FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO

IV. PROPIEDADES FÍSICAS DE LOS MATERIALES

OBJETIVO: Establecer los conceptos necesarios que permitan comprender y analizar la relación
directa que existe entre la teoría estructural y electrónica de los materiales y sus propieda des
físicas.

INTRODUCCIÓN

A partir de la teoría atómica, la teoría electrónica de los metales permite explicar la estructura
cristalina y propiedades de los metales, aleaciones, y en general de todos los materiales sólidos, estas
propiedades son insensibles a la estructura entre ellas se encuentran la conductividad eléctrica,
magnética, óptica y térmica. Sin embargo existen otras que dependen del historial del material, si fue
deformado plásticamente, si tuvo algún tratamiento térmico, etc. Estas son sensibles a la estructura.
En este capítulo solo se tratarán propiedades insensibles a la estructura.

4.1 PROPIEDADES ELÉCTRICAS.

Se tiene que la red cristalina tiene gran influencia sobre el movimiento de los electrones y propiedades
físicas de los metales, tratando de explicarlo se llegó a las teorías de electrón libre, de bandas y zonas
de los sólidos, esto ha sido fundamental en el análisis de las estructuras y propiedad es de los
materiales en general metales, aleaciones y sólidos no metálicos. En base a esta teoría se explica la
diferencia entre sólidos metálicos, conductores, semiconductores superconductores, aislantes. La
teoría del electrón libre y de bandas se trató en la primera unidad, y una vez analizada la difracción
cristalina se retomará juntamente con la teoría cuántica para analizar la teoría de zonas y comprender
mejor el comportamiento de los materiales conductores.

4.1.1 Ondas progresivas para electrones libres.

Conviene, en primer lugar, profundizar la teoría del electrón libre buscando sol uciones de la ecuación
de onda más apropiadas para una generalización, al tener en cuenta el campo periódico. La solución
general para un potencial constante se describió en la ecuación 1.36, La ecuación de onda se
satisfacía para cuantos valores se dieran a las constantes A y B de la solución; positivos, negativos o
complejos, según la mecánica cuántica. En la sección 1.2.3, se vio que al tomar A=0 , B podía ser
cualquier número real, permitiendo usar la función de onda sen (2 πx/λ).

Esta forma de solución permite determinar los niveles de energía de los electrones. Pero también
tiene sus desventajas, se concluye con ello que la densidad electrónica varía periódicamente a través
del metal aunque el potencial sea constante, sin embargo, la intuición física lleva a admitir que en todo
el interior del metal debe existir la misma probabilidad de encontrar el electrón, menos cerca de la
superficie. La dificultad proviene de que esta solución corresponde a ondas estacionarias, es decir,
ondas que no alteran su posición con el tiempo. En relación con los movimientos electrónicos, onda
estacionaria significa que se ignora el sentido en que se mueve el electrón dentro de la dirección x, o
sea, si hacia la derecha o hacia la izquierda considerando un sistema unidimens ional, como el ejemplo
del alambre.

Para tratar la cuestión de un flujo de electrones que se sabe se desplaza a lo largo de un alambre se
han de utilizar ondas progresivas, es decir que se desplazan con el tiempo. Para las mismas se podría
considerar: sen 2π [x/λ - t], en donde  es la frecuencia del movimiento ondulatorio. En este caso, al
aumentar t debe aumentar también x para mantenerse en un determinado punto de la onda, o sea, la
onda se desplaza hacia los valores crecientes de x con una velocidad c = . Una onda que se
propagase en sentido opuesto podría representarse por sen 2 π [x/λ+t].

147
La dificultad de estas funciones es que no satisfacen las condiciones límites (=0 para x =0 y x=L),
excepto para valores particulares de t. Para satisfacer estas condiciones para todos los t deben
buscarse soluciones más complicadas que muestren cómo el electrón se aproxima a la superficie y es
reflejado en sentido contrario.

Para orillar la dificultad con el menor esfuerzo posible se adoptan dos resoluciones. Primero se dobla
el alambre reuniendo sus extremos de modo que forme un anillo cerrado (figura 4.1). Con ello se
puede considerar un electrón girando continuamente por el anillo sin hallar una superficie libre. Las
condiciones cuánticas que condujeron a la ecuación (1.38) no son aplicables. Por el contrario, la curva
 a lo largo del anillo debe unirse sin solución de continuidad por sus extremos, formando una curva
única cerrada. Si el perímetro es L, las longitudes de onda permitidas serán:
L
 4.1
n
Siendo n = 1, 2, 3, ...n; es decir, es el número total de longitudes de onda que deben participar
exactamente para cerrar el anillo.

Figura 4.1 Alambre metálico formando un anillo cerrado

La ecuación 4.1 corresponde a la mitad de niveles que la ecuación 1.38 sin embargo la energía total
del gas electrónico no varía, puesto que existen en este caso un doble número de estados cuánticos
por nivel, teniendo en cuenta que un electrón que se mueve en el sentido de las manecil las de un reloj
está en un estado diferente del que se mueve en sentido contrario.

La segunda solución consiste en tomar números imaginarios al escoger valores de A y B en la

ecuación 1.37, lo cual es posibles, puesto que,  es un número complejo, es decir, =x+iy, donde
i   1 y x e y números reales; por tanto, el cuadrado de  es el producto (x+iy) (x-iy) que siempre
es un número real (x 2+y2). Partiendo de la ecuación 1.37, y considerando B=iA resulta

  A cos   i sen   A e i  4.2

Donde   2 x o bien, introduciendo la variable tiempo,   2 x    t . El cuadrado de 

corresponde a
 2  A 2 cos   i cos   cos   i sen   A 2 cos 2   sen 2   A 2 4.3

Teniéndose que, de acuerdo con la percepción física, la densidad electrónica es uniforme en todo el
anillo. El valor de A se deduce por normalizado, o sea, admitiendo que la probabilidad de encontrar
un electrón en cualquier punto del anillo (A 2L) debe ser igual a la unidad.

Encontrada una función adecuada, ya no se requiere referirse explícitamente al tiempo y se adopta

como función para el movimiento del electrón libre a
  A ei k x o   A e i k x 4.4

148
Dependiendo de que el electrón se desplace en el sentido +x o en el de -x. Y considerando que el
valor k (número de onda), corresponde al número de longitudes de onda en una distancia 2π

2 n
k  2 4.5
 
En tres dimensiones k es un vector, el vector de onda, que representa la dirección de propagación de
las ondas al mismo tiempo que la longitud de onda. Como tal vector, puede descomponerse en tres
componentes kx, ky y kz sobre los tres ejes. Como, además, según la ecuación de Broglie, la relación
entre impulso m y λ de un electrón libre es   h m (ecuación 1.4), resulta que:

 2 
k  m   4.6
 h 
Es decir, k representa una medida del impulso o velocidad de la partícula. No obstante, esta
interpretación simple de k no siempre es válida para un electrón en un campo periódico. En la teoría
zonal siempre se maneja la variación de la energía E del electrón con su número de ondas. Para
electrones libres, donde E = ½ m2, la relación E = E (k) es una simple ley parabólica,

h2k 2
E 4.7
8 2 m
Según se presenta en la figura 4.2 El número de ondas será positivo o negativo según que el electrón
se mueva en el sentido de las manecillas del reloj o en el sentido contrario.

`
Energia

(a)

(b)

(c)

-k 0 +k
Figura 4.3 Potenciales (V) periódicos a través
Figura 4.2 Representación gráfica de la de la red cristalina (de la ecuación
relación entre energía total y el número 1.32)
de ondas k, para un electrón libre, de
la ecuación 4.7.

4.1.2 Electrones en un campo periódico .

Considérese el caso en el que el potencial V, de la ecuación 1.32, varía periódicamente a causa de la
estructura reticular del cristal. A lo largo de una línea de átomos varía, como en el caso (a) de la figura

149
4.3, si bien a lo largo de una línea paralela que no pase por los nudos varía según (b). Para simplificar
el problema al máximo se considerará a los electrones casi libres, para los cuales V es casi constante
(por ejemplo en la figura 4.3 b y c), teniendo en cuenta que deben comportarse aproximadamente
como electrones libres. Se toma como valor medio de V, cero, de tal modo que en el límite, cuando V
es constante, serán válidos los resultados deducidos en la unidad 1, inciso 1.2.3.

Se encuentra que para la mayor parte de valores de k la función de onda es virtualmente la misma
que para el electrón libre (ecuación 1.33), entonces la densidad electrónica es uniforme, por toda la
red cristalina, es decir, que el electrón casi libre consume por igual su tiempo tanto en las crestas
como en los valles de V, resultando que las variaciones periódicas de B no afectan prácticamente a la
energía del electrón. En estas condiciones, la ecuación 4.7 todavía es aplicable. Sin embargo, para
ciertos valores de k, desaparece totalmente la semejanza con los electrones libres, incluso cuando la
parte periódica de V es muy pequeña. El electrón casi libre se mueve más lentamente, su velocidad se
anula para un valor crítico de k y su energía es distinta de la del electrón libre. Algunas de las
propiedades más importantes de los metales y aleaciones y de los sólidos en general tienen su origen
en este hecho.

La difracción de electrones (o de los rayos X) por los cristales analizada en la III unidad, indican que
algo de esto debe ocurrir. Si un electrón penetra en un cristal desde el exterior queda sometido al
mismo campo reticular que un electrón de los mismos átomos que conforman la red. Teniéndose
definido que para ciertas velocidades y ángulos del haz de electrones incidentes son reflejados por los
planos de la red cristalina de acuerdo a la ley de Bragg. Esta analogía con los fenómenos de
difracción proporciona la base física de la teoría de zonas.

Considérese el caso de una onda incidente, indicada por A 0eikx (figura 4.4) moviéndose en dirección
+x perpendicularmente a una familia de planos cristalinos. Al propagarse a través de las líneas de
átomos sufre difusión por originarse ondas elementales en cada átomo; toda s las ondas de una
columna están en fase, puesto que se originan simultáneamente por la misma cresta o valle de la
onda incidente, por consiguiente interfieren reforzándose y construyendo dos ondas del mismo tipo
que la incidente d(ondas planas). Una de estas ondas se propaga en fase con la incidente y resulta
indistinguible de ella. La otra onda retrocede y puede indicarse por la función de onda A 1e-ikx. Esta
onda de retroceso significa, físicamente, que existe una cierta probabilidad de que el electrón, c uyo
movimiento se representa por dicho sistema de ondas, sea reflejado por la línea de átomos. La
amplitud A1 de la onda reflejada, depende de la eficiencia difusora de los átomos, o bien, que aumenta
con la amplitud de la energía potencial V.

A0 e ikx

X
a
Figura 4.4 Difusión de un haz de ondas electromagnéticas a través de la red cristalina perfecta.

150
Cuando las ondas de retroceso originadas en las distintas columnas interfieren entre sí. En general,
para valores arbitrarios de k, están desfasadas entre sí y al interferir se destruyen. En estos casos, A 1
es cero para el sistema total de ondas reflejadas, lo cual significa que el electrón con estos valores de
ka viaja por el retículo sin ser desviado o sufrir perturbación en su movimie nto. Puesto que apenas hay
ikx
otra contribución a la función de onda que el término del electrón libre, A 1e , este electrón se
comporta como un electrón libre.

Valores críticos de k, el razonamiento que conduce a la ley de Bragg (ecuación 3.3) puede emplearse
en este caso, si k tiene valores tales que la diferencia de trayectoria, 2 a, entre los rayos reflejados
por líneas sucesivas es igual a un número entero de longitudes de onda (n λ), las ondas reflejadas
sucesivamente interfieren reforzándose y sumándose constituyen un haz intenso. En función de k esta
condición de reflexión de Bragg es:

n
a) k 4.8
a
Siendo n = 1, 2, 3, ... los cuales son los valores críticos de k. Aunque las ondas individuales reflejadas
son débiles cuando la energía potencial (V) es casi constante, un número suficiente de ellas puede
sumarse siempre y dar un haz reflejado casi tan intenso como el incidente, de modo tal que este
último resulta prácticamente reflejado, sin importar que tan profundo penetre en la red. Esto significa
que cuando k satisface la ecuación 4.8, la función de onda ya no se representa por la función simple
(eikx), que representa un electrón moviéndose en una dirección d efinida. Las funciones en las que las
ondas incidentes y reflejadas (e -ikx) son igualmente intensas, están dadas por las siguientes
ecuaciones:
e ikx  e  ikx  2 cos kx  e ikx  e  ikx  2isenkx  4.9

Sin embargo, estas ondas representan ondas estacionarias, lo cual significa que para los valores
críticos de k:
i. el electrón tiene una velocidad global nula a través de la red cristalina, debido a que es
reflejado continuamente de un lado a otro.
ii. La densidad electrónica varía periódicamente a través de la red cristalina.

Este segundo punto es de gran importancia por lo que se refiere a la energía del electrón. Las dos
funciones, seno y coseno, de la fórmula 4.9 dan dos formas de variación periódica de la densidad
electrónica a través de la red. La función seno tiene sus nodos en los puntos donde el coseno tiene
sus máximos y viceversa. En consecuencia, una de las funciones de onda estacionarias da la
densidad electrónica mayor en los valles de la energía potencial, en cuyo caso la energía electrónica
es menor que la del electrón libre, y la otra da la densidad máxima en las crestas de la energía
potencial (V), en cuyo caso la energía es mayor. El efecto del campo periódico es tal, que para cada
valor crítico de k, el nivel del electrón libre se desdobla en dos niveles distintos, A y B del diagrama (E
– k) de la figura 4.5, separados por un intervalo de energía en la cual ninguno de los estados de
movimiento están permitidos al electrón la discontinuidad de energías entre A y B depende de la
amplitud de la parte periódica de V y desaparece cundo V es constante figura 4.2.

Se observa en la figura 4.5 como la relación (E – k) es la parabólica del electrón libre para la mayor
parte de valores de k desviándose de ella al acercarse a los valores críticos ± k 1, ±k2, ±k3, etc.
Entonces, la curva se aplana originando las discontinuidades, A – B, C – D, etc., significando que
existen ciertos intervalos de energía prohibidos para los electrones que se mueven en aquella
dirección de la red cristalina. Si aumenta gradualmente el número de ondas de un electrón,
empezando por el fondo de la curva, la energía aumenta gradualmente hasta alcanzar el valor A. En
este punto un aumento pequeñísimo de k exigiría un aumento brusco de la energía del electrón hasta
B. Estos intervalos prohibidos dividen el espectro de energía en bandas alternadas de regiones
permitidas y prohibidas (figura 4.5) como ya se trató en la unidad I, inciso 1.3, en los conductores

151
estas bandas permitidas se denominan bandas de conducción, las regiones permit idas se denominan
zonas Brillouin. En cada zona Brillouin los niveles de energía están tan juntos que forman un espectro
casi continuo. La primera zona contiene todos los niveles hasta la primera discontinuidad, la segunda
zona todos los niveles comprendidos entre la primera y segunda discontinuidades, y así
sucesivamente.

Energia

D D
Valores prohibidos `

Energia
C C

B B
Valores
A prohibidos

-k2 -k1 0 +k1 +k2

Figura 4.5 (a) Efecto de difracción de Bragg sobre E y k, del electrón considerado como onda, la
pendiente de la curva es cero en los valores prohibidos de la energía debido a los efectos de
difracción. (b) Bandas de energía.

En la figura 4.5 puede verse que la aproximación del electrón libre falla no sólo para el valor exacto de
k sino en los valores próximos. El significado físico en el siguiente cerca de un valor crítico de
k las ondas difundidas por líneas reticulares adyacentes están casi en fase e interfieren
reforzándose. Sólo aquellas ondas procedentes de líneas más distantes están tan desfasadas
que interfieren destruyéndose. Supóngase un valor de k próximo a k1. La longitud de onda
crítica correspondiente es entonces 2a (ecuación 4.8). La diferencia de caminos para rayos
reflejados por átomo separados m mallas será 2ma; como k es el número de longitudes de
onda en una distancia 2π, el número de éstas en el camino 2ma será k (2mad/sπ). Si k=k1,
esta relación es igual a m. La interferencia es destructiva si k es lo bastante diferente de k 1
para que el número real de longitudes de onda se diferencie de m en ± ½ , o sea, cuando
kma/π = m±½, o sea,

 1   1 
k 1    k1 1   4.10
a  2m   2m 
Ello permite conocer el orden de magnitud de m, es decir, el número de líneas de átomos que pueden
reflejar de modo coherente para un valor dado de k. Cuanto más cerca esté k de k 1 tanto mayor es
aquel número y mayor la intensidad del haz reflejado. Cuando m es tan grande que el haz reflejado se
acerca en intensidad al incidente, el electrón se comporta de manera totalmente distinta al electrón
libre, en cuanto a la velocidad, que se reduce por las reflexiones, y a la ener gía, que varía porque su
función de onda tiene el carácter de una onda estacionaria. El número de líneas necesarias para
construir un haz reflejado intenso depende del poder difusor de los átomos, es decir de la amplitud de
la parte periódica de Va. Un aumento de esta amplitud no sólo ensancha la discontinuidad AB, sino
también el intervalo de k, alrededor del valor crítico, donde la curva (E – k) se desvía de la parábola
correspondiente al electrón libre.

152
 4.1.2.1 Espacios k y zonas Brillouin.

La generalización de la teoría zonal a cristales bi y tridimensionales es directa, pues los valores

críticos de k están determinados únicamente por la ley de Bragg. Si se supone una red bidimensional
de parámetro d (figura 4.6) y considerando que los electrones se mueven con un ángulo θ
con respecto a los planos paralelos al eje Y, según la ley de Bragg, la reflexión tiene lugar para una
λ=(2d sen θ)/n o sea:
n 2
k  4.11
d sen 
El borde de la primera zona Brillouin, o sea, la posición de la primera discontinuidad, de la curva
E=E(k) para esta dirección del movimiento, será considerando n=1:

k 4.12
d sen
Que puede simplificarse descomponiendo el vector k en k x y ky, sobre los ejes X e Y. La componente
de k perpendicular a los planos reflectores es kx, y como kx = k sen θ, resulta para la primera
discontinuidad:

kx  
d
Resulta que tiene lugar una discontinuidad, debida a la reflexión por estos planos, para todos los
electrones que tienen una componente del número de onda, perpendicular a los plano s, igual a ±π/d.
Este resultado es válido, cualquiera que sea el valor de la onda componente k y. Repitiendo el
razonamiento, la condición de reflexión por los planos paralelos al eje X, será k y. Repitiendo el
razonamiento, la condición de reflexión por los planos paralelos al eje X, será k y = ±π/d.

Figura 4.6 Electrones que se mueven en un

retículo cuadrado.


d X

La manera de expresar estos resultados en un diagrama, consiste en utilizar el espacio k. Para

cristales tridimensionales el espacio k es tridimensional, pero continuando con el razonamiento sobre
un metal bidimensional. Tómese dos ejes X – Y sobre los cuales medir K x y ky (figura 4.7a).
Cualquier punto del diagrama representa un par de valores definidos d e Kx y ky, luego representa un
estado particular de movimiento del electrón en la red. Las discontinuidades se representan señalando
aquellos valores de k x y ky para los que tiene lugar. En la primera discontinuidad se cumple

   
kx   kx   ky   ky  
d d d d

153
Luego tiene lugar en todos los puntos del cuadrado ABCD (figura 4.7a), que será el borde de la
primera zona de dicha red. Los bordes de las zonas superiores se pueden encontrar tomando valores
más altos de n en la ecuación 4.11 y considerando otros planos de reflexión. Resulta evidente que los
bordes de la zona de la figura 4.7 a, son paralelos a los planos del cristal que la originan, propiedad
general de los bordes de zona que es consecuencia de la ley de Bragg.

Se completa el diagrama de las zonas Brillouin señalando contornos de energía, es decir, aquellos
valores de k para los cuales los electrones tienen la misma energía. Buscando las curvas (E – k) para
las diferentes direcciones del cristal, se pueden encontrar todos los valores de k que correspondan a
un determinado nivel de energía, y llevarlos al diagrama de espacio k. Los contornos de energía baja,
1, 2, 3 de la figura 4.7 a, que están alejados del borde, son circunferencia s centradas en el origen.
Esto es consecuencia que los electrones con número de ondas distantes de los valores críticos se
comportan como electrones libres y éstos se comportan lo mismo en todas direcciones, pues no hay
campo periódico que les dé direccionalidad. Pero ya más lejos del origen del espacio k, los contornos
no son circulares (4), sino que se encurvan hacia el borde más cercano, y ello ocurre porque cerca de
estos bordes la relación (E – k) se desvía por debajo de la parábola del electrón libre y E aumenta
más lentamente con k. En estas regiones del espacio k el aumento de energía de un contorno al
siguiente representa un aumento excepcional de k. Los contornos de energía superiores (5), (6),
cortan los bordes de la zona, poniendo de manifiesto que los únicos estados electrónicos en la zona
que tienen energías de este orden están en los ángulos de la zona.
kx=-

kx=+

ky
B A ky=+
6
Zona 2
5
4 Zona 2
3 P
2
1 kx 8.5
R
6.5 ` 6.5
Energia

5.5

Q ky=- Zona 1 Zona 1

C D

(a) (b) (c)

Figura 4.7 (a) Primera zona Brillouin de una red cuadrada bidimensional, (b) Bandas de energía para
discontinuidades anchas, (c) Bandas de energía para discontinuidades estrechas.

