Materiales Semiconductores Unidad

MA T E R I A L E S S E M I C O N D U C T O R E S (Ge, Si y
GaAs).
Los materiales semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad
se encuentra entre un buen conductor y de un aislante. En general los materiales
semiconductores son de dos clases, de un solo cristal y compuesto. Los materiales
semiconductores más utilizados en la electrónica es el Ge y Si los cuales son de un solo
cristal, ya que tienen una estructura cristalina repetitiva, otros materiales semiconductores
que en los últimos años han sido de gran importancia en la electrónica, son los materiales
compuestos como el Arsenuro de Galio (GaAs) y Nitruro de Galio (GaN), estos se componen
de dos materiales semiconductores de diferentes estructuras atómicas.

En la actualidad existen tres semiconductores más utilizados en la construcción de

dispositivos electrónicos los cuales son: Ge, Si y GaAs.

En la primera década después del descubrimiento del diodo, se utilizaba el Germanio casi
exclusivamente por que era de cierto modo muy fácil de encontrar y estaba disponible en
grandes cantidades, además, era sencillo el proceso de refinación para obtener altos niveles
de pureza, el cual es aspecto importante en el proceso de fabricación de los dispositivos
electrónicos. Sin embargo, se descubrió que los diodos y transistores construidos con este
material eran poco confiables, sobre todo por su sensibilidad a los cambios de temperaturas.
Existía otro material semiconductor como el silicio que tenía mejores propiedades a la
sensibilidad de la temperatura, pero el proceso de refinación para obtener altos niveles de
pureza estaba en desarrollo, en los años de 1954 se presentó el primer transistor de silicio,
este se convirtió en el material semiconductor preferido no solo era menos sensible a la
temperatura, sino que es uno de los materiales más abundantes en la tierra, se encuentra
principalmente en la arena, piedras volcánicas.

Sin embargo, conforme pasa el tiempo el campo de la electrónica se volvió cada vez más
sensible a las cuestiones de velocidad, las computadoras operan cada vez a más altas
velocidades y los sistemas de comunicación de igual forma, por lo tanto se tiene que
encontrar un material semiconductor que se capaz de satisfacer esta necesidad el resultado
fue el desarrollo del primer transistor GaAs a principio de la década de los 1970, este
transistor operaba a velocidades hasta 5 veces más que la del silicio.

Estructura atómica de los semiconductores

Para explicar porque los materiales de Si, Ge Y GaAs, son los semiconductores más usados
en la industria de la electrónica, hay que entender la estructura atómica de cada uno de ellos
y como están enlazados los átomos entre sí para formar una estructura cristalina.

Todo átomo se compone de tres partículas básicas: electrón, protón y neutrón, en la

estructura entrelaza los neutrones y protones forman el núcleo; los electrones aparecen en
las orbitas fijas alrededor del núcleo.

Para estudiar su estructura recordaremos el modelo Bohr el cual establece que los
electrones orbitan alrededor del núcleo pero en ciertas orbitas permitidas con una energía
específica, estas órbitas se les refirió como capas de energía o niveles de energía. donde la

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energía de un electrón dentro de un átomo no es continua, sino “cuantificada”. Estos niveles
están etiquetados con el número cuántico n (n = 1, 2, 3, etc.).

Este modelo de niveles de energía, significaba que los electrones solo pueden ganar o perder
energía saltando de una órbita permitida a otra y al ocurrir esto, absorbería o emitiría
radiación electromagnética en el proceso.

Los electrones con carga eléctrica negativa, giran alrededor del núcleo en órbitas circulares.
las órbitas que tienen un tamaño y energía establecidos. Por lo tanto, no existen en un estado
intermedio entre las órbitas. La energía de la órbita está relacionada con su tamaño. La
energía más baja se encuentra en la órbita más pequeña. Cuanto más lejos esté el nivel de
energía del núcleo, mayor será la energía que tiene. Los niveles de energía tienen diferentes
números de electrones. Cuanto menor sea el nivel de energía, menor será la cantidad de
electrones que contenga, por ejemplo, el nivel 1 contiene hasta 2 electrones, el nivel 2
contiene hasta 8 electrones, y así sucesivamente.

La distribución de los electrones en las capas, se denomina configuración electrónica y se

realiza de la siguiente manera:

La 1ª capa puede tener, como máximo, 2 electrones.

La 2ª capa puede contener, como máximo, 8 electrones. Comienza a llenarse una vez que la
1ª ya está completa.

La 3ª capa puede contener, como máximo, 18 electrones. Comienza a llenarse una vez que
la 2ª capa ya está completa.

