DIODOS ESPECIALES

Diodos de señal

La denominación “diodo de señal”, o bien “diodo de uso general”, se da a los diodos de

pequeño porte destinados a trabajar con corrientes pequeñas (típicamente hasta 100 nA) y ten-
siones que no superan los 100 volt. Son diversas las técnicas que llevan a este tipo de compo-
nente. Puede comenzarse con el diodo de “contacto de punto”. En este diodo existe un trozo de
material semiconductor del tipo N que puede ser de silicio o germanio, en el cual se difunde, a
partir de un contacto fino, una región P formando así la
juntura. El contacto fino es un alambre denominado “bigote
de gato”. El conjunto está encerrado en una envoltura que
puede ser de vidrio, en algunos casos pintado con pintura
opaca para evitar la acción de la luz externa sobre la jun-
tura.
Para identificar los terminales (ánodo y cátodo) es
común la colocación de una raya del lado del terminal co-
rrespondiente al cátodo.

Recuérdese que el diodo de germanio comienza a conducir en el sentido directo con una
tensión menor que el silicio. Por este motivo, en aplicaciones que trabajan con señales muy dé-
biles, como la detección de señales de radio, el diodo de germanio es preferible al de silicio.

En algunos casos los diodos de señal presentan características que permiten su operación
en alta velocidad. Estos diodos pueden entonces pasar de la conducción a la no conducción y vi-
ceversa, en tiempos cortísimos. Tales diodos son usados en conmutación recibiendo el nombre,
entonces, de “diodos de conmutación rápida” o simplemente “diodos de conmutación”.

Se pueden usar otras técnicas en la construcción de diodos de señal. Un ejemplo de esto

es la juntura que se obtiene por el crecimiento del material P sobre un trozo de material N. Según
la técnica empleada en la construcción, el diodo presentará propiedades especiales.

Los diodos de señal son identificados con códigos que dependen de su procedencia. Así,
los tipos americanos de diodos comienzan con “1N”. Teniendo entonces tipos como los: 1N34,
1N60, 1N4148, 1N914, etc. En el código europeo de semiconductores los diodos de germanio
comienzan con la letra “A” u “O”, y la letra siguiente, si fuera una “A” indica que se trata de
“uso general”. Los de silicio comienzan con “B” y la siguiente, si fuera una “A”, también indica
“uso general”. Tenemos entonces:
Germanio = AA119, OA70, OA85, AAZ15, etc.
Silicio = BA100, BA216, BAX16, etc.

Estos códigos normalmente sólo traen informaciones que permiten saber si el diodo es de
silicio o germanio y si es de uso general o no. Para informaciones, que son necesarias, el técnico
debe consultar una hoja de características.
Estas características se refieren a los parámetros máximos (corrientes, tensiones, etc.) que
el diodo puede soportar, además de las condiciones recomendadas para su uso.

Diodos Zener

Como se ha visto anteriormente, si se polariza un diodo en sentido inverso, el mismo no

conduce la corriente, presentando una elevadísima resistencia hasta que se alcance una cierta ten-

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sión en que ocurre una ruptura de la juntura. Esta tensión destruye un diodo común, pero es posi-
ble construir dispositivos en que esto no ocurre.

Así, se tienen
diodos que son proyec-
tados especialmente
para trabajar polariza-
dos en el sentido in-
verso con una tensión
igual o mayor que la de
la ruptura inversa.
Estos diodos,
como muestra la fi-
gura, poseen un punto
de ruptura con una
curva bastante acentuada, de tal modo que la tensión no puede sobrepasar este valor en una am-
plia banda de valores de corriente manteniéndose estable.

Podrá anali-
zarse mejor lo que ocu-
rre tomando como
ejemplo el circuito de
la figura de la derecha.
Partiendo de una ten-
sión nula, se va aumen-
tando gradualmente la
tensión inversa en este
diodo hasta que se alcanza el punto de ruptura inversa.
En el instante en que esta tensión es alcanzada, el diodo comienza a conducir la corriente,
pero de forma que mantiene constante la tensión en sus terminales. A partir de ahí, por más que
se aumente la tensión en el circuito, lo que se conseguirá es simplemente aumentar la corriente
circulante. El diodo varía su resistencia en el sentido inverso reduciéndose de modo de mantener
constante la tensión en sus terminales.
El valor constante de tensión obtenido, que corresponde a la ruptura inversa, es denomi-
nado “tensión zener”, y tales diodos, los que son usados de esta forma, son denominados “diodos
zener”.
Puede verse entonces que, colocado en un circuito, el diodo zener puede mantener la ten-
sión constante, incluso cuando la misma varía alejándose del valor mínimo en que ocurre la con-
ducción. Tales diodos son usados como estabilizadores de tensión o como referencia de fuentes.

En la figura puede verse el símbolo del dio-

do zener, así como su aspecto físico.

El diodo zener trabaja polarizado en el sen-

tido inverso y la corriente que lo recorre es tanto
mayor cuanto mayor fuera la variación de tensión
que debe ser controlada. De esta forma, multipli-
cando la corriente circulante por la tensión entre los
terminales del diodo, tenemos la cantidad de ener-
gía por segundo o potencia que debe ser disipada en
forma de calor.

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Los diodos de este tipo son entonces especificados por dos magnitudes:

a) La tensión zener, dada en volt, que indica el punto de ruptura inversa o la tensión que
el componente mantendrá entre sus terminales cuando se lo polarice en el sentido in-
verso.
b) La potencia máxima de disipación, que es dada en watt o miliwatt y que determina
también la corriente máxima que el diodo puede conducir en operación.

Diodos de capacidad variable

Los diodos de capacidad variable, varicaps o varactores, son también

resultantes de los fenómenos que ocurren en la juntura de un diodo cuando es
polarizado en sentido inverso.
En la figura de la izquierda se muestran las dos formas más comunes
de simbolizar este dispositivo.

Si un diodo está sin polarización inversa, o sea,

sometido a una tensión nula, como muestra la figura de
la derecha, las regiones conductoras de los dos materia-
les son separadas por una juntura no conductora exacta-
mente como las placas de un capacitor.
La capacidad de este capacitor va a depender
tanto de la superficie de las placas que corresponden a
los materiales semiconductores, como de su separación.

Si se aplicara entonces una tensión creciente en

el sentido de polarizar la juntura en el sentido inverso, lo
que ocurre es una separación cada vez mayor de los por-
tadores de carga, aumentando así la distancia entre las
armaduras del capacitor como muestra la figura de la de-
recha. Esto significa que la capacidad disminuye.

Se puede variar entonces la capacidad que el dio-

do presenta por la aplicación de una tensión en una de-
terminada banda de valores. El diodo en cuestión fun-
ciona como un verdadero capacitor variable en el que se
hace la actuación por medio de una tensión.

En los circuitos de sintonía el uso de estos diodos

presenta innumerables ventajas, como por ejemplo la reducción del costo del proyecto ya que un va-
riable, además de ser un componente caro, es también voluminoso, sujeto a problemas de naturaleza
mecánica.

Otra posibilidad para la aplicación de un varicap está en el hecho de que podemos con-
trolar un circuito de altas frecuencias a través de tensiones continuas.
Esto significa que el control, en el caso tradicional de un varicap, no precisa estar cercano
a la bobina para hacer modificaciones de su frecuencia, pero puede ser remoto, sin problema de
influencia de inductancias o capacitancias parásitas debido al propio alambre.

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 En la figura de la derecha tenemos un circuito de
aplicación de este tipo.

En verdad, los diodos comunes funcionan tam-

bién como varicaps, pero existen tipos especiales que
son proyectados de modo de mejorar estas importantes
características analizadas.
Aumentando la superficie de las junturas y usan-
do técnicas de fabricación apropiadas, pueden obtenerse
diodos que cubran una amplia faja de capacidad con una
variación de tensión razonable.
Sintonizadores de FM, que normalmente usan
capacitores de sintonía de valores bajos, usan diodos va-
ricaps en su sistema de sintonía. Esto permite el cambio
del sistema mecánico de accionamiento del variable por
un potenciómetro lineal común.

Tipos comerciales:

Los diodos varicaps disponibles en el comercio son presentados con la sigla BB. La primera
B indica que se trata de un componente de silicio y la segunda que se trata de un diodo de capaci-
dad. Philips, por ejemplo, fabrica diversos tipos de diodos cuyas capacidades varían típicamente en
valores con una relación de hasta 23/1.
Esta relación, es la característica más importante del diodo, pues dice cuantas veces la más
grande capacidad obtenida es mayor que la menor capacidad obtenida. Así, un diodo cuya capaci-
dad mínima sea 1 pF y máxima 25 pF tendrá una relación Cd V/V de 25 veces.
Además de esta característica importante, tenemos también la tensión máxima que puede ser
aplicada en el sentido inverso (VR), que será dada en volts. Para los tipos de Philips los valores
pueden estar entre 12 y 30 V.

A continuación se resume la tabla de diodos de sintonía de Philips con sus principales característi-
cas.

Tipo Cubierta VR (Volt) Cd (pF) a VR (Volt) Relación Cd a V/V

BB102 SOD-7 20 20-45 4 >1.4 4/10
BB105B SOD-23 28 2.0-2.3 25 >4.5 3/25
BB105G SOD-23 28 1.8-2.8 25 >4 3/25
BB106 SOD-23 28 4.0-5.6 25 >4.5 3/25
BB109G SOD-23 28 4.3-6 25 >5 3/25
BB112 SOD-69 12 440-540 1 >15 1/9
BB119 SOD-27 15 20-25 4 >1.3 4/10
BB130 SOD-69 30 450-550 1 >23 1/28
BB204B SOD-54 30 37-42 3 >2.65 3/30
BB204G SOD-54 30 34-39 3 >2.65 3/30
BB212 SOD-54 12 500-620 0,5 >23 0.5/8
BB304 SOD-54 30 42-47.5 2 >1.65 2/8
BB405B SOD-68A 28 2-2.3 25 >4.5 3/25
BB405G SOD-68A 28 1.8-2.5 25 >4.3 3/25
BB909 SOD-68A 28 4.5-6 25 >5 3/25
BB909A SOD-68A 30 2.6-3 28 >12 1/28
BB909B SOD-68A 30 2.8-3.2 28 >12 1/28
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Diodos PIN

Los diodos PIN son diodos semiconductores de silicio en los cuales, al contrario que en
los demás diodos, entre las zonas dopadas con impurezas P y N se encuentra otra de dopado muy
débil con materiales semiconductores de alta impedancia.

Los diodos PIN pueden describirse más apropiadamente como resistores que como dio-
dos propiamente dichos. En las aplicaciones para las cuales están diseñados (rango de VHF y
más) no rectifican la señal aplicada, ni generan armónicas. Su resistencia se controla mediante
una polarización de CC o de baja frecuencia, y la señal de alta frecuencia que atraviesa el diodo
“ve” un camino de resistencia fija, independientemente de la polaridad. La resistencia dinámica
del diodo suele ser mayor que 10000 ohms, y la capacitancia de juntura muy reducida.

Los diodos PIN son utilizados en alta frecuencia (en el orden de los GHz) donde cumplen
funciones de conmutadores de bajas pérdidas y pequeña capacidad propia, también se usan como
reguladores continuos de amplitud. Ejemplos típicos en televisión son los diodos de conmutación
de banda en VHF (BA182) ó los diodos sintonizadores de videocaseteras BA379.

Diodos TAZ

Los diodos supresores TAZ (Transient Absortion Zener, Zener de absorción de energía
transitoria) protegen aparatos, módulos u otros componentes electrónicos caros de picos de ten-
sión e impulsos que pudieran dañarlos.
Absorben en un tiempo de picosegundos (1 ps = 10-12 seg) impulsos de hasta 1500 W de
potencia cuya duración máxima sea de 1 ms, mientras que la disipación permanente es más baja,
e igual a la de un diodo Zener normal. Los valores de la disipación de potencia dependen de la
forma de los impulsos.

Diodos Schottky

Los diodos Schottky de silicio se han concebido para aplicaciones generales, sobre todo
para tareas de conmutación ultrarápida, como por ejemplo en lógica rápida de informática, en
aparatos de prueba y de medida, en componentes semiconductores rápidos o en circuitos de pro-
tección con un tiempo extremadamente breve. Otras posibilidades de aplicación son las de recti-
ficador de alta frecuencia.

En la figura de la derecha se
reproduce la estructura de este
componente y su símbolo. Estructu-
ra que permite, precisamente, el
movimiento de cargas con mayor
facilidad, disminuyendo de esta
manera los tiempos de almacena-
miento.

La vida útil de los portado-

res de carga de estos diodos se sitúa
por debajo de los 100 ps, de modo que en conformidad con la estructura del circuito (producto
RC) se pueden conseguir tiempos de conmutación muy por debajo de 1 ns. En muchos casos
pueden sustituir a los diodos de germanio, pues la pequeñísima tensión aplicada en el sentido de
la conducción está por ahora incluso por debajo de los valores correspondientes a los diodos de
germanio.
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Propiedades especiales:

• Apropiados para tareas de conmutación y de protección ultrarápidas hasta el orden in-

ferior al nanosegundo.
• Pequeña tensión de conducción, típica de 0,4 V (1 mA)
• Tensión de bloqueo según el tipo, hasta 70 V.

Diodos túnel

En algunos diodos de unión ocurre que éstos no tienen la misma característica de tensión-
corriente que en el caso del diodo de unión ordinario. Estos diodos tienen una característica de
resistencia dinámica negativa muy interesante.

El efecto túnel ocurre para valo-

res muy pequeños de tensión directa
aplicada. El mecanismo que controla la
corriente es de naturaleza mecánica
cuántica y es bastante parecido a la ex-
plicación del fenómeno de ruptura
(efecto Zener).
En el diodo de silicio con alto
porcentaje de impurezas, la distancia de
barrera alrededor de la unión es pe-
queña (del orden de 100 Å).

En este caso, el nivel de los donadores se encuentra dentro de la misma banda de conduc-
ción para el material tipo N, en la banda de valencia para el material tipo P.
Para una pequeña tensión aplicada, se ve que los electrones y huecos mayoritarios de N y
P pueden pasar directamente a la otra región de la unión.

El desplazamiento de la carga se hace a enorme velocidad (como si pasase a través de un

túnel sin encontrar barrera de potencial), lo que hace al elemento útil en muy altas frecuencias.
Al seguir aumentando el potencial, disminuye el efecto túnel hasta desaparecer por completo y el
diodo conduce normalmente.

La corriente que se tiene en el diodo túnel cuando se espera tener la corriente normal de
conducción del diodo se llama corriente en exceso. Además, la capacidad asociada a la unión en
el fenómeno túnel así como su desviación en temperatura son muy pequeñas lo que favorece el
uso de este dispositivo para las muy altas frecuencias.

Aplicación básica: El oscilador

Suministrando al diodo túnel una

corriente constante y polarizándolo en la
región de resistencia negativa, compensa
en todo momento las pérdidas naturales
por resistencia del circuito tanque LC.

La tensión es es sinusoidal y de
muy baja distorsión.