TEMA 3.

SEMICONDUCTORES

1
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

1. GENERALIDADES
Toda clase de slidos, independientemente de su tipo de enlace, se caracterizan
porque sus estados electrnicos se agrupan en bandas de energa.
Los metales poseen una ltima banda, parcialmente ocupada, con niveles energti-
cos superiores libres, desocupados. Los electrones de valencia, dbilmente unido a los to-
mos aislados, al formarse el cristal se deslocalizan y se mueven por todo el cristal en forma
de un gas de Fermi, constituyendo los electrones de conduccin.
Su conductividad disminuye:
a) Al aumentar la temperatura: (T)T = const.
b) Al crecer las impurezas y los defectos de la red.
Los metales reflejan o absorben muy dbilmente las radiaciones, sin que por ello se
altere su conductividad.
Los aislantes poseen una banda prohibida de energa, de anchura E
g
, que separa la
ltima banda completamente llena, banda de valencia, sin estados libres. Los electrones de
valencia estn ligados formando enlaces mas o menos fuerte entre los tomos de la red. La
banda prxima superior, banda de conduccin, est vaca, con la totalidad de sus estados
energticos desocupados. A 0 K la conductividad es nula, tienen una banda prohibida de
anchura no nula, E
g
0.
Los aislantes se subdividen en dos clases: semiconductores y aislantes propiamente
dichos.
Semiconductores: tienen una banda prohibida de anchura E
g
< 2eV
Su conductividad tiene un valor intermedio entre el valor de los metales y el va-
lor de los aislantes. Tabla 1.

(m)
-1
Conductores Cu, Ag, Au... 10
8

Semiconductores extrnsecos Si(P), Si(B), AsGa(Se), AsGa(Be) 10
6
/10
-8
Semiconductores intrnsecos Si, Ge, AsGa 10
-8
Aislantes Mica, cuarzo, plsticos 10
-14


TEMA 3. SEMICONDUCTORES

2
La conductividad crece con la temperatura:
T k
E
B
g
T
2
0
) (

=

Mientras que en los metales el nmero de portadores es constante, del orden de
10
28
m
-3
, independientemente del valor de la temperatura, en los semiconducto-
res al crecer la temperatura crece la agitacin trmica, se rompen enlaces at-
micos, y se crean pares de electrn-hueco, el nmero de portadores de carga
aumenta.
Las oscilaciones electromagnticas de frecuencia superior a una
0
propia de
cada semiconductor: E
g
= h
0
=
0
hc

son ms o menos absorbidas. Los fotones

absorbidos rompen algunos enlaces y se crean pares de electrn-hueco de ori-
gen ptico que se adicionan a los de origen trmico.
La adicin de elementos dopantes en la red del semiconductor genera en ste:
electrones en la BC, donadores, de concentracin N
d,
o huecos en la BV acep-
tores, de concentracin N
a
.
Utilizando como variables la concentracin de los dopantes se puede controlar
las concentraciones de portadores, n, de electrones o, p, de huecos.
Estas dos clases de dopados crean sus correspondientes semiconductores ex-
trnsecos:
De tipo-n que conducen casi exclusivamente por electrones, tales como el P y
Se que son dopantes donadores para el Si y el AsGa, sustituyendo en la red los
tomos de Si y As respectivamente
De tipo-p que conducen casi exclusivamente por huecos, tales como el B y Be
que son dopantes aceptores para el Si y el AsGa, sustituyendo en la red los to-
mos de Si y Ga respectivamente.
Tal y como experimentalmente se detecta, el coeficiente Hall es negativo para elec-
trones y positivos para huecos:

0
ne
1
R
H
< = , 0
pe
1
R
H
> =
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

3
2. MATERIALES SEMICONDUCTORES
Hasta ahora la demanda de materiales semiconductores ha hecho que se hayan des-
arrollado tanto las tcnicas de obtencin de sustancias puras y monocristalinas, semicon-
ductores intrnsecos, cmo las tcnicas de dopado de semiconductores inorgnicos y or-
gnicos, semiconductores extrnsecos. Por ahora, los ms importantes son los inorgni-
cos. Indiquemos algunos elementos y compuestos:
a) Elementos del grupo IV del Sistema Peridico (SP): Si y Ge con valencia cuatro como
ya vimos en el tema anterior.
b) Compuestos binarios entre elementos de los grupos III y V del SP, los ms conocidos
son el AsGa, InP, AlSb, etc., entre elementos de los grupos II y VI del SP; SeCd, TeCd
c) Compuestos ternarios tales como Al
x
Ga
1-x
As, In
x
Ga
1-x
As, ...con x [0,1]
En cuanto a su utilizacin se tiene:
IV-IV Ge, Si (tipo-p, tipo-n) : Chips
III-IV GaAs, GaP : Led y lser
InSb, InAs : Detectores de radiacin
II-VI SZn : Material fluorescente para diversas aplicaciones.
En los ltimos aos se estn desarrollando nuevos materiales para que pueden susti-
tuir, en un futuro no lejano, a los compuestos de Si para hacer las veces de semiconducto-
res. Se tratan de polmeros dopados adecuadamente que actan como semiconductores.

3. SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
Un semiconductor cristalino y sin impurezas ni defectos en su red se denomina in-
trnseco. A 0 K su BV est llena de electrones, su BC est vaca y su E
g
< 2eV. A tempera-
tura de 0 K es un aislante. Al crecer la temperatura la agitacin trmica rompe algunos
enlaces que quedan incompletos. Cada enlace roto crea un par de portadores, electrn y
hueco. El semiconductor se transforma en un dbil conductor. Los electrones liberados
suben a la BC y se mueven por toda la red cristalina. Los enlaces incompletos, con un solo
electrn, denominados huecos, h
+
, se mueven en la BV en el sentido de que el enlace roto
se va intercambiando entre enlaces de tomos adyacentes, como ya vimos en el tema 2.
La energa requerida pasa romper un enlace o crear un par electrn-hueco, como ya sabe-
mos, es el ancho de la BP, Eg.
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

4
Los semiconductores inorgnicos suelen adoptar estructura tetradrica, con cuatro enlaces
covalentes (recurdese la estructura del Si y del AsGa), fig. 1. En la fig. 2, se observa el
movimiento de los portadores en presencia del campo elctrico creado entre las placas de
un condensador de lminas paralelas.










Fig. 1

Fig. 2
Como es sabido, la carga del hueco es positiva, +e y su masa efectiva es m
*
h

Como los electrones y huecos se crean por pares las concentraciones intrnsecas de
electrones n
i
y de huecos p
i
son iguales n
i
= p
i
. En el caso del Si es del orden de n
i
= p
i
=
10
16
m
-3
a temperatura de ambiente. El nmero de tomos de Si por metro cbico, n(Si), es
n (Si) = 510
28
tomos/m
3
cada uno tiene cuatro enlaces, el nmero de enlaces es 210
29

E
C
E
V
e
-
E
g
h
+
Si Si
Si Si
e
-
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

5
enlaces/m
3
y la proporcin de enlaces rotos es
13
29
16
10 / 1
10 2
10

, es decir un enlace roto por

cada 10
13
tomos de Si.
Simultneamente a la generacin de pares electrn-huecos, con velocidad G
0
(pa-
res/m
3
s), se realizan recombinaciones de stos, con velocidad R
0
. Un electrn encuentra un
enlace incompleto y es capturado por ste. En el equilibrio isotermo las velocidades res-
pectivas son g
i
y r
i
son iguales: G
0
(T) = R
0
(T)

Ej. 1: La concentracin intrnseca de portadores n
i
, del silicio a 300 K es 1,610
16
m
-3
.
Calcular la conductividad intrnseca.
Datos:
n
= 0,15 m
2
/Vs,
p
= 0,05 m
2
/Vs

) ( qn ) n p ( q
n p i n p
+ = + = =
= 1,610
-19
1,610
16
(0,15+0,05) = 5,1210
-4
(m)
-1

Ej. 2: Se utiliza un cristal de Ge como detector de fotones de alta energa (Radiacin
gamma, R). Un fotn de energa superior a la anchura de la banda prohibida al
penetrar en el cristal origina pares de e
-
/h
+
. Los electrones pasan desde el techo
de la BV al fondo de la BC Se desea determinar:
a) El nmero mximo de pares e
-
/h
+
que puede producir una radiacin
gamma de 1,5 MeV.
b) Si la resolucin del detector es de 410
3
pares de e
-
/h
+
, cul es la re-
solucin de la energa mnima del detector?
E
g
(Ge) = 0,67 eV.

a) E = nE
g
: pares
E
E
n
g
6
6
10 238 ' 2
67 , 0
10 5 , 1
=

= =
b) E = 410
3
pares(E
g
= 0,67 eV/par) = 410
3
0,67 = 2,6810
3
eV, es la energa mnima
detectable. Por debajo de sta, no funciona en condiciones adecuadas el detector.

