Diseño del Filtro LCL para un Inversor Conectado a la Red

M.A. Herrán, J.R. Fischer, M. Judewicz, S.A. González, D.O. Carrica

Laboratorio de Instrumentación y Control, UNMdP y CONICET, Argentina.

Abstract La inyección de energía a la red

eléctrica debe satisfacer estrictas normativas
que limitan el contenido armónico de las co-
rrientes de fase. Para atenuar las componentes
de alta frecuencia que genera el inversor, sue-
len emplearse ltros pasivos tipo LCL. En este
trabajo se presenta el estudio de dos diseños al-
ternativos para el ltro LCL de un inversor de
10 kW conectado a la red. Se analizan las ven-
tajas y desventajas de cada solución en función
de las pérdidas del ltro, de la relación costo-
tamaño de los componentes, y del impacto del Figura 1: CC-VSI con punto neutro de la carga conec-

ltro en la estabilidad del control de corriente. tado a un dc-link partido.

Keywords Inversor, Inyección a Red, Con-

se dan las características del VSI (cuyos parámetros

trol de Corriente, Filtro de Red, Filtro LCL, sirven de entrada a los métodos de diseño), y se dan

IEEE-1547, Generación Distribuida consideraciones prácticas a tener en cuenta respecto al

ripple de la corriente. En la Sección 3 se explican en

1.. INTRODUCCIÓN detalle los diseños efectuados. En la Sección 4 se vali-

dan los diseños mediante simulaciones. Finalmente, se

En muchos sistemas de generación distribuida, la dan las conclusiones.

energía producida se transere a la red mediante un in-

versor controlado en corriente (CC-VSI) [13], Fig. 1.
El contenido armónico de las corrientes de fase debe
satisfacer estrictos estándares internacionales sobre
calidad de energía, como el IEEE-1547 [4, 5], el cual
se adoptó como referencia para este trabajo. Las com-
ponentes armónicas de baja frecuencia son usualmente
eliminadas por el control de corriente [6]. En cambio,
las componentes de alta frecuencia producidas por la
operación conmutada del inversor deben atenuarse por
medio de ltros. Los ltros pasivos de tercer orden tipo
LCL son ampliamente utilizados, ya que proveen una
solución óptima para niveles de potencia de hasta cien-
tos de kilovoltamperes, empleando elementos reactivos
(inductores y capacitores) de tamaño reducido [7].
Aquí se presentan dos diseños alternativos para el
ltro LCL de un VSI de 10 kW. El primero se basa
en [8], cuyo método para el dimensionamiento de los
componentes reactivos se apoya en criterios simples y
prácticos. El segundo diseño está basado en [9], una
de las más recientes publicaciones sobre el tema, cuyo
método permite minimizar las pérdidas y el tamaño
de los componentes en forma simultánea.
2.. CONSIDERACIONES PRELIMINARES
2.1.. Consideraciones sobre el diseño del ltro
El objetivo del ltro LCL es la atenuación de las
componentes de alta frecuencia de la corriente para
cumplir con el estándar. El diseño del mismo implica:
especicar los valores para L1 , L2 y C,
denir la estrategia de amortiguamiento del ltro
(necesaria para evitar oscilaciones en el sistema),
diseñar y/o especicar todos los componentes del
ltro.
Además del objetivo principal, el diseño debe
cumplir con un conjunto de requerimientos adicionales
que permiten especicar completamente al ltro. Estos
pueden ser:
minimizar los valores de los elementos reactivos,
acotar la amplitud del ripple de alta frecuencia
en la corriente del lado del inversor,
acotar la potencia reactiva que circula en el ltro,

El trabajo se presenta del siguiente modo. En la Sec-

acotar las pérdidas en los componentes del ltro,
ción 2 se analizan algunas cuestiones previas al diseño
del ltro: se hace un repaso del estándar IEEE-1547 en mantener la frecuencia de resonancia del ltro
lo que respecta al contenido armónico de la corriente, dentro de ciertos límites,
 asegurar un amortiguamiento mínimo (usual- 2.3.. Características del VSI
mente próximo al crítico),
Los parámetros eléctricos que caracterizan al VSI
para el cual se diseñó el ltro LCL se listan en la
asegurar un margen de estabilidad del sistema a
Tabla 2.
lazo cerrado.

