UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE

MÉXICO
FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES
CUAUTITLÁN

INGENIERÍA EN TELECOMUNICACIONES
SISTEMAS Y ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE AMPLIFICACIÓN DE SEÑALES

ACTIVIDADES PREVIAS A LA PRÁCTICA NO. 3

PROFESORA:
ERIKA RAMIREZ RAMIREZ

ALUMNO:
JORGE EDUARDO SUÁREZ GALLARDO

GRUPO:2609A

FECHA DE ENTREGA: 12 DE MARZO 2018

SEMESTRE: 2018-2

Introducción
Una conexión Darlington es una conexión de dos transistores cuya ganancia de corriente total es igual al
producto de las ganancias de corriente individuales. Dado que su ganancia de corriente es muy alta, una
conexión Darlington puede tener una impedancia de entrada muy alta y puede producir corrientes de salida
muy grandes. Las conexiones Darlington a menudo se emplean en reguladores de tensión, amplificadores
de potencia y aplicaciones de conmutación de alta corriente.

Aunque existen amplificadores Darlington ya fabricados en esta práctica, comprobaremos que es posible
construir el amplificador Darlington a partir de dos transistores en cascada, que es el principio de la
conexión Darlington. De esta manera, se comprobará la flexibilidad de esta conexión ya que a partir de las
necesidades es cómo será la conexión. Igualmente verificaremos la alta ganancia de corriente que presenta
esta conexión.

Desarrollar el análisis teórico de las figuras 3.2, 3.3

- Análisis de CD

RB1 = R1||R2
RB1 = (100kΩ)(56kΩ) / (100kΩ+56kΩ)
RB1 = 35.89kΩ

VBB = VCC(R2) / (R1+R2)

VBB = 12V(56kΩ) / (100kΩ+56kΩ)
VBB = 4.307V

Al calcular esos valores el circuito se reduce al de la siguiente figura

 De la malla 2:
De la malla 1: VCC = VCE2 + RE2(IE2)
VBB = RB(IB1)+VBE1+VBE2+RE(IE2) De donde:
De donde: VCE2 = VCC – RE(IE2)
IC2 = (VBB – 2VBE) / [RB/β1+RE] VCE2 = 12V – 100Ω(8.54mA)
IC2 = (4.3V – 2(0.7V)) / [35.89kΩ/150+100Ω] VCE2 = 11.146V
IC2 = 8.54mA VCE1 = VCE2+VBE2
IC1 = IB2 = IC2/β2 = 8.54mA/50 VCE1 = 11.146V+0.7V
IC1 = 0.17mA VCE1 = = 11.846V

- Análisis de CA
Parámetros π

gm1 = 40(IC1)
gm1 = 40(0.17mA)
gm1 = 6.8mƱ

gm2 = 40(IC2)
gm2 = 40(8.54mA)
gm2 = 341.6mƱ

rπ1 = β1 / gm1
rπ1 = 150 / 6.8mƱ
rπ1 = 22.058kΩ

rπ2 = β2/gm2
rπ2 = 50/341.6mƱ
rπ2 = 146.37Ω

Ganancia de voltaje: ΔV = (Vs/Vπ2)(Vπ2/Vπ1)(Vπ1/Ve)

ΔV = 34.16(1)(0.0277)
ΔV = Vs/Ve ΔV = 0.94
 Vπ2/Vπ1 = gm1(rπ2)
De la etapa de salida: Vπ2/Vπ1 = 6.8mƱ(146.37Ω)
Vs = RE(ic2) Vπ2/Vπ1 = 0.99 = 1
Vs = RE(gm2)(Vπ2)
Vs/Vπ2 = RE(gm2) De la etapa de entrada
Vs/Vπ2 = 100Ω(341.6mƱ) Ve = ib1(rπ1+rπ2β1+REβ1β2)
Vs/Vπ2 = 34.16 Ve = Vπ1/rπ1 (rπ1+rπ2β1+REβ1β2)
Vπ1/Ve = rπ1/(rπ1+rπ2β1+REβ1β2)
Vπ1/Ve = 22.058kΩ
De la etapa intermedia: /(22.058kΩ+21.95kΩ+750kΩ)
ic1 = ib2 Vπ1/Ve = 0.0277
gm1(Vπ1) = Vπ2/rπ2
Vπ2/Vπ1 = gm1(rπ2)

- Análisis de CD

Los valores de VBB y RB quedan igual que para el circuito anterior. Y el circuito equivalente de CD
queda de la siguiente manera:
De la malla 1 VCE2 = 12V – 0.533mA(220Ω) –
VBB1 = RB1(IB1)+VBE1+VBE2+RE(IE2) 27.67mA(220Ω+100Ω)
IE2 = β1β2(IB1) VCE2 = 3.028V
IE2 = IC2 = (VBB – 2VBE) / [(RB/β1β2)+RE]
IC2 = (4.3V – 1.4V) / [(35.89KΩ / VC2 = VCC – (IC1+IC2)RC
150*50)+100Ω] VC2 = 12V – (0.553mA+27.67)220Ω
IC2 = 27.67mA VC2 = 5.79V

IC1 = IC2/β2 VE1 = RE(IC2)

IC1 = 27.67mA/50 VE1 = 100Ω(27.67)
IC1 = 0.553mA VE1 = 2.767V

De la malla 2 VCE1 = VC2 – VE1

VCC = RC(IC)+VCE2+RE2(IC2) VCE1 = 5.79V – 2.767V
VCE2 = VCC – IC1(RC) – IC2(RC+RE2) VCE1 = 3.023V
Parámetros π

gm1 = 40(IC1)
gm1 =
40(0.553mA)
gm1 = 22.12mƱ

gm2 = 40(IC2)
gm2 =
40(27.67mA)
gm2 = 1106mƱ

rπ1 = β1 / gm1
rπ1 = 150 / 22.1mƱ
rπ1 = 6.78kΩ

rπ2 = β2/gm2
rπ2 = 50/341.6mƱ
rπ2 = 45.17Ω
Ganancia de voltaje:
ΔV = Vs/Ve
ΔV = (Vs/Vπ2)(Vπ2/Vπ1)(Vπ1/Ve)
ΔV = –112.812(0.5)
ΔV = –56.42
De la etapa de salida:
Vs = –RE(ic2+ic1)
Vs = –RE(gm1+gm2) Vπ2; Vπ1 = Vπ2
Vs/Vπ2 = –RE(gm1+gm2)
Vs/Vπ2 = –100Ω(22.12mƱ +1106mƱ)
Realizar la simulación de los circuitos
Vs/Vπ2 = –112.812
De la etapa intermedia:
Vπ2/Vπ1 = 1 (característica de un amplificador
Darlington)
De la etapa de entrada
Ve = ib1(rπ1+rπ2β1)
Ve = Vπ1/rπ1 (rπ1+rπ2β1)
Vπ1/Ve = rπ1/(rπ1+rπ2β1)
Vπ1/Ve = 6.78kΩ /(6.78kΩ+45.17Ω*150)
Vπ1/Ve = 0.50