TEMA 3. SEMICONDUCTORES

6
Ej. 3: Cuando la temperatura de un cristal de Ge intrnseco pasa de 20 a 30 Celsius, su
conductividad se incrementa un 50%. Determinar:
a) La anchura de su banda prohibida, E
g
.
b) En el caso del silicio, Si, de E
g
= 1,1 eV, cul es el porcentaje de cambio de su
conductividad para el mismo cambio de temperatura?


a) (30) = (20) + 0,5(20) = 1,5(20) 5 , 1
) 20 (
) 30 (
=

20
g
KT 2
E
0
e ) 20 (

= ,
30
g
KT 2
E
0
e ) 30 (

=
5 , 1
30 20
1 1
2
20
30
= =
|
|

\
|

T T K
E
g
e

ln 1,5 = |

\
|

303
1
293
1
2
B
g
k
E
E
g
= 2k
B
ln 1,5
E
g
= 2x8,610
-5
(eV/ k
B
)ln 1,5
10
303 293
= 0,61 eV
b)
|

\
|


|
|

\
|

= =
303
1
293
1
10 6 , 8 2
1 ' 1
1 1
2
5
30 20
) 20 (
) 30 (
e e
T T K
E
g

55 , 2
) 20 (
) 30 (
=

(30) = (20)2,055 = (20) + 1,05(20) = 105%

TEMA 3. SEMICONDUCTORES

7
Ej. 4: La mxima longitud de onda
0
de una radiacin que acta sobre una LDR (semi-
conductor cuya resistencia depende de la iluminacin) es
0
= 1,8210
-6
m a 300
K. Determinar:
a) El valor de la anchura, E
g
, de su banda prohibida.
b) El aumento de temperatura, T, sobre 300 K necesario para que su
conductividad crezca un 20%.

E
g
= h
0
=
0
hc

: J
m
E
g
19
6
8 34
10 0925 , 1
10 82 , 1
10 3 10 62 , 6

2
= 1,2
1
; 6 , 3956
2
=
B
g
k
E
; ln 1,2 =
|
|

\
|
=
|
|

\
|
=
2 2 1 1
2
1
300
1
6 , 3956
1 1
2
ln
T T T k
E
B
g

3
2
10 24 , 3
6 , 3956
2 , 1 ln
300
1 1

= =
T
; de aqu que: T
2
= 307,3 K y T = 7,3 K.
4. SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
Independientemente de los portadores de origen trmico pueden existir en un cristal
semiconductor electrones y/o huecos generados por dopado.
Como es sabido, la estructura reticular de los semiconductores intrnsecos usuales,
(IV-IV, VII-II y V-III del SP) es tal que cada tomo es centro de un tetraedro, y se encuen-
tra unido por enlaces covalentes a otros cuatro tomos situados en los vrtices de dicho
tetraedro. Cada enlace est formado por un par de electrones y los cuatro enlaces forman
un octeto de electrones que rodean cada tomo.









Fig. 3

En el Si cada tomo aporta 4
electrones compartidos para for-
mar 4 enlaces covalentes.
AsGa compuesto V-III, el Ga aporta 3
electrones, smbolo x; el As aporta 5
electrones, smbolo ; en total 8 electro-
nes que forman 4 enlaces covalentes.
Si Si
Si Si
Si
Si
Ga As
As Ga
Ga
As
Ga As Ga
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

8
El dopado consiste en la introduccin controlada de impurezas en la red. Se
sustituye un elemento por otro que tenga:
Un electrn ms de valencia que el sustituido, impureza donadora, que ioni-
zada, genera un electrn mvil por la red.
Un electrn menos de valencia que el sustituido, impureza aceptora, que ioni-
zada, genera un enlace incompleto mvil por la red, que es un portador virtual
denominado hueco.
Cada impureza donadora genera un e
-
libre y se transforma en un ion positivo fijo
en la red, origina un semiconductor tipo-n, que:
Conduce por electrones y su coeficiente de Hall es negativo, R
H
< 0
Los electrones son mayoritarios
Los huecos son minoritarios
Cada impureza aceptora genera un h
+
y se transforma en un ion negativo fijo en la
red, origina un semiconductor tipo-p, que:
Conduce casi exclusivamente por huecos y el coeficiente de Hall es positivo,
R
H
> 0
Los huecos son mayoritarios
Los electrones son minoritarios
Para el Ge y el Si elementos del grupo IV, con 4 electrones valencia, son impure-
zas:
Donadoras: P, As, Sb, elementos del grupo V con 5 electrones valencia.
Aceptoras: B, Al, Ge, In, elementos del grupo III con 3 electrones valencia.








Fig. 4
n >> p
Si Si
Si
P
+
Si
Si
Si Si Si
Si
In
-
Si
e
-
h
+
p >> n
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

9
Como los elementos introducidos son de los grupos III y V, de volumen atmico
anlogo y en proporciones menores que 1/10
6
, la red del semiconductor no se deforma y
E
g
permanece invariable.
Las Figuras 5 y 6 muestra por separado los semiconductores tipo n y tipo p.

Fig. 5 Semiconductor tipo n y la correspondiente representacin del proceso mediante las
bandas de valencia y de conduccin.
Obsrvese en la fig.5 que el nivel de energa del electrn sealado con 5, como los del P,
est ligeramente por debajo de la BC en 0,01 eV. Con muy poca energa este electrn es-
capa del fsforo pasando a la BC, es un electrn que procede de la ionizacin del tomo de
P y por tanto tiene un origen de ionizacin. Tambin hay electrones que proceden de la
ruptura de enlaces, son de origen trmico, estos dejan un hueco en la BV.


Fig. 6 Semiconductor tipo p y la correspondiente representacin del proceso mediante las
bandas de valencia y de conduccin.
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

10
Obsrvese en la fig.6 que el nivel de energa del hueco sealado con 4, como los del B,
est ligeramente por encima de la BV en 0,01 eV. Con muy poca energa este hueco capta
un electrn de otro tomo de B quedando el otro tomo de B ionizado negativamente. A su
vez se genera otro hueco en la BV, es un hueco que procede de la ionizacin del tomo de
B y por tanto tiene un origen de ionizacin. Tambin hay huecos que proceden de la rup-
tura de enlaces, son de origen trmico, estos dejan un hueco en la BV y al mismo tiempo
deja un electrn libre en la BC..
_________________________________________________________________________
Ej. 5: Estudiar el dopado con Se o con Cd del AsCd.
_________________________________________________________________________
El Se, con 6 electrones de valencia, es un donador. El Cd con 2 es un aceptor, transforman
al AsGa en un semiconductor extrnseco de tipo n o p respectivamente, tal como se indica :
En el AsGa intrnseco el octeto de electrones correspondiente a los 4 enlaces se
forma mediante la aportacin de 5 electrones de As y 3 electrones de Ga, fig. 7a.






Fig. 7a










Fig. 7b
Ga As
x x
x
x
Electrn de valencia del As o
del Se
x Electrn de valencia del Ga o
del Cd
Ga
Se
+
As Ga
Ga
As
Ga As
Cd
- x x
x
x
x
x
x
x
As
Ga
As
x
x
x
e
-
h
+
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

11
El Se, sustituye al As, utiliza 5 de sus 6 electrones valencia en formar 4 enlaces con
el Ga y el sexto se deslocaliza y queda mvil por la red.
El Cd sustituye al Ga, utiliza sus 2 electrones valencia en formar dos enlaces com-
pletos con el Ga. Queda un enlace incompleto, que es mvil por la red, genera un hueco.

5. IONIZACION DE LAS IMPUREZAS
Como ya se ha visto, una impureza donadora o aceptora se transforma en un in
positivo o negativo. Este est unido por enlaces covalentes con cada uno de los cuatro to-
mos adyacentes y queda fijo en la red. El electrn o el hueco sobrante quedan muy dbil-
mente unido al in, en un pozo de potencial cuantizado. Su nivel fundamental, n = 1, nivel
donador E
D
o aceptor, E
A
est muy prximo al fondo o al techo de la BC o de la BV. La
energa de ionizacin, fig. 5 y 6, E
C
E
D
y E
A
E
V
es del orden de unas centsimas de eV.
La agitacin trmica, a temperatura ambiente T = 300 K es del orden k
B
T = 0,025 eV y es
suficiente para ionizar la impureza de forma que salga del pozo el portador y entre en la
BC o en la BV el electrn o el hueco, segn se trate, y se mueva por el interior del cristal
en forma de portador semilibre deslocalizado. La concentracin de impurezas regula la
concentracin de estos portadores, si sta es muy grande, mayor que 10
23
m
-3
, se dice que
el semiconductor est degenerado y se forma un gas de portadores anlogo al de Fermi en
los metales. Todo ello se esquematiza en la fig. 8.










