Escuela Profesional

Ingenieria Industrial

SESIÓN 07: Circuitos y sistemas digitales

Docente: Ing. José Antonio Poma García
 FACULTAD DE
INGENIERÍA INDUSTRIAL

ELECTRÓNICA Y ELECTRICIDAD
ING. JOSÉ ANTONIO POMA GARCÍA
 ESCUELA DE INGENIERÍA INDUSTRIAL
ELECTRÓNICA
ANALÓGICA DIODOS

EP INGENIERÍA INDUSTRIAL ING. JOSÉ ANTONIO POMA GARCÍA 30 Años

 APLICACIÓN

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CONDUCTORES

 Un conductor es un material que conduce corriente eléctrica

fácilmente.
 La mayoría de los metales son buenos conductores. Los
mejores conductores son materiales de sólo un elemento,
tales como cobre, plata, oro y aluminio.
 Que están caracterizados por átomos con sólo un electrón de
valencia muy flojamente enlazado al átomo.
 Estos electrones de valencia flojamente enlazados se
convierten en electrones libres. Por consiguiente, en un material
conductor, los electrones libres son electrones de valencia.

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  Es un material a medio camino entre los conductores y los aislantes,
en lo que a su capacidad de conducir corriente eléctrica respecta.
SEMICONDUCTORE  Un semiconductor en estado puro (intrínseco) no es ni buen conductor
S ni buen aislante.
 Los semiconductores más comunes de sólo un elemento son el silicio, el
germanio y el carbón.
 Los semiconductores compuestos, tales como el arseniuro de galio y
el fosfuro de indio, también son de uso común.
 Los semiconductores de un solo elemento están caracterizados
por átomos con cuatro electrones de valencia.

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ELECTRONES

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SILICIO Y GERMANIO

 La figura permite comparar las estructuras atómicas del silicio y

el germanio. El silicio es, por mucho, el material más utilizado
en diodos, transistores, circuitos integrados y otros
dispositivos semiconductores. Observe que tanto el silicio como
el germanio tienen los cuatro electrones de valencia
característicos.
 Los electrones de valencia del germanio residen en la cuarta
capa, mientras que los del silicio están en la tercera, más cerca
al núcleo. Esto significa que los electrones de valencia del
germanio se encuentran a niveles de energía más altos que
aquellos en el silicio y, por consiguiente, requieren una cantidad de
energía adicional más pequeña para escaparse del átomo.

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SILICIO Y GERMANIO

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ENLACES

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Semiconductor tipo N

 Para incrementar el número de electrones de

banda de conducción en silicio intrínseco se
agregan átomos de impureza pentavalente. Estos
son átomos son cinco electrones de valencia tales
como arsénico (As), fósforo (P), bismuto (Bi) y
antimonio (Sb).

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Semiconductor tipo P

 Para incrementar el número de huecos en silicio

intrínseco, se agregan átomos de impureza trivalentes:
átomos con tres electrones de valencia tales como
boro (B), indio (In) y galio (Ga).

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EL DIODO

 Si se toma un bloque de silicio y

se dopa una parte de él con
una impureza trivalente y la otra
con una impureza pentavalente, se
forma un límite llamado unión PN
entre las partes tipo P y tipo N
resultantes y se crea un diodo
básico.
 Un diodo es un dispositivo que
conduce corriente en sólo una
dirección. La unión PN es la
característica que permite funcionar
a diodos, ciertos transistores y
otros dispositivos.

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DIODO
La curva de característica V-I

 Las curvas características representan la

relación entre la tensión y la corriente del diodo
durante su funcionamiento.
 De ellas se puede determinar fácilmente la no-
linealidad del diodo y de hecho su comportamiento se
describe matemáticamente por la ecuación de
Shockley:

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DIODO

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ENCAPSULADOS TÍPICOS DE DIODOS

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PRUEBA DE UN DIODO

 Se puede utilizar un multímetro como un medio rápido y sencillo para

probar un diodo.
 Un buen diodo mostrará una resistencia extremadamente alta
(idealmente un circuito abierto) con polarización en inversa y una
resistencia muy baja con polarización en directa.
 Un diodo abierto defectuoso mostrará una resistencia extremadamente
alta (o abierta) tanto con polarización en directa como en inversa.
 Un diodo en corto o resistivo defectuoso mostrará una baja resistencia o
cero, tanto con polarización en directa como en inversa.
 Un diodo abierto es el tipo más común de falla.

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PRUEBA DE UN DIODO

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PRUEBA DE UN DIODO DEFECTUAOSO

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APLICACIÓN

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APLICACIONES

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 RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA

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VALOR PROMEDIO DEL VOLTAJE DE SALIDA DE MEDIA ONDA

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RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA

 El efecto del potencial de barrera en un voltaje de salida rectificado de media onda es

reducir el valor pico de la entrada en aproximadamente 0.7 V.

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RECTIFICADORESDEMEDIAONDA

 Trace los voltajes de salida de cada

rectificador correspondientes a los voltajes
de entrada indicados, como la figura lo muestra.
El 1N4001 y 1N4003 son diodos de rectificador
específicos.

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RECTIFICADORESDEMEDIAONDA

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RECTIFICADORESDEMEDIAONDA

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RECTIFICADORESDEMEDIAONDA

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RECTIFICADORESDEONDACOMPLETA

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RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA

 Determine el valor del voltaje rectificado de onda completa mostrado en la figura

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RECTIFICADORESDEONDACOMPLETA

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 RECTIFICADORESDEONDACOMPLETA

EP INGENIERÍA INDUSTRIA L ING. JOSÉ ANTONIO POMA 30 Años

 RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA

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RECTIFICADORESDEONDACOMPLETA

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 RECTIFICADORES DE PUENTE DE ONDA COMPLETA

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RECTIFICADORESDEPUENTEDEONDACOMPLETA

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FILTROS Y REGULADORES DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN

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 FILTROS Y REGULADORES DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN

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 FILTROS Y REGULADORES DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN

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 FILTROS Y REGULADORES DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN

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 FILTROS Y REGULADORES DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN

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FILTROS Y REGULADORES DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN

 Determine voltaje DC para el rectificador de puente filtrado con una carga como se indica en la figura.

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 FILTROS Y REGULADORES DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN

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PROBLEMAS PROPUESTOS 01

 Determine voltaje DC para el rectificador de puente filtrado con una carga como se indica en
la figura.

Analizar el circuito para RL =100 , 50, 10 y 5 ohmios.

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PROBLEMAS PROPUESTOS 02

 Determine voltaje DC para el rectificador de puente filtrado con una carga como se indica en la figura.

Analizar el circuito para RL =100 , 50, 10 y 5 ohmios.

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 FUENTES DE ALIMENTACION CON REGULADORES DE VOLTAJE

FUENTE DE ALIMENTACIÓN CON REGULADORES DE VOLTAJE

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 FACULTAD DE
INGENIERÍA INDUSTRIAL

INTENSIDAD DE CORRIENTE
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