Apuntes JLD-v2-RECOMENDADO

C APÍTULO 1
I NTRODUCCIÓN A LA A LTA T ENSIÓN
S ECCIÓN 1.1
Técnicas en alta tensión
Definición clásica
“A la técnica de alta tensión, pertenecen todos los fenómenos relacionados con altas
intensidades del campo eléctrico, y con los materiales aislantes que lo sustentan, en sus
aplicaciones en sistemas eléctrico”[?].
Campos de aplicación
- Sistemas y aparatos eléctricos: estudios, diseños y ensayos.
- Materiales dieléctricos: investigación y aplicación.
- Sistemas electromagnéticos de alta sensibilidad: precipitación electrostática, com-

patibilidad electromagnética.
S ECCIÓN 1.2
Fundamentos de la técnica de alta tensión
Fuente teórica:
Modelos dieléctricos
Estructura físico-química de materiales
Fenómenos de rigidez dieléctrica
Fuente experimental:
Medición de parámetros dieléctricos

Estudios de tolerancia al campo eléctrico
Estudios de tolerancia al potencial eléctrico
Estudio de envejecimiento y vida útil
0
C APÍTULO 1
I NTRODUCCIÓN A LA A LTA T ENSIÓN
S ECCIÓN 1.1
Técnicas en alta tensión
Definición clásica
“A la técnica de alta tensión, pertenecen todos los fenómenos relacionados con altas
intensidades del campo eléctrico, y con los materiales aislantes que lo sustentan, en sus
aplicaciones en sistemas eléctrico”[?].
Campos de aplicación
- Sistemas y aparatos eléctricos: estudios, diseños y ensayos.
- Materiales dieléctricos: investigación y aplicación.
- Sistemas electromagnéticos de alta sensibilidad: precipitación electrostática, com-

patibilidad electromagnética.
S ECCIÓN 1.2
Fundamentos de la técnica de alta tensión
Fuente teórica:
Modelos dieléctricos
Estructura físico-química de materiales
Fenómenos de rigidez dieléctrica
Fuente experimental:
Medición de parámetros dieléctricos

Estudios de tolerancia al campo eléctrico
Estudios de tolerancia al potencial eléctrico
Estudio de envejecimiento y vida útil
0
1.3. TIPOS DE SOLICITACIÓN ELÉCTRICA SOBRE UN AISLAMIENTO 1
S ECCIÓN 1.3
Tipos de solicitación eléctrica sobre un aislamiento
Figura 1.1: Solicitaciones eléctricas sobre un material
Se llama sistema de aislación a la configuración de electrodos y materiales dieléctricos

destinados a sustentar, para un fin determinado, cierto nivel de solicitación eléctrica.
Para el estudio de las aislaciones se debe distinguir entre la solicitación eléctrica global
que se aplica e a un sistema de aislación y la solicitación interna que afecta a la estructura
cristalina de las componentes.
1. Solicitación de tensión: Es la aplicación de un potencial eléctrico a un sistema de

aislación. Los ensayos y criterios de instalación de los equipos de alta tensión, son
referidos a solicitaciones de tensión.
2. Solicitación de campo: Es el efecto, que sobre un volumen microscópico de mate-

rial, origina la aplicación de una solicitación de tensión en el sistema. El diseño de
las aislaciones se refiere a solicitaciones de campo.
1.3.1. Solicitación de tensión

Para que un sistema sustente con éxito una solicitación de tensión, es necesario
que cada microvolumen de sus componentes participe adecuadamente en el trabajo
dieléctrico.
La solicitación de tensión suele también recibir algunas de las siguientes denominacio-

nes:
a) Tensión de servicio: es la tensión nominal del sistema eléctrico, al cual se incorpora

un determinado sistema de aislamiento. Ejemplo: 13,2 kV, 13,8 kV.
b) Tensión crítica de servicio: es la máxima variación sostenida de la tensión de ser-

vicio. Ejemplo: regulación de tensión ±10 %.
c) Clase de aislación: es la tensión que caracteriza los ensayos de un sistema aislante

y lo determina para incorporarse a una instalación de alta tensión. Ejemplo: clase
12 kV, clase 17,5 kV, clase 115 kV.
T ÉCNICAS DE A LTA T ENSIÓN USM —

Al definir la clase se fija una serie de parámetros que la aislación debe cumplir:
Máxima tensión alterna de corta duración (minutos)
Máxima tensión continua de corta duración (minutos)
Máxima tensión de impulso de breve duración (milisegundos)

Las tensiones de clase definidas según la comisión eléctrica internacional (IEC) son:
Serie I (internacional): 3,6 - 7,2-12 - 17,5 - 24 - 36 - 48,3 - 52 - 72,5 [kV]
Serie II (USA y Canadá): 4,76 - 8,25 - 15 - 15,5 - 25,8 - 38 - 48,3 - 72,5 [kV]
1.3.2. Solicitación de campo eléctrico

Se denomina intensidad de Campo Eléctrico a la solicitación que afecta a cada
volumen microscópico de material dieléctrico. Se mide en V/m o kV/cm, y su símbolo es
E. La solicitación depende del voltaje aplicado y de la geometría de los electrodos.
Cada material se caracteriza por un valor límite de tolerancia a la solicitación de campo,
denominada Rigidez Dieléctrica, cuyo símbolo es ED .
Para el análisis de solicitación de campo eléctrico, influye la configuración geométrica

utilizada (forma y ubicación de electrodos). Las configuraciones geométricas mas frecuen-
tes en los equipos eléctricos son las siguientes :
1. Condensador de placas paralelas Es la configuración que menos solicitación
interna provoca en el material. Se la considera como referencia para calcular todas
las demás solicitaciones en otras geometrías.
Figura 1.2: Condensador de placas paralelas
Se denomina campo homogéneo a esta configuración, pues todos los puntos del die-
léctrico poseen idéntica solicitación. Esto es estrictamente cierto sólo si las placas
tienen superficie infinita.
U
E= [kV/cm] (1.1)
d
El campo tiene orientación desde la placa energizada hacia la placa aterrizada.

2. Condensador cilíndrico coaxial

U
E= [kV/cm] (1.2)
r ln R
Ri
e
La orientación del campo es desde el cilindro interno energizado, hacia el cilindro

externo aterrizado.
En este caso, la solicitación interna no es homogénea, pues como se observa en la

fórmula, E depende de la distancia al eje, “r”, a la que se encuentre el microvolu-
men. Se habla entonces de un Campo in-Homogéneo.
ES
Figura 1.3: Condensador cilíndrico coaxial
La máxima intensidad de campo ocurre cuando r es mínima, o sea para r = Ri y su

valor es:
U
Emax = [kV/cm] (1.3)
Ri ln R
Ri
e
Se dice que el campo eléctrico se concentra en la cercanía del cilindro interior.

Ejemplo 1.1. Un material cuya rigidez dieléctrica es ED = 60kV /cm se somete a prueba:
a) Entre dos placas separadas 1,5cm
b) Entre dos cilindros coaxiales con diámetros 2 y 5cm respectivamente.
Calcular los potenciales de ruptura en cada caso.
a) Campo homogéneo
UD = ED d = 60 · 1.5 = 90[kV /cm]
b) Campo cilíndrico
Re
UD = ED Ri ln = 60 ln(2.5) = 55[kV /cm]
Ri
Análisis:
El espesor del dieléctrico es es el mismo es el mismo en los dos casos. Sin embargo en la
solicitación in-homogénea, el material soporta solo el 61 % de del caso homogéneo.
Para la geometría indicada, se dice que el campo cilíndrico tiene un 61 % de rendi-

miento, tomando como referencia el campo homogéneo al cual se le asignó un 100 % de
rendimiento.

1.4. ESFUERZOS TRANSVERSALES Y LONGITUDINALES 4
S ECCIÓN 1.4
Esfuerzos transversales y longitudinales
En los dos ejemplos del punto anterior, el material es solicitado internamente por el
campo eléctrico en forma transversal, es decir el campo atraviesa todo el material.
Existen aplicaciones dieléctricas en que la solicitación de campo es de tipo longitudinal,
es decir a lo largo de una frontera entre dos materiales.
La importancia de estas configuraciones radica en que las fronteras dieléctricas tienen una
tolerancia muy restringida al campo eléctrico, es decir baja rigidez longitudinal. Ello se
complica más aun con los fenómenos de contaminación que analizaremos posteriormente.
Figura 1.4: Solicitación longitudinal
Nota:
La dirección que tendría el campo eléctrico coincide con cada punto de la frontera física
del electrodo.
S ECCIÓN 1.5
Esfuerzo localizado en microvolumen
Se denomina descarga parcial a una descarga de baja energía, localizada en un

volumen incremental del espacio de campo, que no compromete al volumen global. Es un
mecanismo de envejecimiento del material, afecta en el largo plazo.
Estas descargas se originan cuando se sobrepasa en algún punto cierto nivel de

intensidad de campo, llamado intensidad de iniciación de descargas parciales, Ei .
Puntos sensibles para la generación de descargas parciales son:
Cercanía de electrodos muy agudos (efectos de punta)
Inclusiones de gas en dieléctricos sólidos o líquidos
Superficies aislantes contaminadas.

1.6. RANGOS DE SOLICITACIÓN DE TENSIÓN 5
Figura 1.5: Descarga parcial interna
En general estas descargas ocurren en microvolúmenes de gas.
Se presentan como pulsos de corta duración ⇠100ns y se caracterizan por los siguien-
tes parámetros:
Tensión de iniciación Ui , que es la amplitud de la tensión aplicada, para la cual se

manifiestan las primeras descargas.
Carga eléctrica Q trasferida en la descarga y que se manifiesta también en los termi-

nales de medición.
Energía o potencia envuelta en el proceso.
Nota:
Las aislaciones sólidas son especialmente sensibles a las descargas parciales internas. Su
efecto es un deterioro progresivo, que tarde o temprano termina en una ruptura dieléctrica
total del material.
S ECCIÓN 1.6
Rangos de solicitación de tensión
Clase eléctrica Rang, kVLL rms

Baja tensión V 1
Alta tensión media 1 < V  70
Alta tensión 110 < V  230
Extra alta tensión 275 < V  800
Ultra alta tensión 1000 V
Tabla 1.1: Clasificación de los niveles de tensión

1.7. VALORES CARACTERÍSTICOS DE LOS PARÁMETROS DE DISEÑO EN EQUIPOS DE
ALTA TENSIÓN 6
Esfuerzo de Esfuerzo de Esfuerzo Complejidad Grado de

Equipo operación diseño Mecánico relativa del automa-
kVef /cm kVmax /cm relativo aislamiento tización
Generadores 25 130 1,0 1,0 0,2
Transformadores 15 115 1,0 0,9 0,3
S/E en SF6 40 180 0,2 0,3 < 0.1
Condensadores 600-1000 2000-3000 0,1 0,2 0,8
Cables 150-2000 – 0,5 0,2 1
Tabla 1.2: Parámetros característicos
Figura 1.6: Solicitación de tensión en sistemas trifásicos de alta tensión
La Figura 1.6 muestra los rangos de amplitud y duración de solicitaciones de tensión

en sistemas eléctricos trifásicos. Donde:
Vmax
Vs = p V [pu] (1.4)
2 pN3
S ECCIÓN 1.7
Valores característicos de los parámetros de diseño en
equipos de alta tensión
Los parámetros a considerar en el diseño de equipos de alta tensión se resumen y

ejemplifican en la Tabla 1.2 según [?].
1.7.1. El desafío del diseño en la técnica de alta tensión

El esquema de la Figura 1.7 ilustra la interrelación de los diversos aspectos a conside-
rar en el diseño y operación de los sistemas de aislamiento.

1.8. CONCEPTOS DE ELECTROSTÁTICA 7
Figura 1.7: Esquema de diseño
Consecuencias:
Necesidad de laboratorios
Necesidad de personal calificado
Necesidad de investigación aplicada
S ECCIÓN 1.8
Conceptos de electrostática
1.8.1. Intensidad de campo eléctrico

Concepto relativo a la fuerza electrostática ejercida sobre una partícula cargada ubica-
da en un espacio de influencia electrostática.
! !
F = qE [N] (1.5)
!
Con q en C y E en V/m.
1.8.2. Densidad de flujo

Es la especificación de la intensidad de campo para un medio específico de permitivi-
dad ".
! !
D = "0 "r E [C/m2 ] (1.6)
"r : Mide la capacidad relativa de un medio para asumir carga eléctrica
"0 : La permitividad del medio vacío ( 8, 859 F/cm )
1.8.3. Ecuación de campo

En un medio sin carga espacial se le denomina ecuación de Laplace:
r2 =0 (1.7)
Mientras que en un medio con carga espacial media ⇢s se le conoce como ecuación de
Poisson:
⇢s
r2 + =0 (1.8)
"

1.8. CONCEPTOS DE ELECTROSTÁTICA 8
1.8.4. Formas de distribución de campo

1. Distribución de campo homogénea:
Igual intensidad de campo en todo el espacio.
2. Distribución de campo in-homogénea:

La intensidad de campo cambia de un punto a otro.
En un campo Laplaciano no homogéneo, el valor máximo de intensidad de campo |Ê|

está referido a la geometria.
|Ê|: electrodo de mayor curvatura
|Ě|: electrodo de menor curvatura
Entre estos valores extremos existe un rango de intensidades intermedias calificadas

fundamentalmente por la geometría del sistema de electrodos.
La condición homogénea de un campo es una situación ideal. Las geometrías prácticas

califican más bien como cuasi-homogéneos, como el caso del campo esférico externo con
distancia de electrodos inferior al diámetro de las esferas.
Un campo fuertemente in-homogéneo sostiene actividad corona importante.
1.8.5. Métodos de cálculo del campo eléctrico

1. Solución cerrada de la ecuación de Laplace:
Configuraciones más frecuentes: cilindro superficie, cilindros paralelos, esferas de
igual diámetro, placas paralelas de canto redondeado, cilindros coaxiales, esferas
concéntricas.
2. Transformaciones matemáticas de la ecuación de Laplace:
Representación conforme
Representación poligonal
Cambio de coordenadas
3. Aproximación numérica:
Diferencias finitas, elementos finitos, Monte Carlo, momentos, imágenes, simulación
de carga, simulación de carga superficial.
1.8.6. Métodos prácticos de diseño

En la mayor parte de los casos prácticos, el diseño del aislamiento consiste en
dimensionar el espesor mínimo suficiente para soportar la máxima solicitación, es decir,
la especificada para el punto crítico.
En consecuencia, el interés inicial del ingeniero se centra en conocer el valor de |Ê|,

para lo cual se ayuda de datos teórico-experimentales acumulados por la experiencia. Una
manera de cuantificar este valor es a través del factor de campo (ver Anexo ??)

1.9. ESTRUCTURA MICROSCÓPICA DE LOS MATERIALES AISLANTES 9
S ECCIÓN 1.9
Estructura microscópica de los materiales aislantes
Un material aislante sometido a una diferencia de potencial, puede considerarse como

un conjunto de partículas eléctricamente cargadas.
Estas cargas pueden ser de dos tipos:
Cargas libres (positivas o negativas)
Cargas asociadas, llamadas dipolos
Las cargas libres son las responsables de la circulación de la corriente eléctrica.

Pueden ser electrones (con carga negativa) o iones (de carga positiva o negativa según
sea el material).
Las cargas asociadas consisten en pares de cargas de distinto signo, que se mantie-
nen separadas por la estructura de la materia, sin neutralizarse entre si. Se les denomina
dipolos.
(a) Sin solicitación (relajado) (b) Solicitado en tensión
Figura 1.8: Material aislante (condensador de placas paralelas)
Las cargas eléctricas libres se desplazan hacia las placas y los dipolos giran, orientán-
dose según la solicitación del voltaje aplicado.
1.9.1. Equilibrio energético

Entre las partículas que se desplazan y los dipolos que giran para su orientación final,
se acumula un trabajo, que debe ser igual a la energía eléctrica aportada por la fuente de
potencial aplicado al condensador.
En este estado de equilibrio, se dice que el material está polarizado. Un material con esta
propiedad es llamado dieléctrico, y se diferencia de los conductores por su capacidad de
mantener cargas polarizadas.
El fenómeno de polarización es reversible. Al retirar la fuente de potencial y cortocircuitar
el condensador los dipolos se relajan.
1.9.2. Cargas elementales

De acuerdo a la teoría atómica, la carga dieléctrica elemental es el electrón, que
corresponde a una partícula de masa muy pequeña (9, 1 · 10 31 kg) y carga negativa de

1.10. DE LOS MATERIALES DE LA TÉCNICA DE ALTA TENSIÓN 10
1.62 · 10 19 C.
Los electrones forman órbitas alrededor del núcleo atómico, que está formado por
protones, de carga positiva, y neutrones que no tienen carga neta. La masa de un protón
es 1, 67 · 10 27 kg, es decir mil veces la de un electrón.
Figura 1.9: Modelo atómico de Bohr
En un material no energizado, la carga electrónica total está en equilibrio con la carga

del núcleo. Si una molécula pierde electrones, queda con una carga neta positiva y se le
denomina ion positivo. Si captura electrones se constituirá en un ion negativo.
1.9.3. Estructuras cristalinas

Los materiales dieléctricos pueden ser sólidos, líquidos o gaseosos. La diferencia fun-
damental entre ellos es la densidad de su estructura cristalina. Se denomina así a los
enlaces que existen entre las moléculas, que forman verdaderas paredes que dificultan la
libre circulación de las cargas y la rotación de los dipolos.
Material Estructura Consecuencia

cristalina
Sólido densa Estabilidad eléctrica
Aislamiento térmico
Líquido débil Inestabilidad eléctrica
Refrigerante
Gas inexistente Ionizables
S ECCIÓN 1.10
De los materiales de la técnica de alta tensión
1.10.1. Gases
Naturales: H2 , N2 , aire, Ne, He, Cl
Sintéticos: CCl4 , SO2 , SF6
Características fundamentales:
Auto regenerativos ante descargas
Características de rigidez dieléctrica controlables por presión y temperatura.

1.10. DE LOS MATERIALES DE LA TÉCNICA DE ALTA TENSIÓN 11
Mezclables
Permitividad unitaria Er -1
-
Factor de pérdidas < 10 5
Baja capacidad de absorción térmica
1.10.2. Líquidos
Derivados del petróleo: aceite de transformadores y cables
Sintéticos: clorodifenilos, clorobencenos, siliconas
Alto grado de regeneración ante descargas
Alta capacidad de absorción y transferencia térmica
Sensibles a contaminación y degradación
Permitividades < 2, 5 para derivados del petróleo y entre 2 y 100 para los sintéticos
Factor de pérdidas > 10 3
1.10.3. Sólidos
Inorgánicos: vidrio, cerámicas, mica
Orgánicos: resinas naturales (colofón, laca); resinas sintéticas policondensadas (poliester,

nylon); resinas poliaditivas (epoxicas); polímeros (PE, teflón, PVC).
Trabajan inmersos en medios gaseosos o líquidos
Elevada rigidez dieléctrica transversal
Baja rigidez dieléctrica de frontera (fenómenos de campo)
Baja capacidad de auto regeneración
Baja capacidad de transferencia térmica
Deterioro microscópico: térmico, mecánico, eléctrico, ambiental
2 < "r < 10. . .
Factor de pérdidas > 10 3

1.11. ESTRUCTURAS TÍPICAS EN LOS SISTEMAS DE AISLAMIENTO 12
S ECCIÓN 1.11
Estructuras típicas en los sistemas de aislamiento
Estructura sólido - gas:

Soporte y suspensión de elementos conductores.
Problema básico: manejo de frontera sólido - gas
Estructura en gas:
Distancias aislantes entre elementos conductores.
Problema básico: rigidez transversal del gas (sello y pureza)
Estratificaciones impregnadas en líquido:

Sistemas eléctricos sujetos a solicitaciones térmicas.
Problema básico: estabilidad del impregnante y calidad de transferencia térmica
Otras:
Sólidos en solicitación transversal
Gases contaminados en solicitación transversal.

C APÍTULO 2
T EORÍA DIELÉCTRICA FUNDAMENTAL
S ECCIÓN 2.1
Modelo dieléctrico macroscópico
Externamente, un material puede modelarse en términos de cargas eléctricas distribui-

das en volúmenes unitarios medios.
2.1.1. Densidad de carga espacial
⇢ = ⇢c + ⇢p [C/m3 ] (2.1)
⇢c se relaciona con cargas libres o de conducción, mientras que ⇢p corresponde a cargas
asociadas o dipolos. La existencia de ⇢p se sustenta en una estructura cristalina.
2.1.2. Desplazamiento de carga

El trabajo que afecta al material en el campo eléctrico se sustenta por:
Desplazamiento local de cargas libres en el volumen dieléctrico
Rotación dipolar en el medio cristalino
Una medida de este trabajo es el vector desplazamiento:
! ! ! ! !
D = "0 E + P = "0 · "r E = "0 E (1 + ) [C/m2 ] (2.2)
= "r 1 [ ]
Luego:
! !
P = "0 · E [C/m2 ]
En estas ecuaciones:
!
D : Vector desplazamiento de carga C/m2
"0 : Permitividad del medio vacío (8, 85 · 10 12 F/m)
!
P : Polarización dieléctrica C/m2
: Susceptibilidad dipolar
En resumen, un dieléctrico puede analizarse como la superposición de un medio vacío,
de permitividad relativa unitaria, y de un medio que mantiene las mol, de permitividad
relativa equivalente .
13
2.1. MODELO DIELÉCTRICO MACROSCÓPICO 14
2.1.3. Densidad de corriente galvánica

Junto al desplazamiento dieléctrico, los materiales aislantes presentan cierto grado
de conducción galvánica volumétrica y superficial que se cuantifica por la densidad de
corriente de conducción, en un proceso disipativo irreversible.
! !
Jc = E [A/m2 ] (2.3)
: Conductividad [S/m] (< 10 10 )
2.1.4. Corriente de desplazamiento

Externamente, el trabajo dieléctrico de sustentación del campo solicitante se manifies-
ta como una corriente, cuya densidad es:
! !
! dD dE
Jd = ="· [A/m2 ] (2.4)
dt dt
2.1.5. Densidad de corriente circuital

Asumiendo un comportamiento isotrópíco de los medios dieléctricos, podemos asumir
que todo su trabajo interno se refleja en una corriente circulatoria originada en la fuente
solicitante, cuya densidad global es:
!
! ! ! ! dE
J = Jc + Jd = E + " · [A/m2 ] (2.5)
dt
Esta corriente está sujeta a la ley de acumulación finita de carga:

! ! ⇥ ⇤
r( J c + Jd ) = 0 A/m3 (2.6)
2.1.6. Refracción en fronteras dieléctricas ideales

Los vectores de campo eléctrico y desplazamiento de carga tienen idéntica refracción
en fronteras de medios isotrópicos ideales.
Figura 2.1: Ejemplo de refracción de campo eléctrico
!
r· D =0 ) Dn1 = Dn2 (2.7)
!
r⇥ E =0 ) Et1 = Et2 (2.8)

2.2. RESPUESTA DIELÉCTRICA A SOLICITACIÓN ESCALÓN 15
tan ↵1 "1
= (2.9)
tan ↵2 "2
2.1.7. Refracción en fronteras dieléctricas no ideales

Si la conductividad de los medios no es despreciable y siendo:
! ⇥ ⇤
rJ = 0 A/m3
!!
! dD ⇥ ⇤
r· E+ = 0 A/m3
dt
!
dD
( 6= 0) ) 6= 0
dt
Esto implica una acumulación temporal de carga en la frontera dieléctrica de dos
medios con permitividad diferente.
Este fenómeno se conoce como polarización interfacial transitoria, que afecta a los
dieléctricos compuestos o inhomogéneos no ideales.
S ECCIÓN 2.2
Respuesta dieléctrica a solicitación escalón
2.2.1. Modelo fundamental

Condensador con dieléctrico homogéneo, no ideal.
Figura 2.2: Modelo ante solicitación escalón
R: Resistencia de aislación, variable con la temperatura f ( )
"o : Permitividad del medio vacío
"o : Permitividad del medio cristalino a interfacial
iR : Corriente de conducción galvánica
ic : Corriente de carga capacitiva
ia : Corriente de absorción

2.2.2. Corriente de conducción (galvánica)
u(t)
iR = (2.10)
R
Usualmente R es un valor constante en el tiempo, pero dependiente de la temperatura,
según la ley:
· ⌫ = cte (2.11)
⌫ = ⌫o e k✓ , conductividad del material
= ek✓ , conductividad del material
R⇡e k✓ , Resistencia de aislación
Usualmente u se expresa en kV, R en M⌦ e iR en µA.
2.2.3. Corriente de carga (capacitiva)
u
ic = e t/Re Co
(2.12)
R
Re : Resistencia del circuito exterior
Co : Capacidad equivalente con medio vacío
La constante de tiempo de esta función está en el rango de los segundos.
2.2.4. Corriente de absorción
ia = uCkt n
(2.13)
C: Capacidad del medio dieléctrico
k: Constante de proporcionalidad
n: Factor de decaimiento
La presencia de la corriente de absorción está en el rango de los minutos.
2.2.5. Circuitos de medición de la respuesta de absorción

Considerando que la corriente de carga capacitiva decae en pocos segundos, se suele
denominar “respuesta de absorción” a la corriente medida en el ensayo de escalón, según
alguno de los siguientes circuitos.
Para ambos circuitos:
U : Fuente ideal 500(2500)V, polaridad negativa (o ambas)
Ri : Resistencia equivalente (instrumento)
G: Hilos de guardia

(a) En baja tensión (b) En alta tensión
Figura 2.3: Circuitos de medición de absorción
El circuito de medición en baja tensión tiene la ventaja de no necesitar aislación es-

pecial del elemento de medida, pero la desventaja de ser sensible al ruido. Mientras que
el circuito de medición en alta tensión cuenta con la ventaja de poseer mayor sensibili-
dad, sin embargo requiere aislación especial del instrumento de medida, lo que es una
desventaja.
2.2.6. Análisis del ensayo de respuesta a escalón (absorción)

De los datos de ensayos se obtiene los siguientes parámetros de análisis:
Corriente de conducción: IR
Corriente de conducción reducida: (IR )
Corriente de absorción: Ia
Corriente de absorción reducida: (Ia )
Resistencia de aislación
Índice de polarización
Índice de absorción (llamado N en norma IEEE-95)
Constante de secado
2.2.6.1. Corriente de conducción
Es el valor asintótico de la función i(t), para t ! 1. Se puede extrapolar según la

ecuación:
I(10 )I(100 ) I 2 (3.160 )
IR = [µA] (2.14)
I(10 ) + I(100 ) 2I(3.160 )
Donde I(t) es el valor de la corriente total medida en el tiempo t.
Luego,será de interés medir I(t) en un rango de a lo menos 10 minutos, con especial

observación de los instantes 1 - 3,16 - 10 minutos. Este valor al ser restado de i(t), permite
determinar la corriente de absorción para t > 10 .