En este ejemplo el nivel E
D
estn ionizados en 80%.
En este ejemplo el nivel E
A
estn ionizados el 75%
Fig. 8
E
c
E
c
- E
D
E
A
- E
v
E
v
E
D
E
A
electrones
portador ligado
huecos
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

12
Ej. 6: Una estimacin precisa de los niveles de impureza, E
D
/E
A
se obtiene considerando
que el portador sobrante y el in monovalente de impureza es equivalente a un to-
mo hidrogenoide segn el modelo de Bohr. Determinar el valor del orden de mag-
nitud de esos niveles de impurezas.

El clculo nos muestra que el radio orbital es mucho mayor que el del H, r(H) = 0,5
, y la energa de ionizacin mucho menor, fig. 9.
En el caso de la impureza P
+
en el semiconductor Si. Se supone que stos, in y
portador, estn sumergidos en un mar de tomos de Si, permitividad relativa del Si,
r
= 12.

e
-







Fig. 9
Hay que tener en cuenta que el electrn no se mueve en el vaco sino en una red
cristalina, y su masa no es m
0
= 910
-31
Kg., sino su masa efectiva m
*
= 0,31m
0
.
En el caso del tomo de H:
2 2
0
4
0
1
8 h
e m
E

= : E
1
= 13,6 eV
En el caso de un in de fsforo, P, la energa requerida para extraer el electrn del
P
+
desde el estado fundamental n = 1 a la proximidad de la BC, n= , vale:
impureza P: eV
m
m
h
e m
E
r
D
04 ' 0
12
4 ' 0 6 ' 13 6 , 13
8
2
0
*
2 2 2
4
=

= = =

Donde
r 0
= , m
*
=0,4m
0
y
r
=12.
La grfica de la fig. 10 indica como vara, con la temperatura T, el nmero de por-
tadores de un semiconductor dopado, comparativamente con el caso de que el semiconduc-
tor fuese intrnseco. Al aumentar T, comienza la ionizacin de las impurezas, donadoras o
aceptoras, y el nmero de portadores que estas generan es mucho mayor que los que posee
Si
Si
Si
Si
Si
Si
P
+
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

13
un semiconductor intrnseco. Cuando todas las impurezas estn ionizadas, saturacin, el
nmero de portadores es prcticamente constante e igual al nmero de impurezas. En el Si
intrnseco n
i
= p
i
10
16
m
-3
al dopar con P, N
d
10
21
m
-3
se sigue n N
d
= 10
21
m
-3
, p =
10
32
/10
21
= 10
11
m
-3
. Al aumentar T, por encima de los 300 K, crece el nmero de portado-
res debido a la excitacin trmica (intrnseca), y se mantienen constante los debidos a la
ionizacin. A temperaturas an ms elevadas, el nmero de portadores se debe fundamen-
talmente a los generados por excitacin trmica, y las dos curvas n(T) extrnsecas e intrn-
secas son asintticas, fig.10.








Fig. 10

Como a temperatura ordinaria de 300 K, todas las impurezas estn ionizadas, las
concentraciones N
d
o N
a
quedan determinadas:
N
d
N
d
+
n N
a
N
a
-
p
Con las tcnicas actuales de dopados, muy precisas cualitativamente y cuantitati-
vamente, pueden obtenerse concentraciones de impurezas de magnitud prefijada, y con ella
concentraciones de portadores precisas, exentas de error.

6. DENSIDAD DE ESTADOS
Anlogamente a los electrones libres de los metales en la banda de conduccin, se
define en los semiconductores una funcin densidad de estados,
dE
) E ( dN
) E ( g = , cociente
diferencial entre el nmero de estados energticos, dN (E), de los portadores en un entorno,
alrededor de E, y de anchura dE.
Todas las impurezas
ionizadas a 300 K
10
22
10
21
100
300
200
T (K)
0
semiconductor
intrnseco
n (m
-3
)
Dependencia de la concentracin con la temperatura
Semiconductor
extrnseco
Todas las impurezas
ionizadas a 300 K
10
22
10
21
100
300
200
T (K)
0
semiconductor
intrnseco
n (m
-3
)
Dependencia de la concentracin con la temperatura
Semiconductor
extrnseco
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

14
Como en un semiconductor hay dos bandas posibles, banda de conduccin y banda
de valencia, de movimiento para los portadores se definen dos funciones, g
c
(E) y g
v
(E)
para una y otra banda.
En los metales, con ayuda de la mecnica cuntica, se determinaba g(E):

3 2
2
) m 2 (
dE
) E ( dN
) E ( g
2
3
h
= = E
1/2
= CE
1/2

donde E era la energa cintica del electrn.
Anlogamente en los semiconductores, en la BC se toma el valor de energa cinti-
ca cero a partir de su fondo, E
C
, y en la BV en el techo, E
V
, de aqu que:

2
1
2
3
) E E (
2
) m 2 (
) E ( g
c 3 2
*
n
c

=
h
, EE
C
,
2
1
2
3
) E E (
2
) m 2 (
) E ( g
v 3 2
*
p
v

=
h
, E E
v

g
c
(E) y g
v
(E) son invariantes, no dependen de las concentraciones de impurezas. En
ellas no intervienen ms que las masas efectivas, m
n
*
y m
*
p
del electrn y del hueco.
En las expresiones g
c
(E) y g
v
(E) intervienen las energas cinticas E
k
= E E
C
, del
electrn y del hueco E
k
= E
v
E. Esta ltima crece hacia abajo partiendo de E
v
= 0. En la
Fig. 11 se muestra las variaciones de energas de electrones y huecos respectivamente se-
gnla energia adquirida por cada uno de ellos en la BV.







Fig. 11
a) Cuando un electrn se encuentra en el fondo de la BC o en el techo de BV su energa
cintica es nula. Al pasar desde el estado ms elevado de la BV al primero ms bajo de
la BC se gana exclusivamente energa potencial, E
p
= E
g
.
b) Cuando un electrn situado en el techo de la banda de valencia absorbe una energa:
E > E
g
adquiere una energa potencial E
p
= E
g
y una energa cintica E
k
= E E
g
.
c) En este caso se considera un electrn que adquiere una energa E y su estado inicial no
es el tope de la BV, sino un estado interior a esta banda:
Ec Ec Ec
Ev
Ev = 0
b)
c)
d)
a)
E
EK
EK > 0 EK > 0
E
EK > 0
EK
Sentido de
aumento de
energa de
electrones.
Sentido de
aumento de
energa de
huecos.
Ec Ec Ec
Ev
Ev = 0
b)
c)
d)
a)
E
EK
EK > 0 EK > 0
E
EK > 0
EK
Sentido de
aumento de
energa de
electrones.
Sentido de
aumento de
energa de
huecos.
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

15
E = E
k
+ E
g
+ E
k

Donde E
g
es energa potencial, E
k
y E
g
son energas cinticas.
d) La salida de este electrn desde la BV crea un hueco en la posicin del enlace donde
estaba inicialmente. Este proceso, energticamente, es equivalente a considerar el elec-
trn con energa E
k
en la banda de conduccin y un hueco con energa E
k
en la banda
de valencia. La energa del hueco se ha medido hacia abajo, desde E
V
.
7. DISTRIBUCION DE LOS PORTADORES EN LOS ESTADOS ENERGETICOS
Los portadores en una y otra banda intercambian entre ellos la ocupacin de los
estados energticos, se establece un equilibrio dinmico regulado por leyes estadsticas.
La funcin de probabilidad de ocupacin de los estados energticos posibles es la
funcin de distribucin de Fermi. Como vimos en el estudio de los metales:

T K
E E
FD
B
F
e 1
1
) E ( f

+
=

El estado energtico E = E
F
es tal que la probabilidad de ocupacin es 1/2:

2
1
e 1
1
) E ( f
KT
0 F FD
=
+
=
a) Para T = 0, como vimos en el tema 2, la forma de f
FD
(E) es de un escaln tal que:
E < E
F
: f
FD
(E) = 1
E > E
F
: f
FD
(E) = 0
b) Para T 0, f
FD
(E) la forma vara poco, se curvan sus vrtices y sigue pasando por el
punto (1/2, E
F
), fig. 12.







Fig. 12

E
f
FD
(E)
E
F
1 1/2
T = 1000 K
T = 0 K
E
f
FD
(E)
E
F
1 1/2
T = 1000 K
T = 0 K
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

16
c) Las probabilidades de que est ocupado un estado E,

o de que est desocupado, son
f
FD
(E) y (1-f
FD
(E)) respectivamente. La suma de las probabilidades de los estados sim-
tricos respecto a E
F
suman 1. La funcin f
FD
(E) es antisimtrica respecto al punto (E
F
,
1/2)
.