Los contornos de energía no continúan a través del borde de zona, a causa de la discontinuidad que
éste representa. Los contornos de energía equivalen en un mapa a las líneas de nivel de pistas de
montañas de laderas parabólicas (altura equivalente a energía), y el borde de la zona representa una
pendiente vertical. Las energías de los contornos de la segunda zona, depend en de la altura de esta
pendiente. Es muy importante saber si las dos zonas traslapan, es decir, si los niveles inferiores de la
segunda zona son más bajos que los superiores de la primera. Considérese dos casos:

i. Que la discontinuidad en el borde de la zona sea grande y que las zonas no traslapan. Sea en
la figura 4.7, que P = 4.5 y Q = 6.5 y que la altura de la pared sea desde P a R = 4, luego en R

154
 = 8.5, entonces el nivel inferior de la segunda zona es más alto que el más elevado de la
primera, Q, y resulta la estructura de bandas (b) de la figura 4.7, y la secuencia de llenado de
las zonas en un sistema bidimensional se muestra en la figura 4.11 a.
ii. Que la discontinuidad es pequeña y las zonas traslapan (figura 4.7c). Si la difere ncia de P y R
es 1, R = 5.5 y los niveles de energía en el fondo de la segunda zona son inferiores a los más
altos de la primera. Se concluye que aunque siempre existan intervalos prohibidos en las
curvas (E – k) para direcciones particulares del movimiento a través de un cristal, el espectro
de energía para todas las direcciones del movimiento, puede tener o no intervalos prohibidos,
el llenado de las zonas en un sistema bidimensional se muestra en la figura 4.11 b.

La zona de Brillouin en una representación tridimensional de los valores permisibles de k. En la

ecuación 4.11, el valor crítico de k depende del ángulo de incidencia θ. Por esta razón, para estas
condiciones, k depende de la dirección relativa del movimiento del electrón con respecto a la red del
cristal, debido a esto y tanto al hecho de que θ cambia, como a que grupos diferentes de planos
pueden difractar al electrón, se tiene para una red de una dimensión, los valores críticos de k en la
figura 4.5, 4.8 y 4.9, dados por:
n
kn 
d
Donde n = ±1, ± 2, ± 3, ... cualquier número entero, y d es la distancia entre átomos. La parte entre
k1 y -k1 recibe el nombre de primera zona de Brillouin. La segunda zona es la región entre k 1 y k2, y –
k1 y –k2 (figura 4.10). En dos dimensiones, las componentes de k son k x y ky. La difracción se
efectuará cuando k satisface la ecuación 4.11, al aplicar esta ecuación, y considerando que tanto los
planos horizontales como verticales pueden difractar se obtiene la siguiente ecuación:

  2

k x n1  k y n2    n1  n2
d
2
 4.13
 
Donde n1 es el entero para difracción por los planos verticales, y n 2 para los planos horizontales. Para
el límite de la primera zona, un entero es ±1 y el otro es cero, éste es el valor mínimo de la ecuación
4.13. Para el límite de la segunda zona, cada entero es ±1. Las dos primeras zonas de la red
cuadrada se muestran en la figura 4.12. Las más altas corresponden a valores mayores de n 1 y n2.

Las zonas de Brillouin de una red cúbica simple en tres dimensiones pueden calc ularse generalizando
la ecuación 4.13, a los tres ejes.

  2
 2
k x n1  k y n2  k z n3    n1  n2  n3
2
 4.14
d 
De esta ecuación se deduce que la primera zona para una red cúbica simple es un cubo, cuyas caras
interceptan los ejes k x, ky y kz en los puntos +π/d y –π/d. La segunda zona en tres dimensiones se
compone de pirámides que descansan sobre cada cara del cubo de la primera zona, de una forma
semejante a los triángulos de la segunda zona en la figura 4.12. De forma semejante se tienen las
diferentes zonas de Brillouin para los demás sistemas cristalinos, en la figura 4.14 se muestran para
los sistemas: cúbico de cuerpo centrado, cúbico de caras centradas y hexagonal compacto. Las
ecuaciones que definen los límites de estas zonas están basadas en la ecuación de Bragg para
reflexión de una onda por la red periódica. Por lo tanto, las zonas de Brillouin en los metales, son
poliedros cuyas superficies planas son paralelas a los planos de reflexión que producen la difracción
de los rayos X.

En los metales bcc y fcc, cada zona de Brillouin contiene tantos estados cuánticos (sin considerar el
Spin) como el número de átomos o de celdas unitarias primitivas que existen en un cristal. Para un
cristal de N celdas unitarias hay N estados en la primera zona. Las reglas cuánticas tienen aplicación
para la ocupación de los estados cuánticos en una zona de Brillouin. Los electrones ocuparán primero

155
los estados de energía más baja; dos electrones de giro opuesto ocupan cada estado. Si hay N
átomos en el cristal, entonces para metales monovalentes, se llenarán los N/2 estados cuánticos de
menor energía. De tal forma, la primera zona de Brillouin quedaría parcialmente llena. Para metales
multivalentes, la situación es más complicada porque las zonas pueden superponerse. Cuando lo
hacen es imposible llenar una zona sin comenzar a ocupar la siguiente.

De la figura 4.5, se observa que al aproximarse a un valor crítico, la inclinación de la curva de la

energía cinética, en función de k tiende a cero, debido a los efectos de difracción. En tres dim ensiones
esta condición implica que las superficies de energía constante tocan el límite de la zona en ángulo
recto. Como es de esperar, los estados de energía más baja en la zona se llenan primero y después
sucesivamente los más altos, hasta que todos los electrones de valencia quedan acomodados. La
energía del estado más alto recibe nuevamente el nombre de energía de Fermi, E F. La superficie en
espacio k que corresponde a F F recibe el nombre de superficie de Fermi.

`
Pozo de energia angosto.

+ + + + +
`

X
Desplazamiento en la misma direccion que k
(a) (b)

Figura 4.8 Efecto de la carga iónica en el ancho del intervalo de energía. Un material monovalente
con carga produce pozos angostos de energía y bandas prohibidas angostas.
`

Pozo de energia ancho.

X
Desplazamiento en la misma direccion que k

Figura 4.9 Valencias múltiples dan lugar a pozos anchos y profundos y a bandas prohibidas
más anchas.

156
 Primera zona de Brillouin

-k3 -k2 -k1 k1 k2 k3

/d /d /d 0 /d /d 3/d

k

Segunda zona de Brillouin

Figura 4.10 Para una red unidimensional se muestran las dos primeras zonas de Br illouin

1 2 3 4
(a)

1 2 3 4
(b)

Figura 4.11 En un sistema bidimensional se indica la secuencia de ocupación por los electrones, de
las zonas de Brillouin, (a) zonas que no se traslapan, (b) zonas que se traslapan

Ky
2a

a

Kx
0

-a

Primera zona
-2a
Segunda zona

-2a -a 0 a 2a

Figura 4.12 Primeras dos zonas de Brillouin para una red bidimensional cuadrada.

157
En los metales, las zonas de Brillouin son poliedros cuyas caras planas son paralelas a los planos
reflectores del cristal. Estos planos son los mismos que originan los espectros de difracción de los
rayos X. La intensidad de una línea de difracción indica el poder reflector de los planos de los que
procede y en tal caso, la altura del escarpado de energía del borde de zona ori ginado por dichos
planos. En la figura 4.13se representa la primera zona Brillouin de un retículo Fcc. El análisis por
rayos X demuestra que las primeras reflexiones de esta red cristalina son las de los planos {111} y
{200}, por tanto, los bordes de la primera zona son paralelos a éstos. En cambio para el sistema Bcc
los primeros planos son {110} (figura 4.13, 4.14)

kz

kx

ky

Figura 4.13 Primera zona de Brillouin para el sistema cristalino cúbico de caras centradas.

BCC FCC HC

1 1 1

2 2 2

Figura 4.14 Primeras dos zonas de Brillouin para redes cristalinas Bcc, Fcc y Hcp

158
4.1.3 Densidad electrónica de los estados cuánticos.

Para algunas aplicaciones de la teoría zonal se requiere conocer el número de electrones que tienen
energías comprendidas en un intervalo dado del espectro de energías, lo cual es un problema distinto
al de considerar cómo se distribuyen los electrones en los niveles de energía. En todos los casos, los
niveles bajos están totalmente ocupados, excepto la ligera modificación alrededor de la energía de
Fermi (EF) y los niveles altos de energía totalmente vacíos. Pero puede ocurrir, en algunos cristales,
que la mayor parte de niveles estén hacia el extremo inferior del espectro, mientras que en otros
pueden ser sólo unos pocos niveles en esta región. Consecuencia de ello es la posibilidad de
estructuras cristalinas distintas que tengan energías diferentes y como la estructura cristalina estable
va unida con la energía más baja, conviene examinar este argumento.

El planteamiento debe orientarse en investigar la dis tribución de estados cuánticos en función de la

energía, que se expresa en una curva que relaciona la densidad de estados con la energía. Densidad
de estados, N(E), es la función cuya N(E)dE es el número de estados cuánticos por unidad de
volumen del cristal, cuyas energías están comprendidas entre E y E + dE. El cálculo de N(E) para el
electrón libre es fácil, pues no existen las complicaciones de los bordes de zona (Si el comportamiento
fuese totalmente electrones libres todos los elementos metálicos tend rían la misma estructura). Para
esto se puede utilizar la expresión de la energía máxima de los electrones de un cristal de volumen V
que contienen N electrones
2
 h 2  3 N  3
E     4.15
 8m  V 
Si el número n’ de estados cuánticos ocupados, por unidad de volumen, es:

N
n'  o N  2 n 'V 4.16
2V
El 2 obedece a que por cada nivel energético puede haber dos electrones de giro diferente (spin m s
±1/2), los primeros tres números cuánticos son iguales. Sustituyendo 4.16 en 4. 15.

2
 h 2  6n'  3
E     4.17
 8m   
De donde para n se tiene:
3
 4  3
n'   3 2m  2 E 2 4.18
 3h 
Diferenciando esta ecuación:
1
 2  3
dn'   3 2m  2 E 2 dE 4.19
h 
Que representa el número de estados cuánticos por unidad de volumen del cristal cuyas energí as
están comprendidas entre E y E + dE, luego de la ecuación 4.16 se obtiene 2Vdn’ = N(E)dE, por lo
tanto:

1
 4V  3
N ( E )   3 2m  2 E 2 4.20
 h 

159
De donde se tiene, que la densidad de estados varía de forma parabólica con la energía (figura 4.15
a). Sin embargo, en los cristales reales, la curva se modifica por las zonas de Brillouin (figura 4.15 b).
Considerando una zona B vacía en principio y ocupándose progresivamente sus estados cuánticos
con electrones. Primero se ocupan los estados de energía más baja, para los cuales son válidas las
relaciones del electrón libre y la curva N(E) es parabólica (porción OA). A medida que la esfera que se
extiende (figura 4.11-2) por el espacio k, representando los estados ocupados, se aproxima al borde
de la zona, la curva (E – k) se desvía de la parábola (figura 4.5) para aquellos electrones con valores
apropiados de k. Como la energía E aumenta lentamente con k al aproximarse al borde de la zona, la
densidad de estados crece mucho. La curva N(E) sube por encima de la parábola (AB, figura 4.15 b)
saltando a un máximo B, cuando la esfera que se extiende, algo deformada, alcanza el borde en los
puntos más próximos. Más allá, los estados vacantes en la zona se limitan a los vértices, por tanto el
número de estados por intervalo unidad de energía se hacen cada vez más pequeños y tienden a cero
cuando la zona se llena totalmente. Más allá de B, correspondiendo al contacto de la esfera con la
zona, la curva N(E) desciende gradualmente, y es de la forma BCD en la figura 4.15 b.

B
N (E)

N (E)

C
A

0 E 0 E
(a) (b)
Figura 4.15 Densidad de estados (a) para los electrones libres. (b) Cambio que experimentan los
electrones debido a la estructura de zona.

En intervalos de energía más elevados, la forma de la curva N(E), se complica por el traslape de las
zonas Brillouin. La curva completa de N(E) resulta de la suma de las curvas individuales de cada
zona, en la región donde tienen lugar el traslape (figura 4.16). Por lo cual, las curvas N(E) de los
cristales son generalmente muy complicadas en intervalos de energía altos. Es posible determinar
experimentalmente las regiones ocupadas de las curvas N(E) mediante la técnica de Espectrografía
de rayos X blandos 1. Que consiste en poner el metal a analizar como ánodo en un tubo de rayos X.
Esto da lugar a que los electrones de los niveles de más baja energía (Capas internas K o L ) de los
átomos sean desprendidos y, por lo tanto, que algunos electrones de la banda de conducción pase n a
ocupar los huecos de los niveles bajos, pudiéndose determinar si se mide su frecuencia o longitud de
onda. Así mismo, de la intensidad de la radiación emitida a cada frecuencia es posible calcular la
densidad de estados en la parte de la banda de con ducción que genera tal frecuencia.

De todo lo anterior se puede decir que, los estados de energía más baja se llenan primero y después
sucesivamente los más altos, hasta que todos los electrones de valencia quedan acomodados, de
acuerdo al principio de exclusión de Pauli, que prohíbe que dos electrones se encuentren en el mismo
estado, o sea con los cuatro números cuánticos iguales, y como ya se ha definido, la energía del
estado más alto recibe el nombre de energía de Fermi, EF, y la superficie en espacio k que
corresponde a EF recibe el nombre de superficie de Fermi.

4.1.4 Conducción eléctrica.

En muchas aplicaciones el comportamiento eléctrico del material es más crítico que su

comportamiento mecánico. El enlace atómico da las bases para el análisis del comportamiento de los

160
materiales, tanto eléctrico como mecánico, y es muy útil para la clasificación de los materiales de
ingeniería. Por lo mismo la teoría electrónica es muy importante para comprender las propiedades
físicas, como la conductividad eléctrica, el ferromagnetismo, calores específicos, propiedades
térmicas, la cohesión, la elasticidad y la estructura cristalina. Por la cual se analizará la movilidad de
los electrones, que son los principales portadores de carga eléctrica, desde la teo ría de zonas, básica
para comprender la conductividad eléctrica.
N (E)

Segunda zona de Brillouin

Primera zona de Brillouin

0 E
Figura 4.16 La línea continua corresponde a la curva total N(E), que resulta de sumar los valores de
las curvas individuales N(E) de zonas que se traslapan (líneas punteadas).

4.1.4.1 Portadores de carga, Ley de Ohm y conductividad.

Como se analizó la conducción de la electricidad en los materiales es transportada principalmente por

el electrón (figura 4.17), lo cual se analizó en base a la teoría de zona s, sin embargo como portadores
de carga no solo es el electrón, partícula de carga negativa con 1.6 X 10 -19 C, sino también lo es el
hueco que deja en la nube de electrones, hueco de electrón, con carga positiva efectiva de 1.6 X 10 -19
C en relación a su entorno. Los huecos de electrón juegan un papel importante en el comportamiento
de los semiconductores. En materiales iónicos, los aniones sirven como portadores de carga negativa
y los cationes como portadores de carga positiva. Para este caso la carga po sitiva o negativa que
porta cada ion corresponde a su valencia multiplicada por 1.6 X 10 -19 C.

Para seleccionar los materiales de acuerdo a las aplicaciones eléctricas y electrónicas, es necesario
comprender cómo se controla esta propiedad de conductividad eléctrica, además de considerar como
influye en su comportamiento eléctrico la estructura cristalina y el ambiente al que el material esté
expuesto.

Un método para medir la conducción eléctrica se muestra en la figura 4.19. La magnitud del flujo de
corriente, I en amperes (1 A 0 1 C/s), a través del circuito con una determinada resistencia, R en
Ohms (Ω), y con un voltaje, V en volts, se relaciona mediante la ley de Ohm.

V  IR 4.21

La resistencia es inherente a la geometría de l espécimen, R incrementa con la longitud del espécimen,

l , y disminuye con el área, A (Figura 4.19). Cuando se trata de diseño de resistencias, es muy
importante la ley de Ohm, ya que se pueden modificar tanto la longitud como el á rea, y cuando se
diseñan componentes para conducir energía eléctrica, es necesario minimizar las pérdidas de energía,
para evitar calentamiento, La pérdida de energía por el paso de corriente a través de una resistencia
está dado por la potencia eléctrica, P (watts):

161
 P  VI  I 2 R 4.22

A mayor resistencia mayor pérdida de energía.

e e + + +
e e e
e
e + + + +
e e e
e + + +
e
(a) (b)
`

Atomo
+
`

Electron

(c)
Figura 4.17 Portadores de carga en diferentes materiales: (a) El electrón libre en el enlace metálico.
(b) El catión (+) y el anión ( - ) en los materiales iónicos. (c ) En semiconductores y aislantes, el
electrón y su hueco, después de romperse el enlace covalente.

Para seleccionar un material en lugar de la resistencia se considera su propiedad más característica

que es independiente de su geometría, la resistividad, ρ, sus unidades son Ωm.

RA
 4.23
l
Otra propiedad igualmente importante corresponde al recíproco de la resistividad, y es la
conductividad, σ, sus unidades son Ω -1m-1.
1
 4.24

La conductividad es el parámetro más indicado para establecer un sistema de clasificación eléctrica
de los materiales. En la tabla 4.1 se dan las conductividades para algunos elementos metálicos, y en
la tabla 4.2 para diversos materiales.

La conductividad es el producto de la densidad de portadores de carga, n (m -3), la carga que conduce

cada portador, q (coulomb), y la movilidad de cada uno, μ (m2/(Vs):

  nq 4.25

La movilidad es la velocidad media de los portadores, v (m/s), dividida entre la intensidad de campo
eléctrico,   V l (V/m):
v
 4.26


162
Cuando los portadores de carga positivos y negativos contribuyen a la conducción, la ecuación 4.25,
debe considerar la contribución de ambos portadores, quedando la ecuación:

  nn q n  n  n p q p  p 4.27

Los subíndices n y p corresponden a la carga de los portadores, negativo y positivo. Para los
electrones, huecos de electrón y iones monovalentes, la magnitud de q es 1.6 X 10 -19C, para los iones
multivalentes, la magnitud de q corresponde a la valencia multiplicada por la carga unitaria (Z i X 1.6 X
-19
10 C).

Se obtiene una segunda forma de la ley de Ohm, si se combinan las ecuaciones 4.21, 4.23 y 4.24,
para tener:
I V V
  4.28
A l l
e

e
l e
e l

X X
(a) X (b)
v
l
e
l e l

X X
(c) (d)
Figura 4.18 Representación gráfica de la trayectoria de un electrón ( a ) y ( c ) A alta temperatura,
considerando el espesor, ( b ) y ( d ) A baja temperatura, nótese la influencia del espesor en la
trayectoria del electrón.

Si se define I/A como la densidad de corriente J(A/m 2) y V l como el campo eléctrico ξ (V/m), se
tiene que:

J    4.29

Por otra parte, la densidad de corriente corresponde al producto del número de portadores de carga n,
por la carga que transporta cada uno (1.6 X 10 -19C), y la velocidad promedio de desplazamiento v
(cm/s) a la cual se mueven, por lo tanto:
v
J    nqv →   nq 4.30


El término v  se conoce como la movilidad μ (m2/Vs) (ecuación 4.26), que sustituyendo se llega
nuevamente a la ecuación 4.25:
  nq

163
Con esta ecuación, se concluye que la conductividad depende del número de portadores de carga y
su movilidad. En los metales es más importante la movilidad de los portadores, mientras que en los
semiconductores y los aislantes es su número.

La movilidad depende de los enlaces atómicos, de las imperfecciones de la red cristalina, de la

microestructura, en los compuestos iónicos, depende de las velocidades de difusión, de cada uno de
los iones.

4.1.4.2 Modelo de Bandas para la conductividad

Al acercarse los átomos para formar sólidos, se vio en el inciso 1.3, como los estados cuánticos de
energía exteriores o de valencia se van ensanchando (figura 1.29), no así los niveles interiores, y
como se dijo cada nivel de valencia en un sólido de N átomos se divide en N niveles. Así, un nivel s
que puede contener sólo dos electrones de giros opuestos, se convierte en una banda s con
capacidad para 2N electrones. Un nivel p se convierte en una banda p con capacidad para 6 N
electrones (figura 1.31). La banda más alta, si está parcialmente llena y contiene el nivel de Fermi,
recibe el nombre de banda de conducción, porque sólo los electrones próximos al nivel de Fermi están
libres para transportar corriente eléctrica. Generalmente, en los metales la banda de valencia está sólo
parcialmente llena. En el cobre por ejemplo, los electrones de valencia 4s llenan sólo la mitad de la
banda exterior s, ya que hay solamente un electrón 4s por átomo. En algunos metales la banda de
valencia está llena pero se superpone con una banda superior vacía (figura 1.34). Los el ectrones
cercanos a los niveles de Fermi de estos metales también están libres para moverse, debido a que la
banda adicional proporciona estados vacantes.