Existen numerosos métodos de diseño propuestos en

Tabla 2: Parámetros eléctricos del VSI.
la literatura [812], muchos de los cuales se diferencian
Parámetro Valor nominal
en el conjunto de requerimientos empleados.
Antes de comenzar con el diseño debe adoptarse la Potencia activa (P ) 10 kW
estrategia de amortiguamiento para el ltro, que puede
Potencia reactiva (Q) 5,8 kVA
ser activa ó pasiva [7, 8]; para este trabajo se optó por
un esquema pasivo, que es esencial en aplicaciones de Potencia aparente (S ) 11,6 kVA
inyección a red donde el VSI pueda ser apagado es-
Frecuencia de conmutación (fs ) 10 kHz
tando el ltro aún conectado a la red [8].
El proceso de diseño naliza cuando se comprueba Frecuencia de red (fg ) 50 Hz
que se cumplen todos los requerimientos propuestos en
Tensión de red L-L (Vg ) 3 × 380 Vrms
forma simultánea. A menudo, se especica el diseño en
Corriente de fase (Io ) 17,6 Arms
exceso tomando más requerimientos que los necesarios
para determinar los valores de todos los componentes; Tensión del DC-Link (2VB ) 800 V
en tal caso, el diseño deberá iterarse hasta encontrar
una solución adecuada.

2.2.. Límites de distorsión armónica según La potencia reactiva y aparente resulta de conside-

IEEE-1547 rar un desfasaje máximo entre tensión y corriente de

±30 ◦ . Por otra parte, la frecuencia de conmutación,

El estándar IEEE-1547 regula la Interconexión fs , ha sido seleccionada lo más alta posible para re-

de Recursos Distribuidos (DR) con Sistemas Eléc- ducir las exigencias sobre el ltro de red, limitada en

tricos de Potencia (EPS). La guía de aplicación última instancia por la temperatura de juntura de los

IEEE-1547.2-2008 [4] brinda los requerimientos especí- IGBTs y por el impacto de las pérdidas en la eciencia

cos que debe cumplir la unidad de DR (en nuestro total del sistema. Por ejemplo, empleando las llaves de

caso, el CC-VSI) al intercambiar energía eléctrica con 1700 V SKM75GB176D de Semikron, se obtiene una

la red. En particular, el apartado 8.3.3 de esta guía eciencia a plena carga del 96 % (considerando única-

establece que el contenido armónico de la corriente in- mente las pérdidas en las llaves).

yectada a la red en el Punto de Acoplamiento Común

2.4.. Consideraciones sobre el ripple de
(PCC) con la EPS no deberá exceder los límites de la
Tabla 1, los cuales se dan como porcentajes respecto
conmutación
de la corriente nominal de la unidad de DR, Io_nom . El parámetro de entrada fundamental para
cualquier método de diseño cuyo objetivo sea cumplir
con el estándar es la atenuación requerida para las
Tabla 1: Máxima distorsión armónica de corriente co- armónicas de alta frecuencia generadas por el inversor.
mo porcentaje de Io_nom , según IEEE-1547. Surgen dos consideraciones al respecto.

Orden h, individuales impares Porcentaje ( %) En primer lugar obsérvese que, según la Tabla 2,
la componente fundamental del ripple de conmutación
h < 11 4,0 tiene un orden hs = fs /fg = 200. Como es de orden
11 ≤ h < 17 2,0 par, debería atenuarse no al 0,3 % sino al 0,075 %, lo
que resultaría en un ltro considerablemente más vo-
17 ≤ h < 23 1,5 luminoso. Para resolver este inconveniente, se puede
23 ≤ h < 35 0,6 ajustar fs a la armónica impar más próxima, es decir
hs = 199 ó hs = 201, lo cual puede hacerse fácilmente
h ≥ 35 0,3
con cualquier microcontrolador moderno que posea un
Distorsión Armónica Total (TDD) 5,0 módulo de PWM digital.

Armónicos pares = 25 % del impar correspondiente.