A fin de comparar aislaciones de diferente diseño, se normaliza el valor de la corriente

de conducción en pu, también denominada Corriente de conducción reducida.
IR
(IR ) = [mA/VF] (2.15)
U ·C
Según estándares de empresas generadoras de energía (Chile), se exige como criterio

de control para aislaciones clase B:
(IR ) < 0.15mA/VF
En este procedimiento:
U : es la amplitud del escalón de tensión aplicado en el ensayo.
C: es la capacidad medida a 50Hz, con una solicitación igual al 20 % de la tensión nomi-

nal de la máquina (C0.2 ).
2.2.6.2. Corriente de absorción
Es el valor de la señal de corriente total menos la componente de conducción, evaluada

en un minuto:
IA = I(10 ) IR [µA] (2.16)
El valor de IA , expresado en pu. Corriente de absorción reducida.
IA
(IA ) = [mA/VF] (2.17)
UC
Según estándares de empresas generadoras de energía en Chile, para aislaciones clase

B, rige como criterio de control:
(IA ) < 5mA/VF
2.2.6.3. Resistencia de aislamiento ldd pasa ir)
Más que la resistencia de conducción, se emplea para caracterizar los sistemas de

aislación, la resistencia de aislación, la resistencia de aislación, definida como:
U
Ra = [M⌦] (2.18)
I(10 )
2.2.6.4. Índice de polarización
Es la razón de las corrientes totales, medidas a 10 y a 100 .
I(10 )
I.P. = [ ] (2.19)
I(100 )
Es un buen indicador de estabilización de un sistema de aislación, siendo aceptable

para aislaciones clase B, el rango:
2.5 < I.P.
asno esta humedo .

2.3. RESPUESTA DIELÉCTRICA A SOLICITACIÓN ARMÓNICA 19
2.2.6.5. Índice de absorción
Es la razón de las corrientes de absorción medidas a 10 y a 100 .
IA (10 ) I(10 ) IR
I.A. = = [µA] (2.20)
IA (100 ) I(100 ) IR
Este índice es una medida de la rapidez de decaimiento de los fenómenos de polariza-

ción y sirve de guía para los ensayos de escalones crecientes [?]
2.2.6.6. Constante de tiempo constante de secado .
En los procesos de secado e impregnación de aislaciones secas clase B, es usual realizar

el seguimiento del proceso mediante la constante de secado:
⌧ = RA (10 ) C0,2 [s] (2.21)
El proceso se considera acabado si ⌧ 500s, siempre que RA esté referido a 20°C. Un

criterio usual para evaluar la constante de tiempo es:
1 < ⌧ < 30 Malo

30 < ⌧ < 100 Insuficiente
100 < ⌧ < 500 Aceptable
500 < ⌧ < 1000 Bueno
1000 < ⌧ Muy bueno
Tabla 2.1: Valores para aislamiento mica-resina
S ECCIÓN 2.3
Respuesta dieléctrica a solicitación armónica
2.3.1. Solicitación sinusoidal

Es una señal de frecuencia industrial (f = 50 60Hz), generada a partir de un circuito
de laboratorio, y que corresponde aproximadamente a la función sinusoidal:
v(t) = Vmax sen(!t) (2.22)
Donde:
Vmax : Amplitud en kV
!: frecuencia angular 2⇡f , rad/s
Para fines prácticos se define su “valor efectivo aparente”:
Vmax
Vef = p = 0.707Vmax (2.23)
2

v(t)
V
max
π 2π
ωt
Figura 2.4: Forma de onda sinusoidal
2.3.2. Histéresis dieléctrica y permitividad media
(a) Dieléctrico ideal (lineal) (b) Dieléctrico no ideal
Figura 2.5: Dieléctricos en solicitación alterna
La permitividad media se define como:
Dmax
"= [C/Vm] (2.24)
Emax
Como consecuencia de lo anterior se tiene que:
" depende de la solicitación
el ciclo tiene densidad de pérdidas proporciona a su area.
2.3.3. Permitividad dieléctrica compleja

Función de campo armónico simple:
!
E (t) = Emax sen(! + ') [V/m] (2.25)

Densidad de corriente total:
! !
! ! d D (t) ! "d E (t) ⇥ ⇤
J T (t) = E (t) + = E (t) + A/m2 (2.26)
dt dt
y en nomenclatura fasorial:
⇣ ⌘ ⇥ ⇤
JT (t) = E + j!"E = j!E " j A/m2 (2.27)
!
Sea:
"
"0 = = "r
"o
"00 =
!"o
Entonces se define la permitividad compleja:
" = "o ("0 j"00 ) [C/Vm] (2.28)

y la corriente total compleja:
⇥ ⇤
JT = j!"E A/m2 (2.29)
2.3.4. Potencia compleja en un dieléctrico real
Figura 2.6: Condensador de placas paralelas
En un condensador homogéneo con capacidad C0 = "o A/d y para un contenido die-

léctrico de permitividad ", la corriente total en el medio es:
! !
I = J T · A [A]
U
= j! "o ("0 j"00 )A [A] (2.30)
d
= j!C0 U ("0 j"00 ) [A]
Entonces la potencia dieléctrica es:
Q = ={I U ⇤ } = |U |2 C0 !"0 [VAr] (2.31)
y la potencia de disipación es:
P = <{I U ⇤ } = |U |2 C0 !"00 [W] (2.32)

(a) Modelo paralelo
(b) Modelo serie
Figura 2.7: Circuito equivalente de un dieléctrico en corriente alterna con su respectivo diagrama fasorial
2.3.5. Factor de pérdidas (concepto físico)

Físicamente se denomina factor de pérdidas, al porcentaje de la potencia dieléctrica
que representa la disipación interna.
=P resistividad
¿
:
P "00
FP = = 0 = 100 % [ ] (2.33)
Q " !"
2.3.6. Modelos dieléctricos para excitación armónica -
Los modelos de la Figura 2.7 representan con buena aproximación el comportamiento

de un dieléctrico sometido a una solicitación sinusoidal.
Cp y Cs representan en el circuito respectivo la capacidad del material, es decir, sus

propiedades dieléctricas, mientras que Rp y Rs representan la resistencia eléctrica del
material, es decir, sus perdidas de conducción.
El ángulo entre la tensión U y la corriente total I es llamado ángulo de potencia y se

denomina '. El coseno de este ángulo es conocido como factor de potencia del circuito.
En materiales aislantes este ángulo es cercano a 90° y por lo tanto cos ' ⇡ 0.
El ángulo agudo del triángulo de corrientes en el circuito paralelo, o del triángulo de

tensiones en el circuito serie, denominado , es conocido como ángulo de pérdidas y en
las aislaciones de buena calidad es < 1.

Figura 2.8: Medición de tan por puente de pérdidas (modelo Doble MU).
La tangente del ángulo de pérdidas se conoce como factor de pérdidas:
tan = Factor de pérdidas [ ] (2.34)
El factor de pérdidas es una excelente medida de la calidad de una aislación y existe

una amplia experiencia para interpretar su significado. Por ello se ha constituido en una
medida normalizada para calificar el estado de una aislación y como parámetro predictivo
de su vida útil.
La medición del factor de pérdidas se puede realizar en forma directa midiendo las
pérdidas del circuito y la potencia total que absorbe. el circuito .
Pperdidas
tan ⇡ sen = [ ] (2.35)
Stotal
Una forma más precisa de medición es mediante un puente de pérdidas, que compara
el circuito dieléctrico sometido a ensayo, con un condensador ideal (de gas a presión),
que no tiene pérdidas.
El sistema de puente permite además una medición muy exacta de la capacidad de la

probeta. El valor de capacidad y tan se leen directamente cuando el puente está equili-
brado.

C APÍTULO 3
F UNDAMENTOS TEÓRICOS DE LA RUP-

TURA DIELÉCTRICA
S ECCIÓN 3.1
Ruptura microscópica por descargas parciales
Se denomina descarga parcial a una descarga de baja energía,localizada en un

microvolumen del material, que no compromete el espacio dieléctrico existente entre los
electrodos. Cuando éstos se someten a una solicitación de voltaje.
Se ha comprobado que la existencia de descargas parciales (DP) en un sistema de

aislación está en directa relación con el acortamiento de su vida útil.
Toda descarga se origina al sobrepasar en algún punto de la aislación, cierto nivel de

esfuerzo de campo, designado por Elmite kV/mm. Puntos sensibles para la ocurrencia de
estos esfuerzos son las vacuolas de gas en dieléctricos sólidos, las burbujas en líquidos, el
entorno de electrodos muy agudos, las grietas entre estratos, etc.
En general, se trata de puntos o regiones cuya permitividad es sensiblemente menor

que la del medio que lo rodea. En tales circunstancias, el esfuerzo en la zona crítica puede
aumentar hasta "r veces en relación al medio que lo rodea.
Muchas veces, las vacuolas tienen su origen en inclusiones de partículas extrañas,

tales como polvo, partículas metálicas, fibras, etc., que se introducen durante el proceso
de manufactura. En estos casos, se provoca una concentración del campo eléctrico en la
zona de la inclusión, que provoca una descarga localizada. De ella se desprenden gases
que a la larga conducen al modelo anterior.
El modelo eléctrico para las DP es el de la Figura 3.1
Cc : Capacidad de la vacuola
Cb : Capacidad del medio sano en serie con la zona de ensayo
Ca : Capacidad del medio sano que rodee la zona de descarga
La existencia de DP en un sistema aislante provoca un doble daño. Por un lado , la

energía asociada a la descarga provoca una erosión localizada en el dieléctrico, que en el
24
3.1. RUPTURA MICROSCÓPICA POR DESCARGAS PARCIALES 25
(a) Físico (b) Circuital
Figura 3.1: Modelo descargas parciales
Cuando
Vsdci citarte > V iniciación
Figura 3.2: Proceso de generación de DP
largo plazo se transforma en un camino de descarga total. Por otra parte, los residuos de
las descargas son elementos activos que atacan física y químicamente el material sano.
3.1.1. Análisis
La Figura 3.2 ilustra el proceso de generación de pulsos cuando la tensión solicitante
supera la tensión de iniciación de DP. En ella:
Va : Tensión aplicada
Vc : Tensión en la vacuola
Ui : Tensión de iniciación
Uf : Tensión residual
V : Escalón de tensión en la ruptura
Mediante instrumentación adecuada se miden los pulsos de corrientes, los que se

traducen a contenido de carga eléctrica QA , medidos en pC.

3.2. RUPTURA MACROSCÓPICA 26
Estos pulsos tienen duración del orden de 10 8 s, y el nivel de carga transferida en

aislaciones sólidas nuevas está en el rango siguiente:
Sistemas de aislación Descarga tipo

Cables aislados con XLPE 5pC
Transformadores en aceite 300pC
Motores y generadores 5000pC
3.1.2. Circuitos de medición de DP
Figura 3.3: Esquema de medición de DP
Al elevar el potencial en la barra de alta tensión del transformador T , se alcanzará

el nivel de solicitación que provoca DP en la probeta P . Los pulsos de corriente de alta
frecuencia que alimentan la descarga circulan por el condensador de acoplamiento Ck ,
provocando una caída de potencial en la impedancia de medición Zk . Esta señal de voltaje
es llevada a un instrumento de medición MDP, que entrega la amplitud máxima de los
pulsos y los sobrepone a una sinusoide de referencia.
La interpretación de un ensayo de DP requiere diversos criterios, como los siguientes:

a) Una aislación nueva debe ceñirse a las especificaciones de norma (existen para ca-
bles y transformadores).
b) Al medir periódicamente DP como criterio de control del envejecimiento, en una

aislación antigua, debe observarse que al incremento de DP sea aproximadamente
homogéneo en todas las fases, y que mantenga cierta gradualidad de crecimiento en
el tiempo.
c) El incremento repentino de las descargas en sólo una fase de la máquina, es signo

de deterioro riesgoso
S ECCIÓN 3.2
Ruptura macroscópica
Se denomina así a las descargas que comprometen la totalidad del espacio de

aislación, constituyendo un arco conductor entre electrodos.
Se debe distinguir dos modalidades de la ruptura total macroscópica:

Figura 3.4: Esquema alternativo de medición de DP
Figura 3.5: Circuito de medición de DP en transformadores
3.2.1. Ruptura dieléctrica transversal

Es aquella en que la descarga atraviesa totalmente el cuerpo aislante, por superación
de la rigidez dieléctrica del material.
Pueden darse dos situaciones:

a) Si el dieléctrico es sólido, la descarga transversal conducirá a la formación de un
canal carbonizado, que inutiliza totalmente el sistema aislante.
b) Si el dieléctrico es líquido o gaseoso y las descargas son controladas por la protección

del sistema, la aislación se ”recupera”, en el sentido que puede reutilizarse previa
limpieza simple del entorno de descarga.
Para la medición de la ruptura transversal de un material se debe tener en cuenta lo
siguiente:
Tipo de electrodos empleados en la solicitación
Cantidad de material aislante que participa en el ensayo
Gradualidad con que se eleva el voltaje solicitante.
(a) En aire (b) En sólido (c) En líquido
Figura 3.7: Descargas transversales

(a) Corona (electrodo Alta tensión) (b) Corona (puntos aterrizados)
(c) Objetos metálicos (d) Mal contacto
(e) DP en frontera papel aceite o burbu- (f) DP superficial en el aceite

jas de gas
(g) Interferencia por disparo de tiristores (h) Interferencia por señales periódicas
Figura 3.6: Oscilogramas de ejemplo para identificación de DP.

Ejemplo 3.1. Ensayo de aceite, rigidez dieléctrica transversal según norma ASTM D877.
Figura 3.8: Ensayo de rigidez dieléctrica en aceite
Condiciones de ensayo:
250 [ml] de aceite
Electrodos de disco 25 [mm] de diámetro.
Separación d=2.5 [mm]
U progresa a 3 [kV/seg]
Temperatura: 10-25 [ºC]

Resultados:
Aceite nuevo: ED = 150 [kV/cm]
Aceite usado: ED = 60 [kV/cm]
Ejemplo 3.2. Rigidez dieléctrica del aire.
Figura 3.9: Ensayo de rigidez dieléctrica en aire
Condiciones de ensayo:
Solicitación continua positiva
Electrodos: esferas 25 [cm]
Temperatura: 20 [ºC]
Presión: 1013 [mbar]
Separación: 250 [mm]
U Progresa a 1 [kV]
Resultado:
ED = 24.5 [kV/cm]

3.3. RUPTURA DE FRONTERAS DIELÉCTRICAS 30
3.2.2. Ruptura dieléctrica longitudinal

Es aquella en que el arco de ruptura no penetra el cuerpo de aislación, sino que
recorre la frontera o perfil del sólido, que está en aire.
En estricto rigor, la falla no se produce en el material sólido, sino en el gas que lo

rodea, por ejemplo aire.
Diversos factores contribuyen a que la rigidez de frontera entre un sólido y un gas sea
baja. Discutiremos esto en la siguiente sección.
Ejemplo 3.3. Platos separados por barra sólida de 15cm de largo.
Figura 3.10: Ruptura dieléctrica longitudinal
La ruptura ocurre “a lo largo” de la frontera.
Para L=15 [cm], bastan 90 [kV] para provocar el arco de frontera.
En aire sólo, se requiere 450 [kV] para ruptura transversal.
En sólido puro, se requiere 4500 [kV] para ruptura transversal.
S ECCIÓN 3.3
Ruptura de fronteras dieléctricas
En la sección anterior se dieron ejemplos de la gran sensibilidad de las fronteras entre

sólidos y gases, cuando son sometidas a solicitaciones de campo eléctrico.
Esta situación es especialmente grave cuando la dirección del campo es paralela a la

superficie del sólido.
Para comprender este fenómeno, es conveniente considerar los siguientes aspectos de

la teoría dieléctrica:
a) El campo eléctrico que toca una frontera entre dos medios dieléctricos, sufre una
”refracción´´, es decir un cambio de dirección, tal como un rayo de luz que penetra
desde el aire en una superficie de agua.
Las leyes físicas que rigen este fenómeno se pueden expresar de la siguiente manera:

3.3. RUPTURA DE FRONTERAS DIELÉCTRICAS 31
1) Si el campo llega perpendicular a la frontera, entonces se cumple:

⇥ ⇤
En1 "1 = En2 "2 C/m2 (3.1)
2) Si el campo es paralelo a la frontera, entonces se cumple:
Et1 = Et2 [V/m] (3.2)
Es decir, no hay diferencias entre la solicitación de campo en cada uno de los medios.
b) Si un campo llega a la superficie con una dirección cualquiera, se podrá descomponer

en dos partes:
1) Una componente perpendicular a la frontera, que operará como “amplificador”

del campo en el dieléctrico con menor permitividad. Por ejemplo una frontera
porcelana-aire, obligará al campo perpendicular en aire a crecer entre 6 a 7
veces por ser "r de la porcelana 6 a 7 veces mayor que "r del aire. Obviamen-
te, tan elevada concentración de campo, provocará descargas localizadas en el
material de menor "r .
2) Una componente paralela a la superficie frontera, cuya intensidad es igual en
el sólido y en el aire. Esta componente actúa como “gatillo”, que une entre
si los diferentes puntos de descarga localizada que originan las componentes
transversales. De este modo no se necesita mucha solicitación longitudinal para
lograr la ruptura.
[a)]
c) Las aislaciones están generalmente operando con cierto grado de contaminación

superficial. Estos materiales contribuyen a aumentar el efecto de ”amplificación“
transversal al deformar el campo eléctrico y concentrarlo en puntos específicos. Si la
contaminación se encuentra en presencia de humedad, entonces el efecto se agudiza,
y la rigidez dieléctrica puede bajar a 2 [kV/cm], o menos.
3.3.1. Forma de los aisladores
(a) Aislador de suspensión (b) Distribución de campo

eléctrico
Figura 3.11: Forma de un aislador
La forma aparentemente caprichosa de los aisladores sólidos en aire, obedece a los

aspectos ya comentados, y que a continuación se resumen:

3.4. CONTAMINACIÓN DE AISLACIONES 32
Se debe “equilibrar” las solicitaciones transversales y longitudinales en la frontera,

de modo que ninguna de ellas exagere su nivel. Ello depende básicamente de la
forma del perfil y de la permitividad del medio sólido.
Se debe alargar la frontera, lo máximo posible, con el mínimo gasto de material. De

esta manera, la contaminación tendrá un efecto menos pernicioso.
Se debe aumentar la zona “protegida” de los aisladores a fin de mantener algunos

puntos libres de contaminación.
Se debe permitir el rápido escurrimiento del agua, ya que bajo condición de lluvia
es necesario evitar la permanencia de la contaminación húmeda sobre la frontera.
S ECCIÓN 3.4
Contaminación de aislaciones
Parámetros Clase de contaminación

AA A B C D E
a)
mgr/cm2
Soporte < 0.01 0,03 0,06 0,12 0,35 > 0.5
Suspensión < 0.01 0,063 0,125 0,25 0,5 > 1.0
b) km
c) - > 50 10-50 3-10 0-3 0-0,5
v>10m/s
c) - > 10 3-10 1-3 0-1 0-0,3
v<10m/s
Area indus- Lejos Cerca Cerca Dentro Dentro Contacto
trial directo
con niebla
marina
Concepto Libre de Insignifi- Leve Moderado Considera- Especial
de contami- cante ble
nación
Distancia 2,0 2,5 3,0 4,5 6
de fuga
mínima re-
comendada
cm/kV
Tabla 3.1: Clasificación de la contaminación en aislaciones
Los diversos ambientes contaminantes se clasifican de acuerdo a los siguientes pará-

metros:

3.4. CONTAMINACIÓN DE AISLACIONES 33
a) Depósito de contaminación salina, equivalente a un depósito de NaCl [mgr/cm2 ].

Para aisladores de soporte, se calcula con la superficie total. Para aisladores de sus-
pensión, con la superficie inferior.
b) Distancia de la costa oceánica, [km].
c) Velocidad del viento, [m/s].
d) Cercanías de áreas industriales.
Según esto se distinguen seis categorías o niveles de contaminación (Tabla 3.1).
Ejemplo 3.4. Se desea determinar la longitud de fuga mínima requerida por un aislador de
soporte de porcelana que operará en un sistema de 13,8 [kV], con factor de sobretensión 1,3
bajo las siguientes condiciones de contaminación.
Salinidad equivalente: 0, 15[mgr/cm2 ]
Vientos de 15 [m/s], a 10 [km] de la costa oceánica inmerso en sector industrial.
Solución:
Tomando las referencias para clasificar la contaminación, se cae en la modalidad

moderada (c), que se calcula con un factor de 3 [cm/kV].
La solicitación fase/tierra es:

13.8
Vf = 1.3 · p = 10.358[kV ]
3
Luego, el camino de fuga mínimo resulta:
Lf = 10.358 · 3 = 31[cm]

C APÍTULO 4
R UPTURA DIELÉCTRICA EN GASES
S ECCIÓN 4.1
Movimiento de partículas en gases.
En los medios gaseosos sometidos a un campo eléctrico, las partículas libres reciben
dos tipos de solicitación:
Movimiento acelerado de atracción electrostática en la dirección del campo, para

partículas con carga.
Movimiento aleatorio de agitación térmica, que afecta tanto a los portadores de

carga como a las moléculas neutras.
El movimiento térmico no cambia la posición media de las partículas. El avance de

éstas hacia el electrodo de neutralización se debe sólo al campo eléctrico.
La agitación térmica determina la cantidad de colisiones de los portadores con las

moléculas neutras, y por tanto condiciona la acción del campo, ya que este sólo puede
ejercer su influencia en el intervalo de tiempo entre dos colisiones.
La energía media del movimiento térmico se rige por la ecuación de Boltzman:
v2 3
m = KT [J] (4.1)
2 2
donde
m = masa del portador
v = velocidad media
K = 1.3797 · 10 23 [Ws/K]
T = temperatura.
Para electrones a 0 [°C] , resulta una velocidad de agitación térmica ve = 42.5 · 103
4.1.1. Camino medio libre, m.
Se denomina camino medio libre, m , a la distancia media que recorre un portador

entre dos colisiones, y que determina la influencia del campo aplicado.
34
4.1. MOVIMIENTO DE PARTÍCULAS EN GASES. 35
Para electrones, el valor de m, se puede estimar según:
KT
e = 2 p
(4.2)
⇡ rm
donde
p = presión
rm = radio de la molécula neutra
tiene un valor estadístico. La Tabla 4.1 indica estos valores para condiciones nor-
e
males de p y T .
Gas He H2 Ne O2 Ar Aire N2 CO2

e · 10 6
cm 13,2 8,6 8,3 4,8 4,75 4,63 4,47 2,98
Tabla 4.1: Camino medio libre de electrones en gases, a 20°C, 760 T.
Se puede estimar el número medio de colisiones por cm3 y por cada segundo, de un
electrón en aire, para condiciones normales de presión y temperatura.
Para un avance medio de 1cm ocurren:
ve 42.5 · 103 cm/s colisiones

C= = ⇡ 1010 (4.3)
e 4.63 · 10 6 cm s · cm3
4.1.2. Movilidad, b.
Se define el parámetro movilidad b , para relacionar la velocidad de los iones con la
intensidad del campo eléctrico aplicado:
ve = b · E (4.4)
Con ve en cm/s y E en V/cm.
La movilidad es un parámetro estadístico experimental, cuyo valor depende de la po-

laridad del campo, como se aprecia en la Tabla 4.2.
Gas H2 He Aire O2 N2 CO2 H2 O

b+ 6,7 5,10 1,36 1,36 1,1 0,47
b 7,9 6,31 1,87 1,8 1,6 1,14 0,43
cm2
Tabla 4.2: Movilidad de iones de gases en sV
Para electrones en aire, sometidos a altas intensidades de campo (> 70kV/cm), resul-
tan valores de b del orden de 6000 cm2 /s V.