En un semiconductor intrnseco por cada electrn en la banda de conduccin hay un
hueco en la banda de valencia.
Son iguales las probabilidades de que est ocupado un estado en la banda de con-
duccin o de que est desocupado el estado simtrico en la banda de valencia. Es
2
1
) E ( f
F FD
= :
2
E
E
g
F
= , el nivel E
F
equidista de E
c
y de E
v
.
Cuanto mayor es el dopado, los niveles de impurezas E
D
o E
A
se acercan en mayor
medida a E
c
o E
v
. Con ello aumenta la probabilidad de paso de los electrones a la banda de
conduccin o de los huecos a la banda de valencia. El nivel de Fermi, sube o baja de forma
que se verifique f
FD
(E
F
) = 1/2, fig. 13.






Fig. 13
Para concentraciones de impurezas N
d
o N
a
menores de 10
23

m
-3
el semiconductor
se dice que est no degenerado. El nivel de Fermi est en la zona prohibida pero debajo
de la BC y encima de la BV en un intervalo superior a 3k
B
T, fig. 14.



Fig. 14
Para concentraciones de impurezas grandes N
d
o N
a
del orden 10
25
m
-3
, hay tal abundancia
de portadores que el semiconductor est semimetalizado. El nivel de Fermi se acerca o est
por encima de E
C
o se acerca o est por debajo de E
V
, se dice que el semiconductor est
degenerado. Con estos semiconductores se fabrican lseres, diodos Zener, etc.
E
c
E
F
E
v
E
c
E
F
E
v
E
c
E
F
E
v
E
D
E
A
s. intrnseco s. intrnseco
tipo-n
s. intrnseco
tipo-p
a)
b)
c)
E
F
E
F
Posicin de E
F
para estados no
degenerados.
E
F
E
F
Posicin de E
F
para estados no
degenerados.
3k
B
T
3k
B
T
E
F
E
F
Posicin de E
F
para estados no
degenerados.
E
F
E
F
Posicin de E
F
para estados no
degenerados.
3k
B
T
3k
B
T
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

17
El nmero de portadores dN (E) que ocupan los estados de un intervalo de energa, dE,
alrededor de E es:
dN (E) = (estados existentes en ese intervalo) x (probabilidad de que estn ocupados estos
estados) = g(E)dEf
FD
(E)
De esta igualdad, por integracin, se obtienen:
La concentracin, n, de electrones en la BC es:

=
c
E
c FD
dE ) E ( g ) E ( f n ,
La concentracin, p, de huecos en la BV es: [ ]

=
v
E
v FD
dE ) E ( g ) E ( f 1 p
La complejidad del integrando, ) 1 /( ) (
KT
E E
c
F
e E E

+ de estas igualdades dificulta su inte-

gracin. En el caso de un semiconductor, no degenerado, que es lo usual, se verifica:
E E
F
> 3k
B
T : 1 e
KT
E E
F
>>

por consiguiente el denominador de la funcin de Fermi-Dirac

se aproxima a la funcin de distribucin de Maxwell-Bolzmann:
( )
kT / ) E E ( 1
kT ) E E ( F
F
e e 1

+
Por tanto en un semiconductor no degenerado, la distribucin de energa entre los portado-
res obedece a la estadstica de Maxwell-Boltzmann: f
FD
(E) Ae
- E/KT
= f
MB
(E)
En este caso los integrando se aproximan por la expresin
KT
E
c
e E E

, lo que facilita la
integracin.
La fig. 15 a, b, c, d y e expresan grficamente las funciones g(E), f(E) y los resulta-
dos n o p obtenidos mediante la integracin grfica de

dE ) E ( f ) E ( g , representada como
el rea de los recintos rayados, obsrvese que:
a) La primera columna corresponde a las funciones g (E): parablicas independientes de T
y de la concentracin de impurezas.
Tambin, E
g
, es una constante especfica del material. En los metales E
g
es nula.
b) La segunda columna corresponde a la probabilidad de ocupacin f
FD
(E) de electrones y
[1 f
FD
(E)] a la ocupacin de huecos o ausencia de electrones.


TEMA 3. SEMICONDUCTORES

18






























Fig. 15

Metales
Aislantes y semi-
conductores
a T = 0 K

Semiconductor
intrnseco
a T > 0 K

Semiconductor
extrnseco
a T > 0 K

tipo-n

Semiconductor
extrnseco
a T > 0 K

tipo-p

E
E E
g(E) f(E)
x
=
T > 0 K
T= 0 K
E
F
E
F
T > 0 K
T= 0 K
E
E E
g(E) f(E)
g(E)f(E) = 0
E
c
E
v
E
F
a)
b)
1
0'5
g(E)(1-f(E)) = 0
g(E)f(E) = 0
0 1 0'5
g(E)=0 entre E
C
y E
V

e)
E
E E
g(E) f(E)
E
c
E
v
E
F
1 0'5
g(E)(1-f(E)) =
electrones n
huecos p
dp
dE
E
A
E
E E
g(E) f(E)
E
c
E
v
E
F
c)
d)
1 0'5
g(E)f(E) =
n
i
p
i
dn
i
dE
E
E E
g(E) f(E)
E
c
E
v
E
F
1 0'5
g(E)f(E) =
electrones n
huecos p
dn
dE
E
D
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

19
En todos los casos tiene f
FD
(E) forma de escaln a T = 0 K, o escaln de vrtices redon-
deados para T > 0C.
En los aislantes y semiconductores intrnsecos E
F
, equidista de E
c
y E
v
y f
FD
(E) es antisi-
mtrica respecto el punto (1/2, E
F
) del plano coordenado {f
FD
(E), E}.
En los semiconductores extrnsecos f
FD
(E) se traslada sin deformarse, paralelamente al eje
E y E
F
se acerca a E
C
, en los del tipo-n o a E
V
en los del tipo-p.
c) En la tercera columna se ha tomado como variable independiente las energas E, segn
las ordenadas, y como variables dependientes el producto g(E)f(E). El valor de la integral

dE ) E ( f ) E ( g es el rea del recinto rayado, que corresponde a las concentraciones de

electrones o de huecos.
En los aislantes o semiconductores intrnsecos a 0 K estas reas son nulas, lo que
equivale a la ausencia de portadores.
A temperatura mayor de 0 K las reas n
i
y p
i
son iguales en los semiconductores in-
trnsecos. En el caso de semiconductores extrnsecos las reas correspondientes a n o p
muestran las desigualdades entre mayoritarios y minoritarios propias de este tipo de semi-
conductores. Los lmites de integracin dependientes de la cantidad de impurezas regulan
la ocupacin de estados y con ellos las concentraciones n o p.
En resumen si el semiconductor no est degenerado (concentracin de impurezas
menor que 10
23
m
-3
y la temperatura no es muy alta, lo que es frecuente en los dispositivos
electrnicos) se tiene para la concentracin n, de electrones en la banda de conduccin y, p,
de huecos en la banda de valencia las igualdades:

KT
E E
c
F c
e N n

=
y
KT
E E
v
v F
e N p

=

Donde:
2
3
2
*
2
2
|
|

\
|
= T k
m
N
B
e
c
h

Densidad efectiva de estados para electrones en el fondo de la BC.

2
3
2
*
2
2
|
|

\
|
= T k
m
N
B
h
v
h

Densidad efectiva de estados para huecos en el techo de la BV.

TEMA 3. SEMICONDUCTORES

20
A temperatura ambiente N
c
y N
v
son del orden de 10
25
m
-3
. Estas igualdades son v-
lidas para toda clase de semiconductores tanto intrnsecos como extrnsecos. En estos lti-
mos estas expresiones se refieren al nivel de Fermi intrnseco, E
i
, que equidista de las
BC y BV: ) E E (
2
1
E
v c i
+ =
Con lo que las concentraciones intrnsecas n
i
y p
i
, se obtienen:
n
i
= p
i
:
KT
E E
c i
i c
e N n

= ;
KT
E E
v i
v i
e N p

=
(E
F
)
int
= E
i

De estas expresiones y de las correspondiente a los semiconductores extrnsecos se tiene
las relaciones alternativas a n y p pero expresadas en funcin de la concentracin intrnse-
ca, n
i
:




Multiplicando n por p o n
i
por p
i
se obtienen unos notables resultados:

KT
E
v c
KT
E E
v c
2
i i i
g
v c
e N N e N N n p n np

= = = =

1)
KT 2
E
v c i i
g
e N N p n

= = que es la base para obtener la expresin

T k
E
B
g
e
2
0
(T)

=
2) A temperatura constante los productos de las concentraciones de electrones y huecos
es constante, ley de accin de masas:



Nivel de Fermi para semiconductores intrnsecos: Igualando las concentraciones elec-
trones y de huecos, n
i
= p
i
se obtiene:
T k
E E
v
T k
E E
c
B
V F
B
F C
e e

=N N
=
v
c
B
N
N
T k ln -2E
F
+ E
C
-E
V
= -2E
F
+E
G;
-2E
F
= -E
G
+
v
c
B
N
N
T k ln
KT
E E
i
i F
e n n