Para visualizar mejor la conducción eléctrica en los metales se puede considerar cómo varía la
naturaleza de la banda de energía con la temperatura. La figura1.31 implica que los niveles de energía
en la banda de valencia 3s del sodio están semillenos, pudiendo quedar por completo llenos hasta el
punto medio de la banda, si se acomodan en cada nivel energético los dos electrones de acuerdo al
spin ±1/2, y quedarían completamente vacíos por arriba, de hecho, esto es válido sólo a la
temperatura del cero absoluto (0 K). La figura 4.20, muestra esta condición. La energía del estado
lleno más alto en la banda de energía a 0 K se denomina como nivel de Fermi (E F). Esta representa la
probabilidad de que un nivel de energía, E, esté ocupado por un electrón y puede tener valores entre 0
y 1. A 0 K, f(E) es igual a 1 hasta E F e igual a cero por arriba de E F. Este caso límite (0 K) no lleva a la
conducción eléctrica. Ya que los niveles de energía por debajo de E F están llenos, la conducción
requiere que los electrones incrementen su energía hasta algún nivel justo por arriba de E F, o bien, a
niveles desocupados. Esta promoción de energía requiere de alguna fuente de energía externa. Una
forma de proporcionar esta energía es mediante la energía térmica que se obtiene al calentar el
material a alguna temperatura por encima de 0 K. La función de Fermi resultante, f(E), se muestra en
la figura 4.21. Para temperatura superior a 0 K, algunos de los electrones justo por debajo de E F son
promovidos a niveles desocupados justo por encima de E F. La relación entre la función de Fermi, F(E),
y la temperatura absoluta, T, es:
1
f (E)   E  E F  / KT 4.31
e 1
Donde K es la constante de Boltzmann (13.8 X 10 -24 J/K). En el límite de T=0 K, la ecuación 4.31 da
correctamente la función escalafón de la figura 4.20. Para una temperatura superior a 0 K, indica que
f(E) es, 1 muy por debajo de EF y 0 muy por arriba. Cerca de E F el valor de f(E) varía de una manera
suave entre estos dos extremos (figura 4.21). En E F el valor de f(E) es precisamente 0.5. Conforme se
incrementa la temperatura, se incrementa el rango sobre el cual cae f(E) de 1 a 0 (figura 4.22) y es del
orden de la magnitud de KT. En resumen, los metales son buenos conductores eléctricos porque la
energía térmica es suficiente para promover los electrones por encima del nivel de Fermi a niveles de
energía normalmente desocupados. En estos niveles, donde E>EF, la accesibilidad de los niveles
desocupados en los átomos adyacentes produce alta movilidad de los electrones libres a través del
sólido.

164
Tabla 4.1 Conductividades eléctricas y conductividades relativas corregidas respec to a las vibraciones
térmicas de algunos elementos metálicos
Conductividades
relativas corregidas
Temperatura Conductividad σ a
respecto a las
Metal Grupo Valencia de fusión 0ºC
-1 -1 6 vibraciones
K (Ω m X 10 )
térmicas
(Ω-1 m-1 X 106 )
Li IA 1 453.65 11.8 12.9
Na IA 1 370.95 23.0 24.0
K IA 1 336.85 15.9 15.3
Cu IB 1 1356.15 64.5 9.1
Ag IB 1 1233.95 66.7 12.4
Au IB 1 1336.15 49.0 8.1

Be IIA 2 1550.15 18.0 2.0

Mg IIA 2 923.15 25.0 8.1
Ca IIA 2 1111.15 23.5 11.1
Ba IIA 2 987.15 1.7 1.0
Zn IIB 2 692.65 18.1 6.1
Cd IIB 2 594.05 15.0 4.5

Ti IVB 4, 3 1941.15 1.2 0.21

Cr VIB 6, 3, 2 2148.15 6.5 0.51
Fe VIIIB 2, 3 1812.15 11.2 1.14
Co VIIIB 2, 3 1768.15 16.0 1.7
Ni VIIIB 2, 3 1726.15 16.0 1.9

Al IIIA 3 933.15 40.0 9.5

Sn IVA 4, 2 505.05 10.0 1.2
Pb IVA 4, 2 600.55 5.2 3.4
Bi VA 3, 5 544.45 1.0 0.5

Resistencia
Variable
`

Amperimetro
L itud

Fuente
ng
Lo

de
poder
`

Area
`

Voltimetro
A
`

Especimen
`

Especimen

Figura 4.19 Circuito para la medición de la conductividad eléctrica

165
 2,3
Tabla 4.2 Conductividad eléctrica de algunos materiales a temperatura ambiente

Categoría de Conductividad σ
Tipo de material Material
conductividad (Ω-1 m-1)
Aluminio recocido 35.36 X 106
Cobre recocido estándar 58.00 X 106
Conductores Metales Hierro (99.99 %) 10.30 X 10 6
Acero en alambre 5.71 a 9.35 X 10 6
5
C grafito 10

Germanio (extrema pureza) 2.0

Semiconductores Semiconductores Silicio (extrema pureza) 0.40 X 10-3
Sulfuro de plomo (extrema pureza) 38.4

Oxido de aluminio (Al2O3) 10-10 a 10-12

Cerámicas
Nitruro de boro (BN) 10-11
Vidrio de borosilicato 10-13
Vidrios
Vidrio de sílice 10-15
Diamante C diamante 10-14
Aislantes
Polietileno 10 a 10-15
-13

Nylon 66 10—12 a 10-13

Polímeros Plitetrafluoroetileno 10-16
Poliestireno 10 a 10-17
-14

Epoxi 10-10 a 10-15

EF
Banda
de
Valencia

1 F(E) 0

Figura 4.20 Se muestra la función de Fermi, f(E), describe el llenado r elativo de niveles de energía. A
0 K, Todos los niveles de energía están completamente llenos hasta el nivel de Fermi, E F, y
completamente vacíos por arriba de éste.

166
 E

EF
Banda
de
Valencia

1 F(E) 0
Figura 4.21 Se visualiza a temperatura superior a 0 K, el efecto de variación en la densidad de
electrones en la zona cercana al nivel de Fermi, por arriba de E F hay presencia de electrones.

1.0
0K
300 K
1000 K
F(E)

0.5

0
0 0.5 1.0 4.5 5.5 6.5
E(eV)
Figura 4.22 Variación de la Función de Fermi f(E), con la temperatura para un metal con EF = 5.5 eV

En el caso de los sólidos no metálicos, son pobres conductores de la electricidad, como lo es el

carbono con estructura diamante, cuya conductividad es σ = 10 -14 Ω-1m-1, como se vio en la unidad I,
este material tiene enlace covalente, sus electrones están compartidos entre átomos adyacentes. El
resultado es que la banda de valencia del carbono (diamante) está llena. Esta banda de valencia
corresponde al nivel de energía híbrido sp3 de un átomo de carbono aislado. Para promover
electrones a niveles de energía por encima del nivel sp3 en un átomo de carbono aislado, se requiere
ir por arriba de regiones de energía prohibida. De manera similar para el sólido, la promoción de un
electrón de la banda de valencia a la banda de conducción requiere ir por enci ma de una separación
entre bandas de energía, (E g) (figura 4.23). El concepto de un nivel de Fermi E F, aún se aplica, como
se muestra en la figura 4.23. Sin embargo, E F ahora cae en el centro de la separación de las bandas.
La función de Fermi f(E) en la figura 4.23, corresponde a la temperatura ambiente (298 K). Se debe
tener en mente que las probabilidades que predice f(E) pueden realizarse sólo en las bandas de
valencia y de conducción. A los electrones les está prohibido tener niveles de energía dentro de la
separación Eg de las bandas. De la figura analizada, se deduce que la f(E) es igual a 1 a través de
toda la banda de valencia e igual a 0 en toda la banda de conducción. La incapacidad de la energía
térmica para promover un número de electrones significativo a la banda de conducción da al diamante
su pobre conductividad eléctrica característica.

167
 E
Banda
de

`
conduccion

Eg
EF

Banda
de
Valencia

1 F(E) 0

Figura 4.23 Comparación de la función de Fermi, f(E), con la estructura de bandas en un material
aislante. E g para el diamante es 5.3 eV, por lo cual no hay promoción de electrones a la banda
de conducción. La banda de valencia corresponde al nivel de energía híbrido sp3.

E
`

Area proporcional
`

al numero de
electrones de Banda
`

conduccion de
`

conduccion
-
EF Eg
+
`

Area proporcional Banda

de
`

al numero de
huecos del Valencia
electron
`

`
Promocion del electron
`
a la banda de conduccion

1 F(E) 0
Figura 4.24 Comparación de la función de Fermi, f(E), con la estru ctura de bandas de energía para un
semiconductor. Para el silicio E g 1.1 eV, por lo cual si es posible la promoción de algunos
electrones a la banda de conducción.

En la tabla periódica tanto el silicio como el carbono están en el IVA su comportamiento químico es
similar, ambos tienen la misma valencia, estructuras cristalinas iguales, cúbica diamante, el enlace
químico es covalente, Las bandas de valencia y conducción también están separadas, solamente que
Eg para el silicio es más pequeña, E g = 1.1 eV a diferencia del diamante que es E g = 5.3 eV, debido a
esta diferencia, en el silicio a temperatura ambiente (298 K), la energía térmica si alcanza a promover
un número reducido de electrones de la banda de valencia a la de conducción, en consecuencia, l os
huecos de electrón se producen en la banda de valencia en un número igual a los electrones de
conducción. Estos huecos de electrón son portadores de carga positiva, como ya se mencionó. Con
ambos portadores de carga positiva y negativa, el silicio muestra un poca conductividad eléctrica que
es intermedia entre los metales y los aislantes. Por lo cual se considera en la clasificación por
separado, como semiconductor (Tabla 4.2).

168
4.1.4.3 Modelo de la mecánica cuántica para la conductividad.

Suponiendo un metal que tenga las zonas Brillouin parcialmente llenas, y se le aplique un campo
eléctrico, se tendrá como consecuencia que los electrones de conducción serán acelerados en el
sentido del lado electropositivo, alcanzando para el flujo de corriente un valor constante para cada
potencial aplicado, deduciendo de esto, que los electrones encuentran alguna resistencia a su paso a
través del metal que compensando el efecto acelerante del campo, por esta causa se establece un
flujo estacionario. La teoría supone que la resistencia tiene su origen en las colisiones de los
electrones con los iones del retículo; el exceso de velocidad adquirida por un electrón entre dos
colisiones sucesivas se pierde en cada colisión. El camino libre medio, l , se define como la distancia
media recorrida entre dos colisiones, pudiendo demostrarse que la resistividad del metal es:

mv
R 4.32
nq 2 l

Donde n es el número de electrones de conducción por unidad de volumen, m la masa del electró n, v
la velocidad promedio de los electrones de conducción y q la carga del electrón.

La resistencia de un metal disminuye al descender la temperatura, lo cual no está implícito en la

fórmula. Pero como sólo los electrones próximos a la energía de Fermi (E F) pueden tomar parten en la
conducción, por lo tanto, n y v se refieren a éstos electrones únicamente. Asimismo, a cualquier
temperatura hasta el punto de fusión, la distribución de Fermi no se altera práctica mente por las
variaciones de temperatura, por tanto n y v deben permanecer prácticamente constantes. Como por
otro lado, m y q son constantes, se atribuye la influencia de la temperatura a la variación de l , el
camino libre medio. En los metales, la relación entre resistencia y temperatura es, en general, de la
forma representada en la figura 4.25.

0 T(K)

Figura 4.25 Representación de la variación de la resistencia en los metales con l a temperatura

absoluta.

A temperaturas superiores a los 100K, la resistencia (R) es proporcional a la temperatura absoluta (T),
pero a temperaturas menores la resistencia es de variación lenta respecto a la temperatura
(proporcional a T 1/5, por ejemplo si T=10 K R  1.5848 , y si T=100 K R  2.5118 ), tendiendo a
cero en el cero absoluto, partiendo de esto, se puede calcular el camino libre medio; para un buen
conductor como el cobre o la plata a temperatura ambiente es del orden d e 100 distancias
interatómicas, incrementando rápidamente cuando disminuye la temperatura, tendiendo a infinito
cuando se acera al cero absoluto (0K). A bajas temperaturas puede medirse directamente

169
comparando la resistividad de hojas muy delgadas o de ala mbres con la correspondiente a
especimenes de mayor espesor. A medida que la temperatura desciende, el camino libre medio
aumenta tanto que los electrones pueden atravesar la totalidad del espesor del espécimen delgado sin
experimentar ningún choque. Por debajo de dicha temperatura el camino libre medio queda
determinado por el espesor, pues los electrones son reflejados por la superficie libre y, en
consecuencia, los especimenes delgados tienen una resistencia mayor que las gruesas (figura 4.18).

El largo camino libre medio de los electrones y la influencia de la temperatura en el mismo no pueden
explicarse imaginando las colisiones entre los electrones y los iones reticulares como simples topes de
partículas entre sí, si así fuera, el camino debería ser del mismo orden de magnitud que las distancias
interatómicas. Para encontrar una explicación correcta es necesario calcular la movilidad de las ondas
deducir su movimiento a partir de dicha movilidad, puesto que el electrón es dualidad onda
partícula. Cuando un tren de ondas se propaga en una red cristalina perfecta (figura 4.4), las ondas
generadas en cada punto reticular interfieren reforzándose, por lo tanto, el haz incidente prosigue a
través del cristal, sin perturbación, o bien, el electrón viaja a través de un red perfecta sin ser desviado
ni perturbado en su movimiento. Se puede demostrar que dicha conclusión es válida, asimismo, para
una red que se encuentra en su estado de menor vibración natural, Según esta teoría, la resistencia
de un cristal puro debe tender a cero a medida que la temperatura se aproxima a 0 K.

La resistencia es debida a la movilidad incoherente de las ondas, lo cual ocurre en los lugares donde
la periodicidad del retículo está perturbada, pues una onda que se mueve de una manera incoherente
significa que existe una cierta probabilidad de que el electrón sea desviado en el lugar en cuestión.
Las irregularidades en la escala atómica son particularmente eficaces, mientras que las que se
extienden en amplias regiones, como las deformaciones elásticas de variación lenta, apenas influyen
en la movilidad. Cuando se calienta un cristal, las vibraciones térmicas impulsan a los átomos fuera de
sus posiciones provocando la movilidad. A temperaturas bajas la amplitud de las vibraciones es
pequeña, dando lugar a poca interferencia, lo cual se refleja en una resistencia pequeña. Pero al
aumentar la temperatura, la desordenación creciente en las líneas de átomos provoca mayor
movilidad, incremento en las interferencias en la trayectoria del electrón y como consecuencia una
mayor resistencia. La explicación cuantitativa de la variación de la resistividad con la temperatura
puede describirse al aplicar estas ideas. También se puede explicar el aumento de resistencia de un
metal al fundir al aplicar el mismo principio, debido a que la mayor irregularidad del estado líquido
causa un aumento en la movilidad y las interferencias a la trayectoria de los electrones.

Las irregularidades en la red cristalina, como son presencia de átomos difere ntes, lugares reticulares
vacantes, en general imperfecciones en la retícula, provocan aumentos de resistencia. Como es el
caso de aleaciones donde están en solución sólida dos ó más tipos de átomos distribuidos al azar en
la red, las cuales presentan una resistencia mucho mayor que los metales puros, debido a que tienen
diferencias en la valencia, en la masa atómica y en sus tamaños, causando perturbaciones en la
periodicidad del campo reticular. Ciertas aleaciones mediante tratamiento térmico y a bajas
temperaturas se ordenan manteniendo periodicidad en la red (éstas son llamadas soluciones sólidas
ordenadas) ocasionando una considerable disminución en su resistencia. Este efecto, comprueba la
teoría ondulatoria, al difundirse los electrones, puesto que durante los tratamientos no cambian las
especies ni el número de átomos diferentes, sino tan solo su distribución el la red, siendo difícil
imaginar algo tan sensible a la distribución como no sea por un efecto de difracción.

En la tabla (4.1) se presentan las conductividades de los metales más comunes a 0ºC. No se observa
regularidad alguna, solo sobresalen las altas conductividades del cobre, oro y plata. Tratando de que
exista forma de comparación se presentan en la tercera columna las conductividades , en condiciones
tales que la contribución de las vibraciones térmicas sea del mismo orden, o bien, conductividades
relativas corregidas para las vibraciones térmicas. A una temperatura dada los diferentes metales
presentan amplitudes diferentes de la vibración térmica, lo cual da origen a diferencias en la difusión
térmica de los electrones. En los valores de conductividades relativas se observa que los metales
monovalentes que no son de transición, constituyen mejores conductores que los alcalinotérreos y que
los metales de transición.

170
Este efecto se explica con la teoría de zonas. Si una zona está casi llena, la conductividad es
pequeña por existir pocos electrones para conducir la corriente. Cuantos más electrones se
introduzcan en la zona, el límite superior de la distribución Fermi se desplaza hacia la parte central
de la zona donde la densidad de estados es más alta (figura 4.15); en consecuencia, habrá más
electrones disponibles para transportar la corriente y la conductividad aumenta. Sin embarg o, si la
zona se llena casi del todo, la conductividad vuelve a disminuir, siendo nula si la zona está totalmente
llena. De la misma manera que se reduce la densidad de estados junto al borde de la zona, existe otro
efecto que reduce el número efectivo de electrones de conducción en estos casos. Los electrones que
estén cerca de un límite de zona están en condiciones de experimentar reflexión de Bragg durante su
movimiento (4.1.2), resultando que aquellos electrones no son acelerados en la misma medida por un
determinado campo aplicado, como lo es el electrón libre. Se comportan como si tuvieran una masa
efectiva grande. Por lo tanto se deduce que los metales monovalentes que no son de transición
deben ser buenos conductores, pues poseen zonas semillenas , mientras que los metales
alcalinotérreos divalentes deben poseer conductividades más bajas, pues tienen una zona casi llena
con un paso pequeño de electrones a la segunda zona; ninguna de estas zonas proporciona buena
conducción. Es de interés el bismuto, en estado sólido tiene estructura cristalina romboédrica,
elevado número atómico (83), bajo punto de fusión, alta resistencia, baja conductividad, al fundirse
incrementa su conductividad, lo cual se puede deber a un acomodo más eficiente de los átomos y
destrucción parcial de la estructura zonal.

Las bajas conductividades de los metales de transición son debidas a que los caminos libres medios
de sus electrones son pequeños. La desviación de un electrón por una irregularidad en un metal
provoca el salto del electrón a un estado cuántico disponible en un mismo intervalo de energía, lo cual
incrementa la probabilidad de que el electrón sea desviado por alguna irregularidad. La elevada
densidad de estados en las bandas d parcialmente llenas de los metales de transición proporciona
oportunidades para la desviación de los electrones por pasar a estados d vacantes, por lo tanto,
aquellas irregularidades que normalmente ocasionan poca movilidad están presentes en estos
metales.

Ahora bien, la mecánica cuántica es necesaria en el análisis de la conductividad en los aisladores y

semiconductores, Este método puede extenderse aplicándolo al movimiento de un electrón en un
sólido cristalino. En este caso es necesario considerar el efecto de las propiedades ondulat orias del
electrón cuando se aplica un campo eléctrico. En la mecánica ondulatoria, el electrón se considera
como un paquete de ondas en lugar de una partícula. La velocidad v g del paquete de recibe en la
óptica el nombre de velocidad de grupo
d
v g  2 4.33
dk

Donde  es la frecuencia de De Broglie y k el número de onda y como E  h , y su derivada

dE  hd , sustituyendo:

2 dE
vg  4.34
h dk
Si el electrón es acelerado se tendrá:

2 d  dE  2 d 2 E dk
dv g
a    4.35
dt h dt  dk  h dk 2 dt

Supóngase que se acelera el electrón por aplicación del campo eléctrico ξ. En el tiempo dt, el aumento
de energía del electrón dE y considerando la ecuación 4.34, se tiene que:

171
  dE  2q dE
dE   dk  qdx  q v g dt   dt 4.36
 dk  h dk
Y resolviendo para dk/dt se obtiene
dk 2
 q 4.37
dt h
Sustituyendo esta ecuación en la de aceleración ecuación 4.35:

4 2 d 2 E
a  q 4.38
h 2 dk 2
Para un electrón libre se puede usar la relación parabólica de E en función de k (figura 4.2), teniendo
para la aceleración del electrón respecto al campo eléctrico su carga y masa:

q
a 4.39
me
Y de la ecuación de energía cinética

1 h2k 2 dE h2k d 2E h2
E.C.  me v 2  →  →  4.40
2 8 2 me dk 4 2 me dk 2 4 2 me

Sin embargo la red periódica del cristal interrumpe la relación parabólica con resultados como los que
se presentan en las figuras 4.5, 4.8, 4.9. En las proximidades de la banda prohibida cambi a la
curvatura de la curva de E en función de k, pudiendo llegar a hacerse negativa. La consecuencia de
2 2
una curvatura negativa d E dk es que el electrón en la red del cristal puede ser acelerado en la
misma dirección que el campo aplicado, como se puede deducir de la ecuación 4.38. Este alarmante
resultado se debe realmente a los efectos de difracción que dominan el comportamiento del electrón a
medida que éste se aproxima a la energía prohibida.

