QUE FINALIDAD TIENE EL DOPAJE EN LOS

SEMICONDUCTORES

El dopaje de semiconductores es la introducción intencional de impurezas en un

semiconductor intrínseco. Los dopantes que producen los cambios controlados
deseados se clasifican como aceptores o donantes de electrones.

Un  semiconductor dopado , es un semiconductor, que fue dopado

intencionalmente con el fin de modular sus propiedades eléctricas, ópticas y
estructurales. En el caso de detectores de semiconductores de radiación ionizante,
el dopaje es la introducción intencional de impurezas en un semiconductor
intrínseco con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Por lo tanto, los
semiconductores intrínsecos también se conocen como semiconductores puros o
semiconductores de tipo i.

La adición de un pequeño porcentaje de átomos extraños en la red cristalina

regular de silicio o germanio produce cambios dramáticos en sus propiedades
eléctricas, ya que estos átomos extraños incorporados en la estructura cristalina
del semiconductor proporcionan portadores de carga libre (electrones o agujeros
de electrones) en el semiconductor.

 En un semiconductor extrínseco, son estos átomos dopantes extraños en la red

cristalina los que proporcionan principalmente los portadores de carga que
transportan corriente eléctrica a través del cristal. En general, hay dos tipos de
átomos dopantes que dan como resultado dos tipos de semiconductores
extrínsecos. Estos dopantes que producen los cambios controlados deseados se
clasifican como aceptores o donantes de electrones. y los semiconductores
dopados correspondientes se conocen como:

 Semiconductores de tipo n.
 Semiconductores tipo p.
DESCRIBE LOS SEMICONDUCTOR TIPO "n" Y TIPO "p"

Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos donadores de

electrones se llama semiconductor de tipo n, porque la mayoría de los
portadores de carga en el cristal son electrones negativos. Como el silicio es un
elemento tetravalente, la estructura cristalina normal contiene 4 enlaces
covalentes de cuatro electrones de valencia. En el silicio, los dopantes más
comunes son los elementos del grupo III y del grupo V. Los elementos del grupo V
(pentavalente) tienen cinco electrones de valencia, lo que les permite actuar como
donantes. 

Eso significa que la adición de estas impurezas pentavalentes como el arsénico, el

antimonio o el fósforo contribuye a la formación de electrones libres, lo que
aumenta en gran medida la conductividad del semiconductor intrínseco. 

Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un semiconductor
de tipo p, mientras que un cristal dopado con fósforo (grupo V) da como resultado
un semiconductor de tipo n.

Los electrones de conducción están completamente dominados por la cantidad

de electrones donadores . Por lo tanto:
El número total de electrones de conducción es aproximadamente igual al
número de sitios donantes, n≈N D .

La neutralidad de carga del material semiconductor se mantiene porque los sitios

donantes excitados equilibran los electrones de conducción. El resultado neto es
que el número de electrones de conducción aumenta, mientras que el número de
agujeros se reduce. El desequilibrio de la concentración de portadores en las
bandas respectivas se expresa por el número absoluto diferente de electrones y
agujeros. Los electrones son portadores mayoritarios, mientras que los agujeros
son portadores minoritarios en material de tipo n.
Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos aceptores de
electrones se llama semiconductor de tipo p , porque la mayoría de los
portadores de carga en el cristal son agujeros de electrones (portadores de carga
positiva). El silicio semiconductor puro es un elemento tetravalente , la
estructura cristalina normal contiene 4 enlaces covalentes de cuatro electrones de
valencia. 

En el silicio, los dopantes más comunes son los elementos del grupo III y

del grupo V. Los elementos del grupo III (trivalentes) contienen tres electrones de
valencia, lo que hace que funcionen como aceptores cuando se usan para dopar
silicio. Cuando un átomo aceptor reemplaza un átomo de silicio tetravalente en el
cristal, se crea un estado vacante (un agujero de electrones). Un agujero de
electrones (a menudo simplemente llamado agujero) es la falta de un electrón en
una posición en la que uno pudiera existir en un átomo o en una red atómica. Es
uno de los dos tipos de portadores de carga que son responsables de crear
corriente eléctrica en materiales semiconductores. 

Estos agujeros cargados positivamente pueden moverse de un átomo a otro en

materiales semiconductores a medida que los electrones abandonan sus
posiciones. La adición de impurezas trivalentes como boro , aluminio o galio.a un
semiconductor intrínseco crea estos agujeros de electrones positivos en la
estructura. Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un
semiconductor de tipo p, mientras que un cristal dopado con fósforo (grupo V) da
como resultado un semiconductor de tipo n.

El número de agujeros de electrones está completamente dominado por el número

de sitios aceptores. Por lo tanto:
El número total de orificios es aproximadamente igual al número de sitios
donantes, p ≈ N A .

La neutralidad de carga de este material semiconductor también se mantiene. El

resultado neto es que aumenta el número de agujeros de electrones, mientras que
se reduce el número de electrones de conducción. El desequilibrio de la
concentración de portadores en las bandas
respectivas se expresa por el número absoluto
diferente de electrones y agujeros. Los
agujeros de electrones son portadores
mayoritarios , mientras que los electrones son
portadores minoritarios en material tipo p.