=
KT
E E
i
i F
e n n

=
KT
E E
i
F i
e p p

=
KT
E E
i
F i
e p p

=
KT
E
v c i
g
e N N T C n

= = = = ) ( p n np
2
i i
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

21


2
3
2
*
2
2
|
|

\
|
= T k
m
N
B
e
c
h

2
3
2
*
2
2
|
|

\
|
= T k
m
N
B
h
v
h

Teniendo en cuenta el cambio de signo, se toma el inverso del cociente de N
C
/N
V
y por ello
resulta:
E
F
=
*
*
ln
4
3
2
e
h
B
G
m
m
T k
E
+
A 300 K para el silicio, la relacin entre las masas efectivas de huecos y electrones es 0,69
y el segundo sumando vale -0,0073 eV, con lo que para semiconductores intrnsecos resul-
ta: E
F
= E
i
=
2
G
E
es decir, el nivel intrnseco o nivel de Fermi est situado a la mitad de
la banda prohibida.
Nivel de Fermi para semiconductor extrnseco. En este caso podemos ver a partir de la
relacin entre n y p que:
T k
E E E
V
C
B
V C F
e
N
N
p
n
) ( 2 +
=
y de aqu se deduce que:
p N
n N T k E E
E
C
V B V C
F
ln
2 2
+
+
=
Para un semiconductor tipo n donde n>>p, el segundo sumando es positivo y el nivel de
Fermi se aproxima al fondo de la BC. Lo contrario ocurre cuando el semiconductor sea de
tipo p. Esto se muestra en fig. 16 a y b.




(a) (b)
Fig. 16
Si descomponemos el segundo sumando de la expresin anterior, de un lado el cociente de
las densidades de estados y de otro el cociente de las concentraciones de electrones y hue-
cos, entonces el nivel de Fermi se puede escribir como:
2
3
*
h
*
e
v
c
m
m
N
N
|
|

\
|
=

E
g
E
C
E
V
= 0
E
i
E
F
E
g
E
C
E
V
= 0
E
i
E
F
E
C
E
V
= 0
E
i
E
F
E
g
E
C
E
V
= 0
E
i
E
F
E
g
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

22
|
|

\
|
+
|
|

\
|
+
+
=
p
n T k
m
m T k E E
E
B
e
h B V C
F
ln
2
ln
4
3
2
*
*
. Tomando la referencia de energa potencial
en el borde de la BV y asignndole el valor cero, entonces el cociente Ec/2 es idntico a la
anchura de la BP, Eg dividido por 2. Por ello la expresin del nivel de Fermi para todo tipo
de semiconductor, con las caractersticas estudiadas resulta:




Si el semiconductor es de tipo n, entonces es conveniente usar la expresin que da la con-
centracin de portadores, n, en funcin de la densidad de estados de la BC. En ese caso si
despejamos el valor del nivel de Fermi si conocemos la concentracin n, resulta:
c
B C F
N
n
T k E E ln + =

A temperatura ambiente todos los elementos donadores estn ionizados, por lo que n es
aproximadamente igual a la concentracin de donadores, N
D
, que normalmente es un dato
conocido.
Si el semiconductor es de tipo p, partiendo de la expresin que da la concentracin de
portadores de huecos, p, en funcin de la densidad de estados de la BV, resulta para el ni-
vel de Fermi:
V
V
ln
N
p
T k E E
B F
=

A temperatura ambiente todos los aceptores estn ionizados, de manera que p es aproxima-
damente igual a la concentracin de aceptores, N
A
.
Expresiones equivalentes a las que dan el nivel de Fermi para los semiconductores tipo n y
tipo p pero en funcin de la concentracin intrnseca:





|
|

\
|
+
|
|

\
|
+ =
p
n T k
m
m T k Eg
E
B
e
h B
F
ln
2
ln
4
3
2
*
*

Tipo n:
i
B i F
n
n
T k E E ln + =

Tipo p:
i
B i F
p
p
T k E E ln =

TEMA 3. SEMICONDUCTORES

23
Estas ltimas expresiones son ms prcticas y muy utilizadas porque normalmente n
i
casi
siempre es un dato conocido.
Ej. 7: Determinar el nivel de Fermi de un semiconductor tipo N a una T donde es conoci-
do la concentracin de donadores N
d
y la masa efectiva de electrones m
*
e
.
En este caso: N
d
N
d
+
n,
2
3
2
*
2
2
|
|

\
|
= T k
m
N
B
e
c
h

y
T k
E E
c
B
F C
e

=N n de aqu que:

2
3
*
2
2
ln ln
|
|

\
|
+ = + =
h
T k m
n
T k E E
N
n
T k E
B e
B c c
c
B F

Ej. 8: Calcular N
c
, para el Si a 300 K, si es m
*
e
(Si) = 0,31 m
0



2
3
2
*
2
2
|
|

\
|
= T k
m
N
B
e
c
h

=
|
|

\
|

s J
K K J Kg
34
23 30
10 62 ' 6
300 / 10 38 , 1 10 1 , 9 31 , 0 14 , 3 2
2

Ej. 9: Calcular la concentracin de portadores intrnsecos a 0C. Datos: E
g
= 0,8 eV,
m
*
e
= m
*
h
= 0,4 m
0


N
V
= N
C
= 4,8210
15
0,4
3/2
273
3/2
= 5,510
18
cm
-3

16
2
8 , 0 40
2
=

=
T k
E
B
g
;
16 2

= e e
T k
E
B
g

Ej. 10: Se dopa con Te, N
d
= 10
17
cm
3
, el AsGa a 300 K.
Indicar razonadamente:
a) El tipo de semiconductor extrnseco resultante.
b) La posicin del nivel de Fermi respecto a E
v
.
Datos: n
i
= 210
6
cm
-3
, E
g
= 1,43 eV.

a) El Te tiene 6 electrones valencia, sustituye al As que tiene 5 electrones. El Te es un
donador y el semiconductor es del tipo-p.
n
i
= p
i
= 6,610
11
cm
-3

TEMA 3. SEMICONDUCTORES

24
b)
KT
E E
i
i F
e n n

=
0
n
0
N
d
= 10
17

E
F
E
i
= =

=
6
17
0
10 2
10
ln
40
1
ln
i
B
n
n
T k 0,61 eV






Fig. 17
Ej. 11: La probabilidad de que un estado en el extremo inferior de la banda de conduccin
(E
c
) est ocupado es precisamente igual a la probabilidad de que un estado com-
plementario en el extremo superior de la banda de valencia (E
v
) est vaco. Cul
es la posicin del nivel de Fermi?

f(E
c
) = 1 f(E
v
)

KT
E E c
F c
e 1
1
) E ( f

+
=
1 f(E
v
) =
KT
E E
KT
E E
KT
E E
KT
E E
KT
E E
F v F v F v
F v
F v
e 1
1
e 1
1
1
e 1
1 e 1
e 1
1
1

+
=
+
=
+
+
=
+

f(E
c
) = 1 f(E
v
)

KT
E E
KT
E E
v F F c
e 1
1
e 1
1

+
=
+

KT
E E
KT
E E
v F F c
e e

=
E
c
E
F
= E
F
E
v
E
c
+ E
v
= 2E
F


2
E E
E
v c
F
+
= , si se toma E
V
como cero resulta que:
El nivel de Fermi se encuentra en la mitad de la banda prohibida.



E
c
E
v
E
F
E
i
1,325 eV 0,61
0,715
1,43
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

25
______________________________________________________________________
Ej. 12 Un semiconductor intrnseco, E
G
=1,2 eV, se dopa negativamente de tal forma que
su nivel de Fermi se eleva y queda a E
G
/3 por debajo de la BC. Calcular su resistividad a
temperatura ambiente, 300 K, sabiendo que para este semiconductor, n
i
=10
16
m
-3
y

n
=0,135 m
2
(Vs)
-1
. Tomar 1/k
B
T para 300 K igual a 40.

