
Hans Campillay Huanca.

junio / 2021

Avenida Universidad de Antofagasta Nº2800 – Casilla 170

Teléfono: (55) 637304, Fax: (55) 637268, email: sec_electrica@uantof.cl
ÍNDICE
pág.

1. INTRODUCCIÓN..............................................................................................1

2. OBJETIVOS......................................................................................................1

3. DESCRIPCIÓN DE LOS EQUIPOS E INTRUMENTOS..................................2

4. DESCRIPCIÓN DE PRUEBAS Y MEDIDAS REALIZADAS...........................3

4.1 Mediciones:..................................................................................................6

5. RESULTADOS OBTENIDOS.........................................................................10

6. DISCUSIÓN....................................................................................................11

7. CONCLUSIONES...........................................................................................13

8. BIBLIOGRAFÍA..............................................................................................14

9. ANEXOS.........................................................................................................15

9.1 Voltajes de fuente:......................................................................................15

9.2 Cálculo de la carga:....................................................................................15
9.3 Cálculo de las corrientes de los tiristores:..................................................16
9.4 Cálculo de la resistencia termica:...............................................................16
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1. INTRODUCCIÓN

En el presente informe se desarrolla una serie de actividades

correspondiente al laboratorio N°3 de la asignatura de electrónica 2 [1]. Esta
actividad consiste en la comprensión, análisis y aplicación de componentes de
electrónicos, más específico en diodos (volante), tiristores e inductores, estos
aplicados en un circuito rectificador trifásico de onda completa controlado y
semicontrolado.
Se utiliza el software “Psim” en el cual se puede simular el esquema de
este laboratorio para poder obtener las conclusiones correspondientes al trabajo.
Esta actividad se inicia con una fase de cálculo el cual estará en el
apartado de anexos y en este se obtienen las corrientes y los voltajes con el
objetivo de seleccionar los tiristores y diodo volante más adecuado a la situación y
su respectivo disipador. Para finalizar se le agrega inductancias y un diodo volante
al sistema para evaluar su comportamiento y el de los semiconductores.

2. OBJETIVOS

Objetivo General:
 Analizar el circuito en las condiciones descritas en metodología.
Objetivos Específicos:
 Diseñar un rectificador trifásico de 10 kWp y Vcmedia=350 V y
presentar sus ecuaciones y curvas de corrientes y tensiones.
 Examinar los tiristores y diodo volante adecuado para el circuito.
 Calcular resistencias térmicas del disipador.
 Comprender el sistema y sus parámetros al insertar inductancias y
el diodo volante.
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3. DESCRIPCIÓN DE LOS EQUIPOS E

INTRUMENTOS

En el sistema se utilizó:
1. Diodos [2]:
Tabla 1. Datos del datasheet diodo.
SKN 240/12
Ifav 320[A]
V(to) 0,85[V]
rT 0,0006[Ω]
Rjc 0,2[K/W]
Rcs 0,03[K/W]
Vrsm 1200[V]
Vrrm 1200[V]

2. 1 Fuente de tensión:
Tabla 2. Parámetros de la fuente de tensión.
Parámetros Fase 1 Fase 2 Fase 3
Vrms 380[V] 380[V] 380[V]
Vmax 537,40[V] 537,40[V] 537,40[V]
Vmed 342.64 341.94 341.94
Ángulo 0° 240° 120°

3. Resistencia: 26 [Ω].
4. Inductancias: 15 [mH] [3]
5. Software Psim. [4]
6. Tiristor [5]:
Tabla 3. Parámetros de la fuente de tensión.

4,636 [A]

8,522 [A]

4,636 [A]

8,522 [A]
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4. DESCRIPCIÓN DE PRUEBAS Y MEDIDAS

REALIZADAS

El primer circuito que se realiza en esta experiencia es un rectificador

trifásico de onda completa controlado que es representada en la siguiente figura.
Este primer circuito contiene 6 tiristores y una carga R que será la salida del
circuito.

Fig 1. Esquema circuito 1

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El objetivo del primer circuito es lograr diseñar un circuito con una potencia
de 10[kWp] y un Vcmedio de 350[V] en la carga. En la siguiente figura se presenta
el esquema utilizado.

Fig 2. Circuito 1.
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Para el segundo circuito se implementa un diodo volante y se analizará el

comportamiento del circuito.