En segundo lugar, considérese el efecto que tiene Vg
sobre el ripple de corriente producido por las conmuta-
ciones. Si Vg = 0, este ripple tiene una forma triangular
Los VSI diseñados para el rango de baja poten-
y una amplitud pico constante durante todo el ciclo de
cia (< 100 kW) suelen operar con frecuencias de con-
red dada por
mutación de 5 kHz ó más, con lo que la componente
VB Ts
fundamental del ripple de corriente tiene al menos un Iˆr = (1)
orden de hs = 100. Por lo tanto, ha de aplicarse el
4L1
límite más estricto de la Tabla 1, es decir 0,3 %. Como la forma es triangular, puede aproximarse el
valor RMS de la componente fundamental como L1 se elige de forma tal de limitar el valor
El valor de
pico del ripple de conmutación del lado del inversor, Iˆr ,
1 VB Ts
Ir (fs ) ' √ (2) a una fracción γr del valor pico de la corriente nominal
3 4L1 a frecuencia de red, Iˆo_nom , es decir

y el ltro se diseña de forma tal de atenuar esta compo-

nente por debajo del límite del estándar. Sin embargo, Iˆr ≤ γr Iˆo_nom , 0 < γr < 1 (5)

Vg modula a la amplitud del ripple de acuerdo con

" Considérese, en primer lugar, que L1 es el compo-
 2 #
VB Ts Vg (t) nente más costoso del ltro, en parte debido a que
Iˆr = 1− (3)
su núcleo debe soportar variaciones de ujo de alta
4L1 VB
frecuencia. Además, la saturación de L1 tiene efectos
es decir que el ripple ahora se compone de una por- notables en la estabilidad del lazo de corriente, y re-
tadora a frecuencia fs y una modulante a 2fg . Por lo ducir el nivel de saturación implica ó un mayor tamaño
tanto, la que antes era la componente fundamental a del mismo, ó un incremento en las pérdidas en el arro-
fs para Vg = 0, ahora se ha distribuido en múltiples llamiento. Esto crea una relación de compromiso en la
componentes, siendo las más signicativas las que se elección de γr . Un valor bajo de γr requiere de un valor
encuentran en fs y fs ± 2fg . Obsérvese que si fs se grande para L1 ; aún cuando esto implica valores de C
eligió de forma tal de obtener armónicas impares, el y L2 menores, conducirá en general a un ltro de red
efecto de modulación de Vg producirá únicamente ar- con mayor producto costo-tamaño-pérdidas. Por otro
mónicas impares. lado, aumentar γr incrementa las pérdidas en el nú-
De lo expuesto en este apartado, se concluye que el cleo de L1 y en el resistor Rd , eleva los niveles de EMI
caso más exigente para el ltro se obtiene con Vg = 0. de alta frecuencia en el sistema (tanto inducido como
Además, el análisis armónico de la corriente se simpli- conducido), produce mayores pérdidas en conductores
ca en esta condición. Se opta entonces por cumplir por ujo disperso, introduce un requerimiento mayor
con el estándar en esta situación particular para los para la atenuación de los ltros de adquisición, e in-
diseños que se presentan a continuación. crementa el efecto distorsivo de los tiempos muertos

3.. DISEÑO DEL FILTRO DE RED (que genera armónicas de bajo orden).

3.1.. Diseño No. 1 Un valor práctico para el cual se obtiene una buena
relación de compromiso es γr = 25 %. Reemplazando
En la Fig. 2 se muestra la topología para una fase valores en (1) y (5) resulta L1 ≥ 1,62 mHy.
del ltro propuesto en [8], que emplea la red de amor-
tiguamiento más simple posible: un único resistor, Rd , b) Dimensionamiento de C
en serie con C.
Se dimensiona C para limitar la potencia reactiva
en el componente, Qc = ωg CVg 2 , a una fracción de la
potencia total:
3Qc ≤ γq S
con lo cual
γq S
C≤ (6)
3ωg Vg 2
Qc debe ser compensada por el VSI, incrementando
la corriente del lado del inversor, lo que produce un

Figura 2: Topología del ltro de red para el aumento de las pérdidas en las llaves y en L1 . Por otro
Diseño No. 1. lado, reducir el valor de C implica elevar el valor de
Rd requerido para amortiguar el ltro, y también las

La función transferencia de este ltro es pérdidas enRd . Se admite γq ≤ 10 %, lo que resulta en

C ≤ 25,4 µF.
io 1
=   (4)
vi sL 1 + s ωQr + s2
c) Dimensionamiento de L2
ωr 2

cuyos parámetros son L = L1 + L2 , ωr 2 = 1/Lp C y Se dimensiona L2 para atenuar los armónicos de alta
2
Q = Z0 /Rd , siendo Z0 = Lp /C y Lp = L1 ||L2 . frecuencia. Considerando únicamente la componente
A continuación, se diseña el ltro y se analiza cada fundamental del ripple de conmutación del lado de la
paso del método. red, Io (fs ), la atenuación requerida se puede expresar
como
a) Dimensionamiento de L1 .
 