E
F
-E
i
= E
F
-E
C
+ E
C
-E
i
=-E
G
/3+E
G
/2=E
G
/6=0,2 eV
3 19 2 , 0 40 16 kT / ) E E (
i
m 10 3 e 10 e n n
i F

= = =
m 54 , 1
10 3 135 , 0 10 16
1
qn
1
19 19
n
= =

8. ECUACION DE NEUTRALIDAD ELECTRICA
A una temperatura dada las igualdades:
KT
E E
c
F c
e N n

= ,
KT
E E
v
v F
e N p

=
no permiten, en general, calcular la concentracin de portadores pues usualmente E
F
es
una incgnita.
Se dispone de otras igualdades:
1) La ley de accin de masas
2
i
n p n =

2) La ley de neutralidad elctrica, que se formula como sigue: los semiconductores
dopados contienen impurezas donadoras y aceptoras de concentraciones N
a
y N
d
respecti-
vamente. Una fraccin de estas se han ionizado. Haciendo el cmputo de las cargas por
unidad de volumen:

Clases de partculas Cargas
Electrones de conduccin -ne
tomos donadores ionizados +N
d
+
e
tomos aceptores ionizados -N
a
-
e
Huecos +pe

TEMA 3. SEMICONDUCTORES

26
El semiconductor es neutro en conjunto, esto es, tiene que tener la misma carga po-
sitiva que negativa, por ello se verifica:
n + N
a
-
= p + N
d
+


A temperatura ambiente N
d
+
N
d
y N
a
-
N
a
, las impurezas estn totalmente ioni-
zadas, de aqu que: n + N
a
= p + N
d

Clculo de la concentracin de portadores: partiendo de las dos leyes anteriores,
accin de masas y neutralidad podemos resolver la mayora de los problemas que se nos
puedan plantear. Deben de tenerse en cuenta, adems, que se cumplan las siguientes condi-
ciones:
1. Que el semiconductor est en equilibrio, esto es, no sometido a perturbacio-
nes externas (campos elctricos, magnticos, iluminacin, etc.)
2. Que no sea degenerado.
3. Que este ionizado completamente.

Con estas condiciones y las ecuaciones: 1)
2
i
n p n =
y 2) n p = N
d
- N
a

Combinndolas, resulta:
( ) 0
2 2
=
i a d
n N N n n

La solucin para n es:

2
2
2
2
2 2
2 2
i
d a d a
i
a d a d
n
N N N N
p
n
N N N N
n
+
|

\
|

+

=
+
|

\
|

+

=

A partir de esta solucin completamente general podemos estudiar los distintos casos parti-
culares que se pueden plantear:






TEMA 3. SEMICONDUCTORES

27
CASOS:
1) Semiconductor intrnseco:
i a d
n n N N = = = 0


2) S. Tipo n:
2
i
d
n np
N p n
=
+ =
Si

3) S. Tipo p:
2
i
a
n np
p N n
=
= +
Si


4) S. dopado con ambos tipos de impurezas pero N
a
>N
d
y adems que (N
a
- N
d
)
2
>>n
i
2
:

En este caso resulta:
d a
i
d a
N N
n
n y N N p

= =
2


5) Si N
a
< N
d
y adems (N
d
N
a
)
2
>>n
i
2


En este caso resulta:
a d
i
a d
N N
n
p y N N n

= =
2

Proporcin de concentracin de portadores de origen trmico y de ionizados: es fre-
cuente que haya necesidad de responder a esta cuestin. Si se trata de un semiconductor
tipo n, entonces resulta:
d
N p n + =
y dividiendo por n obtenemos:
n N n p
d
/ / 1 + =
donde el cociente p/n
representara la proporcin de huecos y por tanto la de electrones de origen. De otro lado el
cociente N
d
/n representa la proporcin de electrones procedentes de la ionizacin de los
tomos donadores. Si la concentracin de donadores es muy alta entonces casi toda la con-
centracin de portadores es de origen ionizado y la proporcin de trmicos es despreciable.
De manera anloga se razonara para un semiconductor tipo p.

2 2
i d
n N
d
i
d
N
n
p
N n
2
=
=


2 2
i a
n N
a
i
a
N
n
n
N p
2
=
=

TEMA 3. SEMICONDUCTORES

28
En la tabla siguiente se muestra un resumen de los resultados ms habituales:
Clase del semiconductor Concentraciones
Tipo-n
n N
d

d
2
i
N
n
p =
Tipo-p
p N
a

a
2
i
N
n
n =
Compensado

Descompensado

Descompensado
N
a
= N
d
n = p = n
i

N
a
> N
d
p = N
a
- N
d

d a
2
i
N N
n
n

=
N
a
< N
d
n = N
d
N
a
p
a d
2
i
N N
n

=
Ej. 13: Un monocristal de Ge, dopado con tomos de fsforo, est tallado en forma de
lmina de espesor d = 10
-4
m (fig.18). Entre sus dos caras existe una diferencia
de potencial de 4 V, siendo la resistividad y la movilidad entre ellas de
=0,1 m y
n
= 0,39 m
2
V
-1
s
-1
respectivamente a temperatura ambiente. Calcu-
lar:
a) Tiempo que emplea un electrn de conduccin en atravesar la lmina.
b) Concentracin, N
d
, de donadores.
c) Relacin entre el nmero de tomos de Ge y de P (recurdese que la celda
del Ge es cbica de arista a = 5,66 A y contiene 8 tomos).







Fig. 18
a) s
V
d
E
d
V
d
t
n n a
8
8 2
10 64 ' 0
4 39 , 0
10

= = = =


b) n N
d
>> p
i
> p = e
n
n = e
n
N
d

4 V
d = 10
-4
m
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

29
3 20
19
10 6 ' 1
39 , 0 10 6 ' 1
10

=

= = m
e
N
n
d

c) tomos de Ge en 1 m
3
=
3 10 3
) 10 66 , 5 (
8 8

=
a
= 4,410
28
m
-3

=

=
28
20
10 4 , 4
10 6 , 1
) (Ge N
N
d
0,3610
-8


Ej. 14: En un semiconductor extrnseco tipo-p de concentracin intrnseca n
i
, con una con-
centracin, N
a
, de aceptores. Calcular:
a) Las concentraciones p y n.
b) Los valores de estas concentraciones si l
N
n
a
i
<<

Formulemos la neutralidad electrosttica y la ley de accin de masas:
pn = p(p N
a
) = n
i
2

p N
a
n = 0
p
2
pN
a
n
i
2
= 0
( )

|
|

\
|
+ + = + + =
2
1
2
2
2 2
4
1 1
2
4
2
1
a
i a
i a a
N
n N
n N N p
a
a
i a
a
a
i a
N
N
n N
N
N
n N
n

|
|

\
|
+ + =

|
|

\
|
+ + =
2
1
2
1
2
2
2
2
4
1 1
2
4
1 1
2

1
2
1 ......
4
2
1
1
4
1
2
2
2
2
2
2
2
1
+ + +
|
|

\
|
+
a
i
a
i
a
i
N
n
N
n
N
n

a
a
N ) 1 1 (
2
N
p = + =
a
2
i
2
a
2
i a
N
n
N
n 2
1 1
2
N
n =

+ + =



TEMA 3. SEMICONDUCTORES

30
Ej. 15: Un semiconductor est dopado negativamente, N
d
= 1,410
22
m
-3
. Su concentracin
intrnseca de portadores es n
i
= p
i
= 1,410
16
m
-3
y la movilidad de los electrones en
su banda de conduccin es
n
= 0,4 m
2
/Vs. Determinar:
a) La concentracin de huecos p.
b) La conductividad

n N
d
+
N
d
, np = n
i
2
,
( )
3 10
22
2
16
10 4 , 1
10 4 , 1
10 4 , 1

=

= m p
= en = 1,610
-19
C1,410
22
m
-3
0,4 m
2
/Vs = 897,2 (m)
-1


Ej. 16: El peso atmico-gramo del Ge es A(Ge) = 72,1 gr. y su densidad es de = 5,32
gr./cm
3
y la movilidad de los electrones
n
= 0,36 m
2
/Vs. Se dopa el germanio con
tomos de Sb, por cada tomo de donador hay 10
6
tomos de Ge. La concentra-
cin intrnseca n
i
(Ge) = 2,510
13
cm
-3
. Calcular las concentraciones de electrones
y de huecos, y la resistividad del semiconductor extrnseco.
La densidad es igual al nmero de tomos por unidad de volumen por el peso real
de cada tomo.
av
N
) Ge ( A
n d = :
1 , 72
10 03 , 6
32 , 5
) (
23

= =
Ge A
N
d n
av
=4,410
22
cm
-3

N
d
= (4,410
22
)10
-6
= 4,410
16
cm
-3
= n

3 10
16
2 13 2
10 42 , 1
10 4 , 4
) 10 5 , 2 (

=

=
=
= cm
N n
n
p
d
i
n

cm
N e
n d
=

=

= =

4
16 19
10 394
3600 10 4 , 4 10 6 , 1
1 1 1










TEMA 3. SEMICONDUCTORES

31
Ej. 17: Una muestra de S a 300 K est dopada con P y Ga con concentraciones N
d
= 10
22

m
-3
y N
a
= 510
21
m
-3
respectivamente. Calcular:
a) Las concentraciones de electrones (n) y huecos (p) sabiendo que la densidad
de electrones para l Si intrnseco es n
i
= 10
16
m
-3
.
b) La conductividad de la muestra supuestas iguales las movilidades de ambos
portadores
n
=
p
= 0,2 m
2
(Vs)
-1

c) Las velocidades de arrastre (v
n
) y (v
p
) cuando se aplica una diferencia de po-
tencial de 0,5 V entre los extremos de una varilla de 10 mm de longitud fabri-
cada con el anterior material semiconductor.


a) N
d
+ p = N
a
+ n ; como N
d
N
a
= 510
21

Suponemos n >> p (o bien N
d
N
a
>> p)
n = N
d
N
a
=
3 21
m 10 5


3 10
21
32
a d
2
i
m 10 2
10 5
10
) N N (
n
p

=

=
b) = e(n
n
+ p
p
) en
n
= 1,610
-19
0,2510
21
= 160 (m)
-1

c) <V
n
> =
n
E m V E / 50
10 10
5 , 0
3
=

<V
n
> = 0,250 =10 m/s
<V
p
> = 10 m/s (pues
n
=
p
)


Ej.18: Una muestra de Si tipo-n tiene una resistividad = 5 m a 300 K. Con los siguien-
tes datos,
n
= 1600 cm
2
/Vs,
p
= 600 cm
2
/Vs, n
i
= 1,410
10
cm
-3
. Determinar:
a) Concentraciones n y p
b) Localizacin de E
F
respecto de E
C

c) Probabilidad de que un estado de nivel donador est ocupado o que no
este ocupado.