Comparando la ecuación 4.38 con la expresión clásica para la aceleración del electrón ecuación 4.40,
se puede definir la masa efectiva m* de un electrón en una red como:
1
h2  d 2E 
m*   2  4.41
4 2  dk 
La ecuación4.38 se transforma en a=qξ/m*, donde m*=me para un electrón libre. Para el electrón en
un cristal, el valor de m* depende de su energía según se indica en la figura 4.26. La masa efectiva
puede ser positiva o negativa. Es igual a m e solamente cuando la energía no está próxima al borde de
una banda y la curva de E en función de k es parabólica. En la mayoría de los conductores m*=m e,
ya que la banda está sólo parcialmente llena. En los semiconductores, aisladores, y ciertos
conductores, en que se trata de bandas de valencia llenas o casi llenas, la masa efectiva es distinta de
me.

4.1.4.4 Conductores.

En la tabla 4.2 se observa que la magnitud de conductividad para los conductores clásicos es del
orden de 10 X 10 6 Ω-1m-1. Y la ecuación 4.25 para la conductividad en general, se puede escribir de
forma específica para los conductores como:

172
  e  ne q n  e 4.42

El subíndice e indica que la conductividad es electrónica pura, o bien, es específica del resultado del
movimiento de los electrones, la importancia del modelo de bandas es indicar la movilidad del
electrón, μe, en la conductividad de conductores metálicos. Esto se fundamenta en el efecto de dos
variables, temperatura y composición, sobre la conductividad de los metales.

Electrones livianos 4

Zona Prohibida
3

Masa negativa 2
Comportamiento 1
`

clasico

Figura 4.26 Masa efectiva: el uso de la ecuación 4.41 en la relación de E en función de k. En la región
1, la relación parabólica es válida y en consecuencia el comportamiento es clásico. En la
región 2 la curvatura es negativa y en consecuencia la masa efectiva es negativa. En la región
4 la curvatura es positiva pero mayor que la de la región 1; en consecuencia la masa efectiva
es menor de acuerdo con la ecuación 4.41.

4.1.4.5 Efecto de la temperatura e impurezas.

De acuerdo con la mecánica ondulatoria, un electrón libre puede moverse en la malla de un cris tal
perfecto sin perder energía. Cualquier disturbio en la estructura del cristal, cualquier perturbación de
los átomos en sus ubicaciones en la red, dispersará los electrones produciendo con eso resistencia
eléctrica. Los fonones producen este tipo de disturbio. Aun a 0K se observa resistencia eléctrica en un
conductor real ya que las impurezas, límites de grano, dislocaciones, vacancias y otras imperfecciones
abundan en todos los materiales reales. Todas éstas dispersarán los electrones. En los metales pu ros
y en aleaciones diluidas, la resistividad total es la suma de dos términos: la componente térmica ρT,
que tiene su origen en las vibraciones de la red cristalina, y la resistividad residual ρ r, causada por
impurezas e imperfecciones estructurales. Esta última es independiente de la temperatura. La
resistividad total está dada por
1
  T   r  4.43
e
La ecuación 4.43 es la regla de Matthiessen. La verificación experimental de la regla está indicada en
la figura 4.27 para una serie de aleaciones diluidas de Cu-Ni; la resistividad residual aumenta a
medida que aumenta el contenido de níquel de la aleación. La regla de Matthiessen es manos exacta
a altas temperaturas o a altos niveles de impureza.

Sobre la temperatura de Debye, la componente térmica de la resistividad de conductores es

aproximadamente lineal. La resistividad puede expresarse entonces como

173
    0 1   T  T0  4.44

Donde ρ0 = 1/σ0 es la resistividad a temperatura ambiente (figura 4.28 a y b), α es el coeficiente

térmico de resistividad, T la temperatura de conducción y T 0 la temperatura ambiente. Para metales
puros el coeficiente de temperatura de la resistividad, α, es de unos 0.004 por grado cent ígrado, en
tanto que para aleaciones α es generalmente más bajo (Tabla 4.3). A temperaturas muy elevadas, la
ecuación 4.44 no tiene aplicación, ya que se producen otros procesos de dispersión.

Ni
2%
5 - 3.3
Cu

4
% Ni
16
( m) X 10 8

- 2.
Cu
3
Ni
2%
-1.1
Cu
2

Cu
1

0
0 100 200 300
T OK

Figura 4.27 Resistividad eléctrica de aleaciones Cu-Ni en función de la temperatura (según J.O. Linde,
Annalen der Physik, Vol. 5, pág. 15, 1932).

200

Fe
X 10 (
X 10 -1 ( m)-1

100

Al
Cu
0
0 100 200
T (oC) T (o C)
(a) (b)
Figura 4.28 a) Variación en la conductividad eléctrica con la temperatura, b) Variación en resistividad
eléctrica con la temperatura para el Cu, Al y Fe. (J.K. Stanley, Electrical and Magnetic
Propierties of Metals, American Society for Metals, Metals Park, Ohio, 1963)

174
Una forma para estimar la pureza general y la perfección de un conductor es medir la razón de las
resistividades a temperatura ambiente y a la del helio líquido, esto es,  298 K   4.2 K  . A 4.2 K,
   r y en consecuencia la razón de resistividades es aproximadamente  T 298   r   r . Para
metales muy puros estructuralmente perfectos, esta razón alcanza valores hasta de 100 000, para
materiales de pureza comercial, son valores menores de 100, y algunas aleaciones son cercanos a 1.
Resistividad electrica

 Componenete
T

`
termico

 Componente
r residual

Temperatura K

Figura 4.29 Se muestra el efecto de una impureza en la resistividad residu al, no es cero en 0 K

En la figura 4.29, se ve como afecta la adición de una impureza aumenta la resistividad residual. La
dependencia de ρ r en una sola impureza es

 r ( X )  AX 1  X  4.45

Donde X es la concentración y A es una constante que depende del metal base y de la impureza. El
valor de A aumenta con la valencia, tamaño atómico, u otras diferencias entre los dos materiales. La
ecuación 4.45 es la llamada regla de Nordheim. Para soluciones diluidas, X<<1, y la ecuación 4.45
pasa a:

 r  X   AX 4.46

En la figura 4.30 se ve el comportamiento ρ r es medida directamente. Aun a temperatura ambiente la

resistividad aumenta linealmente con la concentración, como lo indica la figura 4.31. El aumento lineal
depende de ρ r puesto que ρ T permanece constante.

La ecuación 4.45 se aplica solo para pequeños valores de X. Para valores grandes de X, ρ se vuelve
una función no lineal de X. Un buen ejemplo se muestra en la figura 4.32, los metales puros (como el
oro y cobre) tienen resistividades más bajas que las aleaciones con impurezas, una aleación
intermedia presenta la máxima resistividad.

Como la resistividad residual depende de la dispersión de los electrones por impurezas e

imperfecciones, es afectada tanto por cambios en la distribución de los átomos en solución como por
su concentración. También puede ser influenciada por el trabajo en frío, enfriamiento rápido, o
irradiación con neutrones. Estos procesos introducen un exceso de vacancias, dislocaciones, o
átomos intersticiales en la red cristalina. Los tratamientos térmicos que reducen o cambian la
distribución de imperfecciones pueden disminuir la resistividad. Frecuentemente se usan experimentos
de resistividad para determinar el régimen y la cantidad de cambios estructurales que resultan del
tratamiento térmico y mecánico del metal. Así como la separación de aleaciones los cuales varían en
composición química de algunos de los elementos de adición.

175
 0.20

0.15
73
r

0.10

0.05

0 1% 2% 3% 4%
In % en peso
Figura 4.30 Muestra la resistividad residual de soluciones diluidas de indio en estaño, ilu stra la regla
de Nordheim. (A.B. Pippard, Proc. Roy. Soc. Londres, serie A, Vol. 248, pag. 97, 1955)

3.0 X 10-8

P Si
Fe As
2.5 X 10-8
Cr

Mn
Sb
m

2.0 X 10 Al
Sn
Ni
Pb
Ag


1.5 X 10-8 T (293)

0 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25

Porcentaje de impurezas en peso

Figura 4.31 Se muestra el efecto de pequeñas adiciones de varios elementos en la resistividad

eléctrica del cobre a temperatura ambiente. (F.Pawlek y K. Reichel, Zeitschrift für Metallkunde,
Vol. 47, pág. 347, 1956)

176
4.1.5 Superconductividad.

La superconductividad es un fenómeno que básicamente comprende el estado en el cual la

resistencia eléctrica de ciertos materiales disminuye de forma repentina hasta llegar a cero, al bajar la
temperatura y fluye una corriente eléctrica de manera indefinida.

La temperatura por debajo de la cual la resistencia eléctrica de un material se aproxima a cero

absoluto se denomina temperatura de transición o crítica (T c), a temperaturas superiores, el material
se conoce cono normal, y a temperaturas inferiores como superconductor (figura 4.33 a).

La pérdida de resistencia eléctrica es sólo uno de los varios cambios que tienen lugar cua ndo se
enfría un superconductor por debajo de su temperatura crítica. Se presentan también efectos
magnéticos notables: la permeabilidad del material disminuye hasta cero y el flujo magnético en el
material desaparece; la conductividad térmica aumenta rápidamente.

160

120
 X 109 ( m)

80

40

0
0 20 40 60 80 100 % at Au
100 80 60 40 20 0 % at Cu
`

Composicion

Figura 4.32 Se muestra la variación de la resistividad en función de la composición porcentaje

atómico para las aleaciones Au-Ag, teniéndose la máxima a 45% Au - 55% Ag, para una
temperatura de 0ºC. (J.K. Stanley, Electrical and Magnetic Properties af Metals, American
Society for Metals, Metals Park, Ohio, 1963)
Resistividad electrica

` H0 Conductor normal
Hc

Superconductor

Tc Tc
Temperatura Temperatura
(a) (b)
Figura 4.33 (a) Muestra como la resistividad eléctrica de un superconductor desciende abruptamente
a cero por debajo de la temperatura crítica, (b) Se muestra el efecto de un campo magnético
sobre la temperatura, en el cambio de superconductor a conductor normal.

177
Tabla 4.3 Resistividad y coeficiente térmico de resistividad para conductores metálicos selectos. J.K.
Stanley, Electrical and Magnetic Properties of Metals. American Society for Metals, Metals
Park, Ohio, 1963.

Coeficiente térmico de
Material Resistividad a 20ºC ρ0 (Ω m) -1
resistividad a 20ºC α(ºC )
Aluminio (recocido) 28.28 X 10-9 0.0039
-9
Cobre (recocido estándar) 17.24 X 10 0.00393
-9
Oro 24.4 X 10 0.0034
Hierro (99.99 %) 97.1 X 10-9 0.00651
-9
Plomo (99.73 %) 206.48 X 10 0.00336
-9
Magnesio (99.80) 44.6 X 10 0.01784
Mercurio 958 X 10-9 0.00089
Níquel (99.95 + Co) 68.4 X 10-9 0.0069
Nicromo (66%Ni + Cr y Fe) 1000 X 10-9 0.0004
Platino (99.99 %) 106 X 10-9 0.003923
Plata (99.78) 15.9 X 10-9 0.0041
Acero (alambre) 107 X 10-9 0.006-0.0036
Tungsteno 55.1 X 10-9 0.0045
Zinc 59.16 X 10-9 0.00419

Además de la temperatura (T), el estado superconductor también depende de otras variables, como
son el campo magnético (B) y la densidad de corriente (J). Para que un material sea superconductor,
debe excluirse el campo magnético del conductor, esto explica la capacidad que tienen los
superconductores de levitar por encima de un imán. Si se aplica un campo magnético suficientemente
intenso a un superconductor a cualquier temperatura que esté por debajo de su temperatura crítica
(Tc), el superconductor retorna a su estado normal (Figura 33 b).

J
Jc
Figura 4.34 Muestra los efectos combinados de la temperatura,
campo magnético y densidad de corriente. Por debajo de la
superficie combinada de estos tres factores se produce
superconductividad.

Hc
H0

T Tc

El campo magnético necesario para restablecer la conductividad eléctrica normal en el superconductor

se denomina campo magnético crítico (H c). En un campo magnético mayor que H c, en el conductor
entran líneas de flujo magnético, suprimiendo completamente la superconducción. El efecto del
campo sobre la temperatura crítica está dado por:

2
 T  
H c  H 0 1     4.44
  Tc  

178
Donde H0 es el campo crítico a una temperatura T=0 K (figura 33 a), esta curva representa el límite
entre los estados normal y de superconductividad de un material superconductor.

Los superconductores metálicos y no metálicos se clasifican, según su comportamiento frente al

campo magnético aplicado, como superconductores de tipo I y de tipo II.

Los superconductores de tipo I, también se conocen como superconductores blandos. Presentan un

valor de Tc y de Hc demasiado bajos para cualquier aplicación práctica. Estos son conductores
perfectos de electricidad por debajo de T c, pero pierden su propiedad a un valor crítico del campo
magnético (1500 Oe – 119366 Av/m), esto significa que un superconductor exhibe un diamagnetismo
perfecto, lo cual es una propiedad esencial del estado superconductor. Pertenecen a este grupo
algunos elementos metálicos como el plomo, tungsteno, estaño, mercurio y el a luminio.

Los superconductores de tipo II se comportan de forma diferente ante un campo magnético a

temperaturas por debajo de la temperatura crítica, estos pasan por tres etapas, al incrementarse el
campo magnético, 1. Completamente superconductores, 2. Estado mixto, y 3. Conducción normal. En
el primer campo son completamente diamagnéticos, como los superconductores de tipo I, hasta un
valor de un campo magnético aplicado llamado campo crítico inferior H c1, y de este modo el flujo
magnético es rechazado del material. En el segundo, por encima de H c1 el campo magnético empieza
a penetrar en el superconductor, y continua así hasta que alcanza el campo crítico superior H c2, en el
intervalo entre Hc1 y Hc2 el superconductor está en estado mixto, siendo dentro de este rango, la
superficie del material superconductora, en tanto que el centro presenta conducción normal. Para
valores superiores de H c2 el material se encuentra en su estado normal. También, la densidad de
corriente (A/m2) que fluye a través del conductor afecta la superconductividad; si la densidad de
corriente J es demasiado elevada, se pierde la superconductividad (figura 4.34). Los materiales
superconductores deberán tener temperaturas críticas, campos magnéticos y densidades de corriente
elevadas, para tener aplicación práctica.

Otra clasificación de los superconductores es: elementos metálicos, aleaciones y compuestos.

Los elementos metálicos que pertenecen al tipo I su T c es menor de 4 K. Entre las aleaciones
contienen elementos de transición, entre ellas están: Nb-Zr, Nb-Ti y Mo-Re, tienen una T c de
aproximadamente 10 K, y un campo magnético crítico relativamente elevado. Entre los compuestos
están YBa2Cu3O7, (LaBa)2CuO4, YbaCuO, éste superconductor a 93 K.

Para explicar el porque de la superconductividad, en un principio se consideró la premisa, de que a

temperaturas cercanas a 0 K, la estructura atómica del material cristalino debe tener un orden
perfecto, puesto que su nivel entrópico tiende a cero, por lo cual los electrones podían moverse por el
espacio entre los núcleos atómicos sin chocar con nada ni perder energía. Sin embargo esto no
satisface la caída de la resistividad a cero a la temperatura crítica.

La teoría básica del comportamiento de un superconductor respecto a un ca mpo magnético externo

fue descrita por el físico ruso Alexei A. Abrikosov a principios de la década de 1950, en base a los
trabajos de Ginzbur y Landau.
Pero fue hasta 1957, cuando Bardeen, Cooper y Schreiffer desarrollaron la teoría cuántica que explica
mejor la superconductividad, conocida en su honor como teoría BCS. Parte de la existencia de los
pares de Cooper , consistentes en dos electrones con movimiento de rotación o spín en sentidos
opuestos, unidos por una fuerza de atracción producida por la i nteracción con la red de iones positivos
en la cual se mueven. Así superconductividad aparece como consecuencia de la existencia de los
pares de Cooper mediados por la interacción electrón-fonón (Paquete de vibraciones de la red
cristalina).

4.1.5.1 Teorías de la superconductividad

La teoría básica del comportamiento de un superconductor respecto a un campo magnético externo

fue descrita por el físico roso Alexei A. Abrikosov.

179
Distinguía dos categorías de superconductores, designadas por tipo I y tipo II, como ya se indicó. En
un campo magnético muy débil, estas dos clases de materiales actúan de forma muy parecida: ambos
expelen completamente el campo. Las diferencias surgen cuando se intensifica el campo. En los
materiales de tipo K, que en su mayor parte son materiales puros, la corriente de blindaje de la
superficie se colapsa y el flujo magnético entra súbitamente en el material a una intensidad de campo
crítica bien definida. Los materiales de tipo II muestran su superconductividad a través de un p roceso
más gradual. El flujo magnético empieza a penetrar a una intensidad de campo baja (el campo crítico
mas bajo), pero no se elimina la última traza de superconductividad hasta que se aplica un campo
más intenso (el campo crítico superior).

Tabla 4. Temperatura crítica y campo magnético para la superconductividad en materiales selectos.

Material Temperatura crítica K H0 (oersted)
Superconductores del tipo I
W 0.015 1.15
Al 1.180 1005.00
Sb 3.720 305.00

Superconductores del tipo II

Nb 9.25 1 970.00
Nb3Sn 18.05 250 000.00
GaV3 16.80 350 000.00

Superconductores cerámicos:
(La,Sr)2CuO4 40.0
Yba2Cu3O7-x 93.0
TlBa2Cu4O11 122.0

La penetración del flujo magnético en un superconductor del tipo II depende crucialmente de una
limitación de la mecánica cuántica: la existencia de un cuanto mínimo de flujo magnético. Por tanto, el
campo del interior de un superconductor del tipo II no puede crecer continuamente, sino que debe
aumentar por pasos, con un cuanto de flujo cada vez. Abrikisov sugirió que cada cuanto de flujo
(fluxoide) pasa a través del material dentro de un canal microscópico de metal resistivo normal. Cada
canal está rodeado por un pequeño torbellino de sobre corriente, que actúa protegiendo el material
superconductor próximo respecto del campo interno del cuanto de flujo. La función de la corriente en
el torbellino o vórtice es análoga a la de la corriente de blindaje superficial a intensidades de campo
más bajas.

Una sección transversal de tal tipo de torbellino revela ría una región estrecha del núcleo donde el
manto magnético alcanza su valor máximo y donde la densidad de los pares de electrones
superconductores es mínima. Un observador que se desplazara hacia el exterior desde el núcleo
comprobaría que la densidad de los electrones apareados aumentaba y se aproximaba a la densidad
de equilibrio característico del material compacto a una distancia de una longitud de coherencia. A la
inversa, el campo magnético disminuiría con la distancia referida al núcleo, y llegaría a anularse a la
distancia de una profundidad de penetración de valor unidad.

El tipo I o el tipo II de un superconductor dado viene determinado por los valores relativos de la
longitud de coherencia y de la profundidad de penetración. En los metales puro s y en otros materiales
pertenecientes al tipo I, la longitud de coherencia es mayor que la profundidad de penetración; no se
forman torbellinos. El costo energético invertido en la creación de un torbellino es mayor que el
gastado en eliminar completamente el estado de superconducción. En los materiales del tipo II, la
longitud de coherencia es menor que la profundidad de penetración. Por tanto, sale energéticamente
favorecida la formación de torbellinos.

180
A medida que aumenta el campo magnético aplicado a un superconductor del tipo II, va creciendo el
número de cuantos de flujo enfilados a través del material. Formando típicamente una estructura
similar al cristal con una célula unitaria triangular. Entre los canales de torbellinos quedan regiones del
metal superconductor; de este modo persiste la superconductividad en el material compacto. Mientras
que mantenga un único filete continuo de superconductor, la resistencia medida en la muestra debe
ser igual a cero. El superconductor del tipo II sólo se extingue cuando los torbellinos están agrupados
tan estrechamente que no puede existir ese paso continuo; tal ocurre cuando se alcanza al campo
crítico superior.

La teoría microscópica estándar de la superconductividad es conocida como teoría BCS, llamada así
en honor a K. Bardeen, L. Cooper y J.T. Schrieffer, que la propusieron en 1957, (Premio Novel en
1972). La misma explica perfectamente las propiedades de los materiales superconductores de muy
baja temperatura crítica (superconductores por debajo de 23 K, llamados clásicos o convencionales)
.
Para estudiar la conducción normal en un metal, habitualmente se supone que es infinito, que los
átomos se disponen de forma perfectamente periódica formando una red cristalina y que los
electrones se mueven fácilmente por todo el sistema. Este modelo simple e irreal, que recibe el
nombre de gas de Fermi (por el físico italiano Enrico Fermi, que concibió una imagen similar de los
núcleos atómicos, paradójicamente da unos resultados excelentes a la hora de describir la s
propiedades básicas de cualquier metal. Sin embargo, desprecia entre otras muchas cosas, la
interacción que hay entre el gas de electrones y los iones de la red.

