INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

CENTRO DE ESTUDIOS CIENTÍFICOS Y TECNOLÓGICOS No.9

“JUAN DE DIOS BÁTIZ”

CARRERA DE TÉCNICO EN SISTEMAS DIGITALES

Unidad de aprendizaje: Electrónica Digital

Nombre de la práctica: Memoria de Acceso Aleatorio

No de práctica: 2

FECHA: 11 de septiembre de 2021

TURNO: 5IM1

NOMBRE DEL ALUMNO: Campos Flores Santiago

GRUPO: 5IM1 No. DE BOLETA: 2020090325

OBJETIVO

El alumno simulara un circuito que permita leer y escribir datos en una memoria de acceso
aleatorio con base en los ciclos de lectura y escritura.

MARCO TEÓRICO

RAM es el acrónimo inglés de Random Access Memory (memoria de acceso aleatorio ó

memoria de acceso directo). Se trata de una memoria de semiconductor en la que se puede
tanto leer como escribir información. Es una memoria volátil, es decir, pierde su contenido
al desconectar la energía eléctrica. Se utiliza normalmente como memoria temporal para
almacenar resultados intermedios y datos similares no permanentes. Se dicen "de acceso
aleatorio" o "de acceso directo" porque los diferentes accesos son independientes entre sí.
La memoria está organizada en posiciones de n bits en donde se puede escribir (almacenar)
o leer un dato. La forma de acceder a las posiciones es a través de la dirección de memoria
que es número generalmente expresado en hexadecimal. La memoria RAM estática o SRAM
se construye utilizando celdas basadas en flip-flops tipo D bipolares o MOS. La memoria
SRAM recibe este nombre porque no requiere que se lleve a cabo una regeneración de la

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información almacenada, solo es necesario la energía de polarización del CI para que no

haya perdida de información.

EQUIPO A EMPLEAR

Software de simulación Proteus.

COMPONENTE EN PROTEUS DESCRIPCIÓN

7SEG-BCD DISPLAY DE 7 SEGMENTOS ROJO
7SEG-BCD-GRN DISPLAY DE 7 SEGMENTOS VERDE
74HCT04 INVERSOR
74LS244 BUFFER
74LS393 CONTADOR BINARIO ASCENDENTE
6116 RAM ESTÁTICA
BUTTON PUSH BUTTON
DIPSW_8 DIP SWITCH 8 INTERRUPTORES
LED-BIGY LEDS AMARILLOS
RT0805DRD07330RL RESISTOR DE 330Ω
RES6SIPB PAQUETE DE RESISTORES 330Ω
RES10SIPB PAQUETE DE RESISTORES 330Ω

DESARROLLO

1. Capture en el simulador el circuito del diagrama anexo al final de este documento.

2. Considere que todos los circuitos son de lógica positiva TTL.
3. Los displays rojos son los indicadores de los datos de entrada (DATOS ENTRADA),
para modificar el dato de entrada utilice el DIP Switch (DSW1).
4. Los displays verdes son los indicadores del dato almacenado en la memoria (DATO
MEMORIA).
5. Los LEDs amarillos son los indicadores de los bits A3 a A0 de dirección.
6. El circuito de memoria se encuentra en modo de lectura ya que no se tiene pulsado
el push button de ESCRITURA (WR#), por lo que a través de los displays verdes de
datos se muestra la palabra de memoria seleccionada por la dirección de memoria.
7. Registre en la tabla el contenido las palabras de memoria (datos de la memoria) de
cada una de las 16 localidades de memoria. Pulse el push button “DIRECCION”
cuantas veces se requiera para seleccionar la localidad de memoria.

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Dirección (A3-A0) DATO(D7-D0)

(0000)2 00000000
(0001)2 00000000
(0010)2 00000000
(0011)2 00000000
(0100)2 00000000
(0101)2 00000000
(0110)2 00000000
(0111)2 00000000
(1000)2 00000000
(1001)2 00000000
(1010)2 00000000
(1011)2 00000000
(1100)2 00000000
(1101)2 00000000
(1110)2 00000000
(1111)2 00000000

8. Realice una captura de pantalla cuando este en la localidad (1011) 2

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9. Para escribir un dato en la memoria se debe seleccionar la localidad donde se

almacenará, observe los LEDs indicadores de dirección para que pueda seleccionar
la localidad. Coloque en el DIP Switch (DSW1) la combinación necesaria para el dato
solicitado, una vez se muestre el dato en los displays rojos, presione el push button
“ESCRIBIR”.
10. Almacene los siguientes datos en la memoria.
Dirección (A3-A0) DATO(D7-D0)
(0000)2 0x15
(0001)2 0x23
(0010)2 0xFF
(0011)2 0x32
(0100)2 0x01
(0101)2 0x84
(0110)2 0xAA
(0111)2 0x10
(1000)2 0x63
(1001)2 0x3B
(1010)2 0xA0
(1011)2 0x7E
(1100)2 0x80
(1101)2 0x02
(1110)2 0x04
(1111)2 0x08

11. Realice tres capturas de pantalla para distintas palabras de memoria.

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CONCLUSIONES:
La práctica demuestra la memora RAM así como su comportamiento, esta pese a ser
laboriosa es una manera muy didáctica para aprender como se usa y actúan estas
memorias para poder hacerse una idea mas clara para trabajar con ellas a futuro

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