Universidad Tecnológica de Santiago

UTESA

Práctica 1er Parcial (Transistor MOSFET)

Asignatura: L. Electrónica II Clave: IET-415-003 Horario: S 3:15, 4:45 pm
Docente: Ing. Mario Durán Ciclo: 3-2022 Aula: C414 Valor:15 Pts.

Estudiante: _Gredwdin J.Peralta G. __ Matricula: 2180982.

Conociendo el MOSFET IRF3205 o IRFP 150

¨Utilicé el MOSFET IRF3205¨

1. Identificar los siguientes parámetros en la hoja de datos facilitada por el
fabricante.

a) Tipo de transistor y utilidad para la cual fue diseñado.

El transistor IRF3205 es un Mosfet de canal N de energía Hexfet con muy baja
resistencia por unidad de superficie de silicio y de rendimiento de conmutación
rápida que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento. Este beneficio, en combinación
con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo robusto que Hexfet
Mosfet de potencia son bien conocidos por, ofrece al diseñador de un
dispositivo extremadamente eficiente y fiable para uso en una amplia variedad de
aplicaciones. 

Fue diseñado para amplificar o conmutar señales electrónicas, dichas señales son pequeñas.

el IRF3205 es recomendado para aplicaciones industriales por su alto nivel de disipación
que aproximan a los 50 watts.
Los datos fueron obtenidos del Datasheet:
https://cdn.shopify.com/s/files/1/0557/2945/files/Datasheet_IRF3205.pdf?19680

b) VDSS máximo cuando el transistor está operando en la zona de corte. 55V

c) ID máxima cuando el transistor está operando en la zona de saturación. 110A
d) Potencia máxima de disipación a 25°C. 200 W
e) VDS (on). 0.1V
f) VGS (th). 2.0 ––– 4.0 V, En la simulación fueron 3.8
g) RDS (on). 8.0 mΩ
h) Capacitancia de entrada. 3247 pF
i) Capacitancia de salida. 781 pF
j) Ton del transistor. 14 ns
k) Toff del transistor. 50 ns
2. Identifica el VGS a partir del cual el transistor entra en funcionamiento
(Vth).3.8V

3. Identifica el VDD mínimo a partir del cual el transistor deja de funcionar.0.1V

4. Identifica el valor de ID si VDD= 5 Voltios y RD= 1K Ohmio para 5 valores

distintos por debajo de Vth.
Núm. Valores Vth Valor VDD Valor RD Resultados ID
1 3 5V 1KΩ 0A
2 2.5 5V 1KΩ 0A
3 2 5V 1KΩ 0A
4 1.5 5V 1KΩ 0A
5 1 5V 1KΩ 0A
Estos valores son 0 porque al estar por debajo e Vth el jfet no está activo provocando
que la ID no fluya.

5. Identifica el valor de ID si VDD= 5 Voltios y RD= 1K Ohmio para los siguientes

valores de VGS, Vth+0.05V, Vth+0.1V, Vth+0.13V, Vth+0.16V, Vth+0.18V,
Vth+0.2V, Vth+0.22V, Vth+0.24V, Vth+0.26V, Vth+0.28V, Vth+0.3V.
Vth=3.8V

Valores Vth Valor VDD Valor RD Resultados ID

3.8V+0.05V 5V 1KΩ 5.00mA
3.8V+0.10V 5V 1KΩ 5.00mA
3.8V+0.13V 5V 1KΩ 5.00mA
3.8V+0.16V 5V 1KΩ 5.00mA
3.8V+0.18V 5V 1KΩ 5.00mA
3.8V+0.20V 5V 1KΩ 5.00mA
3.8V+0.22V 5V 1KΩ 5.00mA
3.8V+0.24V 5V 1KΩ 5.00mA
3.8V+0.26V 5V 1KΩ 5.00mA
3.8V+0.28V 5V 1KΩ 5.00mA
3.8V+0.30V 5V 1KΩ 5.00mA

6. Determinar el valor mínimo de VGS si se desea poner el transistor saturado con

una RD=100K Ohmio y VDD=10 Voltios.
Se puede apreciar que para mantener la saturación con estos valores se deben
mantener 3.8V en el VGS.

7. Determinar el valor máximo de VGS si se desea mantener el transistor en corte

con una RD=100K Ohmio y VDD=10 Voltios.
Se puede apreciar que para mantener el transistor en corte no se deben exceder los
3.7V en el VGS.
8. Determinar el valor mínimo de VGS si se desea poner el transistor saturado con
una RD=10K Ohmio y VDD=10 Voltios.
Se puede apreciar que para mantener la saturación con estos valores se deben
mantener 3.8V en el VGS.