 Io (fs ) 
 Io_nom  ≤ k (7)
 
 Para encontrar la atenuación del ltro, considérese lo cual indica que el rechazo del ltro a empeorado de-
un modelo simple compuesto por un generador de co- bido a la introducción del resistor de amortiguamiento,
rriente que produce la componente fundamental del por lo que se requiere de un reajuste del ltro.
ripple del lado del inversor, Ir (fs ), en paralelo con el
circuito resonante tanque L2 − C . Se encuentra que e) Reajuste de los valores de los elementos del ltro.
 
 Io (fs )  1 Considérese variar el valor de cada elemento por se-
 Ir (fs )  =  (8)
  
1 − ( ωωos )2  parado. Variar C no tiene efecto sobre el rechazo del

ltro en alta frecuencia (ya que Rd  1/ωs C ), pero sí
1 tiene efecto sobre el amortiguamiento del ltro, por lo
donde ωs = 2πfs y ωo 2 =
L2 C es la frecuencia de
que es deseable mantener su valor lo más alto posible,
resonancia del circuito tanque. Combinando (5), (7) y
(8) resulta
y entonces se toma C = 25 µF. Debe tenerse en cuenta
que también la frecuencia de resonancia se ve afectada
q
2
γr 3 por C.
  ≤k
1 − ( ωωos )2 
  Por su parte, aumentar L2 mejora el rechazo, pero
a costa de elevar el valor de Rd necesario para amor-
de donde se obtiene tiguar; esto eleva las pérdidas y también reduce el

p ! rechazo del ltro. Por lo tanto, no es posible obtener

1 γr 2/3 una mejora sustancial del ltro incrementando única-
L2 ≥ 1+ (9)
Cωs 2 k mente L2 . Se incrementan ambos inductores en forma
simultánea y, vericando y ajustando en forma progre-
El valor mínimo para L2 dependerá de los valores siva, se llega a L1 = 3,0 mHy y L2 = 2,5 mHy. También
que se adopten para L1 y C. Como primer aproxi- es necesario aumentar el resistor a Rd = 2 Ω para man-
mación, se toman los valores límite hallados previa-  Io (fs ) 
tener el Q del ltro. Se verica  Io_nom  = 0,145 % y
mente, es decir L1 = 1,62 mHy y C = 25,4 µF, lo que
una reducción en la eciencia de 0,4 % (PRd = 13,4 W).
resulta en L2 ≥ 1,37 mHy.
f) Vericación de la frecuencia de resonancia.
d) Amortiguamiento del ltro.
En [8] se establece que, por regla práctica, la frecuen-
Es necesario amortiguar el ltro para evitar la ines-
cia de resonancia del ltro debe ser 10ωg ≤ ωr ≤ 21 ωs .
tabilidad del sistema de control del VSI a lazo cerrado
De este modo se evitan problemas de resonancia en
y la generación de armónicos de corriente a causa de
los rangos altos y bajos del espectro. En caso de no
las oscilaciones en el ltro. Este es un paso crítico en
cumplirse con este requerimiento, será necesario rea-
el proceso de diseño, ya que implica la introducción
justar los valores de los elementos reactivos. Con-
de pérdidas adicionales en el sistema y una reducción
siderando las explicaciones del punto e), resulta nece-
de la atenuación del ltro. En [8] se propone tomar
sario ó bien reducir C (lo que a su vez implica aumen-
un valor inicial para Rd del orden de la reactancia del
tar Rd y L1 manteniendo L2 ), ó bien incrementar L1
capacitor a la frecuencia de resonancia del ltro, ωr ,
(reduciendo L2 y tal vez C ).
es decir
γd En este caso, se verica que fres = 860 Hz,
Rd =
ωr C ωr /ωg = 17,2 y ωs /ωr = 11,6, por lo que el diseño no
precisa de un ajuste.
donde ωr 2 se dene como en (4), y γd es un factor pró-
En la Tabla 3 se resumen los parámetros del ltro
ximo a la unidad. A partir de este valor, se ajusta Rd
diseñado.
mediante simulación hasta obtener un amortiguamien-
to aceptable del ltro, y simultáneamente se verica
que la eciencia del sistema no sea afectado en forma Tabla 3: Parámetros del ltro para el Diseño No. 1.
signicativa. Las pérdidas en Rd pueden calcularse co- Parámetro Valor Parámetro Valor
mo h i
2
PRd = Rd (ωg CVg ) + Ir 2 (10) L1 3,0 mHy Rd 2Ω
L2 2,5 mHy fres 860 Hz
En forma alternativa, aquí se comienza acotando las
pérdidas en el resistor de forma tal que 3PRd < 1 %P . C 25 µF Q 3,7
Para L1 = 1,62 mHy, C = 25,4 µF y L2 = 1,37 mHy,

