REPORTE LABORATORIO DIRIGIDO NRO 02

MICRO / NANO ELECTRÓNICA

Integrantes:
Huaman Romero Guimar Nilton
Zamora Giron Oscar Manuel
June 20, 2022

1 INDICACIONES
• La fecha de entrega es el 17 de junio antes de las 8:00pm

• Se designará un circuito.

• El 10 de junio se presenta el avance parcial, y al final de la segunda semana el

avance total.

• Sea claro en sus pruebas, trabaje de manera ordenada, las señales deben ele-
girse con los criterios necesarios para mostrar resultados

• El laboratorio podrá realizarse en MicroWind

2 Tı́tulo
Construcción y simulación de circuitos en lógica CMOS a través de layout.

3 Objetivo
El objetivo principal de esta experiencia de laboratorio es interactuar con el software
simulador de circuitos Microwind, a través del diseño de un circuito y su respectiva
respuesta en el tiempo.

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4 Herramientas
1. Laptop o PC/ Hojas de datos

2. Tanner o Microwind para la simulación

5 Procedimiento
5.1 PARTE 1: DISEÑO DE CIRCUITOS
1. Diseñar el circuito correspondiente,por ejemplo, en la figura 2 se muestra un
inversor. Proponer las dimensiones, de acuerdo a las aproximaciones vistas en
teorı́a y en el LD1. Explicar el proceso y justificar las opciones que se colocan
en el simulador
Desarrollo : Para el diseño de los circuitos inversore y and.
Los circuitos a implementar se apreciarán en la figura 1 AND . El circuito fue
implementado, como se observa en la figura 1, en Microwind con transistores a
una escala de 30nm por lo que las dimensiones serı́an de W=0.6um y L=0.12um
Para el circuito inversor : Hacemos las siguientes conecciones ade-
cuadas vistas en clase de:
Metal 1 ;Polysilicon ; N+ Diffsion; N Well Y Contact.

Figure 1: Inversor en Microwind

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 Para circuito AND :Se muestra en la figura 2 requerimos hacer uso
de: Metal 1; Metal 2 ;Polysilicon ; P+ Diffsion;contacto metal poly 2 N
Well Y Contacto; contacto diff/Metal 1; contacto Metal1/ Metal 2.

Figure 2: AND en Microwind

2. Proponer un cambio significativo con componentes o en área, ara estudiar una

variación en el voltaje o corriente en salida.Describir el proceso. Por ejemplo
en la figura 6 se ha añadido un capacitor de carga en salida para acentuar el
proceso de carga y descarga de los transistores MOS. Colocar el reporte del
DRC (Design Rules Check).

Para el circuito inversor :

Se realizó una modificacion de los transistores a una escala de W=0.6um y
L=0.12um, como se observa en la figura 3,para nuestro circuito inversor cam-
biamos el área de manera que aumentamos las dimensiones del metal 1 y
elpolysilicon, se utilizó una capacitancia de salida de 0.01pF para bacentuar
los procesos de carga y descarga.
Tenemos el DRC (Design Rules Check) del inversor en la figura 4 debido a las
distancias entre los conectores y los bordes del P+ difusion que se determina
por lamdas de acuerdo al DRC que muestre a modificar de acuerdo al Mi-
crowind, otro subdirectorio incluye ficheros de ejemplo con la extensión .MSK,
design rules que son ficheros de reglas de diseño con extensión *.RUL. Una vez
corregido los valores de distación de un metal a otro y los canales de difusion
P+y N+.

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 Figure 3: Inversor en Microwind

Figure 4: reporte del DRC (Design Rules Check) de un inversor en Microwind

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 Figure 5: DRC (Design Rules Check) de un inversor en Microwind

3. Proponer un cambio de dimensiones en los MOS y en el Microwind. Por

ejemplo en la figura ?? se ha añadido un capacitor de carga en salida para
acentuar el proceso de carga y descarga de los transistores MOS. Colocar el
reporte del DRC.
Para el circuito AND :
Se realiz o una modificacion de los transistores a una escala de W=0.6um
y L=0.12um, como se observa en la figura 6,para nuestro circuito AND cam-
biamos el area de manera que aumentamos las dimensiones del metal 1;metal 2
y elpolysilicon, se utilizo una capacitancia de salida de 0.01pF para bacentuar
los procesos de carga y descarga.

Figure 6: And modificado su Área y componente en Microwind

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5.2 PARTE 2: RESULTADOS DE SIMULACIONES
1. Reportar resultados en simulación del circuito original. Describir el aspecto
de las curvas en salida que se obtienen después de la simulación.

Figure 7: Simulación Inversor Vout vs t

Figure 8: Simulación modificada de Inversor Vout vs t

2. Reportar resultados en simulación del circuito con los cambios realizados (Volta-
jes, corrientes, etc). Describir el nuevo aspecto de la gráficas en salida, y a qué
se deberı́a.

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 Figure 9: Simulación AND Vout vs t con

Figure 10: Simulación AND Vout vs t con Cout - Cambio componentes

3. Reportar resultados en simulación del circuito con los cambios realizados (Volta-
jes, corrientes, etc). Describir el nuevo aspecto de la gráficas en salida, y a qué
se deberı́a.

Para el circuito inversor :

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 Figure 11: Simulación Vout vs t con Cout - Cambio dimensiones

Figure 12: Simulación Vout vs t con Cout - Cambio dimensiones

Para el circuito AND :

grafica AND cambio de area sin condensador

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Figure 13: Simulación AND Vout vs t con Cout - Cambio dimensiones sin conden-
sador

Figure 14: Simulación AND Vout vs t con Cout - Cambio dimensiones CON con-
densador

4. Colocar una tabla consolidando resultados de corrientes y voltajes en nodos

intermedios.

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6 Conclusiones
Explicar el procedimiento realizado (media página como mı́nimo), comentar sus
resultados en base a comparaciones entre pruebas realizadas.

1. cambio de tamaño perjudico la respuesta de los circuitos, debido a que se

utilizaban ciclos de reloj rápidos, este cambio retraso la propagaci´on de la
corriente, aumentando el tiempo de necesario para la carga del capacitor de
salida, permitiendo que el circuito se estanque en voltajes intermedios.

2. Al cambiar detecnologia de 90nm a 32nm, se aprecio mejor como perjudica

el innecesario tama˜no del polysilicon a la respuesta del circuito, aumentando
el tiempo necesario para la carga de los capacitores, haciendo por momento
imposible la carga del capacitor en un ciclo de reloj.

7 Bibliografı́a
Elkyn Hern andez y Jhonatan Camacho N.”MANUAL PRACTICO DE MICROWIND
Versiones 2 y 3”,Universidad de Santander.Colombia 2016.10

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