Los iones no están fijos en sus posiciones, sino que vibran alrededor de ellas. Es válido v isualizarlos
como pequeñas bolitas enganchadas a sus vecinas más próximas mediante resortes. Las fuerzas
restauradoras que crean los resortes sobre un ión cuando este se mueve un poco de su posición
hacen que vibre y que esta vibración se propague por todo el cristal. Ahora bien, como se esta en una
escala nanométrica, se debe estudiar el problema desde el punto de vista cuántico. La teoría cuántica
afirma que estas ondas no pueden tener una energía cualquiera. La energía esta cuantizada en
paquetes llamados fonones. Frölich estudió que pasaba cuando un electrón libre de un metal
interaccionaba con un fonón. Llegó a la conclusión de que la superconductividad tenía mucho que ver
con dicha interacción, ya que la temperatura de transición estaba ligada con la m asa de los iones de la
red. En base a los trabajos de Frölich, los físicos Bardeen, Cooper y Schrieffer, desarrollaron la teoría
de la superconductividad, ellos consideran el mecanismo microscópico que da lugar a que un metal se
volviera superconductor: un electrón interactúa con un fonón, deformando la zona de la red cercana,
un segundo electrón ve entonces que la red está deformada y se ajusta para que su energía siga
siendo mínima. Esta interacción indirecta entre los dos electrones mediada por los fonon es provoca,
en determinadas circunstancias, que los dos electrones se atraigan entre si, superando la natural
repulsión que sufren y formando un par ligado. Por encima de la temperatura de transición T c, hay
poquísimos pares de electrones que están ligados. Pero, por debajo, hay una transformación entera
del sistema que genera muchos pares de estos, es decir, el metal sufre una transformación de fase.

El concepto básico de la teoría BCS es la idea del emparejamiento: a una temperatura lo

suficientemente baja, los electrones del metal se asocian en pares, llamados pares de Cooper,
análogos a moléculas. Para romper un par hay que suministrar una energía por lo menos igual a su
energía de enlace. No es de extrañar, pues que el superconductor no pueda absorber energías
inferiores a un cierto valor crítico (llamado banda prohibida del superconductor).

Los experimentos sugieren que los superconductores clásicos tienen una banda de energías
electrónicas prohibidas, denominada habitualmente gap. En los metales ordinarios, las cargas pueden
moverse libremente y se aceleran en presencia de un campo eléctrico. Por debajo de la temperatura
crítica, a los pares de electrones de un superconductor les está prohibido por las leyes de la mecánica
cuántica desplazarse por encima de un cierto valor de la velocidad.

181
El gran reconocimiento de la teoría BCS fue probar que ese gap era una consecuencia directa de la
formación de los pares de electrones. Es más, fue posible demostrar que todas las propiedades físicas
de un superconductor se podían escribir en función del tamaño del gap. Por ejemplo, al aplicar un
campo magnético a un superconductor, se necesita que aquel sea bastante grande para que los
electrones ganen mucha energía y puedan saltar la zona prohibida. De esta manera , los pares se
rompen y desaparece la superconductividad.

Cuando una corriente eléctrica pasa a través de un metal ordinario, los electrones en movimiento
pueden ser desviados por impurezas o por los movimientos de la red cristalina. Estas colisiones son
responsables de la resistencia eléctrica del metal. Pero cuando se hace pasar una corriente eléctrica
por un superconductor, los pares de Cooper se mueven de un modo coherente. Simplificando, todos
ellos, efectúan el mismo movimiento (esta propiedad está l igada al hecho de que, contrariamente a las
moléculas ordinarias, los pares de Cooper se interpenetran ampliamente).
Resistividad 

60 80 100 120 140 160

Temperatura ( K )
Figura 4.35 Se muestra la resistividad del YBa 2Cu3O7 en función de la temperatura, indicando una
Tc ≈ 95K

Un electrón no puede ser desviado individualmente y la resistencia eléctrica desaparecer. Como en

las moléculas ordinarias, los pares se forman porque hay una fuerza de atracción entre los electrones.
En los superconductores de baja temperatura crítica, esta atracción se debe a la interacción de los
electrones con las vibraciones de la red cristalina.

Los cuantos de estas vibraciones son los fonones; que son los análogos de los fotones luminosos.
Pero este mecanismo particular de la atracción entre dos electrones no es un ingrediente esencial de
la teoría BCS. Se puede considerar también una interacción en que intervengan las fluctuaciones de
los momentos magnéticos de los iones de cobre actualmente, hay sólidas pruebas a favor de la
existencia de pares de Cooper en los superconductores de alta temperatura crítica. Por el contrario, el
mecanismo de formación de estos pares es objeto de gran controversia.

Aún no se conoce con certeza el mecanismo que produce la superconductividad en las cerámicas
superconductoras a altas temperaturas. Parece ser que, a diferencia de los superconductores
clásicos, la forma concreta en que se disponen los átomos del cristal representa un papel muy
importante en la aparición del fenómeno. La mayoría de estas cerámicas son conductoras por encima
de su punto de transición, debido a las peculiaridades del enlace entre los átomos de cobre y oxigeno
que forman el núcleo (cuprato) de su composición. Estos átomos se disponen en forma de capas
alternas dentro del material, permitiendo que un cierto número de electrones puedan desplazarse
entre los mismos sin resistencia alguna. Todavía no esta muy claro el porqué son superconductores
estos materiales aunque la opinión más generalizada es que este fenómeno está muy relacionado con

182
el magnetismo. En la cerámica descubierta (1986) por Bednorz y Muller (Oxido de bario -Lantano-
Cobre [LaBa]2CuO4 Tc 35 K ) se ha observado que, por encima de la temperatura crítica, exhibe una
modificación la estructura cristalina (u ordenamiento de los át omos), destruyendo el magnetismo y el
material se vuelve superconductor.

4.1.6 Semiconductores.

La magnitud de la conductividad en los semiconductores se puede ver en la tabla 4.2, están en el

rango de 10-4 a 10+4 Ω-1 m-1. Este intervalo corresponde a separaciones de banda menores de 2 eV.
Como se tiene en la figura 4.24 para el silicio puro, el número de electrones de conducción es igual al
número de huecos de electrón. Los semiconductores de elementos puros se denominan
semiconductores intrínsecos. Una sustitución con átomos de impureza de mayor o menor valencia
puede proporcionar electrones a la banda de conducción o huecos a la banda de valencia. Si éstos
representan una contribución dominante a la conductividad, el material se llama extrínseco tipo-n o
tipo-p, respectivamente.

4.1.6.1 Clasificación de semiconductores

Los semiconductores más utilizados son el germanio y el silicio. Ahora bien, purificar un material al
cien por cien requiere procesos muy costosos, lo que hace que los materiales que se usan contengan
muchas impurezas. Por la cantidad de éstas en su composición, se pueden clasificar los
semiconductores en:

4.1.6.1.1 Semiconductores intrínsecos:

Son los que prácticamente carecen de impurezas; un átomo de impureza por cada 10 11 átomos de
semiconductor. En estos semiconductores, que se pueden considerar casi puros, la conducción se
realiza por pares electrón-hueco, producidos por generación térmica, de modo que cuanto mayor es el
calor, mayor es la cantidad de portadores de carga libre y menor su resistividad. Debido a esta clase
de conducción, estos semiconductores suelen emplearse como elementos sensibles a la temperatura,
ya que, a bajas temperaturas, hay pocos pares electrón-hueco y se comportan como materiales casi
aislantes, pues todos los enlaces están completos y no hay candidatos a ser portadores de carga. Por
el contrario, cuanto mayor es la temperatura, mayor es el número de pares electrón -hueco y, por
consiguiente, la resistividad disminuye (figura 4.36).

Hueco
`

Electron
Si
Banda
de
`

conduccion
-

Banda +
de
Valencia
`

Promocion del electron

`

a la banda de conduccion
(a) (b)
Figura 4.36 a) Un electrón del enlace covalente, se suelta, dejando un hueco, el electrón pasa a la
banda de conducción (b) moviéndose en un campo eléctrico, siempre hay un par electrón-
hueco.

183
La conductividad (σ) en el semiconductor intrínseco es la suma de las contribuciones de portadores
de carga positiva y carga negativa.
  nn q n  n  n p q p  p 4.45

n es la densidad de portadores de carga, q es la carga de un solo portador, y μ es la movilidad de los

portadores, los subíndices n y p se refieren a portadores negativos y positivos respectivamente. Como
en este caso tanto n como n son iguales se puede factorizar la ecuación 4.45 y se tiene:

  nq  e   h  4.45 a

n es la densidad de electrones de conducción, e y h son electrones y huecos respectivamente.

En los semiconductores, al elevar la temperatura se eleva la conductividad, esto debido a que la

barrera energética (Eg) es menor de 2 eV, al aumentar la temperatura incrementa la cantidad de
electrones que pasan de la banda de valencia a la banda de conducción, al activarse térmicamente
(figura 4.24). Por lo que, la densidad de portadores se incremente exponencialmente con la
temperatura, según ecuación 4.46.
 E g 2 KT
ne 4.46

Donde Eg corresponde a la energía de gap, K constante de Boltzman y T temperatura absoluta. El

factor de 2 en el exponente de la ecuación 4.46 es debido a que por cada electrón se produce un
hueco, siendo dos portadores de carga. La dependencia térmica de la conductividad está regida por
una ecuación tipo Arrhenius:
 E g 2 KT
   0e 4.47

σ0 es constante preexponencial, de la ecuación de Arrhenius.

4.1.6.1.2 Semiconductores extrínsecos:

7
Son los que poseen un átomo de impureza por cada 10 átomos de semiconductor. Además, estos
átomos de impureza, más numerosos que los del semiconductor intrínseco, suelen tener tres o cinco
electrones de valencia, a fin de que les sobre o les falte un electrón para completar los enlaces
covalentes. Al tener portadores independientes de la generación térmica, la resistividad de éstos
semiconductores es menor que la de los intrínsecos. Su conductividad será mayor cuanto mayor sea
el número de portadores libres, y por tanto, aumentará con el número de impureza s. La aplicación de
este tipo de semiconductores da lugar a los dispositivos más importantes, transistores, diodos etc.,
que se basan en el control de los portadores de carga, electrones o huecos. Como hemos
mencionado, los átomos de las impurezas suelen tener tres o cinco electrones de valencia, lo que
permite subdividir estos semiconductores en dos tipos de gran importancia:

Tipo N: Si en una estructura cristalina se introduce un átomo que tenga cinco electrones de valencia
(por ejemplo P, As, Si ó Sb), cuatro de estos electrones se unirán con otros cuatro, uno de cada uno
de los átomos cercanos y formarán los cuatro enlaces covalentes. Mas el quinto electrón quedará libre
y podrá extraerse, con relativa facilidad, de la acción de su núcleo, ya que se enc uentra muy cerca de
la banda de conducción del semiconductor. A temperatura ambiente (20 °C = 293 k), el electrón se
encuentra en la banda de conducción y, por tanto, podrá actuar como portador de carga negativa
(véase la figura 4.37).

Si el número de impurezas es grande, el número de electrones, libres por este motivo, a temperatura
ambiente, será superior al número de pares electrón-hueco producidos por generación térmica. De
esta manera, se pueden clasificar los portadores de carga en mayoritarios y min oritarios. Por ello, a
los átomos de impurezas de estos semiconductores se les llama átomos donadores, porque

184
proporcionan electrones y quedan cargados positivamente (iones +) debido a su pérdida de
electrones.

Banda
P de

`
conduccion
-
Si

Banda +
P de
Valencia

` `
Promocion del electron a la banda de

`
conduccion, presenta exceso de electrones
(a) (b)
Figura 4.37 a) Semiconductor tipo N, están presentes átomos de fósforo en la red de Si, con 5
electrones de valencia, queda un electrón en exceso, pasa a la banda de conducción (b)
moviéndose en un campo eléctrico, hay exceso de electrones.

El electrón extra que aporta el átomo donador, no se utiliza en el enlace atómico, por lo que es
relativamente inestable, produce un nivel donador (E d) cerca de la banda de conducción. Como
resultado, la barrera de energía que debe superarse para generar un electrón de conducción (E g – Ed)
es considerablemente menor que en el material intrínseco (E g). La posición relativa de la función de
Fermi se muestra en la figura 4.38. Debido a los electrones extras de los donadores, el nivel de Fermi
(EF) se desplaza hacia arriba.

Ya que los electrones de conducción proporcionados por los átomos del grupo V A son por mucho, la
mayor parte de los portadores de carga, la ecuación de conductividad toma la forma:

  nq e 4.48

Donde n se toma como el número de electrones debidos a los átomos donadores.

Los semiconducción extrínseca está activado térmicamente y sigue el comportamiento de Arrhenius.

Para semiconductores tipo n la ecuación de la dependencia térmica es :

 E g  Ed  KT
   0e 4.49

Tipo P: En el apartado anterior se vio que, al introducir átomos de impurezas que tenían cinco
electrones de valencia, se constituía un semiconductor extrínseco de tipo N. Si, por el contrario, los
átomos de impureza son de tres electrones de valencia (por ejemplo In, Be ó Al), los cuatro átomos de
semiconductor no podrán compartir sus electrones con el átomo de impureza ya que, utilizando sus
tres electrones, tan sólo se podrán formar tres enlaces covalentes, quedando e l átomo semiconductor
del cuarto enlace con un hueco en él, que podrá ser llenado con los electrones de los átomos
próximos. A temperatura ambiente, el hueco ya no se encontrará localizado en el átomo de impureza,
sino que será libre en el cristal y se utilizará como portador de carga en la conducción.

Al igual que en los semiconductores tipo N, cuando el número de impurezas es grande, existirán, a
temperatura ambiente, más portadores huecos, que pares electrón -hueco. Por ello, a los átomos de
impureza se les llama aceptadores, porque reciben electrones de los átomos del semiconductor para
proporcionar huecos como portadores de carga y quedan cargados negativamente (iones -).

185
Si un átomo del grupo IIIA, por ejemplo el Ga, se combina en solución sólida con el silicio, como tiene
sólo tres electrones de valencia, lo cual es uno menos del que se necesita para el enlace con los
cuatro átomos de silicio adyacentes. En este caso se genera un nivel aceptor cerca de la banda de
valencia. Así un electrón de la banda de valencia del silicio puede ser fácilmente promovido a este
nivel generando un hueco de electrón, o bien un portador de carga positiva. Al igual que con el
semiconductor tipo n, la barrera de energía para formar un portador de carga (E a) es
considerablemente menor que en el material intrínseco (E g). La posición relativa de la función de
Fermi se desplaza hacia abajo en el material tipo p (figura 4.39 y 4.40)

E Banda
de

`
conduccion
-
Nivel donador
EF
Eg Ed Eg E
d

Banda +
de
Valencia

1 F(E) 0

Figura 4.38 Comparación de la función de Fermi, con la estructura de la banda de energía para
semiconductores tipo n.

La ecuación de conductividad para semiconductores tipo p, considera ahora el número de huecos (n)
de electrón:

  nq h 4.50

Y la ecuación de Arrhenius que indica la dependencia térmica de la conductividad, para este caso es:

   0e E a KT
4.51

4.1.7 Aislantes

En la tabla 4.2 se proporcionaron magnitudes de la conductividad de aislantes típicos desde

aproximadamente 10 10 a 1016 Ω-1 m-1. Esta caída de conductividad de aproximadamente 20 veces en
magnitud, comparada con la de los metales, es el resultado de la separación de las bandas de energía
mayores de 2 eV. La conducción se efectúa por los iones lo cual se da en la ecuación 4.27. Como es
evidente, la densidad de los portadores de electrones, n e, es en extremo pequeña debido a la gran
separación de las bandas (figura 4.23). En muchos casos, el pequeño grado de conductividad para los
aislantes no es resultado de la promoción térmica de los electro nes a través de la separación de las
bandas. Por el contrario, puede deberse a electrones asociados con impurezas en el material. Puede
también resultar del transporte iónico, por ejemplo Na + en NaCl. Por tanto, la forma específica de la
ecuación 4.27 depende de los portadores de carga específicos que estén involucrados.

186
 Banda
Ga
de

`
conduccion
Si
-

Banda +
Ga
de
Valencia
Promocion del electron a la banda de

`
`
conduccion, presenta exceso de huecos
(a) (b)
Figura 4.39 a) Semiconductor tipo P, están presentes átomos de Galio en la red de Si, con 3
electrones de valencia, quedan huecos en exceso

E Banda
de
`

conduccion
-

Eg Eg
EF Nivel aceptor
Ea Ea
Banda +
de
Valencia

1 F(E) 0

Figura 4.40 Comparación de la función de Fermi, con la estructura de la banda de energía para
semiconductores tipo p.

Tabla 4.4 Propiedades de semiconductores comunes a temperatura ambiente (300 K). C.A. Harper,
Handbook of Materials and Proceses for Electronics. McGraw-Hill Book Company, NY.1970

Separación de Movilidad del Densidad de

Movilidad del
Material banda de energía electrón portador
hueco μh [m2/(Vs)]
Eg (eV) μe [m2/(Vs)] ne = nh (m-3)
Si 1.107 0.140 0.038 14 X 1015
Ge 0.66 0.364 0.190 23 X 1018
*
CdS 2.59 0.034 0.0018 -
GaAs 1.47 0.720 0.020 1.4 X 1012
InSb 0.17 8.00 0.045 13.5 X 1021
 El valor es superior a 2 eV, valor arbitrario utilizado para definir semiconducción.

187
4.2 PROPIEDADES MAGNÉTICAS

Cuando se colocan en una región en el espacio imanes o cargas eléctricas en movimiento, se

observa que existen fuerzas de interacción entre ellos mismos. Se dice en este caso que existe un
campo magnético, además de que todo material se altera cuando actúa sobre él un campo
magnético, siendo afectados más unos que otros, esto permite que se les den diferentes aplicaciones
en ingeniería y en la vida cotidiana. Ejemplos de su uso son motores eléctricos, grabaciones
magnéticas, imanes permanentes, sensores magnéticos, etc.

Es de interés para el ingeniero en materiales conocer el origen de este fenómeno, por lo cual se
tratará de analizar desde el origen del magnetismo en el átomo mismo, de acuerdo a la teoría atómica
cuántica.

De acuerdo a la solución a la ecuación de Schrödinger, sección 1, que considera al electrón como una
dualidad onda - partícula, se tuvieron cuatro números cuánticos todos en base, los cuales son: número
cuántico principal, n, sus valores números enteros, 1, 2, 3, ..., Número cuántico del momento angular,
l, (número de longitudes de onda en cualquier trayectoria circular), y está relacionada con el la
componente tangencial del momento, pt, mediante

pt r  lh 2 4.52

Donde r es el radio del círculo elegido, p t, es independiente de r, l, toma valores desde cero hasta n-1.

El tercer número es: Número cuántico magnético, m l, de aquí parte el comportamiento magnético de
los materiales juntamente con el cuarto número cuántico: Espín del electrón, m s, relativo a su
movimiento de rotación. Por tanto se visualizará desde estos números cuánticos el comportamiento
magnético.

En general se requieren tres números cuánticos para describir una función de onda., pero es
necesario suponer que el electrón gira él mismo sobre su propio eje para explicar muchos aspectos de
las propiedades magnéticas de los átomos lo que lleva a entender el comportamiento magnético de
los materiales.

4.2.1 Números cuánticos magnéticos, m l.

La onda electrónica tiene momento angular respecto al núcleo, lo que implica que la masa del electrón
está circulando junto con la onda. La carga del electrón está asociada íntimamente con su masa y, por
lo tanto, también debe recircular como si fuese una corriente eléctrica a lo largo de un anillo que
encierra al núcleo. Es claro que la corriente equivalente es directamente proporcional al momento
angular (figura 4.41).

Este anillo de corriente se comporta igual que un imán permanente. Tiene la misma distribución de
flujo magnético a su alrededor (figura 4.41b) y se comporta de forma similar cuando se encuentra en
un flujo magnético aplicado mediante una fuente externa. Así, la onda electrónica bidimensional
experimenta un par sobre ella cuando se aplica un flujo magnético B, como se muestra (figura 4.41 c).
El par actúa de tal forma que intenta hacer girar el plano de la onda en forma perpendicular a las
líneas de flujo. Sin embargo, la onda no tiene libertad pa ra girar en este sentido porque su masa, al
circular, ocasiona que se comporte como una pirinola (giroscopio). Un giroscopio, bajo la acción del
par debida a la gravedad (figura 4.42), no cae, sino que efectúa un movimiento de presesión en torno
a la dirección del campo gravitacional. De manera similar, la onda electrónica realiza un movimiento
de precesión en torno a la dirección del campo magnético aplicado (figura 4.43).

Este tipo de precesión siempre debe estar presente puesto que es poco frecuente que el flujo
magnético de un átomo sea exactamente igual a cero, aunque con frecuencia sea débil. Si no hay flujo
procedente de una fuente externa y sólo existe el producido por el núcleo, que también es un pequeño
imán, igualmente ocurre la presesión de la onda electrónica. Esta onda forma una función de onda

188
 tridimensional y debe contener un número entero de longitudes de onda, en su trayectoria considerada
como una circunferencia en torno al eje del flujo. El momento angular en torno al eje se cuantiza con
precisión, en unidades de h/2π, siendo el momento angular m lh/2π.

lh Flujo aplicado
B
i  pt r 
2
N
i i
S

Una espira de corriente equivale a un imán recto

(a) (b) (c)

Figura 4.41 Equivalencia entre una espira de corriente y una barra magnética.