3.2.. Diseño No. 2

de (10) se calcula una reducción en la eciencia de
0,47 %/Ω. Se adopta Rd = 1,5 Ω, con lo que se obtiene
Q = 3,6. Observando la respuesta al escalón del VSI, se En la Fig. 3 se muestra la topología para una fase
toma este valor de Q como aceptable desde el  punto de del ltro propuesto en [9]. En este caso, la red de amor-
 Io (fs ) 
vista de la aplicación. Sin embargo, 
Io_nom  = 0,37 %, tiguamiento se compone de una rama Rd Cd adicional
  
en paralelo con C1 . Esto tiene la ventaja respecto del
 Io 
donde  Vi  da la atenuación a ωs . Expresando
Diseño No. 1 de presentar menos pérdidas debido a las
componentes de alta frecuencia de la corriente, ya que
 
 Io (ωs ) 
parte de las mismas se derivan por C1 . Por otra parte,  Io_nom  ≤ k
 
tiene la desventaja de que el factor de amortiguamien-
to del ltro es sensible al valor relativo entre C1 y Cd . y considerando que Vi (ωs ) puede aproximarse para el
peor caso tomando una onda cuadrada de amplitud
pico VB , resulta

 Io  kIo_nom
 
 ≤ √ (15)
 Vi  2 2
VB
π

El estándar requiere k = 0,3 % y, al igual que para el

Diseño No. 1, se adopta k = 0,15 % para tener cierto
margen de tolerancia. Reemplazando valores en (15)
 
 Io 
se obtiene Vi  = 36,6 µA/V.
Por otra parte, ωr ha de elegirse tal que caiga fuera

Figura 3: Topología del ltro de red para el del ancho de banda del control, ωctrl , ya que no se

Diseño No. 2. desea emplear técnicas activas para el amortiguamien-

1
to del ltro. Asumiendo que ωctrl < 10 ωs , deberá ser
1
En este diseño se escogen los parámetros del ltro ωr ≥ 10 ωs . De acuerdo con (13), a mayor ωr menor L
de forma tal de cumplir con la atenuación requerida y mayor C . Aquí se elige minimizar L, por lo que se
1
adopta fr =
por el estándar y minimizando las pérdidas totales. A 10 fs = 1 kHz.
continuación y al igual que con el Diseño No. 1, se Reemplazando los valores hallados en (14), se ob-

diseña el ltro y se analiza cada paso del método. tiene L ≥ 2,2 mHy. Con este valor y según (13) debe
ser C ≤ 46,1 µF. Téngase en cuenta que para encon-
a) Mínimo producto LC y frecuencia de resonancia. trar el L mínimo no se consideró el efecto de Rd en la
atenuación del ltro, por lo que los resultados podrían

Se desea minimizar el producto LC para una fre- requerir de un reajuste. Los valores nales para L y C
cuencia de resonancia dada. Esto permitirá obtener se obtienen más adelante en función de criterios para

componentes de menor tamaño y por lo tanto de menor la minimización de las pérdidas en los componentes del

costo. Se parte de la función transferencia simplicada ltro.