4.2. FENÓMENOS DE IONIZACIÓN. 36
S ECCIÓN 4.2
Fenómenos de ionización.
4.2.1. Energía de ionización, Wi

Es la energía que debe suministrarse externamente a un átomo para llevarlo a un
estado de ionización. Es un parámetro que depende de la estructura molecular del gas y
se mide en eV. Para gases varía entre 3 y 25 eV.
Gas Cs Na Hg O2 H2 O
Wi eV 3,9 5,1 10,4 12,1 13
Gas CO2 N2 H2 Ne
Wi eV 14,4 15,7 15,8 21,6
Tabla 4.3: Energía de ionización en gases.
las moléculas simples (H2 y Ne) presentan mayor cohesión a las fuerzas electrostáticas,
pero una vez ionizados ofrecen mayor movilidad en el campo eléctrico.
4.2.2. Ionización natural

El aire presenta cierto nivel de ionización en condiciones naturales, originado en la ra-
diación cósmica y en la radioactividad. En aire seco se puede medir hasta 2000 iones/cm3 ;
en aire bajo lluvia, hasta 5000 iones/cm3 y en condiciones previas a tormenta, hasta
50.000 iones/cm3 . Si se considera que el aire contiene 2.77 · 1019 mol/cm3 , se observa
que el contenido iónico natural del aire es muy bajo.
4.2.3. Ionización por campo eléctrico

Las partículas ionizadas y los electrones son acelerados en el campo eléctrico, provo-
cando nuevas ionizaciones al chocar con moléculas neutras.
Se puede estimar la intensidad de campo teórica requerida para que un electrón pro-
voque ionización por choque en aire normal:
Wi 15 V
Ei = = = 3 · 106 (4.5)
e 5 · 10 6 cm · electrón
En la práctica la ionización se inicia con menos de 30 kV/cm, lo que indica que un ele-
vado número de electrones posee un camino libre mayor que el camino medio estadístico,
lo que aumenta notablemente la eficiencia del mecanismo de ionización.
4.2.4. Termoionización
Con temperaturas sobre 5000 K, la agitación térmica de las moléculas es capaz de
provocar por sí sola ionizaciones por choques inelásticos.

4.3. MECANISMOS PARA LA DESCARGA GASEOSA 37
si se aumenta frecuencia
4.2.5. Fotoionización
.
Se ioniza ,
Si una radiación electromagnética con frecuencia ⌫i Hz incide sobre un átomo, puede

provocar su ionización si se cumple que:
externa que se
✓debe
energía
suministrar para
h ⌫ i > Wi que se i Onice .
(4.6)
siendo h la constante de Plank (6.63·10 34 kg m2 /s) y la energía de ionización en Joule.
Entonces la longitud de onda requerida para el efecto de ionización resulta:
ch 1.24 · 10 4
i < = cm (4.7)
Wi Wi
donde
W i = energía de ionización en eV
En aire resultan valores de i < 15 · 10 6 cm, que corresponde al rango de la luz ultra-
violeta. Los rayos X (10 10 < < 10 5 ) y la radiación cósmica ( ⇡ 10 10 ) son agentes
ionizantes de alta eficiencia.
S ECCIÓN 4.3
Mecanismos para la descarga gaseosa
La descarga eléctrica en un gas es un proceso de ionización en cadena cuyo desarrollo

depende del campo eléctrico aplicado, del tipo de gas y de las condiciones ambientales de
éste.
4.3.1. Ionización diferencial, ↵

Se denomina “ionización diferencial” al número de ionizaciones que un electrón
provoca en cada [cm] de avance, bajo la acción de un campo eléctrico.
Si llamamos i al camino libre mínimo para que un electrón acumule energía cinética
capaz de provocar ionización, entonces debe cumplirse:
externa
- energía
debe suministrar
(4.8)
que se
eE i = Wi para ionizar#
Se postula que la probabilidad de que el camino medio supere este camino mínimo
viene dada por una distribución Gaussiana:
✓ ◆
i
Pi s exp (4.9)
m
Entonces la ionización diferencial se expresa:

✓ ◆
1 i eventos
↵s exp (4.10)
m m cm
Y como m es inversamente proporcional a la presión del gas (4.2), utilizando la ecua-

ción (4.8)se puede expresar:
⇣ p⌘
↵ = C1 · p · exp C2 (4.11)
E

Figura 4.1: Ionización diferencial en función del campo aplicado.
O de manera más conveniente:

↵ ⇣ p⌘
= C1 · exp C2 (4.12)
p E
Las constantes C1 y C2 se evalúan experimentalmente. Algunos valores se muestran

en la Tabla 4.4:
Gas Aire N2 H2 H2 O
C1 14,6 12,6 5,0 12,9
C2 365 342 130 289
Tabla 4.4: Constantes C1 y C2 para el cálculo de ionización diferencial.
La Figura 4.1 ilustra el resultado para algunos gases.
4.3.2. Mecanismo de avalancha

Considere que en un punto X del espacio de campo se encuentran N electrones
solicitados por una intensidad E > Ei , siendo Ei la intensidad mínima de ionización.
Los electrones acelerados en estas condiciones provocan colisiones ionizantes, generando
nuevos electrones, que a su vez repiten y multiplican el efecto de ionización. A medida
que esta nube electrónica avanza hacia el contraelectrodo, es mayor el número de
electrones arrastrados, y se forman las condiciones para una avalancha.
En una distancia x, los electrones que se agregan a la avalancha son:
N =↵·N · x (4.13)
Para una distancia de d cm, en cuyo origen hay N0 electrones, se encuentra al final:
✓Z ◆
Nd = N0 exp ↵ dx (4.14)
Esta ecuación caracteriza la avalancha o corriente autoamplificada.
En un campo homogéneo y para presión de gas constante, la ionización diferencial es

un valor constante a lo largo del camino de avalancha. Entonces:
Nd = N0 · e ↵ d (4.15)

Nd es el llamado frente de la avalancha, y el exponente ↵ d es el factor de amplifica-

ción. La velocidad del frente en dirección al ánodo puede alcanzar órdenes de 107 cm/s.
Los iones positivos, subsecuentes de las colisiones inelásticas, se desplazan hacia el

cátodo con velocidades del orden de 105 cm/s, por lo que se les puede considerar como
carga espacial estacionaria en relación al frente de avalancha.
Sin embargo, si la intensidad de campo es suficientemente elevada, estos iones pueden

a su vez colisionar con moléculas neutras, generando nuevas ionizaciones. Si llamamos
a este efecto de ionización secundaria, y lo superponemos con la avalancha original, se
tiene al final del recorrido d:
" #
(↵ ) · e(↵ ) d
Nd = N0 (4.16)
↵ · e(↵ ) d
Adicionalmente, cuando la avalancha iónica alcanza el cátodo, puede provocar en el

impacto la generación de nuevos electrones libres, efecto denominado . La superposición
de este efecto al frente de avalancha original se cuantifica según:

e↵ d
Nd = N0 (4.17)
1 (e↵ d 1)
Finalmente, cuando el frente de avalancha alcanza el ánodo, puede generar fotones en

el impacto, los que al neutralizarse en el cátodo provocan nuevas emisiones electrónicas
(efecto ).
Si los efectos secundarios mencionados son suficientemente efectivos, permiten una

elevada liberación de electrones y la descarga se hace independiente de la alimentación
externa de cargas, es decir, se hace autosostenida.
4.3.3. Mecanismo de canales

Para valores de amplificación de avalancha del orden de ↵ d = 7, la concentración
de carga negativa es tan alta, que el campo eléctrico original se deforma, apareciendo
zonas de mayor intensidad. Las avalanchas ya no son guiadas por las líneas de campo y
se transforman en canales zigzagueantes que viajan hacia los electrodos con velocidades
en el orden de 108 cm/s.
A esta etapa del proceso corresponden las descargas corona, caracterizadas por su
elevada frecuencia y baja amplitud. Se les conoce como impulsos Trichel.
Paralelamente, las concentraciones de carga positiva originan canales conocidos como

streamers, caracterizados por una frecuencia menor y una gran amplitud. Estos impulsos
causan fuertes efectos de radio y TV–interferencia.

4.4. RUPTURA DIELÉCTRICA EN CAMPO HOMOGÉNEO 40
(a) (b)
Figura 4.2: Verificación de la ley de Paschen para algunos gases.
S ECCIÓN 4.4
Ruptura dieléctrica en campo homogéneo
Para el campo homogéneo rige:

✓ ◆ ✓ ◆
↵ E U
=f = f0 (4.18)
p p p·d
donde
té cada
↵ = ionización diferencial : n° de imitaciones
avance
que hace .
en
[con de .
p = presión del gas

d = distancia entre electrodos
U = tensión aplicada
Si consideramos que para campo homogéneo el factor de amplificación de avalancha
(↵ d) = cte, se puede expresar:
✓ ◆
U
(p · d) · f = cte (4.19)
p·d
Esta relación es conocida como Ley de Paschen, y se comprueba experimentalmente,

lo que demuestra que las consideraciones del modelo son razonablemente exactas.
Se interpreta de la siguiente manera:
“Si se mantiene constante el producto p · d, la tensión de ruptura del espacio

gaseoso no varía”. Esto se cumple para distancias no demasiado pequeñas (<
1mm), ni presiones demasiado altas (> 10bar). La Figuras 4.2(a) y (b) ilustran
esta relación para algunos gases.

4.5. RUPTURA DIELÉCTRICA EN CAMPO INHOMOGÉNEO 41
Para distancias pequeñas (hablamos de milímetros) en campo homogéneo se puede

estimar la intensidad de iniciación de descargas en aire y la tensión de ruptura según:
✓ ◆
1.35
ED = 30 + kV/cm (4.20)
d
UD = (30 d + 1.35) kV (4.21)

Y para distancias de descarga elevadas (de 1 - 10 cm) se puede estimar estos valores
según:
✓ ◆
7
ED = 24.5 + p kV/cm (4.22)
d
⇣ p ⌘
UD = 24.5 d + 7 d kV (4.23)
La Figura 4.3 resume esta información.

100
90
80
70
60
E , kV.cm
50
40
i
30
20
0.01 0.1 1 10
d, cm
Figura 4.3: Intensidad de iniciación en campo homogéneo.
S ECCIÓN 4.5
Ruptura dieléctrica en campo inhomogéneo
En un gas sometido a campo inhomogéneo, la ruptura se inicia por descargas parciales

localizadas, llamadas efecto corona.
→ canal pq muchos e-
4.5.1. Solicitación de iniciación corona

4.5.1.1. Configuración cilindro–superficie

0.301
Eic = 30 · er · 1+ p kVmax /cm (4.24)
·r
✓ ◆
2H
Vic = Eic · r · ln kVmax (4.25)
r

4.6. MODOS DE DESCARGA CORONA 42
Ruptura positiva
Canal de preruptura positiva
Incandescencia positiva
1,0
Pulsos Stremer
0,4
Zona libre de corona
TENSIÓN
0
0,5
Zona libre de corona
Pulsos Trichel
Incandescencia negativa
Canal de preruptura negativa
Ruptura negativa
π 2π ωt
Figura 4.4: Identificación de los modos corona.
donde
r = radio del conductor en cm
= densidad relativa del aire
er = factor de rugosidad de los electro-
dos
H = altura sobre el suelo en cm
4.5.1.2. Configuración de cilindros coaxiales

0.308
Eic = 31 · er · 1+ p kVmax /cm (4.26)
· r1
✓ ◆
r2
Vic = Eic · r1 · ln kVmax (4.27)
r1
donde
r1 = radio interno en cm
r2 = radio externo en cm
S ECCIÓN 4.6
Modos de descarga corona
/
Existen seis modos de descarga corona desde un electrodo energizado con tensión
alterna.

4.6. MODOS DE DESCARGA CORONA 43
Fase negativa Fase positiva stremer

Pulsos Trichel Pulsos
Incandescencia Incandescencia
negativa positiva
canal de prerup- canal de prerup-
tura negativa tura positiva
Tabla 4.5: Resumen de los modos de descarga corona.
4.6.1. Modos de descarga negativa

4.6.1.1. Pulsos Trichel
Son pulsos transitorios de corta duración, resultado de la interacción de las avalanchas

de electrones y la carga espacial positiva que rodea el cátodo. La superposición de campos
permite a los electrones acceder a la zona de menor solicitación, donde son acelerados
hasta alcanzar la energía necesaria para ionizar átomos neutros por choques inelásticos.
La condición de estabilización de los pulsos Trichel es: Er > Ei .
(a) Zona de acción (b) Forma del pulso
Figura 4.5: Zona de acción Trichel y forma del pulso corona.
4.6.1.2. Incandescencia negativa
Al cumplirse la condición Er > Ei , los pulsos no cesan y se forma una señal de co-
rriente que genera incandescencia.
Figura 4.6: Incandescencia negativa

4.7. EJEMPLOS 44
4.6.1.3. Canales de preruptura negativa
AI incrementar la solicitación, el esquema anterior se desplaza hacia el ánodo, abar-

cando mayor volumen dieléctrico. Se generan canales incompletos conocidos como de
preruptura.
4.6.2. Modos de corona positivo

4.6.2.1. Pulsos
La Figura 4.7 muestra las etapas inicial y final del proceso de pulsos de modo positivo.
(a) inicial (b) final
Figura 4.7: Proceso de pulsos corona positivo.
En la etapa inicial, la avalancha electrónica que se acerca al ánodo genera una carga
espacial positiva, la que una vez absorbida la carga negativa, se transforma en una pantalla
de homogenización del campo original, situación que detiene el proceso transitoriamente.
4.6.2.2. Incandescencia positiva
Al elevarse la solicitación, los canales superan el efecto de homogenización, y se esta-

blece una corriente que tiene efectos luminiscentes.
4.6.2.3. Canales de preruptura positiva
Con mayor solicitación, los canales alcanzan la cercanía del contraelectrodo.
La actividad corona en líneas e instalaciones de alta tensión provoca efectos indesea-

bles como pérdidas de energía y radiointerferencia. Por otro lado, la actividad corona
controlada encuentra aplicaciones prácticas como el proceso de fotocopiado, la precipita-
ción electrostática, la generación de UHV mediante aparatos de Van der Graaf, la descarga
electrostática de aviones, la generación de ozono (O3 ) para aplicaciones médicas, entre
otros ejemplos.
S ECCIÓN 4.7
ejemplos
4.7.1. Disposición esfera–plano

El campo asociado a esta disposición de electrodos puede ser:

4.7. EJEMPLOS 45
(a) Disposición física (b) Resultado gráfico
Figura 4.8: Tensión de ruptura positiva de diposición esfera–plano.
Cuasi-homogéneo:
f < 5, condición de corona inestable (pulsos).
Inhomogéneo:
f > 5, condición de corona sostenido
En el caso inhomogéneo, los índices de ionización ↵ y no son constantes a lo largo

del espacio de ruptura y se establecen condiciones de especial interés para solicitación
continua:
Electrodo esférico positivo:

La carga espacial positiva extiende el ánodo hacia la placa, disminuyendo la distan-
cia efectiva de aislamiento.
Electrodo esférico negativo

La carga espacial negativa se concentra en la cercanía de la esfera, provocando un
efecto homogenizador de pantalla.
A consecuencia de lo anterior, resulta:
+
UD < UD (4.28)
La Figura 4.8 resume estas consideraciones. Además se distinguen las siguientes zonas:
I : Campo cuasi–homogéneo, UD = f (d)

II : Corona moderado, UD = f (d, D)
III : Corona fuerte, d > D, Ui ⌧ UD

4.7. EJEMPLOS 46
4.7.2. Tiempo de ruptura a impulso

Los tiempos de formación del arco de ruptura son muy cortos, y no son determinables
para solicitaciones estacionarias continua o alterna. Sin embargo, para solicitaciones
de impulso, es posible determinar la función de retardo desde el instante de aplicación
hasta el instante de ruptura. Esta función es de mucha importancia en las aplicaciones de
coordinación de aislamientos y protección de equipamiento eléctrico a sobretensiones.
Sea tD el tiempo hasta la ruptura de una disposición solicitada en impulso. Este tiempo
se puede descomponer en dos etapas:
tD = t s + tf (4.29)
donde:
ts : tiempo estadístico para la forma-
ción de la primera avalancha.
tf : tiempo de formación del proceso de
ruptura.
La Figura 4.9 muestra esquemáticamente este proceso temporal. Donde Vr correspon-
de a la tensión de ruptura a impulso y Vs es la tensión de ruptura estática (DC).
Figura 4.9: Formación de la función del tiempo de ruptura a impulso.
Los experimentos muestran que el tiempo de retardo a la ruptura es inversamente

proporcional a V , es decir, el exceso de solicitación requerido para la ruptura en relación
al caso estático. De esta manera se conforma una función de tiempo a la ruptura, f ( V )
de carácter hiperbólico, que será de gran importancia en los temas antes mencionados.
4.7.3. Descargas tipo GAP

Se denomina Gap (brecha) a distancias relativamente pequeñas (< 1mm), presentes
en contactos defectuosos de barras de alta tensión. La existencia de estos microconden-
sadores en gas origina descargas pulsatorias muy rápidas (s 1ns), de alto contenido
de corriente, por la cercanía de electrodos de potencia. El resultado es un fenómeno
de interferencia mayor que afecta a los circuitos digitales de control de los sistemas de
maniobra en subestaciones y centrales.
La Figura 4.10 muestra un esquema de esta configuración.

Ejemplos de circuitos con presencia potencial de gaps, son:
Aisladores de cadena con mal contacto cap–pin

4.7. EJEMPLOS 47
Figura 4.10: Modelo de la descarga tipo GAP.
Crucetas de postación con apriete insuficiente
Mal contacto entre la cadena de aisladores y la torre de alta tensión
Mal contacto entre espaciadores de subconductores en líneas de EAT
Gotas de lluvia en conductores y aisladores.
Las causas de presencia de gaps están vinculadas a fenómenos de corrosión, contami-

nación, vibraciones mecánicas, cambios térmicos, aflojamiento de pernos, etc.

C APÍTULO 5
A PLICACIONES TÉCNICAS DE LOS GASES

AISLANTES
S ECCIÓN 5.1
Rigidez dieléctrica intrínseca de gases aislantes
La aplicación técnica de gases dieléctricos emplea como principal parámetro de calidad

la rigidez dieléctrica transversal en campo cuasi-homogéneo. Si se controla la rugosidad
superficial de los electrodos y la pureza de la atmósfera de ensayo, se puede obtener
experimentalmente la llamada “rigidez dieléctrica intrínseca”, EDi , de cada material, con
el siguiente procedimiento:
1. Seleccionar electrodos esféricos de óptima terminación superficial y someterlos a

ensayo de ruptura dieléctrica variando cada vez la distancia entre electrodos. Se
mide UD kV y luego se expresa la función ED (d) según:
UD
ED (d) = (5.1)
d⌘
2. Se observa, en la Figura 5.1, que a partir de una distancia d0 , ED se estabiliza en un

valor que denominamos “rigidez dieléctrica intrínseca”, EDi .
Figura 5.1: Variación de la rigidez dieléctrica en función de la distancia entre electrodos
3. d0 es la distancia a la cual el sistema inicia su actividad corona sostenida, es decir,

empieza a diferenciarse claramente la tensión de iniciación corona de la tensión de
ruptura transversal.
48
5.1. RIGIDEZ DIELÉCTRICA INTRÍNSECA DE GASES AISLANTES 49
Gas EDi kV/cm Tc °C Aplicación

He Helio 3,7 -269 Tubos luminosos
Ne Neón 4,2 -246 Tubos luminosos
H2 Hidrógeno 15 -243 Refrigerante
O2 Oxígeno 27 -183 Aplicación del aire
N2 Nitrógeno 33 -196 Condensadores
Cl2 Cloro 52 -35 Aplicaciones del aire
H2 O Vapor de agua 30 100 Secado de aislaciones
SO2 Dióxido de azufre 64 -10 Precipitación electrostática
SF6 Hexafluoruro de azufre 89 -63 Interruptores
CCl4 Tetracloruro de carbono 232 77 Limpieza
Tabla 5.1: Principales gases de aplicación técnica.
4. A partir de este resultado se postula la ecuación general de diseño:
UD = EDi · ⌘ · d · er · ek (5.2)
Donde:
UD : tensión de ruptura kVmax
EDi : rigidez dieléctrica intrínseca
kVmax /cm
d : distancia entre electrodos cm
er : factor de rugosidad (< 1)
ek : factor de curvatura (> 1 en campo
inhomogéneo)
⌘ : factor de rendimiento del campo
Para d = d0 , ek = 1 y ED = EDi , lo que representa la llamada “frontera cuasi-
homogénea”
Para d < d0 , ek > 1 y representa un factor de adecuación de EDi al verdadero valor

experimental.
Para d > d0 , ek > 1 y representa la relación entre UD y UDi , es decir, entre el

establecimiento de la actividad corona y la ruptura.
Para diferentes gases y diferentes tipos de geometría se han desarrollado experimentos

para obtener valores de ek y EDi que permitan configurar el diseño de distancias en gas.
De los muchos gases evaluados por sus buenas características dieléctricas, no todos
encuentran aplicación técnica, ya que ésta queda condicionada a una adecuada combina-
ción de rigidez dieléctrica y comportamiento térmico (punto de condensación), además

5.2. COMPORTAMIENTO DEL SF6 EN CAMPO CUASI-HOMOGÉNEO 50
de aspectos económicos y ecológicos. La Tabla 5.11 muestra la rigidez dieléctrica y la

temperatura de condensación de los principales gases empleados en la actualidad en la
técnica de alta tensión.
A temperatura constante, y asumiendo un comportamiento de gas ideal, la rigidez

dieléctrica intrínseca varía linealmente con la presión.
También encuentran aplicación las mezclas de gases, como el aire (80 %N2 20 %02 ),
aislación propia de las líneas de transmisión y los interruptores de aire comprimido, o
la combinación SF6 N2, empleada en líneas encapsuladas por sus ventajas económicas
y termodinámicas. La Figura 5.2 muestra la característica de rigidez dieléctrica de esta
mezcla, expresada en p.u. de la característica del SF6 puro. Se observa que un 20 % de
SF6 procura a la mezcla el 75 % de su rigidez dieléctrica.
Figura 5.2: Rigidez dieléctrica porcentual de la mezcla SF6 N2
S ECCIÓN 5.2
Comportamiento del SF6 en campo cuasi-homogéneo
La inhomogeneidad de un campo se califica en términos de la condición de potencial

requerida para la iniciación de descargas parciales y la condición para su establecimiento
sostenido. Por lo tanto es una valoración que depende de la presión del gas. La dife-
renciación entre un campo ligeramente inhomogéneo y otro fuertemente inhomogéneo
corresponde entonces a una frontera definida por el factor de rendimiento del campo en
función de la presión del gas. Para el SF6 , dicha función se muestra en la Figura 5.3,
correspondiente a mediciones experimentales efectuadas a 20°C.
Para ⌘ > ⌘L , son válidas las siguientes consideraciones:
La rigidez dieléctrica intrínseca del SF6 para diferentes presiones y a 20°C se expresa
por:
EDi = 890 · P20 kV/cm (5.3)
1
Datos referidos a una temperatura de 20°C, salvo aquellos gases cuya temperatura de condensación es
mayor que 20°C, en cuyo caso el valor especificado corresponde a la temperatura de condensación, Tc . La
distancia entre electrodos empleada fue de 10mm en todos los ejemplos y la solicitación fue continua de
polaridad negativa.