Según el modelo atómico de Bohr, el electrón en movimiento circular al nivel de energía más
cercano al núcleo es estable, no emite luz. Si se le da suficiente energía al electrón, el electrón
saltará a un nivel de energía más alto que el nivel de energía en el que se encuentra. En este
estado el átomo es inestable. Para estabilizarse, el electrón vuelve a su antiguo nivel
energético, lanzando un Fotón (partícula de rayo / onda) con una energía igual al nivel de
energía que recibió.

El modelo de Bohr de los materiales semiconductores se tiene que para el silicio se tiene 14
electrones en órbita, el Germanio 32 , el galio 31 y arsénico 33. En el Si y Ge se tiene cuatro en
la órbita de mayor energía a los cuales se les conoce como electrones de valencia. El Ga tiene tres
electrones de valencia y el Ar tiene 5. El termino valencia se utiliza para indicar que el potencial

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(potencial de ionización) requerido para remover cualquiera de estos electrones de la estructura
atómica es significativo más bajo para cualquier otro electrón de la estructura.

Figura 1,1 modelos de Bohr de Si, Ge, As y Ga.

Para formar un cristal puro de Silicio o de Germanio los cuatro electrones de valencia de un átomo
forman un arreglo de enlace con cuatro átomos adyacentes como se muestra en la figura 1.2, al
enlace de átomos se le conoce como enlace covalente

Figura 1.2 Enlace covalente del átomo de silicio

Como el GaAs es un semiconductor compuesto hay compartición entre los dos átomos diferentes,
como se muestra en la figura 1.3. Cada átomo está rodeado por átomos de tipo complementario,

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de igual forma hay compartición de electrones similares a la estructura de Ge y Si, pero ahora el
átomo de As aporta cinco electrones y el átomo Ga tres electrones.

Figura 1.3 Enlace covalente del cristal GaAs

La unión covalente genera una unión más fuerte entre los electrones de valencia y su átomo
padre, aún es posible que los electrones valencia absorban suficiente energía cinética
proveniente de causas externas para romper el enlace covalente y asumir el estado “libre”.

El termino libre se aplica a cualquier electrón que se haya separado de la estructura

entrelaza fija y es muy sensible a cualquier campo eléctrico aplicado, como el establecido
por fuente de voltaje o cualquier diferencia de potencial.

A temperatura ambiente hay alrededor 1.5x 1010 portadores libres en 1 cm3 de material de
Si intrínseco. El término intrínseco se aplica a cualquier material semiconductor que haya
sido cuidadosamente refinado para reducir el número de impurezas a un nivel muy bajo.

Los electrones libres presentes en un material debido a sólo causas externas se conocen
como portadores intrínsecos. La tabla 1.1 compara el número de portadores intrínsecos por
centímetro cúbico de Ge, Si y GaAs. Es interesante señalar que el Ge tiene el mayor número
y el GaAs el menor. El número de portadores en la forma intrínseca es importante, en
factores es la movilidad relativa (mn) de los portadores libres en el material, es decir, la
capacidad de los electrones libres de moverse por todo el material.
Tabla 1.1 portadores intrínsecos

Semiconductor Portadores intrínsecos

(por cm3)

GaAs 1.7 x 106

Si 1.5 x 1010

Ge 2.5 x 1013

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En la tabla 1.2 revela con claridad que la movilidad de los portadores libres en el GaAs es
más de cinco veces la de los portadores libres en el Si; un factor que produce tiempos de
respuesta con dispositivos electrónicos de GaAs que puede ser hasta cinco veces las de los
mismos dispositivos hechos de Si. Observe también que los portadores libres en el Ge tienen
más de dos veces la movilidad de los electrones en el Si, lo cual es un factor que da como
resultado el uso continuo de Ge en aplicaciones de frecuencia de radio de alta velocidad.
Tabla 1.2 factor de movilidad

SIMICONDUCTOR µn (cm2/V.s)

Si 1500

Ge 3900

GaAs 8500

Actualmente los niveles de impurezas son de 1 parte en 10 mil millones son comunes, con
mayores niveles alcanzables para circuitos integrados a gran escala, para los materiales
semiconductores la capacidad de cambiar las características de un material mediante un
proceso se le llama impurificación o dopado.

La diferencia entre un material semiconductor y conductor es la reacción ante la aplicación

de calor, en el caso de los conductores la resistencia se incrementa con un aumento de calor,
esto depende del número portadores presentes en un conductor no se incrementa de
manera significativa con la temperatura, se dice que los materiales que reaccionan de esta
manera tienen un coeficiente de temperatura positivo. Los materiales semiconductores
presentan un nivel de incremento de conductividad con la aplicación de calor, conforme se
eleva la temperatura, un mayor número de electrones de valencia absorben la suficiente
energía térmica para romper el enlace covalente y asi contribuir al número de portadores
libres, los semiconductores tienen un coeficiente de temperatura negativo.

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