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4. Conclusiones.
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Aspectos del confinamiento de un electrón con masa dependiente de la posición
en un medio semiconductor, y del confinamiento del ión molecular de hidrógeno.
(i) Para el caso de tres dobles pozos la primera sub-banda tiene una anchura de
0.011 meV, mientras que la segunda tiene una de 0.087 meV y la tercera una de
0.073 meV;
(ii) En el caso de una estructura de cinco pares, la primera sub-banda tiene una
anchura de 0.011 meV, la segunda una de 0.086 meV y la tercera, una de 0.073
meV.
En consecuencia, el aumento del número de dobles pozos sugiere que los niveles
de energía adicionales, se van a ir “empaquetando” dentro de las sub-bandas;
mientras las anchuras de estas van a permanecer prácticamente sin cambio.
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Aspectos del confinamiento de un electrón con masa dependiente de la posición
en un medio semiconductor, y del confinamiento del ión molecular de hidrógeno.
En el caso del confinamiento del H2+ en dos dimensiones, podemos reportar que
nuestro trabajo es pionero, por lo que sostenemos que los resultados obtenidos
aparentemente no están reportados.
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