5.3. PROBABILIDAD DE RUPTURA A IMPULSO DE DISTANCIAS DE AIRE 51
Figura 5.3: Grado de homogeneidad límite ⌘L de comportamiento del SF6
con P20 en MPa.
El factor de curvatura empleado en diseños en gas SF6 para configuración cilíndrica

coaxial es el que se muestra en la Figura 5.4
Figura 5.4: Factor de curvatura ek para configuración cilíndrica coaxial en SF6
S ECCIÓN 5.3
Probabilidad de ruptura a impulso de distancias de aire
Bajo solicitación estacionaría, las variables que influyen en la ruptura dieléctrica son:
Forma y distanciamiento de los electrodos
Condición del gas (P, T )
Actividad corona
Asimetrías de polaridad en campos muy concentrados.

Para solicitaciones altamente dinámicas, estos mecanismos operan con diferentes re-
tardos, dando a la función de ruptura un carácter probabilístico, con distribución normal
(Figura 5.5).
En esta función, obtenida experimentalmente, se asume un modelo normal definido
por los parámetros:

Figura 5.5: Distribución normal de la probabilidad de ruptura a impulso de distancias en aire
V50 : valor medio de la oscilación alre-

dedor del SI-NO del método UP &
DOWN
V0 : V50 3
V16 : V50
V84 : V50 +
V100 : V50 + 3
: desviación estándar de la muestra
Con estos valores se configura la recta en el piano normal para un sistema de electro-
dos determinado. A fin de facilitar la información disponible, los experimentos se afinaron
para el sistema barra–superficie, que sirve de referencia normalizada para las demás con-
figuraciones mediante un sistema de factores de aproximación.
5.3.1. Modelo barra–superficie

La respuesta de una distancia de aire en la configuración barra–superficie, depende
fuertemente de la forma de la señal solicitante, es decir de su contenido de frecuencia. La
Figura 5.6 muestra las funciones de ruptura para diferentes solicitaciones.
En sistemas de ATM (< 70kV) y sistemas de AT (< 245kV), el diseño de las distancias
entre conductores y entre conductor a torre se rige por:
Solicitación soportada de 50Hz
Límite admisible de actividad corona
Respuesta a impulso de rayo (1,2/50)
En sistemas de EAT (245 765kV), el diseño de distancias en aire es por respuesta

a impulso de maniobra de polaridad positiva. Este criterio se conoce como PSI (Positive
Switching Impulse).
La Tabla 5.2 resume los resultados de varios investigadores en relación a la respuesta

PSI de distancias en aire de electrodos barra–superficie para condiciones normales de

LPSI )
Figura 5.6: Características de la tensión de ruptura de distancias barra–superficie.
V50 , kV Rango de d, m Referencia

500 d 0.6 2d8 Paris [?]
3400
d  15 Gallet [?]
(1 + 8/d)
450 [1 + 1.33 ln (d ln d)] d  10 Lemke [?] → PSI
p
105 (15 + 3.2 d) 350 d  20 Waters [?]
✓r ◆ ✓r ◆
r r
1260 r 1 tanh 1
1 d  20 Aleksandrov [?]
d d
1400 + 55 d 13  d  30 Pigini [?]
⇢
1556 + 50 d
+ 78 d 4 Rizk [?]
1 + 3.89/d
1080 ln(0.46d + 1) d  25 Kishizimask [?]
Tabla 5.2: Fórmulas de ruptura de distancias barra–superficie para solicitación PSI.

A-

Configuración Factor Kx
Barra–plano 1
Conductor–plano 1.12 1.25 (dependiendo de d)
✓ ◆
d
Barra–barra horizontal sobre tierra 1.35 0.5
H1
H1 :altura de las barras sobre el sue-
lo
H
Barra–barra vertical 1 + 0.6
H +d 
0.7H
Conductor–barra (1.1 a 1.5) exp
H/H + d
Conductores paralelos 1.6 1.75 (depediendo de d)
1.4
1.45 (valor típico)
1.25 (valor típico)
Tabla 5.3: Factores Kx para diversas configuraciones

-
presión y temperatura. Donde d es la distancia en m y r es el radio de la barra, también

en m
Para otras configuraciones, se determina experimentalmente un factor de aproxima-

(x)
ción Kx . Entonces se calcula la tensión de ruptura V50 según:
de ruptura diferentes
(x) (bs) 50% proba b. con
V50 = Kx · V50 → PSI (5.4)

tras
impulso aenfg .
La Tabla 5.3 muestra los valores de Kx usualmente empleados en el diseño de varias

configuraciones, siendo H la longitud de la barra y d la distancia de aire
En situaciones muy particulares y especialmente bajo condiciones de elevada hume-

dad ambiental, algunos sistemas resultan más sensibles al impulso de maniobra negativo,
(NSI). No existe normalización a este respecto.
5.3.2. Influencia de la forma de onda

Se debe considerar además la influencia de la forma de la onda PSI, ya que la tensión
de ruptura depende de la velocidad de inyección de carga al medio dieléctrico. Frentes
más rápidos favorecen el establecimiento de carga espacial alrededor de la barra, que
apantallan el campo original y elevan la tensión de ruptura. En algunas distancias, existe
un tiempo de frente crítico, es decir de mínima tensión de ruptura, que debe ser consi-
derado en los diseños. La Figura 5.7 muestra resultados experimentales de la tensión de
ruptura en función del tiempo de frente de la solicitación PSI.
La peor condición, es decir el tiempo de frente crítico, se puede determinar por la
relación:
tcr = d [50 35(K 1)] µs (5.5)
Siendo K un factor de aproximación de la configuración bajo estudio.

con
relacionado
→ lo avudum ¥ .
Figura 5.7: Influencia del frente del impulso en la tensión de ruptura del modelo barra–superficie.
Las condiciones ambientales influyen por la densidad relativa del aire y por el conte-
nido de humedad gr/m3 . Se definen entonces dos factores de corrección, k1 ( ) y k2 (H).
Entonces:
Vensayo = Vnormal · k1 ( ) · k2 (H) (5.6)
Donde: mí
k1 ( ) = m
(5.7)
k2 (H) = k w (5.8)
Los exponentes m y w se determinan de acuerdo a la Figura 5.8, a la cual se ingresa
con el parámetro g definido por:
V50
g= (5.9)
500 · d · k ·
Siendo k un parámetro mixto que depende de la densidad relativa del aire y de su

humedad absoluta. 
H
k =1+A 11 (5.10)
En esta última relación A vale:
A = 0.010 para solicitación de impulso

A = 0.012 para solicitación alterna
A = 0.014 para solicitación continua

5.4. FENÓMENOS ASOCIADOS AL EFECTO CORONA 56
Figura 5.8: Factores m y w (IEC-60-1)
S ECCIÓN 5.4
Fenómenos asociados al efecto corona
5.4.1. Pérdidas de potencia por efecto corona

Estas pérdidas son importantes en sistemas de transmisión de EAT, y se magnifican
bajo condiciones de lluvia. La siguiente relación permite evaluar los kW de pérdidas por
km de línea trifásica.
 Xn
V
PL = PF W 2
+ p J r ln(1 + 10R) Ei5 (5.11)
3 i=1
r
242 r
PF W = (f + 25) (Vf n Vi )2 10 5
(5.12)
D
Donde :
V : tensión rms nominal (linea–linea) del
sistema
J : constante
7.04 · 10 10 para V = 400kV
5.35 · 10 10 para V = 500kV y 700kV
r : radio del subconductor, cm
n : número de subconductores
Ei : gradiente máximo en el subconductor
i
R : flujo de lluvia, mm/hr
p
D : 3 Dab Dbc Dca , cm
Vi : tensión de iniciación corona
f : frecuencia, Hz

5.4.2. Ruido audible

Las normas internacionales fijan el límite de ruido audible en 52dB, para líneas de
alta tensión operando bajo lluvia, referidos a un nivel de presión de sonido de 20µPa.
En etapa de diseño, se puede evaluar la expectativa de ruido audible (RA) en dB por:

665
RA = 20 log(n) + 44 log(Ds ) + Kn
E
10 log(Dlm ) 0.02Dlm + AN

Ds
+BN 22.9(n 1) (5.13)
D
Donde :
n : número de subconductores
Ds : diámetro de cada subconductor, cm
D : diámetro de cada fase, cm
E : gradiente máximo, kV/cm
Dlm : distancia desde el conductor al punto
de medición, m
Kn : 7,5 (n = 1);2,6 (n = 2); 0 (n 3)
AN : 75,2 (n = 1 y n = 2); 67,9 (n 3)
BN : 0 (n = 1 y n = 2); 1 (n 3)
5.4.3. Radio interferencia (RI,EMI)

Los pulsos corona se pueden modelar como una señal doble–exponencial en corriente:
i(t) = I0 [e(t/⌧1 ) e(t/⌧2 ) ] (5.14)

Valores típicos para los parámetros de la ecuación (5.14) se muestran en la tabla 5.4,
para polaridad positiva y para polaridad negativa. El valor máximo de la corriente es
Im ⇡ 0.6 I0
Polaridad del pulso ⌧1 , ns ⌧2 , ns Im , mA

Negativa 6 45 2,7
Positiva 30 180 60
Tabla 5.4: Valores típicos de constantes representativas de pulsos corona.
Estos pulsos se propagan en ambas direcciones de la línea, con una intensidad espec-
tral: Z 1
S(!) = i(t)e j!t dt (5.15)
0
Y un rango de frecuencias 0.15 < ! < 30MHz.

El efecto de RI depende de la función de longitud de onda asociada a la intensidad
espectral, (!). Para el rango indicado, está en el orden de decenas de km, y se

establece un modo de propagación electromagnético del tipo guía de onda plana, de muy
baja atenuación. Entonces la interferencia queda definida por la sumatoria de todos los
efectos de todas las descargas ocurrentes en varias decenas de kilómetros.
Para frecuencias > 30MHz, queda en el rango de los metros y la propagación de la

RI es más bien por radiación directa.
5.4.4. Medición del ruido de RI

Se desea medir el valor efectivo del ruido aleatorio estacionario RN , en una banda
estrecha !. s✓ ◆
S 2 (!) !
RN = (5.16)
2⇡
Los detectores de RI pueden ser de “valor medio”, de “valor peak” o de valor “cuasi–
peak”. Estos últimos se adaptan mejor a la sensibilidad del oído humano, es decir recogen
mejor la sensación de molestia. Su modelo básico es el de la Figura 5.9.
Figura 5.9: Modelo básico de un detector de RI del tipo cuasi–peak
5.4.4.1. Modelo CIGRE
La CIGRE (Comisión Internacional para Grandes Redes Eléctricas), ha propuesto una

fórmula que tiene buena aplicabilidad en la mayoría de las líneas de transmisión. El rango
de parámetros que define el modelo es el indicado en la tabla 5.5.
Parámetro rango
Tensión nominal de línea, kV 200 – 765
Gradiente máximo, kV/cm 12 – 20
Radio de conductor, cm 1 – 2,5
N° de subconductores por fase 1–4
Espaciamiento de los subconducto- 10 – 20
res, veces el diámetro del conductor
Tabla 5.5: Rango de parámetros para los que es aplicable el modelo CIGRE.
La fórmula expresa los niveles de ruido más probables (N P ), que se medirían con un
detector CISPR (IEC) de frecuencia central 0,5MHz, a 2m del suelo y a una distancia late-
ral de 15m desde el conductor externo de la línea, expresados en dB referidos a 1µV/m.

La fórmula se expresa en tres campos:

✓ ◆
Di
N Pi = 3.5gmi + 12ri 33 log 30 (5.17)
20
Donde:
gmi : máximo gradiente sobre el conductor
de la fase i, en kV/cm
Di : Distancia de la fase i al punto de medi-
ción, en m
El análisis del resultado de las fórmulas es el siguiente:
Si uno de los campos es a lo menos 3dB mayor que los otros, entonces los campos
menores se desprecian.
Si ningún campo se destaca, el ruido probables se calcula con los mayores valores
obtenidos N Pa y N Pb , según:
N Pa + N Pb
NP = + 1.5 dB (5.18)
2
En líneas de doble circuito, se calcula para cada uno de los 6 conductores y luego
se suman cuadráticamente los valores de las fases que se corresponden en tiempo.
Posteriormente el análisis es como para las líneas simples.
Si se quiere conocer los valores de N P a una frecuencia f diferente de 0,5MHz, se

aplican las siguientes fórmulas de corrección:
Para líneas triangulares y circuitos dobles:
N P = N P0 (18 log f + 10 log2 f + 4.3) (5.19)
Para líneas horizontales:
N P = N P0 (23 log f + 12 log2 f + 5.8) (5.20)
Si se desea conocer los valores de N P a una distancia lateral D diferente de los 15m
postulados en la fórmula, se aplica la siguiente corrección:
✓ ◆
D
N P = N P0 20K1 log (5.21)
D0
Donde :
K1 : 1,4 para líneas triangulares, ver-
ticales y doble circuito
K1 : 1,6 a 1,9 para líneas horizon-
tales, dependiendo del nivel de
tensión.

5.5. RADIO Y TV INTERFERENCIA EN MEDIA TENSIÓN 60
S ECCIÓN 5.5
Radio y TV interferencia en media tensión
Los problemas de RI también afectan a sistemas eléctricos de media tensión, empleados

en redes de distribución de energía eléctrica. La principal causa de interferencia está en
las descargas de micro–gap. También contribuyen los aisladores contaminados. Sus efectos
suelen ser más molestos que los originados en líneas de transmisión de AT o EAT, dado que
los sistemas de distribución están inmersos en sectores urbanos e industriales con mayor
densidad de población, y alcanzan en muchos casos a provocar TV interferencia a cientos
de metros de distancia.

C APÍTULO 6
D IELÉCTRICOS LÍQUIDOS
S ECCIÓN 6.1
Teoría de la conducción dieléctrica en líquidos
6.1.1. Líquidos polares y no polares.

Los líquidos dieléctricos pueden ser polares y no-polares. Los primeros mantienen per-
manentemente dipolos por asimetrías de su estructura molecular. Ejemplo: H2 O , (r =
80). Los segundos sólo polarizan bajo la influencia del campo eléctrico, que introduce en
su estructura cambios cristalinos transitorios. La mayoría de los líquidos tiene carácter
no-polar.
6.1.2. Curva de corriente.

Al solicitar un medio dieléctrico líquido por campo eléctrico, se obtiene una curva de
comportamiento como se ilustra en la Figura 6.1.
Se puede distinguir cuatro regiones características:
Region I
Corresponde a solicitación débil : E < 20 kV/cm. La causa básica de la conduc-
ción es la disociación de impurezas iónicas y la existencia de partículas sólidas en
suspensión que arrastran carga eléctrica.
Region II
Corresponde a solicitación intermedia: 20 < E < 100 kV/cm. Se inician procesos de
conducción electroquímicos en las fronteras líquido–electrodo, formándose estratos
iónicos dobles ,(I + –I ).
Region III
Corresponde a solicitación elevada: E > 100 kV/cm
Region IV
Corresponde a la solicitación límite para la ruptura dieléctrica.
El proceso general se puede esquematizar como sigue:
a) Ionización de moléculas neutras por procesos electrostáticos, (región I). baja tension
b) Proceso electroquímico en la superficie de los electrodos, que origina los sistemas de

doble estrato, (región II). media tension
61
6.2. TEORÍAS DE RUPTURA DIELÉCTRICA EN LÍQUIDOS. 62
Figura 6.1: Curva de corriente en función del campo solicitante para dieléctricos líquidos
c) Impurezas sólidas no conductoras son arrastradas hacia los electrodos, en un proce-

so que absorbe energía, provocando el decaimiento de la corriente de conducción,
(región II).
d) Emisión electrónica en el cátodo y de iones positivos en el ánodo que provocan tur-

bulencias, (región III), evaluadas por el parámetro movilidad electrohidrodinámica:
r
"0 "r
µehd = (6.1)
⇢
donde :
⇢ = densidad del líquido
Estas turbulencias aumentan hasta en 100 veces la movilidad normal existente en el
líquido.
e) Generación de burbujas en el líquido que origina descargas parciales pulsatorias, en

el rango de los pC, (región III).
f) Establecimiento de corrientes oscilatorias, fuertemente dependientes de la viscosi-

dad, (región IV).
S ECCIÓN 6.2
Teorías de ruptura dieléctrica en líquidos.
6.2.1. Teoría de avalanchas electrónicas

Es similar a la teoría de descarga en gases. Actualmente es poco aceptada, ya que
los caminos medios medidos en diferentes dieléctricos, son < 10 6 cm, distancia muy
insuficiente para generar energías ionizantes (> 10 eV). De esta teoría no existe evidencia
experimental clara.

6.2.2. Teoría de puentes conductores

Esta teoría es bastante aceptada para explicar el proceso de conducción en líquidos
contaminados. Se desglosa en las siguientes etapas:
a) Existencia de partículas contaminantes de elevada permitividad (portadores de hu-

medad o metálicas)
b) Actuación de una fuerza de alineamiento que depende fuertemente del tamaño de

la partícula y de su permitividad:

r 3 "2 "1
F = rE 2 (6.2)
2 2"1 + "2
c) Si las fibras son polarizables, como el caso de la celulosa, la carga absorbida es:
±q = · r2 ("2 "1 ) · "0 · E (6.3)
Y si "2 >> "1 , la fuerza de alineamiento se expresa por:
F = r3 · "0 · rE (6.4)
6.2.3. Teoría de cavitación

Según esta teoría, los pasos que sigue el proceso de descarga son:
a) La fuerza electrostática comprime las superficie de las partículas contaminantes, des-

plazando de ellas el líquido ( presión Pm ).
b) Esta presión es opuesta a la presión hidrostática ( Ph ) y a la tensión superficial (Pst ).
c) Se generan zonas de presión nula, o vacuolas, en las que se generan avalanchas elec-
trónicas que golpean las paredes de la vacuola, haciéndola crecer hasta su explosión.
d) El encadenamiento de este proceso provoca la ruptura dieléctrica del medio.
6.2.4. Teoría de burbujas

Se asume un grado de humedad contenida en el dieléctrico. Se sigue luego el proceso:
a) La corriente circulante produce burbujas de vapor. El calor requerido es:
H = Cp (Tb Ta ) + L (6.5)
donde :
Cp = calor específico
Tb = temperatura de la burbuja
Ta = temperatura del ambiente
L = calor latente de vaporización

b) En el rango de pre-ruptura, la corriente emitida desde el cátodo se ve limitada por

la carga espacial que lo circunda, y se expresa por:
I =A·Vx (6.6)
donde :
A = constante experimental
x = exponente que varía en el rango
1, 5 < x < 3
c) Si los pulsos de corriente tienen una duración ⌧ , entonces la energía disponible para
el proceso de vaporización es:
H = A · Ex · ⌧ (6.7)
Todas estas teorías son medianamente comprobadas por técnicas ópticas de fotografía
ultra-rápida, según las cuales el proceso de ruptura se conforma a la siguiente secuencia
de eventos:
a) Formación de canales pulsatorios en el electrodo agudo.
b) Alargamiento del canal hasta alcanzar el contra-electrodo.
c) Establecimiento de corrientes en el rango de 100 A, y tiempos de crecimiento de 10

ns.
d) Emisión de luz.
e) Concentración de calor en micro-volúmenes
f) Vaporización de volúmenes puntuales de líquido, con formación de burbujas que

se expanden y explosionan evacuando gases a la superficie, o en caso de emisiones
menores, absorción de ellos por parte del líquido.
La Figura 6.2 muestra fotografías de alta velocidad obtenidas con la técnica conocida
como “foto-sombras de Schlieren”, cuyo análisis conduce a la propuesta anterior.
(a) (b)
Figura 6.2: Sombras de Schlieren. (a) descarga tubular iniciada en el cátodo,(b) descarga filamentaria iniciada
en el ánodo

C APÍTULO 7
D IELÉCTRICOS LÍQUIDOS DE APLICA -

CIÓN INDUSTRIAL .
S ECCIÓN 7.1
Aplicaciones
Los dieléctricos líquidos se emplean ampliamente en la técnica de alta tensión, como

ser en transformadores, cables, interruptores, condensadores, bushings y contactores.
Esta gran difusión se fundamenta en las propiedades de estos materiales:
Buen desempeño en estratificaciones sólido–líquido y líquido–gas.
Eficientes elementos de refrigeración
Excelente capacidad de impregnación de masas aislantes
Buena capacidad de extinción de arco
Propiedades lubricantes
Carácter de dieléctrico auto–regenerativo.
S ECCIÓN 7.2
Tipos de líquidos dieléctricos
Los dieléctricos líquidos se dividen en dos grandes familias:
a) Líquidos de origen orgánico natural, derivados del petróleo.
b) Líquidos sintéticos, que a su vez pueden ser:
de origen orgánico, como la silicona y el 4Cl–etileno,

de origen inorgánico, como el agua ultra-refinada y los gases criogénicos.
Los dieléctricos líquidos, después del aire, constituyen el aislamiento más empleado
por la ingeniería de alta tensión. En general son elementos reciclables, eco–compatibles
y de larga vida útil, por lo que constituyen un elemento de alta confiabilidad para el
diseñador.
65
7.3. ACEITES MINERALES 66
(a) (b) (c)
Figura 7.1: Cadenas orgánicas de aceites. (a) Parafínicos, (b) Nafténicos, (c) Bencénicos.
S ECCIÓN 7.3
Aceites minerales
7.3.1. Composición
Se distingue dos grupos de aceites minerales:
Aceites parafínicos:
contienen más de un 66 % en volumen de cadenas orgánicas lineales (Figura 7.1(a)).
Aceites nafténicos:
contienen más de un 66 % en volumen de cadenas orgánicas cíclicas saturadas (Fi-
gura 7.1(b)).
Ambas bases pueden contener un orden de 30 % del grupo menor y hasta un 10 %

de hidrocarburos aromáticos, de estructuras no saturadas, como grupos bencénicos (Figu-
ra 7.1(c)).
Composición típica
Parafinas ! 66 %
Naftenos ! 30 %
Aromáticos ! 4%

7.3.2. Características físicas medias
Propiedad valor
Densidad 0, 87gr/cm3
Permitividad 2, 2
Viscosidad (20 C) 37cS
Factor de pérdidas 10 4 (25 C)
10 3 (85 C)
Estabilidad térmica hasta 100 C
Punto de inflamación 145 C
Rigidez dieléctrica > 200kV/cm
Tabla 7.1: Características físicas medias de los aceites minerales.
7.3.3. Envejecimiento
El aceite se degrada por la acción del campo eléctrico elevado y por excesiva tempera-
tura de trabajo. El contacto con cuerpos metálicos (cobre, Fierro) actúa como catalizador.
El envejecimiento del aceite se manifiesta como un proceso de oxidación, producto

del cual segrega materias ácidas, hidrocarburos de bajo peso molecular, agua y gases. Se
distingue dos procesos de oxidación:
Oxidación por extremo de cadena

en que el oxígeno conforma un radical OH, de fuerte momento dipolar, que provoca
un aumento del factor de pérdidas
Oxidación por polimerización
en que el oxígeno actúa como puente entre dos moléculas de aceite, con el consi-
guiente aumento de la viscosidad.
(a) Oxidación por extremo de cadena
(b) Oxidación por polimerización
Figura 7.2: Tipos de envejecimiento.