Trayectoria del
extremo del eje

Par en sentido contrario a las manecillas del reloj

debido al peso d y la reacción del apoyo

Figura 4.42 Se muestra el movimiento de un giroscopio (pirinola) bajo la acción de un par

gravitacional, es llamado precesión.

B
B
i lh
2 B
Momento Componente
angular total fija
ml h
2 l
ml

Componente
giratoria
(a) (b) (c)

Figura 4.43 Se muestra (a) Una onda electrónica, representada como una espira de corriente
efectuando un movimiento de precesión en torno a la dirección del campo, (b) y (c)
componentes del momento angular para la onda con presesión.

Como el momento angular total es lh/2π, el momento en torno al eje del flujo debe ser una de sus
componentes. En efecto, es posible representar el momento angular en forma vectorial. El vector que

189
representa al momento angular total se representa a lo largo del eje de rotación y su longitud es
proporcional a la magnitud del momento angular. En la figura 4.43, se observa que el vector tiene
precesión en torno al eje de flujo con una componente constante a lo largo del mismo. P or
consiguiente, esta componente debe ser igual a m lh/2π. La otra componente gira en torno a ese eje y
no está cuantizada en forma sencilla.

4.2.2 Espín del electrón, m s.

Como se dijo, es necesario suponer que el electrón gira sobre su propio eje para explicar las
propiedades magnéticas de los átomos. Considerando el electrón como una partícula esférica, se
representa en la figura 4.44, girando sobre su eje en torno a su propio centro de gravedad, totalmente
similar al comportamiento de un planeta en el sistema solar.

`
N Spin del electron
`

Nucleo
`

Electron

`
Considerando al electron

`
como particula
(a) (b)

Figura 4.44 Representación del electrón (a) como un planeta en el sistema solar, (b) espín del
electrón considerado como partícula.

El movimiento angular de este movimiento giratorio también se cuantiz a en unidades de h/2π. Se

tenía para el momento angular orbital, lh/2π, y ahora para el momento angular del espín es msh/lπ.
Los valores de ms, como se dijo, son ±1/2, o bien, el movimiento en torno de su eje puede ser en el
sentido de las manecillas del reloj o al revés, entonces el momento angular del espín es igual a
±1/2h/lπ. Como el vector que representa esto apunta a lo largo del eje de rotaci ón, los estados suelen
denominarse espín hacia arriba y espín hacia abajo. Como se representa en la tabla 1.3,
configuración electrónica.

4.2.3 Momento magnético de un sólido cristalino .

Los metales: hierro, el níquel y el cobalto, son los tres únicos elementos metálicos que una vez
imanados a temperatura ambiente pueden generar un fuerte campo magnético a su alrededor. Estos
metales, así como algunas de sus aleaciones y compuestos, adquieren momento magnético
permanente considerable.

Todos los sólidos magnetizados presentan dos polos, y aún al dividirse en partes sumamente
pequeñas conservan siempre los dos polos, o centros del campo magnético, separados por una
distancia determinada, así, este comportamiento dipolar se extiende hasta los pequeños dipolos
magnéticos encontrados en algunos átomos. Por lo cual, se puede considerar al material como un
conjunto de bloques y cada uno lleva una corriente circulante i que tiene momento de dipolo
magnético ia, en donde a es el área de la sección transversal del bloque, es decir, el área interior del
circuito de corriente. Por lo tanto. Por lo tanto, si se descompone el sólido en bloques separados, cada
uno tendrá un momento dipolar. Con esta base, es posible calcular el momento magnético de todo el
cuerpo en términos del momento dipolar de cada bloque. Ahora bien, la corriente neta en la superficie
de cada bloque interior es cero, ya que las corrientes vecinas son iguales y se cancelan mutuamente.
El único sitio en que no hay cancelación es en la superficie del cuerpo. Se produce una corriente
superficial igual a la corriente i que circula en torno a cada capa de bloques, dando una corriente total
in, si hay n bloques a lo largo de la longitud del sólido. Esta corriente encierra el área de la sección

190
transversal total A del cuerpo, de tal forma que el momento magnético total corresponde a la suma de
los momentos magnéticos de todos y cada uno de los bloques inA = Σia.

El momento magnético es proporcional al volumen, de manera que el momento magnético por

volumen unitario es una característica del material, siendo independiente de la forma y dimensiones
del sólido. El momento por volumen unitario se denomina intensidad de magnetización (M),

El momento magnético tiene unidades de amperes-metro2, por consiguiente las unidades de

intensidad de magnetización son amperes / metro.

En el sistema internacional (SI) de unidades la densidad de flujo magnético B a través de un cuerpo

magnetizado es igual a la intensidad de magnetización multiplicada por la permeabilidad del espacio
libre, μ0; es decir, B = μ0 M, sin campo aplicado. Y bajo la acción de un campo H externo se tiene:

B   0 H  M  4.53

Donde H y M tienen las mismas unidades, mientras que B se mide en Webers por metro cuadrado o
teslas, y μ0 en henrys por metro, así la relación de unidades es:

webers  henrys  amperes 

  
m2  m  m 
Por lo tanto:
webers  amperes.henrys

4.2.4 Origen del momento magnético.

Como se dijo un todo se puede dividir en pequeñísimos bloques de dimensión uniatómica, por lo que
se va a considerar el momento magnético de un átomo y después las propiedades magnéticas de la
red cristalina.

Como se analizó, los números cuánticos magnéticos m l y ms de un electrón están relacionados con el
momento magnético de dicho electrón. Para obtener el momento magn ético total del átomo hay que
sumar los momentos magnéticos de los electrones en él, teniendo en cuenta el hecho de que la
dirección de cada momento depende del signo de m l y ms. Así, las capas cerradas de electrones que
tienen números iguales de electrones con valores positivos y negativos de m l y ms, carecen de
momento magnético neto, ya que cada electrón cancela a otro. Esto se representa en la tabla 4.5, en
la cual se representa el momento dipolo de cada electrón mediante una flecha.

Tabla 4.5 Direcciones de los momentos de los electrones en una capa 2p llena.

Electrón 1 2 3 4 5 6
ml -1 -1 0 0 +1 +1
Momento debido a m l ↓ ↓ ― ― ↑ ↑
ms +½ -½ +½ -½ +½ -½
Momento debido a m s ↑ ↓ ↑ ↓ ↑ ↓

Los factores que afectan el comportamiento magnético son:

1) La formación de capas niveles cerradas por los electrones de valencia para producir un
momento magnético resultante igual a cero.
2) La desaparición del momento magnético que se debe a m l en el caso de la capa 3d que no
está llena.

191
 3) Interacción entre los espines de los electrones en pares vecinos de átomos.

La primera regla para tener un momento magnético es: El momento magnético atómico procede de
capas electrónicas incompletas.

Los electrones de valencia forman entre sí una capa incompleta, de manera que ser ía de esperarse
que todos los elementos, con excepción de los gases raros, tuvieran propiedades magnéticas. Esto es
cierto para átomos aislados, o sea en estado gaseoso, pero al considerar a los sólidos sólo se
encuentran algunos elementos capaces de retener en forma permanente el momento magnético a
temperatura ambiente. A temperaturas muy bajas, se ha comprobado que muchos elementos aparte
del Fe, Ni y Co, presentan propiedades magnéticas, también varios compuestos son fuertemente
magnéticos, algunos de ellos se presentan en la tabla 4.6.

Tabla 4.6 Materiales magnéticos, las columnas y filas representan los grupos de la tabla periódica. En
cata intersección de una fila con una columna se da un ejemplo, si existe, de aleación
magnética o compuesto magnético formado por un elemento de cada uno de los dos grupos.

GRUPO

II IV
IA II A III B IV B VB VI B VII B VIII IB III A VA VI A VII A
B A

ELEMENTOS DE TRANSICIÓN

UH 3 -

TiH 2 - Gd-Sc

- - - -

- - - - CrV*

Mn-H - YMn 5 - - MnCr*

Fe-H Fe-Be PrRu Fe2Zr VFe Fe3Cr FeMn

Co-H Co-Be HoIr2 Co4Zr Nb-Co CrIr3 MnRh* FeRh

Ni-H Ni3Mg GdPd2 Ni-Zr Ni-V CrPt3 MnPt3 FePd3 CoPt

- - AgDy* - Au 4V - MnAu 4 FeAu Co-Au NiCu

- - GdCd ZrZn 2 - - MnHg* Fe2Cd Co-Zn Ni-Hg3 -

- - CeAl2 - - CrAl2* MnB FeB Co2B Ni3Al - -

- - NdGe2 - - CrGe2 Mn 5Ge2 FeC Co-Si Ni-Si - - -

Cu 2Sb
- - TbN - - CrAs MnBi Fe2P Co5-As4 Ni-Bi - - -
*
KO 2* - EuS Ti2O 3* VSe* CrTe Mn 3O 4 Fe3O 4 CoS 2 Ni2-Te CuO* - - - -

- - GdCl3 TiCl3* VCl3* CrI3 MnBr2* FeCl2* CoF 2 NiF 2 AgF 2? - - - - -

GaAl2
- - Gd - - Cr* Mn* Fe Co Ni - - - - - -
°
*Antiferromagnético. ºCompuesto con dos elementos del grupo. ? Propiedades magnéticas inciertas.
El guión denota aleación desordenada.

La tabla indica que con pocas excepciones, todos los materiales magnéticos contienen por lo menos
un elemento de transición. Debido a que la característica de estos elementos es que una de sus capas
electrónicas internas está incompleta, produciéndose en esta el momento magnético atómico, y en
este caso, los electrones de valencia no influyen, ya que por regla en un enlace atómico se completan
los octetos, o bien, quedan las capas electrónicas cerradas y no producen mom ento magnético.

La excepción es debida a que se tienen enlaces anormales, tal es el caso del enlace iónico del CuO,
donde el cobre trabaja con valencia +2, y deja la capa interior 3d siendo el origen del momento
magnético.

192
4.2.5 Magnitud del momento magnético atómico.

Como ya quedó establecido, el momento magnético de un átomo en estado sólido es debido

únicamente a una capa interna incompleta, también que, el momento magnético está relacionado con
el momento angular y para cada electrón toma dos formas: el momento angular orbital (m l) y el
momento angular del espín (m s). Por lo que se analizará cada uno de ellos.

Como se consideró en el capítulo 1, el proceso de llenado de los niveles electrónicos de energía en

los átomos, está regido por la regla de Hund, que dice: los niveles de m l diferentes se llenan primero
con electrones que tienen el mismo valor m s, es decir, ms=+½. Así, el primer nivel que se llena es el
que tiene ml=-1, ms=+½, y así sucesivamente, y hasta que la capa está semillena se continúa de
acuerdo al principio de exclusión de Pauli, no se permiten dos electrones con los cuatro números
cuánticos idénticos, entones ahora se acomodan de forma tal que m s=-½, completando pares en cada
subnivel ml.

De lo anterior se puede decir que los electrones se ordenan entre los niveles para producir el
momento angular del espín total máximo posible según el principio de Pauli. Esta es la forma normal
de la regla de Hund y de ella se deduce que debe existir interacción entre los electrones cuando
tienen diferentes funciones de onda, lo cual hace que los ejes de sus espines sean paralelos, esta
configuración es la de mínima energía.

Ahora bien, para calcular el momento magnético atómico, se inicia con un solo electrón que gira en su
órbita. El elemento escandio por ejemplo, tiene un solo electrón en la capa 3d. Según las reglas
mencionadas, los números cuánticos magnéticos de este electrón solitario son m l=-2 y ms=½. Se ha
visto también que el momento magnético μ, de corriente i que fluye en un circuito de radio r, está dado
por:
  r 2 i 4.54

En vez de i se debe escribir la corriente equivalente que lleva al electrón en la órbita. En este caso se
desea calcular el flujo de corriente en torno a la circunferencia de la función de onda del electrón, en
torno al núcleo, de radio medio r . La corriente que lleva el electrón puede determinarse a partir de la
ecuación 4.30. Suponiendo que toda la carga del electrón, -q, se está moviendo en el circulo de radio
r , de manera que la cantidad de carga por longitud unitaria de circunferencia es simplemente
 q 2r ; la cantidad de carga que atraviesa un punto de la circunferencia en un tiempo unitario será
 qv 2r en donde v es la velocidad a la cual se transporta la carga. Esta velocidad es simplemente
p/m, es decir, el momentum dividido por la masa. Por lo tanto, la corriente equivalente i se puede
expresar como sigue:

q p
ie   . 4.55
2r m
El momento magnético se obtiene combinando las ecuaciones 4.55 y 4.54:

qp q
  r 2 .  . pr 4.56
2r m 2m
El producto p r es igual al momento angular del electrón. Puesto que el momento angular orbital
efectúa precesión en torno a un eje fijo, como se describió un poco antes, sólo su componente a lo
larga de ese eje contribuye al momento magnético atómico. El componente perpendicular gira en
forma continua y en promedio tiene un valor cero.

193
Por lo tanto, el momento angular que debe insertarse e n la ecuación para obtener el momento
magnético orbital μorb, es igual a p r =mlh/2π y la expresión resultante para el momento magnético es:

qh
 orb  ml 4.57
4m
Como ml es un entero puede considerarse la cantidad qh/4πm como la unidad natural del momento
magnético. Se llama magnetón de Bohr, su símbolo es β y el átomo de escandio tiene un momento
magnético orbital que equivale a dos magnetones de Bohr, ya que su único electrón 3d tiene m l = -2.

qh
  9.27 X 10  24 A.m 2
4me
El momento de espín magnético no se obtiene simplemente sustituyendo m l por ms en la ecuación
4.57, pero la relación es similar
qh
 espín   m s 4.58
2m
De manera que un solo electrón con m s = ½ tiene momento de espín magnético igual a un magnetón
de Bohr.

Para el titanio que es el segundo elemento de la primera serie de transición, que tiene dos electrones
3d y, sus números cuánticos magnéticos para cada uno son: m l = -2, ms = ½ y ml = -1, ms = ½.

El momento magnético orbital total del titanio es la suma de los momentos de los dos electrones:
 orb    2   3 (titanio)

El momento magnético del espín se obtiene del mismo modo, pero en este caso las contribuciones de
los electrones valen cada una un magnetón de Bohr:
 espín      2  (titanio)

Del mismo modo, los momentos orbitales y de espín del vanadio, que tiene tres electrones 3d, valen
3β cada uno.

El momento magnético orbital desaparece en el estado sólido, debido a que cada átomo del cristal
experimenta un campo eléctrico producido por las cargas de todos los iones vecinos. Este campo
eléctrico altera la forma de las funciones de onda y hace que el momento angular total m lh/2π efectúe
una presesión de manera mucho más complicada y, como resultado, en promedio no hay componente
de momento magnético orbital a lo largo de ninguna dirección. Por otra parte, el momento magnético
de espín no se ve afectado por este campo eléctrico.

El campo cristalino, como se llama no afecta a los momentos orbitales de los electrones magnéticos
en los metales de transición 4f iniciando con el lantano y cerio, ya que esos electrones se encuentran
en zonas muy profundas del interior del átomo y están protegidos por los electrones 5d y otros más.
Como estas capas se encuentran llenas, cada una de ellas actúa como esfera con carga y protege a
lo que está en el interior de los campos eléctricos externos. La conc lusión de la explicación anterior es
que los momentos atómicos de los elementos de transición 3d en estado sólido se obtienen sumando
los momentos magnéticos de espín de los electrones de la capa que no está llena. En el caso del
manganeso la capa 3d está llena hasta la mitad y tiene cinco electrones. Según el principio de
exclusión de Pauli, el siguiente electrón que entre debe tener m s= -½, de manera que su momento
magnético será opuesto y se restará al de los cinco primeros electrones. Por lo tanto, el hierro tiene un
momento de espín de 4β, el cobalto de 3β, y así se continua (tabla 4.7).

194
Tabla 4.7 Distribución del espín y momentos magnéticos de los metales del cuarto periodo, primer
periodo que contiene metales de transición.

Elemento: K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn

Número de electrones 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30

Número de electrones 4s 1 2 2 2 2 1 2 2 2 2 1 2

Número de electrones 3d 0 0 1 2 3 5 5 6 7 8 10 10

                        
Direcciones del espín (3d) ― ―                
↓ ↓↓ ↓↓↓ ↓↓↓↓↓ ↓↓↓↓↓
Momento magnético en
magnetones de Bohr 0 0 1 2 3 5 5 4 3 2 0 0
(electrones desapareados)

4.2.6 Magnetización, Permeabilidad y campo magnético.

De acuerdo a lo visto hasta ahora, la respuesta del átomo a un campo magnético depende de la
forma en que los dipolos magnéticos, representados por ca da átomo, reaccionan ante el campo. La
mayoría de los elementos de transición reaccionan de tal forma que la suma de los momentos
magnéticos de los átomos es igual a cero. Sin embargo, en el níquel, hierro y cobalto los átomos
sufren una interacción de intercambio, en la cual la orientación del dipolo de un átomo influye a los
que lo circundan para que tengan una misma orientación, esto produce una ampliación del efecto del
campo magnético en el material. Este fenómeno muchas veces es deseable producirlo.

Obsérvese la relación entre el campo magnético y la magnetización. La figura 4.45 muestra una
bobina con n vueltas. Cuando pasa una corriente eléctrica a través de ésta se produce un campo
magnético H: la intensidad de campo está dada por

nI
H 4.59
l
Donde n es el número de vueltas, la es la longitud de la bobina en metros, e I es la corriente en
amperes. Las unidades de H son, por tanto, amperes vuelta /metro, o simplemente A/m. Una unidad
alterna para el campo magnético es el oersted, que se obtiene al multiplicar AS/m por 4π X 10 -3 (tabla
4.9. Cuando se aplica un campo magnético en el vacío, se inducen líneas de flujo magnético. El
número de líneas de flujo, conocido como densidad de flujo o inductancia B, está relacionado con el
campo aplicado por
B  0 H 4.60

Donde B es la inductancia, H el campo magnético y μ0 es una constante conocida como la

permeabilidad magnética en el vacío. Si H se expresa en unidades oersted, entonces B estará en
gauss y μ0 en Gauss/oersted. En un conjunto alterno de unidades, H está en A/m, B en tesla (igual a
weber/m2) y μ0es 4π X 10-7weber/A.m (igual a Henry/m).

Cuando se coloca un material dentro de un campo magnético, la inductancia magnética se determina

por la manera en la cual los dipolos magnéticos, inducidos y permanentes, interactúan con el campo.
La inductancia ahora es:
B  m H 4.61

195
Donde μm es la permeabilidad del material en el campo. Si los momentos magnéticos refuerzan el
campo aplicado, entonces μ<μ0. Es posible describir la influencia del material magnético en función
de la permeabilidad relativa μ r donde:
m
r  4.62
0
Una permeabilidad relativa grande significa que el material amplifica o intensifica el efecto del campo
magnético, por lo que la permeabilidad relativa tiene la misma importancia que la constante dieléctrica,
o permisividad relativa, en los dieléctricos.

Figura 4.45 Una corriente que pasa a través de una bobina establece un campo magnético H con una
densidad de flujo B. La densidad de flujo es mayor cuando se coloca un núcleo magnético
dentro de la bobina.

Tabla 4.8 Unidades para propiedades magnéticas

Factor Unidades SI Unidades cgs Conversión.
Inductancia magnética B Tesla (weber/m2) Gauss 1 tesla = 104 gauss
Campo magnéticoH A/m Oersted A A/m = 4π X 10-3oersted
Magnetización M A/m Oersted
-7
4π X 10
Permeabilidad magnética μ0 1 gauss/oersted
weber/A.m(henry/m)

El incremento en la inducción magnética debida al material de núcleo, se denomina magnetización M,

por lo que la magnetización total queda dada por:
B  0 H  0 M 4.63

La susceptibilidad magnética  , que es la relación entre la magnetización y el campo aplicado,

proporciona la amplificación producida por el material:
M
 4.64
H

196
Tanto μr como  se refieren al grado en el que el material aumenta el campo magnético y, por tanto,
están relacionados por:
r  1   4.65

En materiales altamente magnéticos, el término μ0M es mucho mayor que μ 0H. Por lo que la ecuación
se reduce a:
B  0 M 4.66

La permeabilidad relativa es una medida de la intensidad del campo magnético inducido. La

permeabilidad magnética de un material ferromagnético no es una constante sino que varía cuando el
material es imanado, tal como se muestra en la figura 4.50. La permeabilidad magnética de un
material magnético se mide generalmente como su permeabilidad inicial μi y μmax a partir de la
pendiente de la curva de imanación inicial B-H para un material magnético. Los materiales magnéticos
que son fácilmente imanados tienen alta permeabilidad magnética.

4.2.7 Tipos de magnetismo.

Quedó analizado el porque la formación de capas cerradas por los electrones de valencia para
producir un momento magnético resultante igual a cero, y la desaparición del momento magnético que
se debe a ml en el caso de la capa 3d que se encuentra parcialmente llena.

