UNIVERSIDAD SAN FRANCISCO DE QUITO

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA/ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA 2

INFORME N°4

Single Stage Source Follower Research

Jordan Aguilar (137703) David Molina (204426)

Fecha: 2021-04-06

Introducción

A los amplificadores de drenaje común (common drain) se les conoce también como seguidores
de fuente (source follower), se les denomina transistores de drenaje común debido a que la
entrada y salida tienen el drenaje en común mientras que el terminal de la fuente es la salida y
la entrada del transistor es el terminal de la puerta.

Por lo generar este tipo de transistores se les suele utilizar como amortiguadores de voltaje. En
los transistores BJT se tiene que el análogo a este transistor es el de colector común.

Al realizar los respectivos análisis en DC se puede observar que básicamente la corriente del
colector queda determinada por la resistencia que se encuentra conectada al emisor con lo cual
al momento de realizar el diseño se debe analizar únicamente la resistencia de carga.

• Entre las principales características de este amplificador se tiene que:

La ganancia de voltaje es prácticamente cero mientras que la ganancia de corriente es
alta.
• En cuanto a la potencia se tiene una ganancia media.
• Se tiene una resistencia de entrada alta mientras que la resistencia de salida es baja.

Desarrollo

1. Seguidor con carga resistiva

a. Seguidor con carga resistiva análisis DC
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Figura 1: Esquemático de seguidor de fuente con carga resistiva.

Figura 2: Curva de análisis DC de seguidor de fuente con carga resistiva y parámetros

originales.

A partir de la medición en la Fig. 2, se determina que la ganancia de voltaje en análisis DC con

sus parámetro originales es de:

(58.7𝑚−43.7𝑚)
𝐴𝑣 = = 0.18 𝑉/𝑉
(725𝑚−642𝑚)
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Figura 3: Curva de análisis DC de seguidor de fuente con carga resistiva y parámetros

modificados.

A partir de la medición en la Fig.3, se determina que la ganancia de voltaje en análisis DC con

sus parámetro modificado el cual es el ancho (w) del transistor aumentado a 50 [um] con lo
que se obtiene una ganancia de:

(353𝑚−297𝑚)
𝐴𝑣 = (709𝑚−629𝑚) = 0.7 𝑉/𝑉

b. Seguidor con carga resistiva análisis AC

Figura 4: Esquemático de seguidor de fuente con carga resistiva.

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Figura 5: Curvas de entrada y salida en análisis transiente de seguidor de fuente con carga
resistiva y parámetros originales.

A partir de la medición en la Fig.5, se determina que la ganancia de voltaje en análisis transiente

es:

𝐴𝑣 = 2.35𝑚/40𝑚 = 0.058 𝑉/𝑉

Figura 6: Curvas de entrada y salida en análisis transiente de seguidor de fuente con carga
resistiva y parámetros modificados.

A partir de la medición en la Fig.6, se determina que la ganancia de voltaje en análisis transiente

con una modificación en el ancho de transistor (w) de 150 [um] con lo que se obtiene una
ganancia de:
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𝐴𝑣 = 23.9𝑚/40𝑚 = 0.59 𝑉/𝑉

Original Ganancia DC Ganancia transiente

C=50fF, W=0.21um, L=0.1um, 0.18V/V 0.058 V/V

R=1KΩ, f=500MHz

Tabla 1: Ganancias de voltaje tras análisis DC y transiente para seguidor de fuente con carga
resistiva y parámetros originales

Modificada Ganancia DC Ganancia transiente

C=50fF, W= [50-150]um 0.7V/V 0.59 V/V

respectivamente, L=0.1um,
R=1KΩ, f=500MHz

Tabla 2: Ganancias de voltaje tras análisis DC y transiente para seguidor de fuente con carga
resistiva y parámetros Modificados

Cabe decir que lo que se busca con las modificaciones realizadas en el transistor es obtener una
mayor ganancia de la que viene por default debido, ya que si hablamos de que es un seguidor
de voltaje este puede llegar a tener hasta un valor de ganancia de 1 V/V.

2. Seguidor de fuente con carga de fuente de corriente

c. Seguidor con carga de fuente de corriente análisis DC
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Figura 7: Esquemático de seguidor de fuente con carga de fuente de corriente para análisis
DC y transiente

Figura 8: Curva de análisis DC de seguidor de fuente con carga de fuente de corriente y

parámetros originales.

A partir de la medición en la Fig.8, se determina que la ganancia de voltaje en análisis DC con

sus parámetro originales es de:

(103𝑚−77.8𝑚)
𝐴𝑣 = = 0.226𝑉/𝑉
(732𝑚−657𝑚)
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Figura 9: Curva de análisis DC de seguidor de fuente con carga de fuente de corriente y

parámetros modificados.

A partir de la medición en la Fig.9, se determina que la ganancia de voltaje en análisis DC con

sus parámetro modificado el cual es el ancho (w) del transistor aumentado a 30 [um] con lo
que se obtiene una ganancia de:

(281𝑚−206𝑚)
𝐴𝑣 = (608𝑚−507𝑚) = 0.74𝑉/𝑉

d. Seguidor con carga de fuente de corriente análisis AC

Figura 10: Esquemático de seguidor de fuente con carga de fuente de corriente para
análisis DC y transiente.
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Figura 11: Curvas de entrada y salida en análisis transiente de seguidor de voltaje con carga
de fuente de corriente y parámetros originales.