-
papel
:
aceite
aislador Figura 7.3: Rigidez dieléctrica a impulso del papel impregnado en función de la humedad
La liberación de agua disminuye la rigidez dieléctrica del aceite, pero afecta funda-
mentalmente al papel que trabaja asociado al aceite en la mayoría de las aplicaciones.
Los procesos de oxidación se catalizan por actividad de descargas parciales en micro

burbujas, las que generan ozono, elemento especialmente activo en los procesos de oxi-
dación. La oxidación se previene mediante procesos de neutralización, desgasificación y
secado o agregando inhibidores en forma controlada.
7.3.4. Gases disueltos debido a

envejecimiento .
Los eventos relativos al envejecimiento se van registrando en el aceite en forma de

gases disueltos.
La actividad de descargas parciales produce mayormente Hidrógeno y Metano (CH4 ).

Los arcos de mayor energía producen cantidades importantes de acetileno. El contacto
con metales a temperaturas de 200 a 300 C produce una variedad de gases en pequeñas
dosis.
Por otra parte, el calentamiento y las descargas provocan efectos sobre el papel, que
segrega monóxido y dióxido de carbono en grandes cantidades.
De esta forma, el análisis de los gases disueltos permite la detección de fallas puntua-
les o permanentes que afecta al transformador bajo estudio. Si el proceso de control es
regular, constituye una herramienta de diagnóstico preventivo.
7.3.5. Humedad
La presencia de humedad en el aceite se origina en dos causas principales: subproducto
de la oxidación y contacto con el aire atmosférico. Un transformador en operación normal
puede contener entre 10 a 20 mg/kg, esto es 10 a 20 ppm. Se considera un límite prudente
40 ppm, para ordenar un proceso de secado.

7.3.6. Inhibidores de oxidación

El proceso de oxidación se inhibe con aditivos denominados antioxidantes (A.O.)
El A.O. más difundido es el DBPC (2,6 ditert–butilperesol) y en menor grado el DBP

(2,6 ditert–butil fenol).
La actividad del A.O. dura un tiempo definido, llamado periodo de inducción, durante
el cual se previene la formación de peróxidos con radicales libres, especialmente en la
fracción de hidrocarburos saturados, y las consecuentes reacciones de oxidación.
La Figura 7.4 ilustra la actividad de oxidación del aceite en función del tiempo, a
través de algunas variables que reflejan su envejecimiento.
Figura 7.4: Oxidación del aceite mineral.
Periodos
I Inducción
II Oxidación acelerada
III Saturación
Curvas
1 Contenido de A.O.
2 Contenido de Cu
3 Tensión interfacial
4 Contenido de peróxidos
5 Acidez
6 Contenido de barros
Tabla 7.2: Resumen de la Figura 7.4
Los parámetros eléctricos tan y resistividad volumétrica reflejan de manera bastante

exacta el proceso de oxidación señalado anteriormente, y se emplean como criterios de
análisis y diagnóstico para este objetivo.

Figura 7.5: Unidad de reacondicionamiento de aceite mineral
7.3.7. Reacondicionamiento del aceite mineral

La Figura 7.5 ilustra el proceso de tratamiento de aceites degradados.
El aceite se tempera a un rango de 30–60 C y se filtra antes de pasar a la etapa de

desgasificación por vacío (p < 10 mbar), en que el aceite es expuesto a grandes superficies
para facilitar la extracción de humedad y gases disueltos. En la etapa final del proceso,
después de varias recirculaciones, se puede agregar los inhibidores de oxidación.
Los aceites reacondicionados tienen, en el mejor de los casos, una vida útil del orden
del 50 % en relación ai aceite nuevo.
7.3.8. Inhibidores de electrificación por circulación

En años recientes se ha empleado especial atención a fenómenos de descarga eléctrica
al interior de transformadores, originados en la acumulación de energía electrostática por
efecto de la circulación del aceite.
La Figura 7.6 ilustra el proceso de separación de cargas en el sistema dieléctrico.

7.4. INNOVACIONES EN LA FASE LÍQUIDA 71
Figura 7.6: Distribución de iones en una estratificación dieléctrica papel–aceite
La circulación del aceite a través de los ductos de refrigeración y bombas, induce carga
electrostática dispersa en el volumen líquido. La celulosa ofrece radicales OH que resultan
especialmente adecuados para la atracción de iones negativos, formándose una película
de carga sobre la superficie sólida. Los iones positivos del aceite se acumulan formando
una pantalla con carga de signo opuesto frente al papel, con lo cual se constituye
un condensador capaz de acumular suficiente energía electrostática para generar una
descarga.
El proceso se cataliza con el envejecimiento y polimerización de la celulosa, la

temperatura, la velocidad de circulación y la turbulencia del flujo.
Una forma de atenuar el fenómeno es disminuir la velocidad de circulación y mejorar

el proceso de bombeo para evitar turbulencias. Pero la solución más eficiente es el empleo
de inhibidores de ionización, como el alkyl-benceno y el benzotriazol(BTA), que operan
como absorbentes de carga iónica.
S ECCIÓN 7.4
Innovaciones en la fase líquida
7.4.1. Askareles
Esta innovación (Du Pont, 1930) estuvo relacionada con el uso de transformadores
en recintos con riesgo de incendio catastrófico (minería subterránea, edificios de altura,
transporte público de tracción eléctrica, etc.).
Son líquidos sintéticos, resultado de mezclar bifenilos policrorinados y policloro-

bencenos y se les conoció genéricamente como askareles. La experiencia mostró la
toxicidad de estos productos tanto en la fase de fabricación y manipulación, como en su
descomposición por efectos de pirólisis.
Actualmente, su fabricación y comercialización está prohibida universalmente,

quedando en operación sólo unidades de difícil reemplazo, sujetas a catastro oficial y

permanente supervisión para prevenir fugas.
La necesidad de mantener la característica de no-inflamabilidad, pero bajo compatibi-

lidad total con usuarios y medio ambiente, llevó al desarrollo de dos líneas de productos
de reemplazo, aceites de silicona y ésteres sintéticos.
7.4.2. Siliconas
La estructura molecular de mejor comportamiento para fines dieléctricos es la cadena
lineal polidimetilsiloxano (Figura 7.7).
Figura 7.7: Polidimetilsiloxano
Las propiedades más destacables de este fluido son:
Elevada estabilidad térmica
Baja actividad química
Elevado punto de inflamación
Auto-extinción de encendido
Compatible con el medio ambiente
Limitaciones de los líquidos de siliconas son:
Para distancias de arco elevadas, la rigidez dieléctrica disminuye considerablemente
Propiedades de transferencia térmica inferiores a las del aceite mineral
Coeficiente de dilatación cúbica elevado
Residuos de polimerización bajo actividad de descargas parciales.
7.4.3. Ésteres sintéticos

Son estructuras orgánicas de gran estabilidad térmica, conformadas sobre la base de
ester-carboxilatos.
Figura 7.8: Penta–estirol–éster. Ri : radicales con varios átomos de carbón.
Sus cualidades más destacables son:

Estabilidad térmica y química
Compatibilidad biológica, fisiológica y ambiental
Sus limitaciones:
Elevada viscocidad
Inestabilidad del factor de pérdidas por efecto de hidrólisis

Aceite mineral
para alta Aceites
Propiedad Unidad Aciete vegetal temperatura de silicona
Físicas
Peso específico a 25°C g/cm3 0,91–0,92 0,89 0,96
Viscosidad cinemática
a 0°C cS 170–250 2200 95
a 25°C cS 55–75 300 50
a 40°C cS 35–45 125 38
a 100°C cS 8–10 13 16
Punto de congelamiento °C -15—25 -20 -50
Tensión interfacial dinas/cm 25 40–45 25
Punto de auto-encendido °C 310–325 275 300
Punto de inflamación °C 354–360 160–180 340
Contenido de humedad ppm 50–100 10–25 50
Solubilidad en agua a 25°C 1200 60 200
Constantes térmicas
Calor específico cal/g°C 0,50–0,57 0,488 0,363
Conductividad térmica W/mK 0,17 0,13 0,15
Coeficiente de expansión 1/°C 0,0007 0,00073 0,00104
Químicas
Tipo químico Ester Hidrocarburo Silicio
Acidez mg KOH/g 0,06 0,01 0,01
Eléctricas
Permitividad relativa a 25°C 3,1 2,2 3,71
Resistividad volumétrica a 25°C ⌦ cm 1014 1014 –1015 1014
Tensión de ruptura
ASTM–D–1816, electrodos a 2mm kV 74 60 —
Ruptura a impulso (punta negativa) kV 116 145 136
Factor de disipación
a 25°C % 0,25 0,05 -0,01
a 100°C % 1,00 0,3 —
Contaminación
Propensión a contaminación por gas – -50 -10–20 N/A
ASTM–2300
Biodegradabilidad
CEC–L–33(21 días) 97–99 30 muy bajo
Tabla 7.3: Comparación de propiedades de líquidos dieléctricos (Continuación)

Propiedad Norma Aceite tipo I Aceite tipo II

Punto Anilina, °C D–611 63–84 63–84
Color, máximo grado D–1500 0,5 0,5
Punto de inflamación, °C D–92 145 145
Tensión interfacial, dina/cm D–971 40 40
Punto de congelamiento, °C D–97 -40 -40
Peso específico a 15°C, g/cm3 D–1298 0,91 0,91
Viscosidad a 100°C, cS D–445;D–88 3,0 3,0
Viscosidad a 40°C, cS
Viscosidad a 0°C, cS
Rigidez dieléctrica a 25°C, kV/cm D–877 30 30
Rigidez dieléctrica VDE, kV
1,02mm D–1816 28 28
2,03mm 56 56
Rigidez dieléctrica a Impulso, kV
Aguja(–), esfera a tierra D–3300 145 145
d = 25.4mm, 25°C
tan
25°C D–924 5 · 10 4 5 · 10 4
100°C 30 · 10 4 30 · 10 4
Humedad, ppm D–1533 35 35

Estabilidad a oxidación D2440 0,3 0,2
% de lodos ácidos en 72hrs
Acidez total, mg KOH/g D–974 0,03 0,03
Inhibidores de oxidación, % de masa D–1473 0,08 0,3
Aceites tipo I: estabilidad a oxidación normal.
Aceites tipo II: estabilidad a oxidación elevada.
Tabla 7.4: Requerimientos límites del aceite mineral (ASTMD 3487).

C APÍTULO 8
D IELÉCTRICOS SÓLIDOS
S ECCIÓN 8.1
Propiedades dieléctricas generales
Se considera aislantes eléctricos a aquellos materiales cuya resistividad volumétrica

está en el rango superior a 1010 ⌦cm:
La siguientes son las características que enmarcan el comportamiento dieléctrico de
los materiales sólidos:
a) Las descargas de ruptura transversal comprometen la vida de los dieléctricos sólidos.

Son materiales no-regenerativos para este tipo de falla.
b) La tensión de iniciación de descargas localizadas es varias veces menor que la tensión

de ruptura. Esta última, rara vez se alcanza en servicio, por lo que el envejecimiento
progresivo de la aislación está gobernado fundamentalmente por la actividad de
descargas parciales.
c) La temperatura es un parámetro fundamental en el comportamiento de los sólidos,

dada su débil capacidad refrigerante. Para cada material sólido existe una tempera-
tura de operación recomendada (clase térmica).
d) En general las aislaciones sólidas actúan en combinación con aislantes líquidos

(transformadores, condensadores, cables) o con aislantes gaseosos (líneas, moto-
res), por lo que entran en consideración fenómenos de ruptura longitudinal en las
fronteras dieléctricas.
e) Muchos aislantes sólidos, en especial los de origen orgánico, se ven sometidos a

cambios químicos durante su vida útil, lo que condiciona su duración.
Figura 8.1: Rangos de resistividad de los materiales
76
8.2. CLASIFICACIÓN TÉRMICA DE LOS DIELÉCTRICOS SÓLIDOS, SEGÚN IEC-85. 77
f) Los parámetros dieléctricos fundamentales (permitividad, conductividad, factor de

pérdidas) varían con la frecuencia de la solicitación (Fig. 8.2). Por lo tanto no es lo
mismo el comportamiento en corriente continua que a frecuencia industrial o alta
frecuencia. Además, " y tan , dependen fuertemente del nivel de la solicitación, de
la presión mecánica y de la temperatura.
La permitividad relativa de los dieléctricos sólidos naturales de uso práctico está en el

rango de 2. . . 8, en tanto los materiales sintéticos especiales pueden presentar valores de
permitividad muy superiores (100. . . 1000).
La rigidez dieléctrica de los materiales más comunmente utilizados está en el rango

superior a los 200 kV/cm, en condiciones de pureza y ambiente normales.
Muchas de las aplicaciones de los aislantes sólidos quedan acotadas por la tempera-
tura de trabajo, por lo que resulta pertinente una clasificación térmica de los materiales
dieléctricos.
Se debe considerar que los materiales dieléctricos sólidos tienen, en general, una muy
baja conductividad térmica, por lo que el correcto diseño de aislamientos es muy sensible
al espesor del material y a la eficiencia del medio refrigerante empleado.
S ECCIÓN 8.2
Clasificación térmica de los dieléctricos sólidos, según
IEC-85.
Clase Y ( hasta 90 C)
Papel sin impregnar, algodón, seda, formaldehidos, goma natural, termoplásticos.
Clase A ( hasta 105 C)

Papel impregnado en aceite mineral, papel laminado en resinas fenólicas (Prespan),
fibras de celulosa impregnadas en resina, madera impregnada, barnices de base or-
gánica (derivados de petróleo), laca natural.
Clase E ( hasta 120 C)

Fenol, melamina, poliuretano, resinas epóxicas, asfalto.
Clase B ( hasta 130 C)

Cintas flexibles en base de materiales de clase superior, como mica, vidrio, asbesto,
aglomerados en resinas orgánicas.
Clase F ( hasta 155 C)

Como clase B, pero impregnados en resina epóxica.
Clase H ( hasta 180 C)

Como clase B, pero impregnados en resina de silicona o similar.
Clase C ( sobre 180 C)

Mica, asbesto, cerámica, vidrio. Solos o impregnados en resinas de silicona o simila-
res.

8.3. FORMAS DE POLARIZACIÓN EN DIELÉCTRICOS SÓLIDOS 78
S ECCIÓN 8.3
Formas de polarización en dieléctricos sólidos
8.3.1. Polarización electrónica, Pe

Son los aportes de los momentos dipolares núcleo–electrón, separados por una distan-
cia d:
µe = ↵e · E (8.1)
donde
↵e = polarizabilidad electrónica, va-
lor constante con la frecuencia,
hasta el espectro ultravioleta
< 400 nm, f > 1015 Hz .
8.3.2. Polarización atómica Pa , (iónica)

Ocurre en moléculas complejas formadas por átomos de diferente estructura, donde
los e se distribuyen en mallas asimétricas.
µa = ↵a · E (8.2)
donde
↵a = polarizabilidad atómica, valor
constante con la frecuencia,
hasta el espectro infrarrojo
< 700 nm, f > 1014 Hz .
8.3.3. Polarización de orientación o dipolar,Pd

Los centroides de carga (+) y ( ) quedan atrapados en la estructura cristalina de los
materiales, configurando dipolos permanentes que se orientan en la dirección del vector
de campo solicitante.
S ECCIÓN 8.4
Tiempos de respuesta de la polarización
Para una solicitación unidireccional instantánea, las polarizaciones iónica y electrónica

se activan muy rápidamente.
Para una solicitación unidireccional sostenida, (escalón), se logra la polarización de

orientación después de “⌧p ” s, llamado tiempo de relajación. El valor recíproco de ⌧p es la
frecuencia de relajación, !0 :
1
!0 = (8.3)
⌧p

8.5. MECANISMOS DE PÉRDIDAS DIELÉCTRICAS 79
La Figura 8.2 muestra el llamado espectro de relajación de un material bajo solicitación

escalón.
Figura 8.2: diagrama esquemático del espectro de relajación a escalón
Para solicitación alterna, la polarización de orientación desaparece a frecuencias ele-

vadas, lo que conlleva valores de permitividad muy bajos. En la cercanía de !0 prevalece
la polarización de orientación, lo que eleva la permitividad y el factor de pérdidas del
material (Figura 8.3).
Figura 8.3: Espectro de relajación de un material bajo solicitación alterna
S ECCIÓN 8.5
Mecanismos de pérdidas dieléctricas
En dieléctricos sólidos, las pérdidas no sólo dependen de la polarización, sino de fenó-

menos de ionización en vacuolas e impurezas. Las pérdidas aumentan con la solicitación
E y con la temperatura T , aparte de la ya mencionada dependencia de la frecuencia.
En síntesis, la tan de los materiales sólidos es una función de la estructura molecular

del material, de su homogeneidad y de su pureza, parametrizados por el campo solicitante

8.5. MECANISMOS DE PÉRDIDAS DIELÉCTRICAS 80
Figura 8.4: Espectro de temperatura para "r y tan en el XLPE y EPR
y la temperatura.
El modelo básico de la tan visto anteriormente, recoge en buena medida los modos
de polarización, pero debe complementarse con una malla de descargas parciales.
A manera de ejemplo, se resumirá a continuación los mecanismos más tipificados en

algunos materiales de uso frecuente.
8.5.1. Polímeros
En estado de alta pureza, el mecanismo fundamental de pérdidas es por el roce
intermolecular que genera la orientación dipolar a la frecuencia de la solicitación. En
estado de contaminación, el mecanismo es mayoritariamente de conducción iónica.
La Figura 8.4 muestra la variación con la temperatura de la permitividad y el factor de

pérdidas para el polietileno reticulado (XLPE), y el Etileno propileno (EPR), materiales
ampliamente empleados en aislamiento de cables de alta tensión.
La disminución de "r al aumentar la temperatura de operación se explica por una

relajación de la actividad de polarización interfacial. Se observa que la presencia del
particulado de carga permite recuperar este efecto en el caso del XLPE. Los puntos de
inflexión que se observan a los 110 se explican por el comienzo de la fusión del material.
La tan del XLPE sin carga, a frecuencia industrial, muestra un claro punto de
relajación a los 120 , producto del cambio cristalino por fusión, que atenúa la ionización
intermolecular (Pa ).
La absorción de humedad en estos materiales provoca un aumento de "r por polariza-

ción interfacial (sólido–agua) así como un crecimiento de la tan por un aumento de la

8.6. MECANISMOS DE RUPTURA DIELÉCTRICA EN SÓLIDOS 81
conductividad a través de las impurezas del agua.
8.5.2. Cerámicas y vidrios

Básicamente, estos materiales presentan un mecanismo de pérdidas por conducción
iónica y electrónica.
Las cerámicas son fases reunidas por procesos de termo–sinterización. Si se introducen

cargas, las impurezas de éstas elevan considerablemente las pérdidas por ionización.
Los vidrios llamados al Boro–silicato son combinaciones de óxidos (SiO2 – B2 O3 –

P2 O5 ), en estructuras abiertas, que permiten abundante migración iónica. Si se introduce
una fase alcalina (NaO), se denominan vidrios alcalinos , donde predomina el mecanismo
de conducción electrónica.
S ECCIÓN 8.6
Mecanismos de ruptura dieléctrica en sólidos
Desde el punto de vista de la estructura molecular, los sólidos pueden ser:
Cristalinos:
poseen estructuras cristalinas regulares
Amorfos:
carecen de regularidad
Al aplicar campo eléctrico a un elemento sólido, se generan los siguientes mecanismos

de conducción, originando calor de disipación:
Desplazamiento de portadores
Inyección de carga eléctrica desde electrodos
Avalanchas intermedias
Acumulación de carga espacial
La conducción puede conducir a una ruptura no regenerativa, dependiendo del tiempo

de aplicación de la solicitación eléctrica, según alguno de los siguientes mecanismos:
Avalanchas electrónicas
Ruptura térmica
Ruptura electromecánica (erosión por descargas parciales).
La Figura 8.5 esquematiza esta secuencia de mecanismos, según la duración de la

solicitación.

Figura 8.5: Variación de la rigidez dieléctrica según la duración de la solicitación
8.6.1. Ruptura intrínseca

En materiales puros y homogéneos, bajo solicitación de campo ultra-rápida, la acelera-
ción electrónica provoca deformación de la estructura cristalina y da origen al mecanismo
llamado de ruptura intrínseca, que se esquematiza como sigue:
Las bandas de valencia y de conducción están inicialmente separadas por un fuerte

escalón energético.
Las imperfecciones e impurezas atrapan electrones
La agitación térmica impulsa electrones a la banda de conducción, donde son acele-

rados bajo la acción del campo.
Cuando la energía de los electrones supera las pérdidas de roce, se produce la ava-
lancha de ruptura.
8.6.2. Ruptura termo-electrónica

En sólidos amorfos, la cantidad de electrones atrapados en los pozos de las asimetrías
es mayor que en el caso de los materiales cristalinos, y gana energía cinética desde el
campo eléctrico hasta adquirir una temperatura mayor que la de la red, siendo finalmente
transferidos a las bandas de conducción.
8.6.3. Ruptura de avalancha

Este mecanismo es similar a los descritos por la teoría de Townsend para gases
dieléctricos, en que básicamente los electrones son acelerados hasta obtener energía
cinética de ionización por choques inelásticos.
Se ha demostrado experimentalmente que se requiere alrededor de 40 pasos de mul-

tiplicación para una avalancha sostenida, de donde se puede definir la ionización crítica
↵c :
40
↵c = [colisiones/cm] (8.4)
d

siendo
d = espesor del material.
En general, ↵ es una función del campo solicitante, pudiendo postularse una funcio-
nalidad del tipo:
↵ = Ae B/E
(8.5)
siendo
AyB : Constantes experimentales.
E = solicitación de campo eléctrico.
La ionización diferencial se ve disminuida por la energía de barrera, , que opera por
los electrones que escapan del cátodo. Entonces, la magnitud del frente de avalancha se
puede expresar por:
" !#
3/2
J = k1 E 2 exp ↵ d k2 (8.6)
E
Finalmente, para la condición de avalancha, se requiere:

!
3/2
↵ d = k2 (8.7)
E
De donde se puede calcular la magnitud de la solicitación requerida para la avalancha:

!
3/2
ED = k 2 (8.8)
↵d
La principal conclusión de esta teoría es que ED ⇠ 1/d , esto es que la rigidez dieléc-
trica de un sólido es inversamente proporcional a su espesor. Experimentalmente, esto se
cumple con buena precisión par solicitaciones muy rápidas.
8.6.4. Ruptura térmica

La Figura 8.6 muestra un modelo general para el análisis de la transmisión de calor en
un volumen sólido:
El calor de ingreso a la superficie 1 es:
dT
✓1 = kA (8.9)
dx
El calor egresado desde la superficie 2 es:

 ✓ ◆
dT d dT
✓2 = kA +kA x (8.10)
dx dx dx
siendo
k = conductividad térmica del material.

