PLANTA CLORATO TALCAHUANO

PROYECTO EDIFICIO AV. AMERICO VESPUCIO NORTE

1.- CALCULO SECCION MINIMA DE CONDUCTOR

ICC3 = 3.98 (KA) Corriente de cortocircuito trifásico

Sb = 0.50 (MVA) Potencia base.
Vb = 0.38 (kV) Voltaje base.

Tm = 1500 ( ºC ) Uniones soldadas por termo-fusión

Tamb = 40 ( ºC ) Temperatura ambiente.
TPR = 0.12 (seg) Tiempo máximo despeje de falla.

Smín = ICC1

1973 * RAIZ { { Log10 [ (( Tm - Tamb ) / ( 234 + Tamb )) + 1 ] } / 33 * TPR }

Smín = 3.32 (mm2)

Se utiliza en forma normalizada, una sección 2/0 AWG (70mm2), para la malla subterránea
y 2/0 AWG ( 70 mm2), para la conexión a equipos y estructuras.Este ultimo debera ser recubierto con
aislacion de color verde.

Scond. = 70.0 (mm2) conductor de "Cu" desnudo.

MEMORIA DE CALCULO MALLA DE TIERRA

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2.- RESISTIVIDAD EQUIVALENTE

Utilizando las expresiones de "Burgsdorf y Yakobs" :

jequiv. = Fn
n

å ( Fi - Fi-1 ) / j i
i=1

jequiv. = 23.28 ( Ohm-mt )

Este dato fue obtenido en terreno y corresponde al peor valor obtenido de acuerdo a las
mediciones hechas durante la decada de 1990.El valor de resistencia de terreno que
resulte de este calculo debera ser corroborado mediante una medicion en terreno.De ser
necesario, en el fondo de la zanja se deberá colocar una capa de aditivo (ERICO GEM 25)
de 10cm de ancho por 2,5cm de profundidad, sobre esta se instalará el conductor de la
malla de tierra para luego ser cubierto por otra capa de 10x2,5cm de aditivo, luego se
cubrirá con 0,20 metros de tierra harneada y limpia de raíces y piedras. La dosis a aplicar
será de 1 bolsa de aditivo cada 2 m lineales de conductor . Referencia: Catálogo ERICO-
CHILE "The Permanent Ground Enhancement Material - GEM"

3.- DATOS BÁSICOS

V = 380 (volts) Nivel de Tensión

ICC3 = 3.98 (KA) Corriente de cortocircuito trifásico
ICC1 = 2.95 (KA) Corriente de cortocircuito monofásico
TPR = 0.12 (seg) Tiempo de protección de respaldo
jsup. = 3,000 (W - mt) Resistividad capa protectora (grava)
jequiv. = 23.28 (W - mt) Resistividad equivalente del terreno

Hm = 0.7 (metros) Profundidad de enterramiento de la malla

Dc = 0.0133 (metros) Díametro del conductor de la malla
Hs = 0.2 (metros) Espesor de la capa protectora

4.- CÁLCULO DE PARÁMETROS DEL SISTEMA

Z1 = Z2 = V/ RAIZ (3) * ICC3

Z1 = Z2 = 0.055 (ohms)

Zo =3 * V/ (RAIZ (3) * ICC1) - 2 * X1

Zo 0.113 (ohms)

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5.- CÁLCULO DE VOLTAJES TOLERABLES

E paso = (1000 + 6 * Cs (Hs,K) * jsup) * 0,157 / RAIZ (TPR)

Epaso = 6915.46 (Volts)

E contac. = (1000 + 1,5 * Cs (Hs,K) * jsup) * 0,157 / RAIZ (TPR)

Econt. = 2068.78 (Volts)

Cs = 1 - a * [ ( 1 - jequiv / jsup ) / ( 2 * Hs + a ) ]