Fig 3. Circuito 2.
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4.1 Mediciones:

Fig 4. Voltajes y corrientes de las fuentes y tiristores.

Fig 5. Voltajes y corrientes de la carga.

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Fig 6. Voltajes y corrientes cuando el tiristor 2 está abierto.

Fig 7. Voltaje en la carga cuando el tiristor está en corto circuito.

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Fig 8. Corriente en la carga con el diodo volante en el circuito.

Fig 9. Corriente y voltaje en la carga cuando T3 y T6 están en corto circuito.

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Fig 10 Corriente y voltaje de la carga cuando T3 y T6 están en cortocircuito y se implementa el

diodo volante.
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5. RESULTADOS OBTENIDOS

Tabla 4. Tabla resultados obtenidos.

Resultados Obtenidos
Parámetros Teórico PSIM ideal sin perdida PSIM real

Corriente a   19,94 [A] 19,84 [A]

Corriente b   19,94 [A] 19,84 [A]

Corriente c   19,94 [A] 19,84 [A]

Corriente t1 eficaz 8,39 [A] 8,57 [A] 8,522 [A]

Corriente t1 medio 4,486 [A] 4,67 [A] 4,636 [A]

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Corriente t2 eficaz 8,39 [A] 8,57 [A] 8,522 [A]

Corriente t2 medio 4,486 [A] 4,67 [A] 4,636 [A]

Corriente t3 eficaz 8,39 [A] 8,57 [A] 8,522 [A]

Corriente t3 medio 4,486 [A] 4,67 [A] 4,636 [A]

Corriente t4 eficaz 8,39 [A] 8,57 [A] 8,522 [A]

Corriente t4 medio 4,486 [A] 4,67 [A] 4,636 [A]

Corriente t5 eficaz 8,39 [A] 8,57 [A] 8,522 [A]

Corriente t5 medio 4,486 [A] 4,67 [A] 4,636 [A]

Corriente t6 eficaz 8,39 [A] 8,57 [A] 8,522 [A]

Corriente t6 medio 4,486 [A] 4,67 [A] 4,636 [A]

Corriente carga medio   13,46 [A] 13,357 [A]

Corriente carga eficaz   14,53 [A] 14,437 [A]

Voltaje Peak t1   930,80 [A] 929,453 [V]

Voltaje Peak t2   930,80 [A] 929,453 [V]

Voltaje Peak t3   930,80 [A] 929,453 [V]

Voltaje Peak t4   930,80 [A] 929,453 [V]

Voltaje Peak t5   930,80 [A] 929,453 [V]

Voltaje Peak t6   930,80 [A] 929,453 [V]

Voltaje carga medio 350,16 [V] 349,98 [V] 347,289 [V]

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6. DISCUSIÓN

Para obtener la resistencia que se ocupa en el circuito se realiza un

cálculo que involucra el voltaje y corriente peak en la carga para obtener su
potencia peak. Aún así no se pudo lograr por lo que se incorpora una bobina.
 Como se muestra en la fig. 6 y 7, ya sea que este en corto circuito o
circuito abierto, en la señal se ve la ausencia de ciclos o un cambió
brusco en su amplitud.
 La corriente peak en la carga disminuye, pero se mantiene la
corriente media y se reduce la ondulación que presenta. La
incorporación de un diodo volante afecta a la señal, reduciendo su
frecuencia.
 Cuando los tiristores T3 y T6 entran en estado de cortocircuito el
voltaje y corriente en la carga es 0. Debido a que proporcionan una
salida de energía menos resistiva.
 No, ya que la salida que proporcionan T3 y T6 será prioritaria para
la energía que fluye.
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7. CONCLUSIONES

 Para el diagrama del primer circuito se añadió un inductor de 15[mH], en

serie a la carga para poder obtener la potencia y el voltaje requerido en los
objetivos. Se ocupa una resistencia de 26 ohms, con estos dos
componentes se logra obtener una potencia peak en la carda de 10340,48
[W] y un voltaje medio en la carda de 349,9[V].
 El efecto que produce usar tiristores en lugar de diodos se produce en los
cambios de estado. Cuando el potencial presente en la fuente 1 y fuente 3
son iguales, con diodos se produciría un cambió en el que los diodos
activos 3 y 5 que están bajo un voltaje Vcb cambiarían a Vab con los diodos
1 y 5 operando, ya que el voltaje de la fuente 1 sería la que presente mayor
potencial en ese momento, la conmutación sería inmediata ya que alfa es 0.
Pero, con tiristores se trabaja con alfas mayores a 0, lo que produce que
esta transición tarde un tiempo en realizarse, si alfa es mayor se tarda más
en realizar el cambió.
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8. BIBLIOGRAFÍA