Figura 8.6: Flujos térmicos en un volumen unitario
Entonces el flujo neto de calor que aporta el sólido por unidad de volumen es:
 ✓ ◆
d dT
✓ =k = div (k rT ) (8.11)
dx dx
En una condición de equilibrio electro-térmico, se cumple:
calor generado = calor absorbido+calor difundido
Y por unidad de volumen:
dT
E 2 = Cv + div (k rT ) (8.12)
dt
siendo
Cv = coeficiente de absorción térmica volu-
métrica.
La predominancia de los términos de absorción o difusión depende de la velocidad
de la solicitación, lo que permite distinguir entre los modelos a impulso y a condición
estacionaria.
8.6.4.1. Ruptura térmica a impulso
Para un flujo térmico muy rápido, se puede despreciar el calor de difusión, entonces:
dT dT dE
E 2 = Cv = Cv (8.13)
dt dE dt
Y si se modela la solicitación por una función rampa:
✓ ◆
ED
E(t) = t (8.14)
tD
Y siendo:
✓ ◆
W
= 0 · exp (8.15)
kb T

con:
kb = constante de Boltzman
0 = conductividad a temperatura ambien-
te, T0
W = energía de barrera
Entonces:
Z ED Z TD ✓ ◆
tD 0 2 W
E dE = exp dT (8.16)
0 ED C v T0 kb T
Resulta finalmente
 ✓ ◆
3Cv kb T02 W
ED = exp (8.17)
0 W tD 2kb T0
Esto dice que el producto ED · tD es constante. Cuanto más rápida la rampa de solici-
tación, tanto mayor solicitación de requiere para la ruptura.
8.6.4.2. Ruptura térmica estacionaria
Figura 8.7: Modelo para solicitación térmica estacionaria
Consideremos un módulo de análisis centrado entre grandes electrodos, como el de

la Figura 8.7,que operan como extractores de calor absorbido por el sólido. Entonces el
término de absorción es despreciable y:
E 2 = div(krT ) (8.18)
Siendo E = J y E = dV /dx, entonces:
✓ ◆
dV d dT
J =k (8.19)
dx dx dx
Integrando a ambos lados:
Z Vx Z x ✓ ◆
d dT
J dV = k dx (8.20)
0 0 dx dx
Se puede considerar tres casos:

8.6.4.2.1. Dieléctrico grueso

La máxima temperatura se ubica en el centro del módulo, entonces para la condición
crítica:
Vb
V = , T = Ti = TD (8.21)
2
Y resulta:
Vb /2 Z T ✓ ◆
V2 k
= dT (8.22)
2 Ti
s Z ✓ ◆
T
k
Vb = 8 dT (8.23)
Ti
Se concluye que la tensión de ruptura térmica para espesores mayors no depende de

la geometría involucrada, pro si fuertemente de la temperatura de operación. Se sabe
que a mayor temperatura, tanto menor es la vida útil de los dieléctricos sólidos. La Ley de
Arrehnius señala que por cada 10 C de sobretemperatura en relación a la clase térmica del
material, la vida útil del sistema dieléctrico se disminuye a la mitad. Una manera de com-
pensar esto es disminuyendo la conductividad eléctrica o aumentando la conductividad
térmica k.
8.6.4.2.2. Dieléctrico fino

Como modelo de análisis consideremos un canal fino de alta concentración térmica que
irradia su calor en forma radial al volumen dieléctrico, como se muestra en la Figura 8.8,
donde:
r = radio del canal emisor

d = altura del canal = separación de elec-
trodos
(Se asume que el radio del canal crece proporcionalmente con la distancia entre
electrodos)
La potencia térmica generada en el canal es:

✓ ◆ ✓ ◆
⇡r2 ⇡r2
P =V 2
=V 2
0e
T
(8.24)
d d
donde:
= 0e
T = conductividad del medio ais-
lante
El calor radiado por las paredes del canal es proporcional a la superficie de éste y a la
diferencia de temperatura enter el canal y el ambiente:
PR = 2⇡r · d · k · ✓ (8.25)

Figura 8.8: Modelo de análisis con evacuación radial de calor
Potencia térmica
Pδ1(V1)
PR1(K1)
P (V )
δ2 2
Pδ =PR
PR2(K2)
T1 TC Temperatura
Figura 8.9: Funciones de potencia térmica generada y radiada
donde:
k = conductividad térmica del material
✓ = diferencia de temperatura
De la Figura 8.9 se observa que para una tension dada V2 y una determinada con-
ductividad térmica k1 (factor de refrigeración), se establece un proceso de calentamiento
estable a la temperatura ✓1 . Si la tensión aumenta a un valor V1 , y la refrigeración
empeora a una conductividad k2 , el proceso de calentamiento se hace incontrolado.
En un caso particular de V1 y k1 se establece un equilibrio crítico a la temperatura ✓c .

En este caso se cumple simultáneamente:
P = PR (8.26)
@P @PR
= (8.27)
@✓ @✓

Además:
@P
= P (8.28)
@✓
@PR PR
= (8.29)
@✓ ✓c
Resulta:
1
✓c = (8.30)
siendo:
= coeficiente de variación térmica de la
conductividad.
Entonces se puede calcular la tensión límite con que se puede solicitar el material bajo
equilibrio térmico:
s
2k
VD = d (8.31)
r·e· 0·
Y bajo la hipótesis que el radio del canal es proporcional a la distancia entre electrodos,
se concluye que:
s
p 2k
VD = d (8.32)
r·e· 0·
Esta relación indica que la tensión de ruptura térmica, es decir, la tensión crítica que
conduce a un calentamiento inestable, aumenta proporcionalmente con la raíz cuadrada
del espesor del material.
Esta ley se cumple con buena aproximación en espesores del orden de los mm y bajo
solicitación cuasi-homogénea.
8.6.4.2.3. Dieléctrico extra fino

En dieléctricos muy delgados, la distribución de los puntos de concentración térmica
es aleatoria, según las inhomogeneidades, configurándose los denominados filamentos de
conducción. Este mecanismo de ruptura es por ello llamado filamentario, y se puede de-
mostrar que el radio del canal o filamento es proporcional a la raíz cuadrada del tiempo
de ruptura.
8.6.5. Ruptura electro-mecánica

Las solicitaciones muy elevadas originan fuerzas de compresión electrostáticas,
fenómeno conocido como electro-estricción.
La presión eléctrica se expresa por:

Z Z
F 1 V E2
= E dq = "0 "r dv = " 0 " r (8.33)
A A d2 2

La presión mecánica que se obtiene al comprimir un espécimen de espesor original d0

es:
✓ ◆
d0
P = Y ln (8.34)
d
siendo:
Y = modulo de young del material
d = espesor final
La inestabilidad ocurre cuando d0 /d ⇡ 0.6. Entonces:
r
V Y
ED = = 0, 6 (8.35)
d0 "0 "r
Este modelo no considera la deformación plástica, por lo que no es exactamente real.
Una teoría reciente conocida como “cracking filantentario” postula un modelo mejorado
que considera la tenacidad plástica del material. Se basa en la evidencia de grietas o
filamentos en forma de pequeños canales cilíndricos que acompañan este tipo de ruptura.
Entonces:
 1/4
16 G Y
ED = (8.36)
("0 "r )2 rf
siendo:
G = tenacidad plástica
rf = radio del filamento
Se observa que ED / Y 0.25
Para el XLPE: rf < 10 µm, G > 6500 J/m2 e Y = 3 · 107 Pa. La Figura 8.10 muestra
resultados experimentales para este material.
Figura 8.10: Ruptura del XPLE por electro-estricción

C APÍTULO 9
D IELÉCTRICOS SOLIDOS DE APLICACIÓN

INDUSTRIAL
S ECCIÓN 9.1
Materiales Dieléctricos Inorgánicos
Se pueden clasificar en dos grandes grupos:
a) Materiales naturales : mica, asbesto, pétreos
b) Materiales derivados de productos naturales : vidrios-cerámicas
Con estos materiales se puede fabricar cintas y placas para aplicaciones diversas, en gene-
ral de clase térmica elevada (B o superior).
9.1.1. Mica
La Mica es apreciada por la excelente estabilidad térmica de sus propiedades die-
léctricas y por su estructura física foliable hasta décimas de micrón, conservado sus
propiedades bajo ciertas condiciones.
Esta característica de foliación hace que la mica y sus derivados sean resistentes en dos
direcciones geométricas y débiles en la tercera dimensión paralela a los ejes de foliación.
Existen dos tipos de minerales de mica de interés eléctrico, llamados, moscovita y

flogopita. Las micas de mejor calidad se obtienen en India. La estructura física de la
moscovita consiste en capas de átomos de oxígeno agrupados alrededor de átomos de
silicio, aluminio u otros átomos metálicos. Estas capas se aglomeran débilmente entre si a
través de átomos de potasio. La Figura 9.1 muestra un modelo de la estructura indicada.
La estabilidad térmica de la moscovita alcanza hasta los 600 C.
90
9.1. MATERIALES DIELÉCTRICOS INORGÁNICOS 91
Figura 9.1: Modelo estructural de la moscovita.
Esferas Elemento
Grandes y negras Potasio
Grandes y rojas Oxígeno
Pequeñas y negras Silicio
Pequeñas y verdes Aluminio
Tabla 9.1: Explicación de la Figura 9.1
La flogopita es similar, pero los átomos de aluminio son reemplazados por magnesio,
y su estabilidad térmica alcanza a los 800 C.
La estabilidad térmica se quiebra cuando por efecto del calor, la humedad presente en
la estructura(grupos OH), se evapora, desintegrando el material.
La moscovita presenta factor de pérdidas del orden de 10 4 en un rango de frecuencia

de MHz, a temperatura ambiente. Sobre los 200 C, la tan crece rápidamente. Su
permitividad está en el rango 5,5 a 7 y su rigidez dieléctrica para espesores de décimas
de mm, está en el orden de 105 V/mm.
Desde el punto de vista dieléctrico, la característica más apreciada de la Mica es su

resistencia a las descargas parciales, que es superior a la de cualquier otro material flexible.
Se ha desarrollado Mica sintética, imitando el modelo natural, y eliminando los grupos

OH para darle mayor estabilidad térmica. Su costo no puede competir con la Mica natural.

9.1.1.1. Pliegos y Cintas de Mica
La Mica en su forma natural se puede conseguir en superficies pequeñas (algunos

centímetros). E1 modo usual de aplicación es por una “re-foliación” de las escamas,
aglomerándolas mediante resinas, para conformar pliegos de espesor variable entre
50 µm a 0,25 mm.
La resina elegida dependerá de las propiedades mecánicas esperadas en el pliego

(flexibilidad, rigidez, dureza), y de sus tolerancias térmicas (resinas fenólicas, epóxicas o
siliconas).
El proceso de des-foliación es muy delicado, pues se debe conseguir una separación

natural de las escamas, sin dobleces que desfiguren su estructura. Para ello se sigue los
siguientes pasos:
1. Calentamiento sobre 800°C para provocar la desintegración por vaporización.
2. Temperar en agua.
3. Desfoliación por medios mecánicos o hidráulicos.
4. Tamizar por diversos calibres.
9.1.1.2. Aplicaciones:
Entre las aplicaciones más notables de los productos de Mica, se pueden mencionar:
Aislación de segmentos de conmutadores. En este caso es deseable una mínima can-

tidad de aglomerante, ya que estos elementos reciben fuertes solicitaciones de arco,
que solo es resistido por la mica. (Micanita blanca, 3 %).
Calefactores eléctricos de uso doméstico (tostadores, hervidores, planchas). Se com-

bina con fibra de vidrio o resinas de silicona para aplicaciones hasta 400 C.
Soportes de mica vidriada, se aglomera polvo de mica con vidrio de boro-silicato, a

temperaturas sobre 600 C. El producto tiene propiedades cerámicas.
Aislación principal de estatores de máquinas de alta tensión. La mica aplicada en

forma de cintas o mantos flexibles, y reforzada por resinas que curan térmicamen-
te, sigue siendo la forma ideal de construcción de estas aislaciones, tanto por su
capacidad térmica (B ó F), como por sus resistencia a las descargas.
Condensadores de baja tensión y alta frecuencia.
9.1.2. Asbesto
Los asbestos son minerales fibrosos con estructuras cristalinas anulares, consistentes
en cadenas de silicatos y otros óxidos metálicos. El ejemplo más común es la Crysotila,
cuya estructura global se representa por Mg6 Si4 O10 (OH)8 . Otro ejemplo es la Amosita
cuya estructura global es R6 (Si, Al)7 O22 (OH)2, donde R puede ser Ca, Na, Mn, Fe, Mg.
Las fibras de Crysotila son muy adecuadas para formar tejidos, tienen hasta 2 cm de
largo y diámetro del orden de 20 nm, es decir una estructura cuyo largo es 1 millón de

veces su diámetro.
Los principales minerales de asbesto se encuentran en Sudáfrica y Canadá. Con la fibra

refinada, se ejecutan toda suerte de tejidos y cuerdas. Para usos eléctricos es importante
que sea purificada de todo rastro de fierro.
La estabilidad térmica de la Crysotila se mantiene hasta los 300 C – 450 C, y la

desintegración opera por evaporación de los radicales OH. La amosita es estable a
temperaturas algo mayores.
Las pérdidas dieléctricas son elevadas en estos materiales, y sus aplicaciones se limitan
a bajas tensiones. Además son propensas a la absorción de humedad. En trabajos de alta
temperatura son irremplazables, sobre todo bajo actividad de arco eléctrico. Las aplicacio-
nes más notables de los asbestos son:
revestimiento de hornos
transformadores clase H
calefactores domésticos (sellados)
trajes de incendio
soldadoras al arco
9.1.3. Vidrio
El vidrio es una estructura amorfa, esto es un ordenamiento regular de planos
atómicos que mantienen espaciamientos claramente definidos. Adolece de formas micro-
cristalinas.
Las componentes del vidrio sin embargo son óxidos con estructuras cristalinas propias,
que al combinarse en proporciones muy precisas generan la estructura amorfa. Los óxidos
que cumplen las condiciones “vitrificables” son:
Óxido de silicio (SiO2 )
Óxido de boro(B2 O3 )
Pentóxido de fósforo (P2 O5 )
Óxido de arsénico (A2 O5 )
Óxido de germanio (GeO2 )
También otros óxidos pueden participar de la estructura amorfa, pero sólo como
acompañantes, ya que por si solos no cumplen con los requerimientos. Por ejemplo, el
óxido de aluminio (Al2 O3 ), el óxido de Bario (BaO) y otros. Estos agregados, cono-
cidos como “impurezas” modifican las propiedades dieléctricas o químicas del vidrio.
La mayor parte de los vidrios de uso industrial se fabrican en base a Silica (SiO2 ) y Cuarzo.

Figura 9.2: Factor de pérdidas en el vidrio.
Una composición típica de “vidrio alcalino” es la siguiente:

SiO2 ! 75 %
Na2 O ! 13 %
K2 O ! 2 %
CaO ! 10 %
Los aisladores de vidrio alcalino adolecen de elevada conductividad y débil estabilidad
superficial.
El llamado vidrio al Boro-silicato, o vidrio libre de álcali, tiene una composición como
sigue:
SiO2 ! 82 %
B2 O3 ! 13 %
K2 O ! 4 %
CaO ! 1 %
Este vidrio mejora notablemente el comportamiento dieléctrico, y se observa que por
la eliminación del ion Na+ y la disminución del ion Ca+ disminuye la conductividad y el
factor de pérdidas (Figura 9.2).
Los vidrios empleados en aisladores se someten a un proceso de temple para hacerlos

más resistentes mecánicamente. Para ello se les somete a un calentamiento de unos 700 C
y se enfrían luego con corrientes de aire. De este modo el vidrio queda sometido a una
tracción interna y a una compresión externa. Los aisladores de vidrio tienen excelente
resistencia al arco.
9.1.3.1. Fibra de Vidrio
Una de las aplicaciones más importantes del vidrio en la técnica de aislaciones, es su

uso como fibra o “mat”. Para ello se emplea vidrio no alcalino, de aluminio-borosilicato,
cuya composición típica es: (Vidrio E)
SiO2 ! 56 %
Al2 O3 ! 16 %
CaO ! 16 %
B2 O3 ! 10 %
MgO ! 2 %

Figura 9.3: Ubicación de algunas propiedades de la porcelana en un diagrama arcilla–cuarzo–feldespato.
O bien vidrio no alcalino-aluminio, con composición: (vidrio S)
SiO2 ! 65 %
Al2 O3 ! 25 %
MgO ! 10 %
Las fibras tienen diámetros entre 4 y 10 µm, y permitividad del orden de 5 a 6.
La telas de fibra de vidrio son térmicamente estables a temperaturas superiores a los

300 C. Tratadas con resinas de clase adecuada son empleadas como primera aislación en
devanados de máquinas rotatorias de gran potencia. La calidad de la impregnación debe
ser alta, para evitar las descargas en la porosidad propia de la fibra.
9.1.4. Cerámicas
A diferencia del vidrio al que puede darse forma por soplado, moldeado o presión,
las cerámicas se forman por un complejo proceso térmico y mecánico. A consecuencia
de ello, su estructura es heterogénea, presentando dos o más fases sólidas, con densidad
irregular, conteniendo vacuolas y con terminación superficial permeable. Ello exige un
proceso de vitrificación para hacerlas aptas para el uso eléctrico.
La cerámica se forma de la mezcla y fusión de materias primas finamente molidas,

a temperaturas del orden de 1400 C, durante unas 50 horas continuas. Esta condición
es preponderante desde el punto de vista económico, pues el costo de la cerámica está
directamente asociado a la energía requerida para su formación.
El proceso de esmaltado requiere un nuevo calentamiento de las piezas, para fundir el

esmalte pulverizado que se aplica a las superficies. El espesor del esmaltado modifica el

12
10
Porcelana
11
Esteatita
10
10
10
9
Resistividad, Ω cm
10
8
10
7
10
6
10
5
10
4
10
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Temperatura, °C
Figura 9.4: Variación de la resistividad con la temperatura.
comportamiento de la cerámica, en especial su resistencia al arco y su compatibilidad con

ambientes contaminantes agresivos.
Para uso eléctrico se maneja fundamentalmente dos modalidades:
Cerámicas duras
que se emplean en aisladores de líneas de alta tensión y bushings.
Esteatitas
con mejor resistencia al arco eléctrico y aplicadas en aislación de alta frecuencia.
Para la cerámica dura, las materias primas son Cuarzo (SiO2 ), Feldespato (Silicato
de aluminio alcalino) y Óxidos (Caolina o Silicato de aluminio).
Para la esteatita, los óxidos son aportados por el talco o silicato de magnesio.
El producto sintetizado contiene dos fases cristalinas: Al6 Si2 O13 y cristales de cuarzo
no solubles, empotrados en una fase de vidrio que resulta del feldespato fundido.
Las propiedades más sobresalientes de la porcelana son de índole mecánica, Tabla 9.2.
Estas propiedades se mantienen en piezas de diferentes formas y volúmenes, condición
que hace de la cerámica uno de los elementos aislantes más usados en la Electrotecnia.
La Figura 9.3 muestra la influencia de las componentes en las propiedades de la

porcelana.

9.2. MATERIALES DIELÉCTRICOS ORGÁNICOS 97
Resistencia en kg/cm2
Material Tracción Compresión
Cerámica Dura 300. . . 500 4000. . . 5000
Cerámica Esteati- 600. . . 1000 8500. . . 10000
ta
Fierro de fundi- 1200 6000
ción
Tabla 9.2: Propiedades mecánicas de la porcelana.
En valores medios, las propiedades eléctricas de la porcelana son las que se muestran
en la Tabla 9.3.
La resistividad volumétrica disminuye fuertemente para temperaturas sobre los 100 C,

como se muestra en la Figura 9.4. Esto implica un aumento sustancial de la tan , por lo
que se recomienda la porcelana como aislante de clase efectiva B, aunque su tolerancia
térmica está en la clase C.
Propiedad Valor
Rigidez dieléctrica 200. . . 400 kV/cm
transversal
Permitividad relativa 6. . . 7
tan a 50Hz y 20°C 170. . . 250·10 4 (dura)
10. . . 30·10 4 (esteatita)
Tabla 9.3: Propiedades eléctricas de la porcelana
Existen cerámicas especiales para aplicaciones particulares en Electrotecnia:
Cerámicas al Rutilo (óxido de Titanio):

por su alta permitividad (⇠ 100), su baja tan (⇠ 10 · 10 4 ) y su estabilidad en
frecuencia, se les emplea en la fabricación de condensadores.
Cerámica de corundo:
(Al2 O3 ), cuya temperatura de fusión es de 1800 C, se emplean en la fabricación de
bujías, que deben considerar condiciones de trabajo con elevada solicitación térmica
y eléctrica.
S ECCIÓN 9.2
Materiales Dieléctricos Orgánicos
9.2.1. Barnices y Resinas

Una gran variedad de aislantes sólidos se aplican a partir de formas liquidas o
componentes en gel, que por un proceso de evaporación de solvente o curado térmico o

Material ED kV/cm Permitividad "r tan Clase Térmica

Laca 1000. . . 2000 3. . . 5 100 · 10 3 E
Laca–aceite 600. . . 1200 3. . . 5 50 . . . 200 · 10 3 E
Seda 50. . . 90 3. . . 5 10 · 10 3 A
Tabla 9.4: Propiedades de la laca
natural, encuentran su endurecimiento definitivo.
Tales materiales son indispensables para la aislación de conductores magnéticos o la

impregnación de cintas y mats, así como en la protección final de bobinas o devanados
completos.
Se puede agrupar en dos familias estos materiales:
Resinas naturales
Resinas sintéticas
9.2.1.1. Resinas naturales
Se obtienen de las secreciones de especies arbóreas, que en contacto con el aire

endurecen. Son solubles en solventes orgánicos (alcoholes, parafinas), pero insolubles en
agua y resistentes al vapor. De ahí su adecuada aplicación como impregnante.
La más común y barata de las resinas es el colofón destilado de la resina de diversas

variedades de coníferas. Esta resina funde a 80 C. Es un buen impregnante del papel en
combinación con aceite mineral. Su aplicación es en bajas tensiones.
Otras resinas naturales son el copal y el damar, productos de árboles del trópico
africano y Malasia. Son la materia prima de barnices al alcohol.
La laca (shellac) es la secreción del insecto de la laca, que se reproduce en algunos

árboles nativos de la India, mezclando la resina con la suya propia. Su conformación
química es indefinida, y sus aplicaciones se basan en su excelente dureza, adhesión y
resistencia al agua. Es uno de los aglomerantes empleados para la refoliación de la Mica,
aplicada en máquinas de alta tensión y en separadores de conmutadores.
La Tabla 9.4 muestra algunas propiedades de la laca y sus aplicaciones derivadas:
9.2.1.2. Resinas sintéticas
Hay tres caminos para la formación de macro–estructuras químicas (sintetización):
Policondensación:
distintos grupos con capacidad de reacción son unidos por calor y la acción de ca-
talizadores, debiendo extraerse los subproductos, especialmente el agua. Ejemplos :
melamina, poliéster, nylon, silicona.

Poliadición:
similar a la policondensación, pero sin subproducto de reacción. Ejemplo: resina
epóxica.
Polimerización:
estructuras simples (monómeros) se unen en cadenas sin cambiar su composición y
sin segregación de subproductos. Ejemplos: polietileno, teflón, poliacrílicos, PVC.
Las macromoléculas pueden tener formas de cadenas lineales o de redes planas o

espaciales. Según esta forma, las propiedades mecánicas del material, como dureza
tenacidad, y el comportamiento dieléctrico varían fuertemente.
Desde el punto de vista térmico, los productos sintetizados se pueden agrupar en dos
familias:
Termoplásticos:
son estructuras de cadenas lineales, sólidas a bajas temperaturas, pero que plasti-
fican con calor, tomando una forma pastosa. Este estado es reversible, lo que se
aprovecha para la manufactura de sus aplicaciones. Los procesos son por inyección.
Ejemplo: PVC.
Duroplásticos:
son estructuras lineales, que por calentamiento se vuelven plásticas, pero en ese
proceso modifican sus estructura espacial conformando redes superpuestas, por lo
que el proceso no es reversible. Ejemplo: polietileno.
9.2.1.2.1. Resinas policondensadas
Las principales resinas policondensadas son:
a) Resinas fenólicas:
Su estructura se basa en el fenol, que reacciona con formaldehido, en presencia de
catalizadores y en caliente. Su aplicación es como aglomerante en fibras de celulosa,
asbesto, fibra de vidrio, madera, etc., así como en barniz de alambre magnético.
La temperatura de trabajo está en el rango 105 130 C (clase B). Son sensibles al
agrietamiento (tracking), especialmente en sus aplicaciones con papel (papel baque-
lizado, presspan). Se puede mejorar con recubrimiento de barniz de alta dureza.
Se aplican en motores clase A, y son aptas para ambientes químicos agresivos. Son
indispensables en la fabricación de tubos de papel y bushings de uso interior.
b) Resinas poliester:
Son resinas que se forman por la policondensación lineal de alcoholes y ácidos, en
una estructura reticulada tridimensional.
Se aplican en la preparación de barnices, resinas aglomerantes y resinas de impreg-
nación. Un uso clásico es su aplicación a estructuras de fibra de vidrio (cintas, mats).
Su curado es por temperatura en espacios abiertos, y puede ser aplicada en vacío so-
bre encintados de mica o fibra de vidrio. Son compatibles con la mayor parte de los
barnices de conductores.