Cs 0.79214

6.- DISEÑO DE LA MALLA

NCv = 5.0 Nº de conductores //s, lado menor

NCh = 6.0 Nº de conductores //s, lado mayor
LCv = 18.0 (metros) Longitud menor de la malla propuesta
LCh = 20.0 (metros) Longitud mayor de la malla propuesta
NB = 4.0 Nº de barras consideradas
LB = 1.5 (metros) Longitud de cada barra
Lc = 248.00 (metros) Longitud total conductor enterrado
A = 360.00 (m 2 ) Area de la malla
Ecv = 3.00 (metros) Espaciamiento de conductores //s lado menor
ECh = 4.00 (metros) Espaciamiento de conductores //s lado mayor

7.- CÁLCULO DE LA RESISTENCIA DE LA MALLA

Rmalla = jequiv * [ 1 / Lc + 1 / RAIZ (20 * A) * ( 1 + 1 / ( 1 + Hm * RAIZ ( 20 / A )) ]

Rmalla 0.60360 (Ohms)

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8.- CÁLCULO DE LOS FACTORES "K"

CÁLCULO DE "Km" :

Km = 1 / 2 * p * { Ln [(ECv , h ) 2 / (16 * Hm * Dc) + (Dc + 2 * Hm) 2 / (8 * ECv,h * Dc) -

Hm / 4 * Dc ) ] + Kiiv,h / Kh * Ln 8 / p * (2 * NCh,v - 1)) }

Kmv = 0.59142 ;Km en la dirección vertical

Kmh = 0.63234 ;Km en la dirección horizontal

Km = 0.63234 ;Km para el cálculo de la Malla

Kii = 1 ;Con barras en el perímetro de la malla

Kii = 1 / (2 * NCh,v) 2*NCh,v ;Con barras fuera del perímetro de la malla

Kiiv = 1.00E-10 ;Kii en la dirección vertical

Kiih = 1.12E-13 ;Kii en la dirección horizontal

Kh = RAIZ ( 1 + Hm )

Kh = 1.30384

CÁLCULO DE "Ki" :

Ki = 0,656 + 0,172 * NCv,h

Kiv = 1.516 ;Ki en la dirección vertical

Kih = 1.688 ;Ki en la dirección horizontal

Ki = 1.688 ;Ki para el cálculo de la Malla

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CÁLCULO DE "Ks" :

Ks = 1 / p * [ 1 / (2 * Hm) + 1 / (ECv,h + Hm) + 1 / (ECv,h * ( 1 - 0,5 (n-2)

))

Ksv = 0.42996 ;Ks en la dirección vertical

Ksh = 0.38252 ;Ks en la dirección horizontal

Ks = 0.38252 ;Ks para el cálculo de la Malla

CÁLCULO DEL FACTOR DE DECREMENTO

Fdc = RAIZ ( 1 + Ta / TPR * ( 1 - EXP -TPR/Ta )

Fdc = 1.25271

Ta = Xsist. / ( 2 * p * f * Rsist.)
Xsist./Rsist.= 30 (Supuesta)
Ta = 0.09549

CÁLCULO DE LA CORRIENTE DIFUNDIDA

Ig = RAIZ (3) * VFF * IF / RAIZ ( 9 * Rmalla 2 * IF 2 + 3 * VFF 2 )

Ig = 360.746 ( Amp.)

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9.- CÁLCULO VOLTAJE DE CONTACTO Y DE PASO

Econt. = ( jequiv * Km * Ki * Ig * Fdc ) / Lc + 1,15 * Lr )

Lr 1.0 ( metros )

Econt. 45.06 ( Volts )

¡¡ LA MALLA CUMPLE CON POTENCIAL DE CONTACTO !!

Epaso = ( jequiv * Ks * Ki * Ig * Fdc ) / (Lc + 1,15 * Lr) )

Epaso 27.26 ( Volts )

¡¡ LA MALLA CUMPLE CON POTENCIAL DE PASO !!

10.- CÁLCULO DE LA ELEVACIÓN DE POTENCIAL

E pot. = Rmalla * Ig

E pot. 217.747 ( Volts )

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