[ E. Fuentealba, «Componentes empleados en electrónica de

1] potencia,» Antofagasta, 2021.
[ SEMIKRON, «https://www.semikron.com,» 19 Marzo 2019. [En línea].
2] Available:
https://www.semikron.com/products/product-classes/discretes/diodes/detail/
skn-240-
02236621022366810262995102236631022366910223664102236741022366
51022367510223666102236761026412300223667102641980026299810262
0411026193510262705102619361026284110262123102632.
[ Bourns, «https://www.mouser.cl/,» [En línea]. Available:
3] https://www.mouser.cl/datasheet/2/54/RLB-972764.pdf.
[ «https://powersimtech.com/,» [En línea]. Available:
4] https://powersimtech.com/products/psim/capabilities-applications/. [Último
acceso: 15 Junio 2021].
[ SEMIKRON, «https://www.semikron.com/,» Noviembre 2 2010. [En
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5] línea]. Available:
https://www.semikron.com/products/product-classes/discretes/thyristors/
detail/skt-50-
01236120012361300123614001236150012361600123618001236190012362
00012362100163200001627340.html.
[ J. D. A. Peña, Electrónica de Potencia, Joén, Andalucia: EPS,
6] escuela politécnica supeior.

9. ANEXOS

9.1 Voltajes de fuente:

V rmsF =380 [V ] (1.0)

V L− L=V rmsF × √ 3 (1.1)

V L− L=658,17[V ] (1.2)

V maxF =V rmsF × √ 2 (1.3)

V maxF =537,4 [V ] (1.4)

V maxL =V L− L × √ 2=930,79 [V ] (1.5)

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Donde
i. Vrms = Voltaje eficaz.
ii. V(L-L) = Voltaje de línea-linea.
iii. V(maxF) = Voltaje peak de la fuente.
iv. V(maxL) = Voltaje peak de línea.

9.2 Cálculo de la carga:

V me d =1.654 × V maxF cos (66.8)=350,16 [V ]

c
(1.6)

V rms =√ 3 ×V maxF ×
c
√ 1 3 √3
+
2 4π
cos (2 ×66.812)=431,44 [V ](1.7)

Donde:
i. Vmed_c = Voltaje medio en la carga.
ii. Vrms_c = Voltaje rms en la carga.

9.3 Cálculo de las corrientes de los tiristores:

I c media
[6] I med = =4,48 [ A] (1.8)
t
3
I c rms
I rms = =8,39[ A ] (1.9)
t
√3
Donde:
i. I(med_t) = Corriente media del tiristor.
ii. I(rms_t) = Corriente rms del tiristor.
iii. R = Resistencia de la carga (26Ω).
iv. Icmedia = Corriente media de carga (13.46[A]).
v. Icrms = Corriente rms de carga (14.53[A]).
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9.4 Cálculo de la resistencia termica:

2
P=2 ×(V ( ¿ ) × I Tmed + r T × I Tef )
Donde:
i. V(to) = Voltaje umbral del tiristor.
ii. I(med_t) = Corriente media del tiristor.
iii. I(rms_t) = Corriente eficaz del tiristor.
iv. rT = Resistencia interna del tiristor.

2
P=2 ×(1,1[V ]×4,486 [ A ]+0.0005[Ω]×8,39 ) (1.11)
P=10,573 [W ] (1.12)
Δ T =P ×(R jc + Rcd + Rda) (1.13)
Donde:
i. ΔT = 130°C.
ii. R jc = Resistencia térmica entre unión y la capsula (°C/W).
iii. Rcd = Resistencia térmica entre resistencia y el disipador (°C/W).
iv. Rda = Resistencia térmica entre el disipador y el ambiente (°C/W).
°C
Rda ≤11,525 [ ] (1.14)
W

Una vez obtenida Rda se le agrega el valor de Rcd y obtenemos:

°C
Rda + Rcd =11,725 [ ] (1.15)
W