io
=
1
(11) c) Amortiguamiento del ltro.
vi sL(1 + s2 Lp C)
Como se explica en [9], el objetivo de la red de amor-
siendo L = L1 + L2 , Lp = L1 ||L2 y C = C1 + Cd . De
tiguamiento es reducir el factor Q a ωr sin afectar la
acuerdo con (11), la frecuencia de resonancia del ltro
respuesta del ltro a otras frecuencias. Al mismo tiem-
es
1 1 po, se desea minimizar las pérdidas en Rd para una L
ωr 2 = = αL (12) dada, y dado que ωr debe permanecer ja, no pueden
Lp C LC (1+α L)
2
variarse los valores de L y C. Ya se ha mostrado que
donde se ha empleado la relación L1 = αL L2 . Se desea L1 = L2 , por lo que la variable de ajuste ha de ser la
minimizar el producto LC , que es función de ωr y αL , relación entre C1 y Cd . Se dene C1 = αC Cd . La selec-
∂(LC)
para lo cual se toma
∂αL = 0, con lo cual αL = 1 y ción de αC está ligada a una relación de compromiso
entre amortiguamiento y pérdidas. En [9] se calcula
2 4 el factor Q del ltro para la topología de la red de
ωr = (13)
LC amortiguamiento dada

El valor de ωr , que es un parámetro de entrada para 




este diseño, se adopta luego de ciertas consideraciones
 1 + jωr CRd αC 
1+αC 
Q(αC ) =  (16)

que se explican más adelante.  2 
αC
 jωr CRd 1+α
 
C

b) Mínima inductancia total L.
Por otra parte, en el Apéndice de [9] se calculan las

Combinando el resultado anterior con (11), se ob-

pérdidas en Rd en función de αC . Los resultados se
muestran en la Fig. 4, extraída de [9], donde las pér-
tiene
1 didas se expresan en unidades base (pu). Esta gráca
L=     2  (14)
permite seleccionar un valor óptimo para αC . Allí se
ωs  VIoi  1 − ωωrs 
 
observa que no hay una reducción de Q signicativa
para αC > 2, mientras que las pérdidas crecen rápi-
damente entre 0 < αC < 2. Al igual que en [9], se
elige αC = 1, valor que tiene la ventaja adicional de
facilitar la implementación al emplear dos capacitores
iguales. Por su parte, el resistor de amortiguamiento
Rd se calcula con
p
Rd = L/C (17)

Figura 5: Variación de las pérdidas totales para el l-

tro con la inductancia total para tres frecuencias de
conmutación diferentes (extraído de [9]).

los tipos de inductores. Las pérdidas en el bobinado

Figura 4: Factor Q y pérdidas de potencia para la red
de amortiguamiento (extraído de [9]).
d) Rango óptimo para L.
Con el objetivo de encontrar el valor óptimo para
(y de C, que está ligado a L por (13)), las pérdidas
en cada uno de los componentes del ltro se calculan
en [9] usando expresiones analíticas y normalizando los
resultados para que sean aplicables a cualquier inver-
sor. La normalización se hace empleando las llamadas
cantidades base, que se obtienen a partir de los valores
nominales del VSI. Por ejemplo, se expresa la induc-
tancia base como
a ωg dependen directamente del número de vueltas, y
por lo tanto se incrementan junto con Lpu ; en cambio,
a ωs las pérdidas son más sensibles a los efectos de skin
y proximidad, por lo que no cambiarán linealmente con
Lpu . Las pérdidas en el núcleo suelen despreciarse a ωg
debido al uso de materiales de alta frecuencia, en tanto
que a ωs se incrementan junto con el ripple de corriente
por conmutación, por lo que se serán mayores a menor
Lpu y serán dominantes por debajo de cierto valor de
L Lpu . Las pérdidas en la red de amortiguamiento son
linealmente dependientes de Cpu y por lo tanto cre-
cen al reducirse Lpu . Esto explica la existencia de un
mínimo de pérdidas entre las pérdidas en los núcleos
magnéticos y en la red de amortiguamiento por un la-
do, y las pérdidas en los bobinados por el otro. De
acuerdo con la Fig. 5, este mínimo se registra entre
0,04 < Lpu < 0,1 para fs = 10 kHz. Obsérvese que el
mínimo valor de Lpu en el rango óptimo está por de-