Permitividad Rigidez Estabilidad

Resinas relativa "r tan Dieléctrica kV/cm Térmica °C
Fenólicas 4. . . 5 50. . . 100 · 10 3
Poliester 3. . . 6 10. . . 50 · 10 3 120. . . 180 hasta155

Poliamidas Alkílicas
Poliamidas aromáticas a 25°C,1kHz 3,5 > 3 · 10 3
de silicona a 25°C,1kHz 3,8 5 · 10 3
de silicona a 100°C,1kHz 3 · 10 3
Tabla 9.5: Resumen de propiedades para resinas policondensadas.
c) Resinas poliamidas alkylicas:

Esta familia de resinas son conocidas como Nylon, destacables por sus propieda-
des de alta resistencia mecánica a la abrasión, pero no tienen muchas aplicaciones
eléctricas pues están limitadas a la clase A y son severamente afectadas por la hume-
dad atmosférica. Se emplean como recubrimiento de cables o en alambres de baja
tensión.
d) Resinas poliamidas aromáticas:

Estas resinas incorporan estructuras cíclicas (difenilos) lo que mejora sus propieda-
des mecánicas y las hace más estables a la temperatura (180°C) y a la humedad.
Son aplicadas en forma de cintas o mats combinados con poliester en aislaciones
de ranura para motores clase F (155°C), y en transformadores secos que trabajan a
temperatura elevada. Están limitadas por su elevada tan .
Mediante reacciones químicas complejas es posible obtener estados policondensados
intermedios, que permiten la formación de películas con espesores en el orden de
25 µm.
Las polimidas son estables hasta 250 C, tolerando temperaturas críticas de 400 C
por algunas horas. Son retardantes a la llama, pero por su elevada absorción de
humedad (3 % o más) no son recomendables en aplicaciones que impliquen acei-
te o papel. Se emplean en recubrimiento de conductores y barnices clase C para
transformadores o máquinas rotatorias clase H.
e) Resinas de silicona:
Estas resinas se caracterizan por su estabilidad térmica, producto de incorporar áto-
mos de silicio en las cadenas orgánicas. Son típicamente clase H. Tienen baja absor-
ción de humedad (0,1 a 0,2 %). Resisten el aceite mineral, ácidos débiles y ozono.
9.2.1.2.2. Resinas de poliadición (epóxicas)
Las resinas epóxicas, llamadas también “de dos componentes”, deben su nombre al
grupo “epóxico” que conforma una de sus componentes:
Figura 9.5: Grupo epóxico.

Sus propiedades más sobresalientes son su facilidad de moldeo, su capacidad de

mezclarse con otros materiales sin segregación de subproductos, su poder adhesivo y su
elevada resistencia a la corriente superficial y a la humedad.
Son estables hasta 250 C. Su permitividad está en el rango 3,5 – 5 y la tan en el

rango 5 30 · 10 3 a temperatura ambiente y en un amplio rango de frecuencias.
Para el curado definitivo se emplean tratamientos térmicos a temperaturas de 180 C.

Mientras no se alcance este estado, la resina se mantiene flexible, lo que facilita su
incorporación como impregnante en tejidos (fibra de vidrio o mica). Todos los elementos
que se encapsulan en resina epóxica deben ser secados al vacío previamente. Para piezas
de gran tamaño se emplea algún material de relleno, básicamente cuarzo, conservándose
en general todas las propiedades de la resina.
Resinas epóxicas de curado al ambiente son de bajas cualidades térmicas y eléctricas.
9.2.1.2.3. Resinas de polimerización
a) Polietileno:
Es un polimero del etileno
Figura 9.6: Polietileno.
b) Polietileno de baja densidad:

Se forma a 400 C, 1500 atm, con oxígeno como catalizador. Su estabilidad térmica
está entre 50 y 100 C y posee baja absorción de humedad (< 0.1 %). Es resistente
a ácidos y alkalis.
Propiedad Valor
Permitividad 2,3
tan < 0, 5 · 10 3
Temperatura de trabajo hasta 90°C (Clase A)

Cristalinidad 50–60 %
Tabla 9.6: Propiedades del P.E. de baja densidad
El polietileno de baja densidad es sensible a la radiación solar y para su uso en

exteriores debe ser cargado son negro de humo (2-3 %).
c) Polietileno de alta densidad:

Es un material de mayor peso molecular formado a partir de polietileno mediante un
proceso de catalización. Su cristalinidad alcanza un 90 %, lo que le confiere mayor
estabilidad mecánica y térmica.

d) Polietileno reticulado(XLPE):
Mediante un proceso térmico aplicado durante la estrusión del material sobre los
conductores eléctricos, se puede lograr la polimerización transversal del P.E., condi-
ción en la cual se hace más resistente a las descargas parciales.
Los cables de alta tensión, hasta 69 kV, se diseñan con solicitaciones máximas del
orden de 2,5 kV/mm. Para disminuir las irregularidades y homogenizar el campo
eléctrico solicitante, el dieléctrico debe instalarse entre películas semiconductoras,
las que se estrusionan conjuntamente con el P.E.
e) Polipropileno:
Este polímero se sintetiza de manera similar al P.E., a partir del propileno. Sus ca-
racterísticas son similares a las del P.E.
(a) Propileno
(b) Polipropileno
Figura 9.7: Formación del polipropileno.
Es susceptible a la degradación por radiación UV., lo que limita sus aplicaciones,

por los antioxidantes que requiere para su estabilidad. Su mejor propiedad es la
elasticidad, que se aprovecha en la fabricación de cintas y pliegos.
Una excelente aplicación de este material es su combinación copolimérica con el
PE, para la goma PE/PP, conocida como EPR (60 % PE, 40 % PP). Sus propiedades
elásticas son apreciadas en la fabricación de cables de alto tráfico, hasta clase 15 kV.
f) Poliestireno:
Es un material sintetizado a partir del vinil–benceno Fig 9.8 . Con la estructura final
de la Fig 9.9.
Figura 9.8: vinil–benceno.
Figura 9.9: Estructura final del poliestireno.

Se aplica en condensadores, como cinta flexible metalizada por ambas caras, con
temperaturas límites de 70 75 C. Combinado con fibra de vidrio forma la conocida
placa para circuitos impresos de uso electrónico.
Tiene muy baja absorción de humedad (< 0, 03 %), su permitividad es 2,5, y es
estable en frecuencia.
g) Politetrafluoretileno (teflón):
Se obtiene por polimerización del gas C2 F4 (tetrafluoretileno). Su estructura es muy
homogénea y estable química y mecánicamente:
Figura 9.10: Tefón.
Sus propiedades mecánicas son muy apreciadas, y eléctricamente se emplea en ca-

bles de baja tensión para ambientes agresivos (humedad, acidez, calor, llama), en
alambres magnéticos para ambientes térmicos.
También se aplica en placa de circuito impresos, combinado con fibra de vidrio.
h) Cloruro de polivinilo (PVC):

Se forma del monómero cloruro de vinilo, originado de agregar HCl al acetileno
C2 H2 . Su estructura final es la de la Fig 9.11.
Figura 9.11: Estructura final del cloruro de polivinilo (PVC).
Para uso a temperatura ambiente, el PVC necesita un plastificante, cuyas moléculas

se introducen entre las uniones inter-cadenas de la macromolécula, aumentando su
flexibilidad.
Su aplicación es en aislación de conductores de baja tensión. Es resistente a la agre-
gación química, al ozono y a la humedad. Su temperatura de trabajo está limitada
a 80 C. Para temperaturas mayores, la permitividad y la tan se disparan, provo-
cando efectos capacitivos indeseables entre los conductores, y corrientes de fuga no
despreciables.
i) Poli-metil-metacrilato (acrílico):
Es una resina resistente al agua y de excelente terminación superficial, lo que la ha
popularizado como moldante en estructuras a la vista. Tiene elevada resistencia a
corrientes de fuga y a la agresión ambiental. Se aplica en forma de placas o tubos.
(Plexiglass).
j) Polietileno tereftalato (mylar):

Es una resina poliéster, producto de la reacción del alcohol etileno glicol y el ácido
tereftálico.

(a) Variación de la permitividad
(b) tan
Figura 9.12: Principales características del PVC.
Propiedad Valor
Permitividad 3,6
tan 20 . . . 70 · 10 3
Temperatura límite 80°C
Tabla 9.7: Propiedades del acrílico.
Se le conoce comercialmente como Terilen, Melinex o Mylar, o simplemente como

“Poliéster”. Como aislante eléctrico es estable hasta los 120 C. Es absorbedor de
humedad, por lo que se degrada en ambiente libre. Conviene operarlo en aceite
mineral o silicona.
Propiedad Valor
Permitividad 3,2 (< 60C)
tan 10 3 10 2
inestable en frecuencia
Tabla 9.8: Propiedades del mylar.

Aplicaciones en condensadores, (aunque de pérdidas altas), barreras térmicas, cinta

magnética, placas en transformadores, cintas aislantes adhesivas, aislación de resi-
nas en motores de baja tensión.
k) Resinas de poliéster reticulado:

Se obtienen por efecto de reacciones de resinas de poliéster no saturadas (mantie-
nen enlaces dobles) en ambientes ácidos y de alcohol, y endurecen en presencia de
estabilizadores que se aplican “in situ”, (estireno).
El catalizador actúa como solvente y una vez curada la pieza, no es remitido al
ambiente. De este modo, la estructura es auto–compactada y no posee vacuolas,
además de ser amigable para su manufactura.
Su aplicación eléctrica es en barnices de impregnación para devanados de alta ten-
sión, pues son compatibles con todo tipo de cintas. La dificultad radica en que su
contacto con cobre metálico inhibe su curado y deben tomarse medidas especiales
para evitarlo.
Estas resinas aumentan su factor de pérdidas con la sobre-temperatura (> 20 C). Se
recomiendan para clase F (< 155 C).
Son resistentes a ambientes de hidrocarburos, pero son sensibles a solventes polares,
álcalis y ácidos.
l) Resinas de poliuretano (isocianato):

Son resinas que incorporan el grupo isocianato:
Figura 9.13: Grupo isocianato. R: grupo o cadena orgánica.
Sus propiedades de elasticidad y dureza los hacen aplicables como barnices en con-
ductores e impregnantes de tejidos.
Su estabilidad térmica alcanza los 150 C y combinado con fibra de vidrio forma un
sistema clase F (155 C). En conductores magnéticos, su límite de aplicación es de
120 C.
Son resistentes a la humedad, pero se degradan al vapor o en condiciones de alta
humedad y alta temperatura. Tienen buena resistencia al aceite y al ozono.
La tan a 50 Hz, 20 C, es del orden 10 2, pero crece rápidamente sobre los 80 C.
9.2.2. Derivados de Celulosa

El papel de celulosa es el material más barato y simple de aplicar en muchas soluciones
de aislación en alta tensión, combinándolo con impregnantes o resinas aglomerantes.
La celulosa es una macro-molécula de unidades de glucosa (poli-sacárido), de origen

vegetal. La estructura es fibrosa con fibras de 15–30 µm de diámetro y 1–20 mm de largo.
La celulosa de uso eléctrico se obtiene en pulpa de madera de pino, que es hervida

en una solución alcalina, (soda cáustica). El producto debe ser puro, libre de resinas,
lígninas y residuos alcalinos, lo que se consigue después de sucesivos lavados. Se aprecia
igualmente la resistencia mecánica, la densidad, la impermeabilidad, la porosidad y la

uniformidad. Su permitividad es del orden de 6.
Para mantener sus propiedades el papel debe trabajar en un medio sellante. En tal
sentido sus aplicaciones principales son el papel impregnado en aceite mineral y el papel
prensado con resina. Veremos algunas características del papel impregnado, por su amplio
uso en transformadores y condensadores.
El papel impregnado, correctamente secado, presenta una permitividad en el rango 3

a 3,5 y un factor de pérdidas del orden de 2 · 10 3 a 20 C, que sube a 3 · 10 3 a 100 C. Con
papel de alta densidad se puede alcanzar solicitaciones de trabajo de 100 a 150 kV/mm.
En general se trabaja con factores de seguridad 10, para compensar la inevitable

existencia de descargas parciales que aparecen con el uso.
Los bushings de alta tensión, tipo condensador, empleados en transformadores

clase 115 kV y superiores, se diseñan con solicitaciones críticas de 3,5 kV/mm. En
estas condiciones, el aceite y el aire quedan solicitados normalmente cerca de su limite
corona. En caso de sobretensiones, las descargas deben ocurrir preferentemente en el aire.
El papel impregnado tiene como límite térmico el rango 100 110 C, por lo que
su trabajo sostenido no debe ser a más de 70 80 C. Esto condiciona el diseño de los
transformadores.
El contenido de humedad altera sustancialmente la resistividad del papel, como se

observa en la Figura 9.14.
Figura 9.14: Resistividad del papel impregnado.
El papel prensado puro o con resina, se aplica como pantalla aislante de transforma-
dores y condensadores y en la fabricación de tubos y ductos de conductores.

C APÍTULO 10
T ÉCNICAS DE EXPERIMENTACIÓN EN AL -
TA TENSIÓN
S ECCIÓN 10.1
Generación de alta tensión
Las señales de alta tensión usadas en el laboratorio son:

Alta tensión alterna (ATCA), 50Hz
Alta tensión continua (ATCC), ambas polaridades
Alta tensión de impulso, ambas polaridades.

Los equipos de ensayo de alta tensión difieren de los usados en redes de potencia, en
los siguientes aspectos:
Menor capacidad de corriente
Uso interior
Gran tolerancia a cortocircuitos.
S ECCIÓN 10.2
Generación de ATCA
10.2.1. Transformador de ensayo
Figura 10.1: Esquema básico de conexión de un transformador de AT.
Se caracteriza por su elevada razón de transformación. Por ejemplo:
107
10.2. GENERACIÓN DE ATCA 108
400V/125000V, 15kVA
220V/100000V, 5kVA
La regulación de tensión se realiza desde el lado de baja tensión.
Los transformadores de ensayo de ensayo se construyen de dos tipos:
1. En tanque metálico:
Mejor refrigeración
Requiere pasamuro
2. En tanque aislante:
Compacto
10.2.2. Cascada de transformadores.
Figura 10.2: Esquema para cascada de dos etapas.
Usualmente se recurre a la conexión en cascada de transformadores, para tensiones de

ensayo sobre los 200kV. Se construyen cascadas de varios MV.
10.2.3. Circuito equivalente.

La aislación entre devanados y entre el devanado de alta tensión y tierra, representa
una capacidad importante (⇠ 1000pF). El circuito equivalente básico es el de la Figu-
ra 10.3(a), que reducido a por unidad (pu) queda como el de la Figura 10.3(b).
Donde:
(Rk ), (Xk ): Impedancia de cortocircuito en pu
C = Ci + Cp : Capacidad total de alta tensión.
Del diagrama fasorial (Figura 10.4) se observa que la elevada capacidad de carga
provoca una elevación adicional de la tensión secundaria.

10.2. GENERACIÓN DE ATCA 109
(a) Circuito básico (b) Reducido a pu
Figura 10.3: Circuito equivalente para el transformador de ensayos.
En transformadores reales Rk ⌧ Xk , por lo que U1 y U2 están aproximadamente en

fase, entonces:
1
U2 ⇡ U1 (10.1)
1 ! 2 Lk C
Figura 10.4: Diagrama fasorial
Además, la tensión de cortocircuito del transformador (Uk ), se expresa según:
!Lk !Lk
(Uk ) = = (10.2)
ZB Un /In
Pero en condiciones nominales de carga:
Un 1
= Xc = (10.3)
In !C
Por los que resulta:

(Uk ) = ! 2 Lk C (10.4)
De donde se desprende:
(U1 )
(U2 ) = (10.5)
1 (Uk )
Ejemplo: Para (Uk ) = 10 %, (U2 ) = 1.1(U1 ). Es decir, con carga nominal capacitiva, se
puede esperar un 10 % de sobretensión en relación a una calibración en vacío.

10.3. GENERACIÓN DE ATCC 110
10.2.4. Circuitos resonantes para la generación de alta tensión alterna

El circuito básico de resonancia serie es el de la Figura 10.5
T1: Transformador de alta tensión para acoplar reactor al condensador ensayado.
T2: Transformador de excitación.
El reactor se regula para provocar la resonancia con la probeta.
Ventajas:
La señal de excitación es puramente senoidal.
No se requiere alimentación de corriente reactiva, por lo que T2 es de baja potencia.
Si la probeta falla, se pierde el punto de resonancia, y e atenúa la corriente en forma

instantánea.
Es el método ideal para el ensayo de grandes probetas capacitivas.
Figura 10.5: Circuito serie resonante.
S ECCIÓN 10.3
Generación de ATCC
La alta tensión continua (ATCC) se usa en laboratorios para el ensayo de probetas

muy capacitivas, como cables o condensadores, y para experimentos físicos en materiales
aislantes. Otras aplicaciones existen en: rayos X, precipitadores electrostáticos, fuentes de
carga par generadores de impulso, etc.
La ATCC se genera por dos procedimientos:
1. Rectificación de ATCA.
2. Máquinas electrostáticas.
10.3.1. Circuitos de rectificación

10.3.1.1. Rectificación de media onda
La Figura 10.6 muestra el circuito empleado, en el cual se identifica los siguientes

componentes:

Figura 10.6: Rectificador de media onda
T : Transformador de alta tensión
R : Resistencia limitadora
D : Diodo de alta tensión
Diodo de alta tensión: Conexión serie de diodos simples con red paralela de distribución
de potenciales. corrientes ⇠ 5 20mA, tensiones ⇠ 100 200kV.
bT . Por ejemplo: para un transformador con razon de trans-
Máxima tensión inversa: 2U
formación de 220/100000 el requerimiento enel diodo es:
p
Uinv 2 · 100 2kV
10.3.1.2. Doblador de Greinach
(a) doblador (b) cuadruplicador
Figura 10.7: Circuitos de Greinach
La máxima tensión inversa que debe soportar cada diodo para el caso del circuito
doblador es:
bD1 = U
U bD2 = 2UbT (10.6)
Se puede emplear una cascada de dos circuitos dobladores de Greinach como se ilustra
en la Figura 10.7(b)
10.3.2. Ondulación de señales rectificadas

Se denomina de esta forma a la diferencia periódica entre el valor máximo y el valor
mínimo de la tensión de salida dividida por dos.
V0máx V0mín
U= (10.7)
2

y se define el factor de ondulación F O según:
U V V0mín
FO = = 0máx (10.8)
V0 2V 0
En una buena fuente de ATCC, el factor de ondulación es menor que 1 %
10.3.2.1. Ondulación en circuito doblador
(a) Circuito
v0(t)
v1(t)
Δ V1
Δ V2
tensión
t1 t2
tiempo
(b) Forma de onda
Figura 10.8: Ondulacion en circuito doblador.
En la Figura 10.8(b):
V1 : Caída de tensión por descarga de C1
V2 : Caída de tensión por descarga de C2
t2 : V1 > V0 , conduce D2 , carga C2 , descarga C1
t2 : V1 < V0 , conduce D1 , carga C1 , descarga C2
Se considera que las exponenciales pueden ser aproximadas como rectas.
Asumiendo que en t1 y t2 se transfiere igual carga eléctrica Q a la carga conectada y

que t1 t2 :
Q = C 1 V 1 = C 2 V2 (10.9)
1
t1 ⇡ T = (10.10)
f

10.4. GENERACIÓN DE AT DE IMPULSO 113
(a)
(b)
Figura 10.9: Esquema básico de un generador de impulsos.
La corriente de carga es:
Q Q
I0 = = = Qf = C1 V1 f = C2 V2 f (10.11)
t t1
Luego:
I0
V1 = (10.12)
f C1
I0
V2 = (10.13)
f C2
Entonces:
V2
V 0 = 2VbT V1
2✓ ◆
I0 1 1
= 2VbT + (10.14)
f C1 2C2
V2 I0
= = (10.15)
2 2f C2
S ECCIÓN 10.4
Generación de AT de impulso
10.4.1. Generador de una etapa

Los modelos básicos de la Figura 10.9 se usan para generar impulsos de alta tensión.

V.Exp(−t/(R C ))
2 1
V.Exp(−t/(R1C2))
v (t)
0
Tensión
Tiempo
Figura 10.10: Forma de onda de un impulso
En estos modelos:
C1 : Condensador de impulso
C2 : Condensador de carga
R1 : Resistencia de frente
R2 : Resistencia de cola
S : Espinterómetro de disparo.
Del análisis del circuito de la Figura 10.9(a), se deduce:

h i
v0 (t) = V e t/R2 C1
e t/R1 C2
(10.16)
10.4.1.1. Descripción
Inmediatamente tras el disparo de S, la tensión V acumulada en C1 queda impresa

en la combinación serie de R1 y C2 , que definen el frente de onda, cuanto menor sea la
constante de tiempo (R1 C2 ), tanto más rápido la señal v0 (t) tenderá a su valor máximo.
La lenta decadencia de la amplitud del impulso en la región de cola quedad deter-

minada por la descarga de las capacidades, proceso en que predomina la constante de
tiempo R2 C1 .
El máximo valor de v0 (t) no puede superar la tensión que resulta de la redistribución

de la carga inicial C1 V en la combinación paralela de C1 y C2 , esto es:
(C1 + C2 )V0 = C1 V (10.17)

La relación (10.17) permite definir el rendimiento del circuito de impulso, según:

c0
V C1
⌘= = (10.18)
V C1 + C2
Usualmente C1 > 5C2 , por lo que ⌘ > 75 %.
El circuito de la Figura 10.9(b) tiene un mejor rendimiento, ya que en el caso del

circuito 10.9(a) R1 y R2 forman un divisor de tensión.
Los circuitos de una etapa están limitados a 200kV de tensión de carga. Para impulsos
de mayor tensión se emplea cascadas, según el modelo diseñado por Marx (1924).
10.4.2. Generador de impulsos según Marx

La idea básica es cargar una batería de condensadores conectados en paralelo, y des-
cargarlos en serie, de modo que la tensión de salida resulta ser la suma de las tensiones
de carga en cada condensador. Esto se consigue utilizando el circuito de la Figura 10.11.
Figura 10.11: Generador de Marx de cuatro etapas.
Para visualizar mejor la operación del circuito, se puede separar las etapas de carga y
descarga (Figura 10.12).
10.4.2.1. Disparo del generador
En el generador de cuatro etapas antes propuesto, se observa que una vez finalizado
el proceso de carga, las caídas de tensión en las resistencias (R) son nulas, y la diferencia
de potencial en cada espinterómetro, es V , estando los terminales pares al potencial de
tierra y los terminales impares a potencial positivo.
Al disparar S1 , por alguno de los procedimientos que se explicará luego, el terminal

1 es puesto instantáneamente a potencial cero, lo que equivale a inyectar V en dicho
punto. El frente infinito del escalón inyectado acciona las capacidades parásitas, de modo

(a) Carga (b) Descarga
Figura 10.12: Generador de Marx.
que los potenciales impares asumen todos el potencial de tierra.
El terminal 4 debe ajustar instantáneamente su potencial a 2V (por la fuente V

inyectada y el potencial del condensador), al dispararse S1 , lo que asegura el disparo de
S2 con una diferencia de potencial 2V .
Análogamente el terminal 6 ajusta su potencial en 3V . De este modo S3 se ve

solicitado por 3V asegurando su disparo. Y así sucesivamente.
En resumen, el proceso de disparo se desencadena de manera automática, siendo el

único punto crítico el oportuno disparo de S1 . Según como se logre la disrupción de S1 ,
los generadores se clasifican en dos:
10.4.2.1.1. Generadores de disparo espontáneo:
En estos casos, se logra el disparo de S1 por la superación de la rigidez dieléctrica del

espacio inter-esferas, a causa del gradual elevación del potencial de carga.
10.4.2.1.2. Generadores de disparo controlado:
Para definir en forma exacta el instante del disparo y la amplitud de la onda generada,
es necesario independizar la avalancha de S1 de la tensión de carga V , al menos en cierto
rango de operación.
Una solución probada con éxito es la incorporación a S1 de un electrodo auxiliar,

inserto el el terminal de baja tensión, que trabaja como bujía de pre-ionización, al recibir
un pulso de alta tensión.