A continuación se analizará el tercer efecto, que tiene que ver con las direcciones que adoptan los
imanes atómicos uno con respecto a otro. O bien, las interacciones entre los espines de los electrones
en pares vecinos de átomos que tienen naturaleza de mecánica cuántica. Estas interacciones, cuando
son grandes, se manifiestan en general como tendencia a que los imanes atómicos adyacentes
permanezcan paralelos o antiparalelos entre sí. Lo anterior conduce a la clasificación del
comportamiento magnético como se da a continuación:

a) Paramagnetismo: Materiales en los cuales las interacciones son despreciables en comparación con
la energía térmica que al incrementar la temperatura provoca que las direcciones de los imanes
atómicos sean aleatorias y fluctúen con rapidez. Un campo aplicado produce un nivel bajo de
alineamiento, para alinearlos se requieren campos magnéticos extremadamente grandes, pero en
cuanto se elimina el campo magnético desaparece el efecto. El comportamiento se denomina
paramagnético (Figura 4.47), se presenta en metales como el aluminio, el titanio y las aleaciones de
cobre. La permeabilidad relativa de los materiales paramagnéticos ocurre entre 1 y 1.01. El
paramagnetismo produce susceptibilidad magnética en los materiales en el rango de 10 -6 a 10-2 (Tabla
4.9).

Tabla 4.9 Susceptibilidades magnéticas de elementos selectos diamagnéticos y paramagnéticos a

20ºC

Elementos Susceptibilidad Elementos Susceptibilidad

paramagnéticos magnética  m X 10-6 diamagnéticos magnética  m X 10-6
Aluminio +0.65 Cadmio -0.18
Calcio +1.10 Cobre -0.086
Oxígeno +1106.2 Plata -0.20
Platino +1.10 Estaño -0.25
Titanio +1.25 Cinc -0.157

Los átomos de algunos elementos de transición y tierras raras poseen capas internas parcialmente
llenos con electrones desapareados. Estos electrones internos desapareados en los átomos, como no
se están oponiendo a otros electrones ligados, causan fuertes efectos paramagnéticos y, en algunos
casos, producen efectos ferromagnéticos y ferrimagnéticos muy fuertes.

197
b) Antiferromagnetismo: Materiales en los cuales los momentos magnéticos en átomos alternos
apuntan en direcciones opuestas (figura 4.48) en presencia de un campo magnético, aún cuando la
intensidad de cada dipolo sea muy alta. El comportamient o se denomina antiferromagnetismo. Como
ejemplo es el cromo, el manganeso (figura 4.49), el oxido de manganeso MnO y NiO

c) Ferromagnetismo: Otros sólidos en los cuales los momentos atómicos son paralelos, éste es el
ferromagnetismo (figura 4.47). En este caso, los dipolos magnéticos permanentes no apareados se
alinean fácilmente con el campo magnético aplicado, debido a la interacción de intercambio o al
refuerzo mutuo de los dipolos. Incluso en campos magnéticos pequeños se obtienen magnetizaciones
6
importantes, con permeabilidades relativas de hasta 10 .

Los materiales ferromagnéticos más importantes son de tipo metálico y el hierro, cobalto, níquel y
gadolinio son los únicos elementos ferromagnéticos a temperatura ambiente. Se ha observado en el
caso de hierro, cobalto y níquel, que debido al enlace metálico, los electrones 3d son capaces de
viajar por la red cristalina al igual que los electrones 4s, y como consecuencia se reduce el momento
magnético efectivo de cada electrón, de manera que en vez de l os valores esperados del momento
magnético atómico calculado, experimentalmente se presentan valores menores (tabla 4.10).

Tabla 4.10 Valores calculados y determinados experimentalmente del número de magnetones de

Bohr para elementos ferromagnéticos

Número de magnetones de Bohr Número de magnetones de Bohr

Metal
por átomo (calculados) por átomo (experimental)
Fe 4 2.22
Co 3 1.72
Ni 2 0.61

Si uno de estos elementos se une iónicamente o covalentemente en un compuesto, el momento no se

reduce porque ninguno de los electrones 3d es capaz de desplazarse por la red cristalina.

En una muestra sólida de Fe, Co o Ni a temperatura ambiente los espines de los electrones 3d de
átomos adyacentes se alinean en una dirección paralela por un fenómeno denominado im anación
espontánea. Esta alineación paralela de dipolos magnéticos atómicos ocurre sólo en regiones
microscópicas denominadas dominios magnéticos. Si los dominios están aleatoriamente orientados,
entonces no se generará imanación neta en una muestra masiva . La alineación paralela de los dipolos
magnéticos en los átomos de Fe, Co y Ni es debida a la formación de un intercambio positivo de
energía entre ellos. Para que esta alineación paralela ocurra la razón del espaciado atómico respecto
al diámetro de la órbita 3d debe estar en el rango de 1.4 a 2.7 (figura 4.46).

d) Diamagnetismo: Cuando un campo magnético externo actúa sobre los imanes atómicos de un
material desequilibrándolos ligeramente y crea pequeños dipolos magnéticos en los átomos que se
oponen al campo aplicado se produce un efecto magnético negativo, este comportamiento es
conocido como diamagnetismo, y aporta una permeabilidad relativa de aproximadamente 0.99995, o
6
susceptibilidad magnética negativa muy débil del orden de  m  10 (figura 4.47, tabla 4.9).
Materiales como el cobre, la plata, el oro, la alúmina son diamagnéticos a temperatura ambiente. Los
superconductores deben ser diamagnéticos y pierden su superconductividad cuando otros efectos
magnéticos, como el paramagnetismo, se activan y permiten que el campo se introduzca en el
material.

198
 `
Fe Co

Intercambio de energia
+ Ni

0
1.5 2.0 2.5
_ a

` `
Mn Distancia interatomica
=

`
d diametro de la orbita 3d

Figura 4.46 El intercambio de energía debido a la alineación paralela de momento magnético es

positivo para los elementos ferromagnéticos en función de la razón de la distancia
interatómica al diámetro de la órbita 3d.

Figura 4.47 Se esquematiza los diferentes comportamientos magnéticos que pueden presentar los
materiales.

e) Ferrimagnetismo: Algunos materiales cerámicos, iones diferentes p oseen distinta magnitud para
sus momentos magnéticos y cuando estos momentos magnéticos se alinean de forma antiparalela
(figura 4.47 y 4.48), se produce un momento magnético neto en una dirección. Este comportamiento
es llamado ferrimagnetismo. A los materiales ferrimagnéticos se les llama ferritas. Ejemplo clásico de
estos es la magnetita (Fe 3O4).

199
 (a) (b) (c)

Figura 4.48 Alineamiento de los dipolos magnéticos para diferentes tipos de magnetismo: (a)
ferromagnetismo, (b) Antiferromagnetismo, (c) ferrimagnetismo.

f) Vidrios de espín: En soluciones sólidas diluidas de átomos magnéticos en un material huésped que
tenga capas cerradas, se obtiene un ordenamiento con orientación aleatoria similar a los
paramagnéticos a temperaturas muy bajas. Esto se debe a las interacciones de competencia entre los
imanes atómicos cuya distancia es irregular, por lo que el material se denomina vidrio de espín.

Figura 4.49 El cromo antiferromagnético, presenta los momen tos magnéticos en átomos alternos en
direcciones opuestas.

4.2.8 Dominios y Ciclo de Histéresis.

Los dominios son regiones en el material en los cuales todos los dipolos están alineados. En un
material que nunca ha sido expuesto a un campo magnético, cad a dominio tiene una orientación
aleatoria. Por tanto, la magnetización neta de todo el material es igual a cero. Los dominios están
separados entre sí por límites conocidos como paredes de Bloch, que son zonas angostas, en las
cuales la dirección del momento magnético cambia gradualmente y continuamente de un dominio al
siguiente, la figura 4.49 muestra una pared de Bloch con un cambio de dirección del dipolo magnético
de 180º.

Las energías que determinan la estructura de los dominios son: (i) energía de cambio, (ii) energía
magnetostática, (iii) energía de anisotropía magnetoscristalina, (iv) energía de las paredes de dominio
y (v) energía de magnetostricción.

(i) Energía de cambio: la energía potencial dentro de un dominio de un sólido ferromagnético

se minimiza cuando todos los dipolos atómicos se alinean en una dirección. Esta
alineación es asociada a un intercambio positivo de energía. Aunque se minimice la
energía potencial dentro de un dominio, su energía potencial externa aumenta por la
formación de un campo magnético externo (figura 4.50 c).
(ii) Energía magnetostática, es la energía potencial magnética de un material ferromagnético
producida por su campo externo (figura 4.50 c), esta energía puede minimizarse por la
formación de múltiples dominios.
(iii) Energía de anisotropía magnetocristalina, es atribuible a los efectos de la orientación del
cristal en la imanación de materiales ferromagnéticos. Las curvas de imanación respecto
al campo aplicado para un monocristal de material ferromagnético varía, dependie ndo de
la orientación relativa del cristal al campo aplicado. La figura 4.51 a, muestra la curva de
inducción magnética B al variar el campo aplicado H para imanaciones en las direcciones

200
 <100> y <111> para monocristales de hierro bcc, aquí se puede observar que la
imanación de saturación ocurre más fácilmente, a menor campo aplicado, en la dirección
<100> y con mayor dificultad, requiriéndose una mayor aplicación de campo magnético en
la dirección <111>. En cambio para los materiales fcc son al contrario, tal es el caso del
níquel, las direcciones de fácil imanación son las <111> y las de difícil imanación son
<100>. El trabajo realizado para rotar todos los dominios debido a esta anisotropía se
denomina energía de anisotropía magnetocristalina
(iv) Energía de la pared del dominio, Normalmente los dominios son muy pequeños, de
aproximadamente 50μm o menos, y las paredes de Bloch son de aproximadamente 100
nm de grosor, alrededor de 300 átomos. Comparando con un límite de grano cuyo
espesor puede ser desde 3 átomos, es muy ancho el límite de dominio, la causa de su
gran espesor es debido a un equilibrio entre dos fuerzas: la de cambio y la de anisotropía
magnetoscristalina. Cuando hay sólo una pequeña diferencia en la orientación entre los
dipolos, las fuerzas de intercambio entre los dipolos se minimizan pero es pequeña la
energía de cambio (figura 4.50 b). De este modo, las fuerzas de cambio tenderán a
ensanchar la pared del dominio. Sin embargo, a mayor anchura de la pared mayor será el
número de dipolos forzados a mantenerse en direcciones diferentes de la de fácil
imanación, y la energía magnetocristalina aumentará. Por consiguiente, se alcanzará un
equilibrio en la anchura de la pared cuando la suma de la energía de cambio y la energía
de anisotropía magnetocristalina sea un mínimo (figura 4.50 b).
(v) Cuando un material ferromagnético es imanado, sus dimensiones cambian ligeramente, y
la muestra se expande o contrae en la dirección de imanación. Esta deformación elástica
reversible inducida magnéticamente (Δl/l) se denomina magnotostrición y es del orden de
10-6. La energía debida a esfuerzos mecánicos generada por la magnotostricción se
denomina energía de magnetostricción (figura 4.52).

`
Dominio 1 Dominio 2 Direccion de los
momentos

`
magneticos
Pared de Bloch
(a)
`

ch
Blo
d de
e
par
de
`

rgia
Ene
`
Energia

bio
c am
e
ad
`

i
erg
En

Paredes de dominio
`

magnetico o de Bloch
100 nm Un dominio Dos dominios Cuatro dominios
Anchura de pared de Bloch (A) (B) (C)
(b) (c)
Figura 4.50 (a) Momentos magnéticos de átomos vecinos cambiando lentamente entre dos dominios.
(b) Relación entre la energía de cambio magnético, energía de anisotropía magnetocristalina y
la anchura de la pared de Bloch. (C.S. Barret, W.D. Nix y A.S. Tetelman, The Principles of
Engeneering Materials, Prentice-Hall, p 485). (c) Al disminuir el tamaño de los dominios en un
material magnético, decrece la energía magnetostática al reducir el campo magnético externo.

201
Movimiento de los dominios en un campo magnético. Cuando se le aplica un campo magnético al
material, los dominios casi alineados con el campo crecen a expensas de los dominios orientados de
forma menos favorable. Para que los dominios puedan crecer, las paredes de Bloch deberán
desplazarse; el campo magnético aplicado externamente, aporta la fuerza requerida para su
movimiento, el crecimiento del dominio se produce por movimiento de la pared puesto que este
proceso requiere menos energía que la rotación del dominio. Al principio, los dominios crecen con
dificultad y se requiere un incremento relativamente grande en el campo para producir una débil
magnetización, como se muestra en la figura 4.53 a, con una pendiente suave, correspondiente a la
permeabilidad inicial del material. Conforme el campo aumenta en intensidad, los dominios con
orientación favorable crecen con mayor facilidad, incrementándose también la permeabilidad. Según
se muestra en la figura 4.53 a, se puede calcular una permeabilidad máxima. Finalmente, los dominios
de orientación desfavorable desaparecen, si el campo aplicado aumenta sustancialmente, ocurre la
rotación del dominio, puesto que necesita considerablemente más energía que el crecimiento del
dominio, la pendiente de la curva B-H decrece para campos altos para la rotación del dominio. La
magnetización de saturación se produce cuando todos los dominios quedan correctamente orientados,
y esta es la máxima magnetización que el material puede alcanzar (figura 4.53 b trayectoria 1, 2 y 3).

Monocristal de hierro (bcc)

`
Monocristal de niquel (fcc)

`
`
`

<100> Direccion de facil magnetizacion <111> Direccion de facil magnetizacion

Induccion magnetica ( T )

<110>
<110>
2
Induccion magnetica

`
<100> Direccion de dificil magnetizacion
`
`

`
`

<111> Direccion de dificil magnetizacion

1

0 15 30 0
`

Campo magnetico H ( KA / m )
(a) (b)

Figura 4.51 (a) Anisotropía magnetocristalina para el hierro bcc, (b) para el níque fcc. (K. Honda y S.
Kaya, Sci. Rep. Tôhoku Imp. Univ., Serie 1, Vol. 15, p. 721 (1926) para el hierro, y S. Kaya,
Sci. Rep. Tôhoku Imp. Univ., Serie 1, Vol 17, p 639, 1157 (1928) para el níquel.

El efecto de eliminar el campo. Al eliminar el campo, la resistencia ofrecida por las paredes de los
dominios evita el nuevo crecimiento de los mismos hacia orientaciones aleatorias. Como resultado,
muchos de los dominios se mantienen orientados aproximadamente en la dirección del campo original
y en el material se presenta una magnetización residual conocida como remanencia (B r). El material
actúa como un imán permanente. La figura 4.53 muestra este efecto en la curva magnetización -
campo, en el punto 4.

Efecto de un campo alternativo. Siguiendo la figura 4.53, si se aplica un campo en dirección inversa,
los dominios crecen alineándose en esa nueva dirección, punto 4. Para obligar a los dominios a
orientarse de manera aleatoria y cancelar el efecto que unos tienen sobre otros se requiere un campo
coercitivo Hc, punto 5 (es decir una coercitividad). Incrementos adicionales en la intensidad de campo,
finalmente alinearán los dominios hacia la saturación en la dirección opuesta, punto 6. Si el campo se

202
alterna continuamente, la relación magnetización contra campo ( B – H ) trazará un ciclo de histéresis.
El área incluida en el ciclo de histéresis está relacionada con la energía consumida o trabajo realizado
durante un ciclo de variación en el campo magnético, imanador - desimanador.

10

Magnetostriccion (l / l)

`
Campo magnetico H KA / m
0
` 10 20 30 40 50 60

-10 Hierro

-20
Cobalto
-30

`
-40 Niquel

Figura 4.52 Comportamiento magnetostrictivo de los elementos ferromagnéticos.

`

Saturacion
`

Rotacion de dominio
Magnetizacion o Inductancia B

`
`

Permeabilidad maxima max

Crecimiento de dominio

Permeabilidad inicial i
`

Campo magnetico H
(a) (b)

Figura 4.53 (a) Aplicación de un campo magnético por primera vez, al inicio crece lentamente y
aumenta conforme los dominios van creciendo. Posteriormente, la magnetización se vuelve
más lenta, ya que finalmente los dominios deben girar para poder llegar a la saturación. (b)
Ciclo de histéresis ferromagnético, mostrando el efecto del campo magnético sobre la
inductancia o magnetización. Al alinearse los dipolos se llega a la magnetizació n de saturación
(punto 3), a una remanencia (punto 4) y aun campo coercitivo (punto 5).

4.2.8.1 Aplicación de ciclo de Histéresis.

El comportamiento de un material dentro de un campo magnético está relacionado con el tamaño y la

forma del ciclo de histéresis (figura 4.54), por la forma del ciclo pueden ser blandos, duros y materiales
para computación.

203
Un material magnético blando es aquel que es fácil de imanar y desimanar, mientras que un material
magnético duro es el que es difícil imanar y desimanar. Anteriormente los materiales magnéticos
blandos y duros eran físicamente blandos y duros, respectivamente. Sin embargo actualmente la
dureza física de un material no coincide forzosamente con su forma de imanación.

4.2.8.1.1 Materiales magnéticos blandos.

Materiales magnéticos blandos, tal como aleaciones de hierro - 3 a 4% silicio son utilizados en núcleos
para transformadores, motores y generadores eléctricos, poseen ciclos de histéresis estrechos con
pequeñas fuerzas coercitivas (figura 4.54), para tener estos ciclos deben de tener las siguientes
características:

1. Magnetización de saturación alta.

2. Permeabilidad alta.
3. Campo coercitivo pequeño.
4. Remanencia pequeña.
5. Ciclo de histéresis pequeño.
6. Respuesta rápida a campos magnéticos de alta frecuencia.
7. Resistividad eléctrica alta.

La magnetización de saturación elevada permite que el material haga trabajo, en tanto que la
permeabilidad alta permite que se llegue a la magnetización de saturación con pequeños campos
magnéticos aplicados. El campo coercitivo pequeño indica que se pueden reorientar los dominios con
campos magnéticos pequeños. Se desea una remanencia reducida, de manera que al eliminar el
campo externo no quede magnetización.

Tabla 4.11 Propiedades de materiales magnéticos suaves o blandos pa ra aplicaciones eléctricas.

Permeabilidad Inductancia de Campo

Material relativa saturación coercitivo
máxima (gauss) (oersted)
Hierro puro 99.95 5 000 21 400 0.90
Fe-3% Si (orientado) 50 000 20 100 0.09
Fe-3% Si (no orientado) 8 000 20 100 0.70
Permalloy 45 (55% Fe- 45%Ni) 25 000 16 000 0.25
Superpermalloy (79% Ni- 16% Fe- 5% Mo) 800 000 8 000 0.006
Ferroxcube A6 (Mn, Zn) Fe 2O4 4 000
Ferroxcube B2 (Ni, Zn) Fe 2O4 3 000

Perdida de energía en el ciclo de histéresis. Las pérdidas en el circuito de histéresis son debidas a la
energía disipada necesaria para mover las paredes de Bloch durante la imanación y desimanación de
un material magnético. La presencia de impurezas, imperfecciones cristalinas y precipitados en los
materiales blandos actúan como barreras que impiden el movimiento de las paredes de dominio
durante los ciclos de imanación e incrementan las pérdidas de energía en la histéresis. Las
deformaciones plásticas, al aumentar la densidad de dislocaciones del material magnético, también
aumentan las pérdidas de histéresis, incrementando el área del ciclo de histéresis. La energía perdida
se transforma en calor, así a frecuencias muy altas, la liberación de calor es considerable llegando a
causar problemas de calentamiento de los equipos.

204
También se generan pérdidas de energía por corrientes parásitas o de eddy. Durante la operación, se
pueden inducir corrientes eléctricas en el material magnético. Estas corrientes producen pérdida de
2
energía y calentamiento de joule representado por I R. La pérdidas por corrientes de hedí son
particularmente severas cuando el material trabaja a altas frecuencias. Si la resistividad eléctrica es
elevada, se pueden limitar las pérdidas de corrientes de eddy en valores mínimos. Es el caso de las
pérdidas por corrientes parásitas en transformadores eléctricos las que se pueden reducirse utilizando
una estructura en láminas en el núcleo magnético, una capa de aislante entre el material magnético
conductor evita que las corrientes parásitas vayan de una lámina a ot ra. Y ya que los imanes suaves
producidos a partir de materiales cerámicos tienen una resistividad alta, tienen menores
probabilidades de calentarse que los imanes metálicos, por lo que, cuando el trabajo es a altas
frecuencias, se utiliza un material magnético blando que sea aislante, tal como óxidos ferrimagnéticos
o las ferritas.

Magnetizacion o Inductancia B
Imanes suaves

Imanes duros
Br
`

Ciclo cuadrado

Hc
-Hc
`

Campo magnetico H

-Br

Figura 4.54 Comparación de los ciclos de histéresis correspondientes a tres aplicaciones de los
materiales ferromagnéticos; Imanes suaves para aplicaciones eléctricas, imanes duros para
imanes permanentes y ciclo cuadrado para aplicaciones de computación

4.2.8.1.2 Materiales magnéticos duros.

Tabla 4.12 Propiedades seleccionadas de materiales magnéticos duros o permanentes.