Zbase Vg /Io_nom bajo del mínimo calculado para satisfacer el estándar,

Lbase = = = 39,9 mHy que es de 0,055, con lo cual ahora el rango óptimo
ωbase ωg
permitido es 0,055 < Lpu < 0,1.
que luego se emplea para normalizar cualquier otro
valor de inductancia. Las pérdidas a ωg y ωs son las
dominantes y son las que se calculan, empleando va-
e) Ajuste de L, C y Rd .
lores de Lpu (L normalizado respecto de Lbase ) desde
0,01 hasta 0,14 de a pasos discretos. En cada paso, Para reducir el tamaño y costo de los inductores
tanto las pérdidas en los inductores como en la red de se comienza tomando Lpu = 0,055 (L = 2,2 mHy),
amortiguamiento se obtienen empleando procedimien- C = 46,1 µF y Rd = 6,9 Ω. Se mide
con lo cual
tos documentados. Luego, se muestran los resultados  Io (fs ) 
 Io_nom  = 0,31 %, por lo que ya no se cumple con la
a través de varias grácas, de las cuales la de mayor
especicación para el armónico a ωs , y esto es debido
interés para el diseño del ltro en este caso es la que
a que la red de amortiguamiento ha degradado la ate-
se reproduce en la Fig. 5, que da las pérdidas totales
nuación del ltro en alta frecuencia. Entonces, se in-
para el ltro en función de Lpu a diferentes frecuencias
de conmutación.
crementa en forma progresiva el valor de L (al mismo

La forma de la grácas de la Fig. 5 puede expicarse

tiempo que se reduce C) hasta lograr el nivel de ate-
nuación requerido. Los valores nales obtenidos para
como sigue. Las pérdidas en un inductor dependen del
los parámetros del ltro
 se muestran en la Tabla 4, con
tipo de material del núcleo y del tipo de bobinado, 
 Io (fs ) 
pero hay ciertas tendencias que son comunes a todos los que se verica que  Io_nom  = 0,16 %.
 Tabla 4: Parámetros del ltro para el Diseño No. 2.
Parámetro Valor Parámetro Valor
L1 , L2 2,0 mHy Rd 12 Ω
C1 12,6 µF fr 1 kHz
Cd 12,6 µF Q 2,9
4.. SIMULACIONES
En esta sección se muestran los resultados de las
simulaciones circuitales [13] efectuadas para evaluar la
performance de los dos ltros de red diseñados.
Se introdujo el efecto de la saturación de los induc-
tores (que incrementa el ripple de corriente a la fre-
cuencia de conmutación) considerando una reducción
en el valor de inductancia del 25 % para corrientes su-
periores al 50 % del valor pico nominal (12,5 A), y del
50 % para corrientes superiores al 75 % (18,7 A).
característica de saturación suave es típica en induc-
tores con núcleo de hierro pulverizado, material mag-
nético ampliamente utilizado para este tipo de aplica-
ciones.
Para controlar la corriente del VSI se seleccionó un
regulador de gran ancho de banda del tipo dead-beat
[1]. La ganancia del observador del control se ajustó a
Lo = 0,75, valor con el que se logra estabilidad frente a
las variaciones de inductancia sin pérdida signicativa
de ancho de banda.
4.1.. Armónicos de corriente y pérdidas en R
Se evaluó la respuesta del VSI en régimen perma-
nente y bajo condiciones de operación nominales para
obtener los niveles de los armónicos de corriente. En
la Fig. 6 se muestra la forma de onda de la corriente
en cada uno de los inductores. En la Fig. 7 se mues-
tran los niveles de los armónicos (a partir de la 3er
armónica) junto con los límites de IEEE-1547.
De la Fig. 7 se observa que el estándar se cumple en
todo el espectro para ambos diseños. A pesar de que
el Diseño no. 2 tiene un mayor ripple de corriente a
en L1 , los niveles de los armónicos de alta frecuencia
son similares. Obsérvese cómo el espectro se disper-
sa en torno a las armónica de orden h = 200, 400, ...
debido a la modulación de la amplitud del ripple de
corriente a causa de la tensión de la red y de la satu-
ración
(a) Diseño no. 1.
(b) Diseño no. 2.
Esta
Figura 6: Formas de onda del VSI en régimen esta-
cionario: corriente en L1 (rojo) y en L2 (azul).
de la misma desde cero hasta la corriente nominal en
forma instantánea, a 90 ◦ , e inyectando con factor de
potencia unitario. La forma de onda de las corrientes
en los inductores y de la tensión en los capacitores se
muestran en la Fig. 8.
De la Fig. 8 se observa que ambos diseños presentan
d
similares márgenes de estabilidad, ya que la respues-
ta en escalón no diere signicativamente. El amor-
tiguamiento es satisfactorio desde el punto de vista de
la aplicación, puesto que no hay sobrepicos excesivos
(∼ 25 % en la tensión sobre los capacitores) y las osci-
laciones transitorias se extinguen rápidamente.
5.. CONCLUSIONES
Se abordó el diseño del ltro de red para un CC-
VSI conectado a la red para la inyección de energía
en sistemas de generación distribuida, con el objeto de
ωs atenuar las componentes armónicas de alta frecuencia
de la corriente para cumplir con los estrictos límites
dados por el estándar IEEE-1547. Se presentaron dos
diseños alternativos basados en dos trabajos con en-
foques diferentes. Con el primer método, basado en
criterios prácticos y simples, se obtuvo un ltro de red
 de
 los inductores. Para el Diseño
 no.1 se obtuvo con una inductancia total de L = 5,5 mHy. Con el se-
 Io (fs )   I (fs ) 
 Io_nom  = 0,19 %, y para el no. 2  Ioo_nom  = 0,22 %. gundo método, cuya premisa es minimizar las pérdi-