9. Determinar el valor máximo de VGS si se desea mantener el transistor en corte

con una RD=10K Ohmio y VDD=10 Voltios.
Se puede apreciar que para mantener el transistor en corte no se deben exceder los
3.7V en el VGS.

10. Determinar el valor mínimo de VGS si se desea poner el transistor saturado con
una RD=100 Ohmio y VDD=10 Voltios.
Se puede apreciar que para mantener la saturación con estos valores se deben
mantener 4V en el VGS.

11. Determinar el valor máximo de VGS si se desea mantener el transistor en corte

con una RD=100 Ohmio y VDD=10 Voltios.
Se puede apreciar que para mantener el transistor en corte no se deben exceder los
3.7V en el VGS.

12. ¿Qué puedes concluir luego de haber realizado las prácticas de este tema?

Pude concluir que este transistor tiene una característica bastante peculiar con respecto al
funcionamiento ya que su área de corte y saturación está bastante cerca y esto tiene una
variación mínima cuando cambiamos valores tales como RD y VDD.

También pude ver como de manera fácil por los valores dados por el maestro se pueden ver
formulas básicas como por ejemplo la ley de ohm donde con esté se puede obtener el ID.

Me gusto bastante la temática de esta práctica, ya que me ayudo a entender mejor lo que es el
datesheet o hoja de datos de fabricante yo presentaba cierta debilidad a la hora de interpretar
los datos por el hecho de que no estaba muy familiarizado con ella pero gracias a esta practica
ya no más.

Por otro lado, concluyó con el VGS es como un limitador, donde el permite que cierta
corriente, voltaje e incluso ohmios pase por los terminales por eso su nombre ga te o
compuerta y que este tipo de mosfet es como la evolución de lo que conocía de los transistores
por la gran cantidad de aplicaciones que tiene y sus mejoras a nivel de eficiencia

Uso del MOSFET para control de voltaje y corriente

13. Determinar el valor adecuado de VGS si se desea causar una caída de Voltaje VDS
de 0.8 Voltios con una RD=1K Ohmio y VDD=5 Voltios.
14. Calcula el valor de Vth y K utilizando la ecuación proporcionada y repite el paso
anterior.

a) ¿Cuál es el valor calculado para Vth?

b) ¿Cuál es el valor calculado para K?
c) ¿Cuál fue el valor obtenido?
d) ¿Es el mismo que el anterior?
e) ¿A qué se debe el resultado obtenido en la pregunta anterior?
f) ¿Con cuál valor de Vth y K se logró un funcionamiento adecuado del transistor?

15. Determinar el valor adecuado de VGS si se desea causar una caída de Voltaje VDS
de 2.2 Voltios con una RD=1K Ohmio y VDD=5 Voltios.
16. Determinar el valor adecuado de VGS si se desea causar una caída de Voltaje VDS
de 3.7 Voltios con una RD=1K Ohmio y VDD=5 Voltios.
17. Determinar el valor adecuado de VGS si se desea causar una caída de Voltaje VDS
de 4.3 Voltios con una RD=1K Ohmio y VDS=5 Voltios.
18. Determinar y graficar el comportamiento de ID hasta que sea constante si
VGS=Vth+0.1 Voltios y VDD va aumentando lentamente desde cero (Cuidado de
no sobrepasar la potencia máxima del transistor).
19. Determinar y graficar el comportamiento de ID hasta que sea constante si
VGS=Vth+0.3 Voltios y VDS va aumentando lentamente desde cero (Cuidado de
no sobrepasar la potencia máxima del transistor).
20. Determinar y graficar el comportamiento de ID hasta que sea constante si
VGS=Vth+0.6 Voltios y VDS va aumentando lentamente desde cero (Cuidado de
no sobrepasar la potencia máxima del transistor).
21. Determinar y graficar el comportamiento de ID hasta que sea constante si
VGS=Vth+0.9 Voltios y VDS va aumentando lentamente desde cero (Cuidado de
no sobrepasar la potencia máxima del transistor).
22. Determinar y graficar el comportamiento de ID hasta que sea constante si
VGS=Vth+1.2 Voltios y VDS va aumentando lentamente desde cero (Cuidado de
no sobrepasar la potencia máxima del transistor).
23. Repetir los acápites anteriores desde el 12, para los valores siguientes:

a) RD=100K Ohmios.
b) RD=10K Ohmios.
c) RD=100 Ohmios.

24. ¿Qué puedes concluir luego de haber realizado las prácticas de este tema?
 Formulas a utilizar

Vth=VGS 1−¿ ¿

Notas:

 Se debe agregar en el requerimiento correspondiente cada polarización utilizada según

corresponda.
 Se debe agregar en cada requerimiento los cálculos necesarios para su realización.
 Este manual deberá ser entregado con sus correspondientes respuestas el día del parcial.