A partir de la medición en la Fig.11, se determina que la ganancia de voltaje en análisis

transiente es:

𝐴𝑣 = 2.47𝑚/40𝑚 = 0.0617 𝑉/𝑉

Figura 12: Curvas de entrada y salida en análisis transiente de seguidor de voltaje con carga
de fuente de corriente y parámetros modificados.
A partir de la medición en la Fig.12, se determina que la ganancia de voltaje en análisis
transiente con una modificación en el ancho de transistor (w) de 100 [um] con lo que se obtiene
una ganancia de:
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𝐴𝑣 = 23.9𝑚/40𝑚 = 0.4275 𝑉/𝑉

Original Ganancia DC Ganancia transiente

C=50fF, W=0.21um, L=0.1um, 0.226V/V 0.0617 V/V

R=1KΩ, f=500MHz

Tabla 3: Ganancias de voltaje tras análisis DC y transiente para seguidor de fuente con carga
de fuente de corriente y parámetros originales

Modificada Ganancia DC Ganancia transiente

C=50fF, W= [30-100]um 0.74V/V 0.4275 V/V

respectivamente, L=0.1um,
R=1KΩ, f=500MHz

Tabla 4: Ganancias de voltaje tras análisis DC y transiente para seguidor de fuente con carga
de fuente de corriente y parámetros Modificados.

Breve resumen

En la práctica se realizó la simulación de los 4 circuitos proporcionados por el tutor con las
medidas que de igual manera fueron proporcionadas obteniendo de esta manera las señales que
tienen una ganancia demasiado baja, esto se debe a que los circuitos son “source follower”.
Para poder incrementar la ganancia de cada uno de los circuitos se modificó los parámetros del
transistor como es el “width”, este parámetro se le aumento hasta poder llegar a una ganancia
que sea superior a 0.7. cuando al aumentar el tamaño del “width” la ganancia no aumenta de
forma significativa de sebe modificar los otros parámetros como es el “lenght”.
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Conclusiones

Los parámetros utilizados de la hoja guía para las simulaciones tanto en análisis DC como AC
nos arrojan un valor de ganancia el cual es demasiado bajo para ser una configuración de voltaje
por lo que se busca con las modificaciones realizadas en el transistor es obtener una mayor
ganancia de la que viene por default debido, ya que si hablamos de que es un seguidor de voltaje
este puede llegar a tener hasta un valor de ganancia de 1 V/V. Las simulaciones realizadas con
los parámetros cambiados en especial el del ancho del transistor nos arroja que la ganancia en
análisis AC crece en alrededor de un factor de 10 mientras que en análisis DC en alrededor de
6.5. Por lo que en general en resultado de la práctica fue el esperado que era mejorar la ganancia
significativamente respecto de la original lo cual se logró.

David Molina

Los circuitos propuestos en la hoja guía fueron realizados de manera satisfactoria obteniendo
en primer lugar las ganancias de las señales de cada circuito únicamente con los datos
proporcionados por la hoja guía, estas ganancias son prácticamente bajas.

Al realizar cambios en las variables del transistor se pudo elevar la ganancia hasta poder superar
el 0.7, esto se lo realizo al modificar la variable “width” del transistor hasta llegar a su punto
máximo de ganancia.

Una ganancia considerable de los circuitos diseñados es a partir de un 0.7 con lo cual el objetivo
principal se ha logrado de manera satisfactoria.

Jordan Aguilar

Recomendaciones

En general es recomendable manejar bien el programa del servidor Cdesigner para no tener
errores en la simulaciones. Además, se recomienda ir modificando los parámetros del transistor
empezando con el ancho de este, ya que es donde la ganancia aumento de forma significativa
con respecto de la original e ir probando en intervalos. Por otra parte, también se podría mejorar
en cuanto la ganancia en análisis AC si se modifican parámetros como resistencia, capacitancia
y frecuencia dependiendo cual sea el circuito para obtener una ganancias mejor, ya que aun
hay un margen considerable de mejora para llegar a un aproximado de 1V/V.
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David Molina

Al momento de obtener la ganancia se debe tomar en cuenta que al tener una pendiente que se
considera recta relativamente larga la ganancia puede variar un poco dependiendo de los puntos
en donde se tome las medidas de la pendiente por lo que, si al variar las medidas de las variables
del transistor genera un cambio demasiado bajo, esto podría compensar tomando varios puntos
donde se considera la pendiente plana y viendo cuales generan mayor ganancia.

Jordan Aguilar

Bibliografía

Fonstad, C. (2009). -Single Transistor Amplifier Stages. Microelectronic Devices and Circuits.
MIT OpenCourseWare. Recuperado el 06 de abril de 2021 de
https://ocw.mit.edu/courses/electrical-engineering-and-computer-science/6-012-
microelectronic-devices-and-circuits-fall-2009/lecture-notes/MIT6_012F09_lec18.pdf