En ambos casos se registró un T HD < 4 %, siendo la das, el tamaño y el costo de los componentes del l-

3er armónica la principal contribuyente. tro, se obtuvo una inductancia total de L = 4 mHy.
Adicionalmente, se midieron las pérdidas en el resis- En ambos casos se obtuvo una capacidad total de

tor de amortiguamiento Rd , obteniéndose para el Di- C = 25 µF y una frecuencia de resonancia del ltro
seño No. 1 PRd = 13 W (0,39 % de P ), y para el Diseño de fr ≈ 1 kHz, siendo la frecuencia de conmutación
No. 2 PR d = 10 W (0,3 % de P ). del VSI de fs = 10 kHz. Ambos diseños emplearon

4.2.. Evaluación de la respuesta al escalón amortiguamiento pasivo, con pérdidas en el resistor de

amortiguamiento similares: 13 W en el Diseño No. 1 y
Se evaluó la respuesta del VSI frente a un escalón 10 W en el Diseño No. 2. Se comprobó mediante simu-
en la referencia de la corriente. Se varió la amplitud lación que las formas de onda durante la respuesta al
 1
10
Amplitud respecto de la corriente nominal (%)

0
10

−1
10

−2
10

−3
10 (a) Diseño no. 1.

−4
10

−5
10
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
Orden armónico, h

(a) Diseño no. 1.

1
10
Amplitud respecto de la corriente nominal (%)

0
10
(b) Diseño no. 2.

−1
10

Figura 8: Formas de onda del VSI durante la rta. a

un escalón en la referencia de corriente: corriente en
−2
10

L1 (rojo) y en L2 (azul), tensión en C (a) y en C1 (b)

−3
10
(negro).

−4
10

−5
tronics, IEEE Transactions on, vol. 57, pp. 954
10
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 962, march 2010.
Orden armónico, h

(b) Diseño no. 2. [3] J. Carrasco, L. Franquelo, J. Bialasiewicz, E. Gal-

van, R. Guisado, M. Prats, J. Leon, and
N. Moreno-Alfonso, Power-electronic systems for
Figura 7: Niveles de armónicos de corriente (azul), y the grid integration of renewable energy sources:
límites de IEEE-1547 para armónicos impares (rojo) y A survey, Industrial Electronics, IEEE Transac-
pares (verde). tions on, vol. 53, pp. 1002 1016, june 2006.

[4] Ieee application guide for ieee std 1547, ieee

escalón del VSI a lazo cerrado fue parecida en ambos standard for interconnecting distributed resources
casos, exhibiendo un amortiguamiento adecuado del with electric power systems, IEEE Std 1547.2-
ltro, sin oscilaciones ni sobrepicos signicativos. En 2008, pp. 1 207, 15 2009.
cuanto a los niveles de los armónicos de la corriente,
se vericó, también mediante simulación, el cumpli- [5] Ieee recommended practices and requirements
miento del estándar en todo el espectro. Se concluye for harmonic control in electrical power systems,
que ambos métodos dieron resultados factibles de ser IEEE Std 519-1992, 1993.
implementados en la práctica. Sin embargo, el Diseño
No. 2 presentó una inductancia total un 38 % menor, [6] J. Rodriguez, J. Pontt, C. A. Silva, P. Correa,

lo que implica un ltro con un producto costo-tamaño- P. Lezana, P. Cortes, and U. Ammann, Predic-

pérdidas signicativamente menor. tive current control of a voltage source invert-

Referencias er, Industrial Electronics, IEEE Transactions on,

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