) p n ( e
1
p n
+ =

0,2 = 1,610
-19
(1600n + 600
n
2 10
) 10 4 , 1 (
)

TEMA 3. SEMICONDUCTORES

32
np = n
i
2

n = 0,810
15
cm
-3
=

= =
15
2 10 2
i
10 8 ' 0
) 10 4 ' 1 (
n
n
p 2,4510
5
cm
-3

KT
E E
C
F C
e N n

= : 0,810
15
=
025 ' 0
E E
19
F C
e 10

E
C
E
F
= 0,025 ln 244 ' 0
10 8 ' 0
10
15
19
=

eV

E
D
E
F
= (E
C
E
F
) (E
C
E
D
) = (0,244 0,05) eV =
= 0,194 eV

Ocupado: % 058 ' 0 10 8 ' 5
e 1
1
e 1
1
) E ( f
4
025 ' 0
194 ' 0
KT
E E D
F D
= =
+
=
+
=

No ocupado: f(E
D
) = 1 f(E
D
) = 1 0,00058 = 0,99942 = 99,94%

Ej. 19: La anchura de la banda prohibida para el Ge es 0,67 eV. Las masas efectivas de
electrones y huecos son respectivamente 0,12 m y 0,23 m, donde m es la masa del
electrn libre. Calcular:
a) La energa de Fermi
b) La densidad de electrones
c) La densidad de huecos, a T = 300 K


a) Para un semiconductor intrnseco,
*
*
ln
4
3
2
e
h
B
G
F
m
m
T k
E
E + =



348 , 0
12 , 0
23 , 0
ln
4
300 10 6 , 8 3
2
67 , 0
12 , 0
23 , 0
ln
4
3
2
5
= |

\
|
+ = |

\
|
+ =

x x T K
E
E
B
g
F
eV
b)
KT
E E
c
F C
e N n

= con nivel 0 en E
V
, resulta:
E
C
E
F
E
V
E
F
E
C
EC
ED
EF
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

33
E
C
E
F
= E
g
E
F
= 0,67 0,348 = 0,322
k
B
T = 8,610
-5
300 = 0,0258 eV
3 26
59
76
3 34
5 ' 1 23 31
C
m 10 0104 ' 0
10 29 ' 0
10 517 ' 1
2
) 10 626 ' 6 (
) 300 10 38 ' 1 10 1 ' 9 12 ' 0 2 (
2 N

=
luego n = 0,0104x10
26 18 0258 , 0
322 , 0
10 4 =

e m
-3


p = n = 410
18
m
-3


9. CORRIENTES DE ARRASTRE Y DIFUSIN.
a) Arrastre:
Cuando se aplica un campo E a un semiconductor, fig. 19, se obtiene una corriente
de arrastre de portadores negativos y positivos, electrones y huecos, ambos cruzan la sec-
cin del semiconductor en direcciones opuestas y contribuyen a la densidad de corriente
total. Ya hemos visto que:





Fig. 19




c) Difusin:
La difusin es un proceso por el cual las partculas tienden a dispersarse o
redistribuirse como resultado de su movimiento trmico, emigrando de forma visi-
ble desde regiones de alta concentracin de partculas a regiones de baja concen-
tracin de las mismas. Pinsese en un frasco de perfume abierto y colocado en
un rincn del aula. Incluso sin corrientes de aire, el movimiento errtico trmico
desparramar las molculas de perfume por todo el aula en un tiempo relativa-
mente corto.
a
J
+
-
E
V
+++
---
E
V
n n n n
n n n an
en y E
E E en en J


= =
= = =
v
v
p p p p
p p p ap
ep y E
E E ep ep J


= =
= = =
v
v
) (
) (
p n
p n ap an a
p n e
E p n e J J J


+ =
+ = + =
d
J
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

34
En estos procesos de difusin las partculas, cargadas elctricamente o no,
tienden a dispersarse. La causa de la dispersin es el movimiento errtico trmico
y no la repulsin elctrica, por eso no necesitan estar cargadas.
Para electrones podemos ver, en fig. 20, el sentido de la velocidad de mo-
vimiento por difusin y el sentido de la corriente de difusin que es opuesto.







Fig. 20
El movimiento del electrn es opuesto al del gradiente que si se considera monodimensio-
nal, OX, la componente del gradiente es dn/dx.
La corriente generada verifica la ley de Fick, que es proporcional a su gradiente con signo
cambiado:


Para electrones, q = -e, resulta:


D
n
, coeficiente de difusin, [m2s-1]

Densidad de corriente total para electrones y huecos:
Si adems se aplica un campo elctrico externo E al semiconductor en el sentido posi-
tivo del eje OX, fig.21, nos damos cuenta de que la corriente total de electrones J
n
vale:






Fig. 21
0
X
n > 0
(1) (2)
-
d
J
v
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0
X
n > 0
(1) (2)
---
d
J
v
--
--
--
--
--
--
--
--
--
dx
dn
qD J
n d
=
dx
dn
eD J
n d
=
0
X
n > 0
(1) (2)
-
dn
J
v
-
-
-
-
-
-
-
-
-
E
-
an
J
E
0
X
n > 0
(1) (2)
---
dn
J
v
--
--
--
--
--
--
--
--
--
E
---
an
J
E
dx
dn
eD E en J J J
n n dn an n
+ = + =
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

35
Para los huecos el clculo de la corriente total, Jp, es anlogo aunque la corriente de difu-
sin es, en este caso, opuesta a la de arrastre como se muestra en fig. 22.







Fig.22




Qu ocurre cuando en un semiconductor aparece un dopado no uniforme?
En la fig. 23, se muestra un semiconductor con dopado un uniforme. Posee una alta con-
centracin de huecos en el extremo (1) y muy poca concentracin de huecos en el extremo
(2).




Fig. 23

p
1
, concentracin de huecos en (1)
p
2
, concentracin de huecos en (2)
p
1
> p
2

Se mueven los huecos por difusin del extremo 1 al 2. El lado 1 se queda cargado menos
positivamente y el lado 2 se hace ms positivo. Aparece entonces un campo elctrico in-
terno que va desde 2 a 1. Dicho campo aumenta gradualmente hasta llegar a oponerse a
la nueva carga positiva que por difusin tiende a alejarse del extremo 1. Como consecuen-
0
X
p> 0
(1) (2)
dn
J
v
+
E
an
J
E
+
+
+
+
+
+
+
+
difusin
+
+
v
0
X
p> 0
(1) (2)
dn
J
v
++
E
an
J
E
++
++
++
++
++
++
++
++
difusin
++
+++
v
dx
dp
eD E ep J J J
p p dp ap p
= =
(1)
+
+
+
+
+
+
+
+ +
(2)
difusin
dp/dx
(1)
+
+
+
+
+
+
+
+ +
(2)
difusin
dp/dx
+
+
+
+
+
+
+
+ +
(2)
difusin
dp/dx
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

36
cia se carga el extremos del semiconductor con una diferencia de potencial V(2)-V(1) > 0.
As se establece el equilibrio y el proceso se detiene. En ese instante la corriente total de
huecos se hace cero.



Si tenemos en cuenta que el campo interno es igual a dV/dx se deduce para la diferencia
de potencial entre 1 y 2 la expresin:



Se demuestra que existe una relacin entre los coeficientes de difusin, la movilidad de los
portadores, la constante de Boltzmann, la carga y la temperatura conocida como relacin
de Einstein, vlida tanto para electrones como para huecos, eligiendo los valores adecua-
dos para cada uno de ellos:


Con esta relacin la ltima expresin se puede escribir como:




Siendo V
T
una tensin equivalente a la relacin K
B
T/q y se suele expresar en Voltios. A
temperatura ambiente, T = 300 K, vale 0,0258 V.