Figura 10.13: Espinterómetro con disparo controlado.
S0 se dispara controladamente desde un circuito electrónico, originando una ioniza-

ción local, que desencadena el proceso de avalancha de S1 .
Figura 10.14: Rango de controlabilidad.
Dado que el proceso se inicia exteriormente, se puede regular la distancia entre esferas
con un amplio rango de tolerancia, lográndose siempre disparo efectivo, como se muestra
en la Figura 10.14
10.4.2.2. Circuito equivalente del generador
Para el disparo simultáneo de todos los espinterómetros se puede formular el circuito

equivalente de la Figura 10.15 para el generador:
Figura 10.15: Circuito equivalente del generador de impulsos.
Nota: En muchos generadores R1 y R2 se incorporan de forma distribuida entre etapas.
10.4.2.3. Características de los generadores
10.4.2.3.1. Tensión nominal

Es la tensión total de carga que acepta el generador, igual a nV , siendo n el numero de

etapas y V la tensión de carga por etapa.
La tensión de salida tiene una amplitud Vb0 < nV . Un rendimiento típico está entre 70
y 99 %.
Las tensiones de carga oscilan entre 100 y 200kV por etapa.
10.4.2.3.2. Capacidad nominal
Es la capacidad de impulso equivalente, C/n, siendo C la capacidad por etapa.

Normalmente C oscila entre 100nF y 1µF.
La capacidad nominal debe ser a lo menos cinco veces mayor que la capacidad de
carga total, incluyendo la probeta. De otra forma, el rendimiento se afecta demasiado, lo
que obliga a una tensión de carga exagerada.
10.4.2.3.3. Energía nominal
Es la energía total almacenada en los condensadores de impulso, cuando su tensión de

carga es la nominal.
1C n CV 2
Wc = (nV )2 = (10.19)
2n 2
La energía nominal es una indicación del rango de aplicaciones del generador. Probe-
tas de baja capacidad tales como cadenas de aisladores, pasamuros, transformadores de
medida y transformadores de baja potencia, pueden ser ensayados con energías menores
a 1kJ.
Transformadores de potencia mayores a 1MVA, presentas capacidades de carga en el

rango de 10nF, lo que exige energías nominales sobre 10kJ.
10.4.3. Control de forma de onda en ensayo de impulso de transformadores

Para efecto de ensayo de impulso, los devanados de transformadores se clasifican en:
Devanados de alta impedancia (L >100mH)
Devanados de baja impedancia (L <20mH)
10.4.3.1. Devanados de alta impedancia
El devanado se modela como una capacidad pura. considerando las dos posibles con-
figuraciones del generador de impulsos (Figura 10.16)
Donde:
Cg : Capacidad de impulso equivalente
C: Capacidad de carga (probeta, divisor, base)
Rs : Resistencia serie total (interna, externa)

(a)
(b)
Figura 10.16: Modelos para prueba de impulsos a devanados de alta impedancia.
Rp : Resistencia paralela
Parámetro Configuración
aproximado (a) (b)
Rs Rp C g C Cg C
Tiempo 3 3Rs
Rs + Rp C g + C Cg + C
de frente
Tf
Tiempo 0.7(Rs + 0.7Rp (Cg + C)

de cola Tc Rp )(Cg + C)
*Parámetros para impulso tipo rayo.

Si Rp Rs y C g C, para ambos casos vale:
Tf = 3Rs C (10.20)
Tc = 0.7Rp Cg (10.21)
La capacidad del transformador, incluida en el valor C es un valor diferente en el

frente y en la cola de la solicitación.
Para el tiempo de frente con Cdt capacidad del devanado a tierra y Cds capacidad serie
del devanado: p
CT = Cbushings + Cdt Cds (10.22)
Para el tiempo de cola:

CT = Cbushings + AC (10.23)
Con A constante < 1, dependiendo de la distribución inicial de potencial.

10.4.3.2. Devanados de impedancia media (20 < L < 100)
En estos casos se reduce considerablemente la constante de tiempo de la descarga

(Rp Cg ), y las ecuaciones para el ajuste de cola ya no son aplicables, ya que la forma de la
onda no es estrictamente exponencial.
Una forma de cálculo aproximado es considerar que la resistencia de cola Rp , se au-

menta entre 2 y 10 veces en relación al valor precalculado.
10.4.3.3. Devanados de baja impedancia
Los tiempos de frente se calculan como antes. Para el caso de la cola rige el siguiente
circuito:
Figura 10.17: Equivalente para baja impedancia
La tensión UT será oscilatoria o exponencial dependiendo del factor de amortiguación

(k) del circuito.
Si k < 1, la tensión de ensayo se expresa:
UT (t) = U e ↵t
[cos(!t) ↵ sen(!t)] (10.24)
escrito de otra forma:

U
UT (t) = e ↵t
cos(!t + ') (10.25)
cos '
Donde:
! 2 = !o2 ↵2 (10.26)
1
!o2 = (10.27)
LCg
Rs
↵ = (10.28)
2L
↵ k
tan ' = =p (10.29)
! 1 k2
↵ Rs
k = = s (10.30)
!o L
2
Cg
Típicamente la oscilación es como se muestra en la Figura 10.18.
Para una primera aproximación de T2 se asume Rs = 0, por lo que la ecuación 10.25

queda:
UT (t) = U cos(!o t) (10.31)

100%
T
Tensión U
50%
0 T2
ωt
Figura 10.18: Oscilación de la tensión en bornes del transformador
U
y el tiempo de cola, es decir para UT = , resulta:
2
2⇡ 1 ⇡p
Tc = = LCg (10.32)
6 !o 3
Para esta condición de operación, se acepta una oscilación no amortiguada, cuyo

máximo de polaridad opuesta (U1 ) es igual al 100 % de la solicitación.
Según la norma IEC 76-3[?], el máximo de polaridad opuesta debe limitarse a 50 %

de la amplitud inicial de la oscilación, lo que implica introducir un considerable grado
de amortiguación. Esto, a su vez, forzará un tiempo de cola menor al expresado por la
relación anterior.
Se puede calcular que para cumplir con la exigencia de la norma, se debe operar con
un factor de amortiguación k = 0.25. entonces, el tiempo de cola se expresa:
p
Tc = 0.5LCg (10.33)
Luego, el tiempo de cola queda controlado por la inductancia de la probeta y la

capacidad equivalente del generador de impulsos.
10.4.3.3.1. Control de L:
La inductancia del transformador es influenciada por la conexión de los devanados no

ensayados. Si estos se cortocircuitan y ponen a tierra (conexión usual), L es la inductancia
de dispersión del transformador.
Se puede conseguir una mayor inductancia efectiva cargando los devanados no ensa-
yados con resistencias, cuidando de no sobrepasar en estos el 75 % de su nivel de aislación.
10.4.3.3.2. Control de Cg :

10.5. GENERADOR DE IMPULSOS DE CORRIENTE 122
La capacidad del generador puede modificarse por conexiones serie-paralelo de sus eta-
pas. La capacidad mínima para cumplir con la exigencia prescrita, es:
Tc2
Cg = 2 (10.34)
L
Pero esta condición es a menudo inalcanzable, por ser L un valor muy bajo. En estos
casos, el circuito se comporta como L R, cuya constante de tiempo es:
L
⌧= (10.35)
Rs
Esta relación sugiere otro modo de control de Tc , disminuir Rs . Esto conlleva una
disminución del amortiguamiento, que se manifiesta en oscilaciones superpuestas en la
cresta del impulso, y en el primer máximo negativo.
Los efectos de la reducción de Rs pueden ser compensados por la conexión de una

capacidad base mayor.
10.4.3.3.3. Otras opciones
Una forma de modificar la inductancia efectiva del circuito de ensayo, es agregar una
inductancia en paralelo con la resistencia de frente[?].
Figura 10.19: Modificación del circuito de ensayo.
S ECCIÓN 10.5
Generador de impulsos de corriente
Los impulsos de corriente se requieren en los ensayos de descargadores, interruptores,

fusibles, localización de fallas en cables, etc.
Para generar estos impulsos de alta corriente se utilizan circuitos capacitivos que
se descargan por medio de espinterómetros de disparo controlado. A diferencia de los
generadores de impulso de alta tensión, en este caso los condensadores se mantienen en
paralelo durante el disparo.
Otros sistemas de acumulación de energía usados con este fin son los reactores de
núcleo de aire o los rotores de generadores, que al ser puestos en cortocircuito violento,
suministran impulsos de corriente de alta energía.

10.6. MEDICIÓN DE SEÑALES DE ALTA TENSIÓN 123
Figura 10.20: Circuito capacitivo básico
En el circuito capacitivo básico de la Figura 10.20, C corresponde a la batería de

condensadores que se carga desde una fuente de ATCC de baja potencia, a un nivel entre
50 y 100kV, L y R representan los parámetros del circuito de interconexión y S es un
espinterómetro de disparo controlado.
La respuesta del circuito puede asumir alguna de las siguientes formas:
a) Oscilación modulada exponencialmente (subamortiguado, R pequeña):
V
i(t) = e ↵t
sen(!t) (10.36)
!L
Siendo:
r
1 R2
! = (10.37)
LC 4L2
R
↵ = (10.38)
2L
b) Onda unidireccional (amortiguamiento crítico):
V
i(t) = te ↵t
(10.39)
L
q
Para el caso R = 2 CL
, la máxima amplitud de corriente resulta:
r
V C
Ib = (10.40)
e L
c) Oscilación pura (R = 0): En este caso el amortiguamiento es nulo, y la señal de

corriente alcanza una amplitud:
r
C
Ib = V (10.41)
L
que equivale a “e” veces la amplitud del caso crítico.
S ECCIÓN 10.6
Medición de señales de alta tensión
Existen dos modalidades de instrumentación para señales de alta tensión.

Modo directo: Voltímetro electrostático, espinterómetro esférico.
Modo indirecto: divisores de tensión, transformadores, resistencias de derivación

(shunt).
10.6.1. Modo directo

10.6.1.1. Voltímetro electrostático
Figura 10.21: Esquema voltímetro electrostático
El principio de medición se basa en las fuerzas de atracción electrostática entre placas

a diferente potencial.
La fuerza de atracción es:

dW
F = (10.42)
dS
Siendo S la distancia de separación entre placas y W la energía electrostática:
1
W = Cv 2 (t) (10.43)
2
Sustituyendo (10.43) en (10.42):
1 dC
F = v 2 (t) (10.44)
2 dS
El valor medio de la fuerza de atracción resulta:

Z T
1 dC 1 dC 2
F = v 2 (t)dt = V (10.45)
2T dS 0 2 dS ef
Esta relación indica que la fuerza es proporcional al valor cuadrático efectivo de la

señal de tensión aplicada.
En aire, la máxima solicitación aceptable es 14kV/cm, por lo que la fuerza detectable

es del orden de 10N/m2 . Desarrollos modernos es gas a presión, logran precisiones del
orden del 0.1 %.
10.6.1.2. Espinterómetro esférico
Se requiere como referencia general en los laboratorios de alta tensión. Su ventaja

es que por basarse en principios físicos de fácil inspección (densidad del aire, datos
geométricos), su comportamiento y calibración son incuestionables y repetitivos. Si se

realizan las mediociones con las exigencias y correcciones de norma [?], su precisión cae
dentro del 3 %.
La modalidad constructiva más usual es la vertical, como se muestra en la Figu-

ra 10.22. Como recomendación práctica debe cumplirse que D, mm U, kV y Rs limite I
a 1mA.
Figura 10.22: Espinterómetro esférico
Este instrumento se puede aplicar para señales continuas, alternas o de impulso, siendo
sensible a la amplitud de la señal. En el caso de impulso, su medición se expresa como
U50 , es decir, la amplitud que provoca descarga en el 50 % de los casos que se aplica.
10.6.2. Modo indirecto

10.6.2.1. Miliamperímetros
Se puede medir alta tensión estacionaria (continua o alterna), a través de la corriente

que recorre una resistencia calibrada, de elevado valor, conectada al potencial.
Figura 10.23: Método indirecto con miliamperímetro
La resistencia R está libre de corona y calculada para I < 1mA. P es un descargador

de sobretensión para proteger la instrumentación y al operador.
10.6.2.2. Divisor resistivo de alta tensión
Es un instrumento de aplicación universal, para señales continuas, alternas o impulso,

aunque su forma constructiva cambia según su aplicación.

Figura 10.24: Divisor para ATCC
10.6.2.2.1. Divisor para ATCC
R1 : Resistor libre de corona (> 1000M⌦)
R2 : Resistor de valor R1 · 10 3
I: Instrumento, mV, osciloscopio
P : Descargador de sobretensión
10.6.2.2.2. Divisor para ATCA
El esquema es similar al de ATCC, pero se agregan exigencias constructivas en los resis-

tores, que deben ser blindados, a fin de fijar el valor de las capacidades de dispersión que
introducen un error de fase y magnitud si se dejan abiertas.
10.6.2.2.3. Divisor para AT de impulso
En este caso, la señal medida es transmitida al instrumento por un cable con caracterís-
ticas definidas de impedancia de onda. Para evitar reflexiones de la señal en su extremo
de alta impedancia (mV, osciloscopio), se cierra el cable con un resistor R = Z0 .
La resistencia de alta tensión, R1 , tiene valores en el rango de 1k⌦. La capacidad parásita,
Figura 10.25: Divisor para impulsos
C1 , de este elemento juega un rol importante en la respuesta del divisor y debe ser fijada
a un valor definido.
Un circuito equivalente del divisor de impulso resistivo es el de la Figura 10.26, donde:

2
C= C1
3
C1 = Capacidad total de dispersión a tierra.

R2 Z 0
Re =
R2 + Z 0
Figura 10.26: Equivalente divisor para impulsos
La capacidad parásita C1 limita la respuesta en frecuencia del divisor, cuya constante

de tiempo se expresa según:
RC
⌧= ; R = R1 + R 2 ⇡ R1 (10.46)
4
Entonces:
R1 C 1
⌧= (10.47)
6
Un valor estimativo: C1 ⇠ 15 ÷ 20pF/m
ej Divisor resistivo de 1MV, 3m de altura, con R1 = 20k⌦.
20 · 103 · 3 · 20 · 10 12
⌧= = 0.2µs (10.48)
6
Para una adecuada medición del frente de onda de una señal de impulso tipo rayo 1,2/50,
esta respuesta sería la mínima suficiente (f ⇡ 50MHz).
10.6.2.3. Divisor capacitivo de alta tensión
Su uso está restringido a señales alternas y de impulso.
10.6.2.3.1. Divisor para ATCA
I: Instrumento de alta impedancia
C1 : Condensador:
a) Papel aceite ⇠1000pF

b) En gas ⇠100pF
C2 : Condensador libre de inductancia
C1
V2 = V1 , C2 C1 (10.49)
C1 + C2

Figura 10.27: Divisor capacitivo para ATCA
10.6.2.3.2. Divisor para AT de impulso
El cable de transmisión de señal tiene usualmente una impedancia en el rango de 50 ÷

100⌦. En este caso no puede cerrarse el cable con Z0 , ya que ello implicaría una descarga
muy rápida de C2 , con la consiguiente distorsión de la señal medida. Se asume entonces
una reflexión total en el extremo del cable (ZI = 1). Lo que conlleva el doblaje de VI .
Para acondicionar VI al valor V2 , se agrega Z0 en serie en el extremo apuesto del cable, lo
que provee de un divisor auxiliar con razón 2:1.
Figura 10.28: Divisor capacitivo para impulso
Todo el conexionado de alta tensión agrega al circuito una inductancia de dispersión,

cuyo efecto es una respuesta oscilatoria del divisor. Para minimizar este efecto, se agrega
la resistencia de amortiguación R.
Para frecuencias elevadas (frente de onda), la razón efectiva del divisor se expresa por:
C1
V1 (10.50)
C1 + C2
Para frecuencias bajas (cola de onda), la razón se altera ligeramente por la capacidad
de transmisión Cc
C1
V1 (10.51)
C1 + C2 + Cc
Según sea el grado de amortiguación logrado por la resistencia R, se puede obtener
respuestas con sobreoscilación (subamortiguada), con amortiguamiento crítico ó sobre-
amortiguamiento.
La calidad (velocidad) de respuesta del divisor se puede definir como su constante de

tiempo:
Z 1
⌧ (t) = [1 a(t)]dt (10.52)
0

Referencia
Respuesta
v2(t)
tiempo
(a)
Referencia
Respuesta
v2(t)
tiempo
(b)
Referecia
Respuesta
v2(t)
tiempo
(c)
Figura 10.29: Tipos de respuestas

10.6.2.4. Divisores mixtos
Trabajan con ramas resistivas-capacitivas, a fin de aprovechar las ventajas relativas de

los divisores “puros”. Se fabrican en tres modalidades:
(a) de ramas paralelas
(b) de ramas serie
(c) tipo C/R
Figura 10.30: Divisores de ramas paralelas
10.6.2.4.1. Divisor de ramas paralelas
Para frecuencias altas su comportamiento es tipo capacitivo, mientras que a frecuencias

bajas, su comportamiento es tipo resistivo.
10.6.2.4.2. Divisor de ramas serie
En frecuencias altas, predomina el carácter resistivo, en tanto en frecuencias bajas, su

carácter es capacitivo.
10.6.2.4.3. Divisor C/R, para ondulación

Si V1 es una señal rectificada con ondulación elevada, la componente alterna es trans-

ferida a la rama secundaria según:
!CR
V2 = V1 , !CR 1 (10.53)
1 + !CR
La señal continua es bloqueada por el condensador C.
10.6.2.5. Medición del valor máximo de una señal alterna
Para muchos ensayos de alta tensión, el valor máximo de la sinusoidal aplicada es la

variable de interés.
10.6.2.5.1. Circuito Schubb-Fortescue
La conexión de los dos diodos es antiparalelo, impide la acumulación d carga en C, cuya

corriente se expresa por:
dv(t)
ic (t) = C (10.54)
dt
Figura 10.31: Circuito Schubb-Fortescue
D1 : Rectificador de media onda
D2 : By-pass
P: Descargador de sobretensión
En un periodo completo, el valor medio de la corriente IA en el amperímetro es:

Z T /2 Z +Vb
1 1 2C b
I= ic (t)dt = Cdv = V (10.55)
T 0 T Vb T
Luego:
Ib
Vb = (10.56)
2f C
Este circuito sirve también para medición de ondulación.
Un circuito más simple para la medición de amplitud es de la Figura 10.33, donde

v2 (t) puede ser la señal secundaria de un divisor de tensión.
La constante de tiempo de descarga del condensador C debe ser calculada para per-
mitir el seguimiento de la amplitud de v2 , en caso de ser no estacionaria.

+V
Tensión v(t)
−V
T/2 T
tiempo
(a)
+I
Corriente i (t)
Conduce D
1
c
Conduce D
2
−I
T/2 T
tiempo
(b)
Figura 10.32: Formas de onda
Figura 10.33: Circuito simplificado

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C APÍTULO 1

I NTRODUCCIÓN A LA A LTA T ENSIÓN

- Materiales dieléctricos: investigación y aplicación.

- Sistemas electromagnéticos de alta sensibilidad: precipitación electrostática, com-

Medición de parámetros dieléctricos

I NTRODUCCIÓN A LA A LTA T ENSIÓN

- Materiales dieléctricos: investigación y aplicación.

- Sistemas electromagnéticos de alta sensibilidad: precipitación electrostática, com-

Medición de parámetros dieléctricos

Figura 1.1: Solicitaciones eléctricas sobre un material

Se llama sistema de aislación a la configuración de electrodos y materiales dieléctricos

1. Solicitación de tensión: Es la aplicación de un potencial eléctrico a un sistema de

2. Solicitación de campo: Es el efecto, que sobre un volumen microscópico de mate-

1.3.1. Solicitación de tensión

La solicitación de tensión suele también recibir algunas de las siguientes denominacio-

a) Tensión de servicio: es la tensión nominal del sistema eléctrico, al cual se incorpora

b) Tensión crítica de servicio: es la máxima variación sostenida de la tensión de ser-

c) Clase de aislación: es la tensión que caracteriza los ensayos de un sistema aislante

T ÉCNICAS DE A LTA T ENSIÓN USM —

Máxima tensión continua de corta duración (minutos)

Máxima tensión de impulso de breve duración (milisegundos)

1.3.2. Solicitación de campo eléctrico

Para el análisis de solicitación de campo eléctrico, influye la configuración geométrica

Figura 1.2: Condensador de placas paralelas

El campo tiene orientación desde la placa energizada hacia la placa aterrizada.

T ÉCNICAS DE A LTA T ENSIÓN USM —

2. Condensador cilíndrico coaxial

La orientación del campo es desde el cilindro interno energizado, hacia el cilindro

En este caso, la solicitación interna no es homogénea, pues como se observa en la

Figura 1.3: Condensador cilíndrico coaxial

La máxima intensidad de campo ocurre cuando r es mínima, o sea para r = Ri y su

Se dice que el campo eléctrico se concentra en la cercanía del cilindro interior.

Para la geometría indicada, se dice que el campo cilíndrico tiene un 61 % de rendi-

T ÉCNICAS DE A LTA T ENSIÓN USM —

Figura 1.4: Solicitación longitudinal

Se denomina descarga parcial a una descarga de baja energía, localizada en un

Estas descargas se originan cuando se sobrepasa en algún punto cierto nivel de

Puntos sensibles para la generación de descargas parciales son:

Cercanía de electrodos muy agudos (efectos de punta)

Inclusiones de gas en dieléctricos sólidos o líquidos

Superficies aislantes contaminadas.

T ÉCNICAS DE A LTA T ENSIÓN USM —

Figura 1.5: Descarga parcial interna

En general estas descargas ocurren en microvolúmenes de gas.

Tensión de iniciación Ui , que es la amplitud de la tensión aplicada, para la cual se

Carga eléctrica Q trasferida en la descarga y que se manifiesta también en los termi-

Energía o potencia envuelta en el proceso.

Clase eléctrica Rang, kVLL rms

Tabla 1.1: Clasificación de los niveles de tensión

T ÉCNICAS DE A LTA T ENSIÓN USM —

Esfuerzo de Esfuerzo de Esfuerzo Complejidad Grado de

Tabla 1.2: Parámetros característicos

Figura 1.6: Solicitación de tensión en sistemas trifásicos de alta tensión

La Figura 1.6 muestra los rangos de amplitud y duración de solicitaciones de tensión

Los parámetros a considerar en el diseño de equipos de alta tensión se resumen y

1.7.1. El desafío del diseño en la técnica de alta tensión

T ÉCNICAS DE A LTA T ENSIÓN USM —

Figura 1.7: Esquema de diseño

1.8.1. Intensidad de campo eléctrico

1.8.2. Densidad de flujo

1.8.3. Ecuación de campo

T ÉCNICAS DE A LTA T ENSIÓN USM —

1.8.4. Formas de distribución de campo

2. Distribución de campo in-homogénea: