Módulo 2

MATERIALES
SEMICONDUCTORES
2. Materiales semiconductores
Objetivos
z Estudiar el concepto de bandas de energía. Comparar
las bandas de energía de los materiales
semiconductores con las de conductores y aislantes.
z Describir las relaciones existentes entre las
concentraciones de portadores, huecos y electrones, en
un material semiconductor intrínseco. Estudiar la forma
como varían las concentraciones en función de la
temperatura.
z Describir cómo se forman los materiales
semiconductores extrínsecos tipo n y tipo p.
2. Materiales semiconductores
2.1. Tipos de material:
z Conductor
Material que permite un flujo abundante de carga al
aplicarle una diferencia de potencial en sus terminales.
z Aislante
Material que ofrece gran oposición al flujo de carga bajo
la aplicación de una diferencia de potencial.
z Semiconductor
Material que posee una conductividad en algún punto
entre un aislante y un conductor.
 2. Materiales semiconductores
Aislante Semiconductor Conductor

Energía Energía Energía

Banda de conducción
Banda de conducción
Banda de conducción
Banda de energía
prohibida
EG
EG > 5eV

Banda de valencia Banda de valencia

Banda de valencia

Si: 1.10 eV
Ge: 0.67 eV
GaAs: 1.42 eV
 2. Materiales semiconductores
2.2. Los materiales semiconductores intrínsecos
Son materiales cuidadosamente refinados para reducir
las impurezas a un nivel muy bajo.
El Si y el Ge se han usado para la fabricación de
dispositivos semiconductores porque:
z Se fabrican con alto nivel de pureza (10-4 partes por
millón).
z Sus características conductoras pueden cambiar en
forma significativa a través de contaminación o
dosificación.
z Sus características pueden ser alteradas en forma
significativa con la aplicación de calor o luz.
2. Materiales semiconductores
z Son átomos tetravalentes.
z Un incremento en la temperatura del material puede
generar un incremento en el número de electrones
libres, o una reducción en resistencia (coeficiente de
temperatura negativo).
z Los electrones libres en el material de manera natural
se llaman “portadores intrínsecos”.
2. Materiales semiconductores
z La concentración de portadores está dada por
ni2 = BT 3e − EG / kT Constante Boltzmann: 8.62x10-5 eV/°K

Factor de
Energía de banda
proporcionalidad

Parámetros de semiconductores a 300 K.

EG B ni
Material
eV cm-6K-3 cm-3
Si 1.125 3.25x1031 1.06x1010
GaAs 1.422 1.29x1029 2.10x 106
Ge 0.661 4.74x1029 1.00x1013
2. Materiales semiconductores
Ejemplo 2.1.
Para material de silicio intrínseco encuentra los valores
de concentración de portadores ni para temperaturas de:
-50 °C, 0 °C, 50 °C, 100 °C y 150 °C. Tomar los valores
de EG y B de la tabla 1.1.
2. Materiales semiconductores

Estructura del silicio intrínseco

Si Si Si
Electrones Enlace
compartidos covalente
Si Si Si

Si Si Si
2. Materiales semiconductores
2.3. Semiconductores extrínsecos
Un material semiconductor que haya sido sujeto al
proceso de “contaminación” se denomina un material
extrínseco.
Existen dos tipos de materiales extrínsecos:
z El material n.
z El material p.
2. Materiales semiconductores
Material n
● Se crea introduciendo
impurezas: átomos Si Si Si
pentavalentes como el
antimonio (Sb),
arsénico (As) y fósforo Si P Si
(P). Se les llaman
donadores.
● Es eléctricamente
Si Si Si
neutro.

Electrón libre
2. Materiales semiconductores
Material p
● Se crea introduciendo
impurezas: átomos Si Si Si
trivalentes como el
boro (B), galio (Ga) e
indio (In). Se les llama Si B Si
átomos recipientes.
● Es eléctricamente
neutro.
Si Si Si

Enlace faltante
o hueco
2. Materiales semiconductores
Portadores mayoritarios y minoritarios en material n.
En un material n al electrón se le llama portador
mayoritario y al hueco portador minoritario.

Iones donadores

Portadores Portadores
minoritarios mayoritarios
2. Materiales semiconductores
Portadores mayoritarios y minoritarios en material del tipo p.
En un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el
electrón el minoritario.

Iones recipientes

Portadores Portadores
mayoritarios minoritarios
2. Materiales semiconductores
La concentración de portadores ni depende de la
temperatura. Para no depender tanto de la temperatura
se producen cristales con un número controlado de
impurezas, así:

Material con impurezas

Material n
con átomos donadores

Material con impurezas

Material p
con átomos recipientes
2. Materiales semiconductores
Material n Portadores mayoritarios:
electrones

Material p Portadores mayoritarios:

huecos

Para material n en equilibrio térmico la concentración de

electrones es
nn 0 = N D

donde ND es la concentración de átomos donadores

(fósforo).
2. Materiales semiconductores
Para material extrínseco n en equilibrio térmico el producto de
las concentraciones de huecos y electrones es constante

nn 0 pn 0 = ni2 , ni = f (T )
Así en material n
ni2
pn 0 =
ND

En un material n la concentración de portadores minoritarios es

función de la temperatura, los mayoritarios dependen de la
dosificación de impurezas.
2. Materiales semiconductores
Para material extrínseco p:
pp 0 = N A Concentración de átomos recipientes
(boro)
n p 0 p p 0 = ni2

ni2
np0 =
NA
Una pieza de material p o n es eléctricamente neutra; los
portadores mayoritarios libres son neutralizados por las
cargas latentes asociadas con los átomos de las
impurezas.
2. Materiales semiconductores
Ejemplo 2.2.
Para un material de Si dosificado con 1016 atomos/cm3
de fósforo, encuentra las concentraciones de huecos y
electrones a una temperatura de 300 K.
2. Materiales semiconductores
2.4. Las corrientes de difusión y de desplazamiento
2.4.1 Corriente de difusión:
La difusión es el movimiento aleatorio de cargas por
excitación térmica.
La corriente de difusión se debe a la concentración no
uniforme de partículas en el semiconductor (gradiente
de concentración diferente a cero).

Concentración
de huecos, p
dp/dx, negativo
en la dirección de x
Corriente de
difusión
x
Mayor Menor
concentración concentración Longitud del material, x
2. Materiales semiconductores
Densidad de corriente de difusión
La densidad de corriente de difusión se expresa como:
Negativa en la dirección de x

dn Gradiente de concentración, negativo

J n = qDn
dx Constante de difusión de electrones, 34 cm2/s
Carga del electrón, 1.6x10-19 C

dp
J p = −qD p
dx Constante de difusión de huecos 12 cm2/s

Positiva en la
dirección de x
2. Materiales semiconductores
Constantes de movilidad y difusión de semiconductores,
T = 300 K.

μn μp Dn Dp
Material
cm2/V.s cm2/V.s cm2/s cm2/s

Si 1350 480 34.8 12.4

GaAs 8500 400 219.3 10.3
Ge 3900 1900 100.6 49.0
2. Materiales semiconductores
Ejemplo 1.3.
A un dispositivo semiconductor se le inyectan electrones
en una zona de material p, en el estado estable se tiene
una concentración de electrones cuya variación con la
longitud del material está dada en la figura. Si NA =1015
cm-3 y ni =1010 cm-3, encuentra la densidad de corriente
de difusión. Usa Dn =34 cm2/s.
np (x)
Jn
1001np0

Material
p x np0

5 μm x
2. Materiales semiconductores
2.4.2. Corriente de desplazamiento (drift)
Es la corriente que se obtiene en el semiconductor
cuando se aplica un campo eléctrico entre sus
terminales (corriente de electrones o de huecos).

dx dx
Área A Área A

E E
Vel. Despl. e _ Vel. Despl. h _
+ Corr. Despl. + Corr. Despl.
x x
n p
2. Materiales semiconductores
Velocidad de desplazamiento (drift)
Por el efecto del campo eléctrico, los huecos y
electrones, se desplazan con una velocidad
proporcional al campo eléctrico aplicado E (V/cm),
llamada velocidad de desplazamiento.
v n = − μ n E,
v p = μ pE,

donde µn (1350 cm2/Vs para Si), es la constante de

movilidad del electrón y µp (480 cm2/Vs para Si), es la
del hueco.
2. Materiales semiconductores
Densidad de corriente de desplazamiento
La densidad de corriente de electrones Jn es el flujo de
corriente de electrones por área A
J ndespl = ( −qn )( − μ n E ) = qnμ n E

Densidad de carga Velocidad de electrones

en movimiento (hacia la izquierda)

La densidad de corriente de huecos Jp es el flujo de

corriente de huecos por área A.
J pdespl = qpμ p E
2. Materiales semiconductores
La densidad de corriente de desplazamiento total es
J despl −tot = q(nμ n + pμ p )E

Si ρ es la resistividad, por ley de Ohm tenemos:

E
J despl −tot = ;
ρ
1
ρ=
q ( nμ n + pμ p )
2. Materiales semiconductores
Ejemplo 1.4.
A una barra de material de silicio intrínseco se le aplica un
campo eléctrico de 1 kV/cm. Calcula las velocidades de
desplazamiento de electrones y huecos, y la densidad
de corriente de desplazamiento total. Toma μn = 1350
cm2/Vs, μp = 480 cm2/Vs, n = 105 cm-3 y p = 1015 cm-3.
E
J

Si
x