0 = = =
dx
dp
eD E ep J J J
p p dp ap p

2
1
1 2
ln
p
p
D
V V
p
p

=
q
T k D
B
=

2
1
1 2
ln
p
p
V V V
T
=
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

37
________________________________________________________________________
Ej. 20: Sea una barra de Si, de seccin S = 2 mm
2
, que es despreciable frente a su longi-
tud, cuya concentracin de electrones, no uniforme, sigue la ley n = k x, siendo k = 210
19

electrones/m
4
. Teniendo en cuenta que el coeficiente de difusin para el Si es D
n
=3510
-4

m
2
/s, determinar (a) la intensidad de la corriente de difusin en la barra, (b) si la concen-
tracin de electrones sigue ahora la ley n = k x
2
, hallar la intensidad de la corriente en
este caso.

























TEMA 3. SEMICONDUCTORES

38
Ej. 21: Mediante dos contactos hmicos se aplica una tensin de 10 V a una barra homo-
gnea e isoterma semiconductora de l = 2 cm de longitud, y eje OX. Calcular la
pendiente de sus bandas.







m / V
10 2
10
E
2

=
E =
2
10 2
10

e
x
= -500 e
x
m
V

La pendiente que forman las bandas con el eje OX, tg , es:

x
i
E tg
dx
dE
= =
= arctg (-500)


Ej. 22: Calcular la variacin de potencial entre dos puntos x
1
y x
2
de un semiconductor
tipo-p de dopado no uniforme p(x).

En equilibrio: J
p
= -qD
p
0 ) x ( E ) x ( p q
dx
dp
p
= +
-E(x) =
dx
dV


= =

= =
2
1
2
1
2
1
x
x 1
2
x
x p
p
x
x
2 1
) x ( p
) x ( p
ln
q
KT
p
dp
q
KT
dx
dx
dp
) x ( p
1
D
dx ) x ( E ) x ( V ) x ( V



l = 2 cm

Ec
EF
EV
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

39
Ej. 23: Se considera un semiconductor tipo-n en forma de barra de eje OX y longitud L. Su
dopado no es uniforme y est dado por la funcin:
0 x l < 1 : n(x) = n
1
mx, m > 0
l < x L, n(x) = n
d
= const.
Determinar y representar grficamente las funciones: concentracin de
electrones n(x), corriente de difusin J
d
(x) y diferencia de potencial entre los extre-
mos de la barra, campo electrosttico interno en el equilibrio trmico, E(x).














b) 0 x l, m
dx
dn
= < 0
l < x L, 0
dx
dn
=
J
d
= -qD
n
m eD
dx
dn
n
=
c) 0 = q J
dx
) x ( dn
D ) x ( E n
n n
=
|

\
|

0 < x < l : E(x) =
dx
dn
) x ( n
1 D
n
n

T
n
n
V
D
=

E(x) =
) x ( n
m
V
T

n
1
n
d
n
x)
x)
x)
L
J
d
(x)
E(x)
-eD
n
m
-V
T
m
n
1
-V
T
m
n
d
e
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

40
l < x L : E(x) = 0
d) V(0) - V(L) = = =

= =

l
0
1 T
l
0 1
T
l
0
l
0
) mx n ln( V
mx n
mdx
V dx ) x ( E dx ) x ( E
=
1
L
T
1
1
T
n
n
ln V
n
ml n
ln V =

TEMA 3. SEMICONDUCTORES

41
PROBLEMAS
1. Calcular la conductividad de una lmina cristalina de Si, cuya movilidad es (Si) =
0,135 m
2
(Vs)
-1
, dopado con fsforo, con concentracin, N
d
= 10
23
m
-3
. Se aplica un
campo magntico, B = 0,1 T normal al plano de la lmina de espesor z = 100 m por
la que circula una corriente de intensidad I
x
= 1 mA. Calcular la tensin de Hall.
-2160 (m)
-1
; 63 V
2. El silicio cristaliza en dos redes fcc interpenetradas, de forma que la celda es un cubo
que contiene 8 tomos y su arista es 6 . Se dopa el cristal en proporcin de un tomo
de fsforo por cada 10
8
tomos de Si. Calcular: a) la concentracin n(Si) de tomos de
Si; b) La concentracin de tomos donadores, N
D
; c) Sabiendo que la concentracin in-
trnseca del Si es n
i
= 10
16
m
-3
, calcular las concentraciones n y p de electrones y hue-
cos; d) Determinar la conductividad del cristal sabiendo que la movilidad del Si es 0,15
m
2
(Vs)
-1
.
-3,710
28
m
-3
; 3,710
20
m
-3
; 3,710
20
m
-3
y 2,710
11
m
-3
; 8,88 (m)
-1

3. Una cinta de AsGa de espesor z = 0,46 m se ilumina en direccin normal a un plano
con una radiacin monocromtica de frecuencia = 4,8410
14
Hz y 10 mW de poten-
cia. La radiacin absorbida segn la ley I(z) = I
0
e
-z
W, siendo = 510
6
m
-1
, se utiliza
en crear pares electrn-hueco, e
-
/h
+
, y producen energa cintica desordenada a los por-
tadores. Calcular a) Potencias luminosas transmitida y absorbida; b) Nmero de pares
e
-
/h
+
generados por segundo si el rendimiento cuntico es uno y c) Potencia calorfica
disipada, siendo E
G
(Si) = 1,43 eV.
-1 mW y 9mW; 2,8110
16
pares/s.; 2,56 mW.
4. Cuando un semiconductor de ancho de banda prohibida E
G
= 1,1 eV se calienta desde
una temperatura de 27 C hasta una temperatura T se duplica su conductividad, Cul
es el valor de T?
-310 K
5. En un monocristal semiconductor de E
G
= 1,2 eV. Un electrn est en la BV en un es-
tado de energa 0,25 eV, inferior a Ev. Este electrn se excita con una energa de 3
eV. Cual es la configuracin energtica final de los portadores implicados en este fe-
nmeno.
-E
K
(e
-
)=1,8 eV; E
P
(e
-
)=1,2 eV; E
K
(h
+
)=0,25 eV; E
P
(h
+
)=0 eV
TEMA 3. SEMICONDUCTORES

42
6. Un monocristal de AsGa se ha dopado con Se y Be con concentraciones N
d
=81019 m
-3

y N
a
= 310
22
m
-3
respectivamente. Calcular a temperatura ambiente: a) Las concentra-
ciones n y p de electrones y huecos y b) La conductividad de los huecos si las movili-
dades de los portadores son
n
= 0,85 m
2
/Vs y
p
= 0,045 m
2
/Vs y la concentracin
intrnseca es n
i
(AsGa) = 210
12
m
-3
.
-133 m
-3
y 310
22
m
-3
; 216 (m)
-1

7. Un semiconductor se dopa positivamente de forma que el nivel de aceptores est sobre
el techo de la BV, E
A
E
V
= 0,03 eV. El porcentaje de los aceptores ionizados a 27 C
es 4/5 del total. Calcular la posicin de E
F
con respecto a E
V
.
-0,047 eV.
8. A temperatura ambiente, T=300 K, se sabe que el nivel de impurezas donadoras en una
muestra semiconductora est por debajo del fondo de la banda de conduccin tal que
E
C
-E
D
=0,045 eV y el nivel de Fermi est situado por encima del nivel donador tal que
E
F
-E
D
=0,01 eV. Sabiendo que E
G
=1,1 eV y que las masas efectivas de electrones y
huecos son 0,31 m
e
y 0,38 m
e
respectivamente, determinar: a)La concentracin de im-
purezas donadoras, b) El nmero de impurezas ionizadas, c) La concentracin de elec-
trones de conduccin y d) La concentracin de huecos.
-2,710
24
m
-3
, 1,0810
24
m
-3
, 1,0810
24
m
-3
,
1,8810
6
m
-3

9. El nivel de impurezas aceptoras E
A
est situado a 0,011 eV por encima de la BV Sa-
biendo que E
G
=0,67 eV, determinar: 1) La concentracin de impurezas si el nivel de
Fermi, a T=300 K, coincide con el nivel aceptor, b) La fraccin de impurezas ioniza-
das. La masa efectiva de electrones y huecos es 0,12 m
e
y 0,23 m
e
respectivamente.
-3,610
24
m
-3
, 50%
10. Una radiacin de longitud de onda 3000 e intensidad 30 W/m
2
, incide normalmente
sobre la superficie de un fotodetector de 9 mm
2
de superficie que la absorbe en su tota-
lidad. Sabiendo que el fotodetector est construido con un semiconductor cuya E
G
=2,4
eV, y que el rendimiento cuntico es la unidad, determinar: a) El nmero de pares elec-
trn-hueco, e-h, generados por segundo, b) si el exceso de enrga en el proceso se trans-
forma en calor, Cul es la potencia calorfica por agitacin trmica de los pares gene-
rados?
-4,0710
16
pares/s, 11,39 mW.