Campo
Remanencia (B-H) máx
Material coercitivo
(gauss) (gauss.Oersted)
(oersted)
Acero (0.9% C, 1.0% Mn) 10 000 50 200 000

Alnico 1 (21% Ni, 12% Al, 5% Co, bal. Fe) 7 100 440 1 400 000

Alnico 5 (24% Co, 14%Ni, 8% Al, 3% Cu, bal Fe) 13 100 640 6 000 000

Alnico 12 (35% Co, 18% Ni, 8% Ti, 6% Al, bal Fe) 5 800 950 1 600 000

Cunife (60% Cu, 20% Fe, 20% Ni) 5 400 550 1 500 000

Co5Sm 9 500 9 500 25 000 000

BaO.6Fe2O3 4 000 2 400 2 500 000

SrO.6Fe2O3 3 400 3 300 3 700 000

Neodimio – hierro – boro (Nd2Fe12B) 12 000 11 000 45 000 000

205
 Los materiales magnéticamente duros o permanentes se caracterizan por un alto campo coercitivo H c
y una alta inducción magnética remanente B r, su ciclo de histéresis es ancho y alto, está representado
en la figura 4.54. Estos materiales se imanan en presencia de un campo magnético lo suficientemente
intenso como para orientar sus dominios magnéticos en la dirección del campo aplicado. Parte de la
energía aplicada por el campo se convierte en energía potencial que es almacenada en el imán
permanentemente producido. Un imán permanentemente completamente imanado está, por tanto, en
un estado de alta energía relativa, comparado con uno desimanado.

Las características de los materiales para imanes duros son:

1. Elevada remanencia (dominios estables)

2. Alta permeabilidad.
3. Campo coercitivo alto.
4. Ciclo de histéresis grande
5. Potencia elevada (o producto BH) Magnetizacion o Inductancia B

Br

(BH)max
`

Hc
`

-Hc Campo magnetico H

-Br

Figura 4.55 La potencia del imán es el máximo producto de B y H, del segundo o cuarto cuadrante,
está representado por el rectángulo sombreado.

La potencia del imán está relacionada con el tamaño del ciclo de histéresis o del producto máximo de
B y H. El área del rectángulo más grande que pueda dibujarse en el segundo o en el cuarto cuadrante
de la curva B-H está relacionado con la energía requerida para desmagnetizar al imán. Para que el
producto sea grande, la remanencia y el campo coercitivo deberán ser grandes (figura 4.55).

Materiales para memorias de computadoras. Para almacenar bits de información en comput adoras se
utilizan materiales magnéticos. La memoria queda almacenada al magnetizar el material en cierta
dirección. Por ejemplo, si el polo norte está hacia arriba, el bit de información almacenado es 1, si el
polo norte está hacia abajo, entonces corresponde al cero.

Para esta aplicación, se requiere que el ciclo de histéresis sea cuadrado, con bajas tanto remanencia
como magnetización de saturación y un campo coercitivo reducido. Las ferritas de manganeso,
magnesio y cobalto son satisfactorias para esta aplicación. El ciclo cuadrado asegura que un bit de
información colocado por un campo en el material se conserve almacenado; ya que se requiere de un
cambio muy fuerte y rápido en la magnetización para eliminar la información de su almacenamiento en
el ferroimán.

206
La magnetización es producida mediante campos externos pequeños, por lo que el campo coercitivo,
la magnetización y saturación y la remanencia deberán ser reducidos.

Tabla 4.13 Temperatura de Curie para materiales selectos.

Temperatura de Curie
Material
(K)
Gadolinio 289
Nd2Fe12B 583
Níquel 631
BaO.6Fe2O3 683
Co5Sm 998
Hierro 1 043
Alnico i 1 053
Cunico 1 128
Alnico 5 1 173
Cobalto 1 404

4.2.9 Temperatura de Curie.

En el cero absoluto ( 0 K ) los dipolos magnéticos están en perfecto alineamiento paralelo, pero al
elevar la temperatura los dipolos se desvían. Así, cuando se incrementa la temperatura de un material
ferromagnético, la energía térmica agregada aumenta la movilidad de los dominios facilitando su
alineación bajo un campo magnético, pero al mismo tiempo, evita que se conserven alineados al
eliminar el campo. En consecuencia, la magnetización de saturación, la remanencia y el campo
coercitivo disminuyen a altas temperaturas (figura 4.56). Finalmente al aumentar la temperatura, se
alcanza una temperatura en la cual el ferromagnetismo de los materiales desaparece y el material se
torna paramagnético. Esta temperatura se denomina temperatura de Curie. Si el material
ferromagnético es enfriado por debajo de su temperatura de Curie, se vuelven a formar los dominios
ferromagnéticos y el material se vuelve ferromagnético de nuevo. La temperatura de Curie (tabla
4.13), que depende del tipo de material, se puede modificar mediante la adición de elementos
aleantes.
Remanencia

Comportamiento Fe Co
Comportamiento
`

magnetico Ni
`

Paramagnetico

631 K 1043 K 1404 K

Temperatura Curie

Figura 4.56 El comportamiento ferromagnético desaparece por encima de la temperatura de Curie.

207
4.3 PROPIEDADES ÓPTICAS.

La radio y la televisión son posibles gracias a radiaciones u ondas electromagnéticas. En realidad

estas ondas son producidas en algún lugar del espacio y rápidamente se transmiten a lugares muy
distantes, donde pueden ser detectadas de alguna manera. Así pues, en el espacio existe una gran
cantidad de energía en movimiento, en forma de ondas electromagnéti cas originadas o radiadas de
diversas formas. Gracias a la existencia de esta radiación electromagnética, es hay posible el mundo
de las comunicaciones, y por la misma razón ha sido posible investigar profundamente la estructura
interna de la materia. La luz visible es una forma de radiación electromagnética con longitudes de
onda que se extienden desde 390 a 770 nm (tabla 4.14. y figura 4.57), La luz visible contiene
bandas de color que van del violeta al rojo, y está limitadas por las bandas ultravio leta e infrarrojo
invisibles al ojo humano; la región ultravioleta cubre el rango desde 390 a 1 nm y la infrarroja desde
770 a 1 000 000 nm.

En general, los materiales absorben selectivamente o reflejan diferentes partes del espectro visible y a
ello se deben los colores naturales y artificiales de los objetos cotidianos. Por supuesto, esta
selectividad se extiende más allá del rango de longitudes de onda visibles, tanto hacia el ultravioleta
así como longitudes de onda más corta y hacia el infrarrojo además de longitudes de onda más
largas, del espectro electromagnético.

Así, las propiedades ópticas son efecto de la interacción de un material con las radiaciones
electromagnéticas en forma de ondas o partículas de energía, conocidas como fotones. Las
radiaciones pueden tener características que entren en el espectro de luz visible, o pueden ser
invisibles al ojo humano.
Tabla 4.14 Espectro electromagnético

Máxima longitud de onda Mínima longitud de onda

Tipos de onda
nm GHz nm GHz

Radiofrecuencia 300 000 000 1

Microondas (MW) 300 000 000 1 1 000 000 300
Infrarrojo (IR) 1 000 000 300 770 400 000
Visible 770 390 000 390 800 000
Rojo 770 390 000 622 480 000
Naranja 622 480 000 597 500 000

Amarillo 597 500 000 577 520 000

Verde 577 520 000 492 610 000

Azul 492 610 000 455 660 000
Violeta 455 660 000 390 770 000

Ultravioleta (UV) 390 770 000 1.0 300 000 000

Rayos X 1.0 300 000 000 0.006 50 000 000 000

Rayos  0.1 3 000 000 000

Las propiedades ópticas de los materiales se pueden referir tanto a la emisión de fotones como a la
interacción de los fotones con la materia.

208
 Existen varias fuentes que emiten fotones, cada una de ellas con frecuencia, longitud de onda y
energía diferentes. Por ejemplo, la tierra continuamente está recibiendo una corriente de fotones
producidos por el sol, algunos de ellos en el espectro visible. Sin embargo también es posible producir
fotones deliberadamente dentro de un material a partir de una diversidad de fuentes, tal es el caso de
los rayos  que se producen mediante cambios en la estructura del núcleo del átomos inestables, los
rayos X, los rayos ultravioleta y el espectro visible, mediante modificaciones en la estructura
electrónica del átomo. Las microondas y las ondas de radio son radiaciones de baja energía y larga
longitud de onda causadas por vibraciones de los átomos o de la estructura cristalina.

Cuando los fotones interactúan con un material, se producen una diversidad de efectos ópticos,
incluyendo refracción, reflexión, absorción, transmisión, luminiscencia y un comportamiento
electrónico. El examen de estos fenómenos permitirá entender mejor el comportamiento de los
materiales y optimizar su utilización. Por lo cual, las propiedades ópticas de los materiales juegan un
papel muy importante en muchas de las tecnologías más actuales. Tal es el caso de la construcción
de aeronaves que no pueden ser detectadas por el radar; láser para usos médicos y de investigación,
para comunicaciones, fibra óptica, celdas solares, etc.

Espectro de frecuencias electromagnéticas

`
Frecuencia
Banda de radio
Sub- Ultra- Radio FM Microonda terrestre Infrarrojo Rayos Rayos
Audio sonido Visible Ultravioleta Rayos X
`

`
sonica AM TV satelite y radar gamma cosmicos

O 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10

(a)

Espectro de Longitudes de ondas electromagnéticas

Ultra- Infrarojo
Rayos violeta
gamma
Luz

`
Rayos visible Oscilaciones electricas
Microondas Ondas
largas
`

cosmicos Rayos X de radio

-7 -6 -4 -2 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 13 14 15 16 18
10 10 10 -5 10 10
-3
10 10
-1
10
0
10
1
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10
12
10 10 10 10 10
17
10
`

Longitud de onda (nanometros)

(b)

Figura 4.57 Espectro de frecuencias electromagnéticas y b) espectro de longitude s de onda

electromagnéticas

4.3.1 El Espectro electromagnético.

Como se dijo, un material puede emitir energía o radiaciones en forma de ondas o partículas,
llamadas fotones. Las características importantes de los fotones, son: su energía E, su longitu d de
onda λ y su frecuencia , se encuentran relacionadas mediante la ecuación:

hc
E  h  4.67

Donde c es la velocidad de la luz en el vacío (3 X 10 8 m/s) y h es la constante de Planck (6.62 X 10 -34
Joules segundo). Esta ecuación permite considerar al fotón como una partícula de energía E o como
una onda, con longitud de onda λ y frecuencia características.

209
 Muestra
X

Luz incidente
I0 Irefl It

`
Absorcion
I1 Ia I2
Luz
Transmitida
`

Reflexion

`
Dispersion
y
Luminiscencia
Figura 4.57 Interacción de la luz con una muestra de material. Se puede observar esquemáticamente
los procesos de reflexión, absorción, dispersión y luminiscencia.

4.3.2 Interacción de fotones con el material.

Cuando los fotones inciden sobre un material cristalino e interactúan con los electrones generan
fenómenos ópticos (figura 4.57). Cuando los fotones interactúan con los electrones de valencia puede
ocurrir que: cedan energía a la materia, lo cual es absorción, que aporten energía, y de inmediato el
material emita fotones de idéntica energía es reflexión. Pero si los fotones no interactúan co n la
estructura electrónica del material es transmisión. Pero en todos los casos la velocidad de los fotones
cambia. De acuerdo con la figura 4.57, un rayo incidente de intensidad I 0 de forma parcial se refleja,
refracta y transmite. Por lo que, la intensidad del haz incidente corresponde a la suma del las
intensidades de los diferentes rayos reflejado (I refl), absorbido (I a) y transmitido (It) (ecuación 4. 68).

I 0  I refl  I a  I t 4.68

La reflexión se presenta tanto en la superficie del frente como en la de atrás del material. Para
determinar el comportamiento de los fotones dentro del material es importante conocer la energía
requerida para excitar cada uno de los electrones a un estado de energía más elevado, ya que de esto
depende el efecto resultante.

4.3.2.1 Refracción.
Cuando un fotones es transmitido a través de un material transparente, pierden parte de su energía,
consecuentemente, se reduce la velocidad del fotón y cambia de dirección. La velocidad de la luz( )
se relaciona con la velocidad con que un material se polariza tanto eléctricamente (permisividad μ )
como magnéticamente (permeabilidad ε)
1
 4.69


Por regla, los materiales ópticos no son magnéticos y la permeabilidad puede n o tomarse en cuenta.

210
Puesto que la velocidad de los fotones disminuye, cuando es haz pasa a un material más denso
cambia de dirección. Supóngase que un haz de fotones viaja en el vacío e incide sobre un material y
que los ángulos que forman con la norma l al plano de la superficie del materias son: el incidente (Φi) y
el refractado (Φr), la ecuación que los relaciona es:

c 0 seni
n   4.70
  r sen r
n es el índice de refracción característico del material c es la velocidad de la luz en el vacío y  la
velocidad de la luz dentro del material. Definiéndose así, el valor n de un medio como el cociente
entre la velocidad de la luz en el vacío, c, y la velocidad de la luz en el medio considerado, v. En índice
de refracción n (tabla 4.15), depende además del medio de refracción, de la longitud de onda (tabla
4.16) y la frecuencia.

Normal
Rayo incidente Rayo refledjado Normal


i refl Luz blanca
refl Medio de
`

refraccion 1 Aire
n=1 aire

n0 Interfase aire - muestra Vidrio

n1
n = 1.51 Vidrio de silice Rojo
r Anaranjado
`

soda/calcico Medio de Amarillo

`

refraccion 2 Verde
r Azul
Violeta
Rayo refractado
(a) (b)

Figura 4.58 (a) Representación de los rayos incidente, reflejado y refractado, indica los ángulos en
relación a la normal al plano de incidencia. (b) Por efecto de refracción ca racterística de cada
longitud de onda se produce dispersión.

Suponiendo que en vez del vacío un haz de luz se transmite en el aire (figura 4.58) y de ahí pasa a un
vidrio de una ventana. Las velocidades de los haces incidentes y refractados dependen de la relación
entre sus índices de refracción, haciendo que el haz cambie de dirección.

 i n0 seni
  4.71
 r n1 sen r

Esta ecuación se puede utilizar para determinar si el haz será transmitido como un haz refractado o si
se reflejará totalmente. Un haz que viaja e través del medio de refracción 1, se refleja, en vez de
transmitirse, si el ángulo (Φr) es igual a 90º.

4.3.2.2 Dispersión.

Existen diversos mecanismos por los cuales se dispersa un haz de rayos electromagnéticos en el
interior de un material y que contribuyen a la pérdida de energía del haz.

211
El más elemental, es el de dispersión Rayleigh, que constituye un importante contribución a la pérdida
de energía en los materiales muy puros y transparentes, como los que se emplean para fibras óp ticas.
La dispersión Rayleig se debe a la variación pequeña en los índices de refracción para las diferentes
longitudes de onda, como se observa en la tabla 4.16, figura 4.58 b, en una sustancia amorfa se debe
a variaciones aleatorias en su densidad y composición, variaciones que también ocurren en
materiales cristalinos debido a impurezas y/o mezclas. Las variaciones en el índice de refracción son
muy grandes en líquidos y gases, debido a esta dispersión es el color azul del cielo.

Tabla 4.15 Índices de refracción para algunos materiales, los cristalinos si tienen estructura irregular
presentan varios índices. (Extractados de Handbook afo chemisstry and Physics, 52nd Edition
1971-1972 p.B-63)

Índice de refracción
Material
n
Vidrios
Sílice fundido 1.458
Vidrio Crown 1.51-1.52
Pirex 1.47
Vidrio Flint denso 1.6-1.7
Vidrio con plomo 2.50

Compuestos cristalinos
Corindón (Al2O3) 1.765
Al2O3.H2O 1.624
Cuarzo (SiO2) 1.555
Masicote (PbO), amarillo, rómbico 2.51, 2.61 (Li), 2.71
Sal gema (NaCl) 1.5442
Fluorita (CaF 2) 1.434
Calcita (CaCO3) rombica o hexagonal 1.6583, 1.4864
Diamante 2.4173
Silicio 3.49

Plásticos
Polietileno 1.50-1.54
Poliestireno 1.59-1.60
Polimetil metracilato 1.48-1.50
Ploitetrafluoroetileno 1.30-1.40

Tabla 4.16 Índice de refracción característicos de varios sólidos transparentes para varias
longitudes de onda.

Longitud de onda del color λ nm

Material Violeta Azul Verde Amarillo Anaranjado Rojo
410 470 530 590 610 670
Vidrio corona (crown) 1.5380 1.5310 1.5260 1.5225 1.5216 1.5200
Vidrio flint ligero 1.6040 1.5960 1.5910 1.5875 1.5867 1.5850
Vidrio flint denso 1.6980 1.6836 1.6738 1.6670 1.6650 1.6620
Cuarzo 1.5570 1.5510 1.5468 1.5438 1.5432 1.5420
Diamante 2.4580 2.4439 2.4260 2.4172 2.4150 2.4100
Hielo 1.3170 1.3136 1.3110 1.3087 1.3080 1.3060
Titanato de estroncio 2.6320 2.5130 2.4460 2.4060 2.3980 2.3730

212
4.3.2.3 Reflexión.

Cuando un haz de fotones golpea un material, éstos interactúan con los electrones de valencia y
ceden su energía. En los metales, las bandas de valencia no están totalmente ocupadas y cualquier
radiación, de casi cualquier longitud de onda, excita los electrones hacia niveles superiores de
energía. Podría esperarse que, si los fotones son totalmente absorbidos, no se reflejaría luz y el metal
aparecería de color negro. Sin embargo, en el aluminio y en la plata, fotones de longitud de onda casi
idéntica vuelven a ser emitidos, mientras que los electrones excitados regresan a sus niveles
inferiores de energía; se dice de estos metales que reflejan fuertemente todas las regiones del
espectro visible por lo cual muestran un color blanco o plateado.

Para una incidencia de un haz de luz normal (Φi = 90º), la fracción de luz reflejada R, es llamada
reflectividad, está relacionada con el índice de refracción. Si el material está en el vacío o en el aire (n
aire = 1):
2
 n 1
R  4.72
 n 1
Si el material está en algún otro medio, con un índice de refracción n i, entonces:
2
 n  ni 
R    4.73
 n  ni 
Los materiales con alto índice de refracción tienen mayor reflectividad que los de índice bajo. La
reflectividad y el índice de refracción varían con la longitud de onda de los fotones.

En los metales, la reflectividad es del orden de 0.9 a 0.95, por lo cual son opacos (tabl as 4.17 y 4.18),
en tanto que en los vidrios es muy pequeña, del orden de 0.05, por lo cual son transparentes, dicha
cantidad que depende del índice de refracción del vidrio n y del ángulo de incidencia de la luz sobre el
vidrio.

4.3.2.4 Absorción.

El grado de absorción de luz en un medio se determina a partir de la relación entre las intensidades:
transmitida e incidente en una placa de material si se tienen en cuenta la energía reflejada en la
superficie frontal y trasera. La intensidad se reduce con la distancia en el interior del medio absorbente
según una ley exponencial. Esto se debe sencillamente a que en cualquier espesor pequeño δx, se
absorbe una fracción αδx de la intensidad de la luz, en donde α se llama coeficiente de absorci ón y
tiene las dimensiones (longitud) -1, es independiente del espesor, la siguiente ecuación expresa la
relación entre variación de intensidad y espesor.

I  Ix 4.74

El signo negativo indica la reducción de la intensidad al incrementar el esp esor x. Para cuando δx → 0
la intensidad dI obedece la siguiente ecuación diferencial

dI
 I 4.75
dx
Resolviendo la ecuación para la intensidad en el espesor x,

I  I 0 e  I 4.76

213
en donde I0 es la intensidad del haz incidente en x = 0. la ecuación se puede expresar en base a
logaritmos naturales como:

 I  I 
In   x ó In 0   x 4.77
 I0   I 
Esta ecuación se denomina ley de Lambert, al graficar -In I contra x, la pendiente corresponde al
coeficiente de absorción.

Tabla 4.17 Coeficientes de reflexión de algunas superficies con longitud de onda monocromática.
Robert C. Weast, Ph.D. Handbook of Chemistry and dPhysics, 52 nd Edition. The Chemical
Rubber Co. 1971-1972. P E207

Longitud de onda (nm)

Material
400 500 600 700
Carbón negro en aceite 0.003 0.003 0.003 0.003
Polvos
Caolín (tratado) 0.82 0.81 0.82 0.82
Caolín (sin tratar) 0.75 0.79 0.85 0.86
Oxido de Magnesio 0.97 0.98 0.98 0.98
Pintura
MgCO3 0.90 0.88 0.88 0.88
ZnO blanco 0.74 0.84 0.85 0.86
Papel
Crepe, verde 0.23 0.49 0.19 0.48
Crepe, rojo 0.03 0.02 0.21 0.69
Crepe amarillo 0.17 0.44 0.75 0.79
Secante 0.64 0.72 0.79 0.79
Porcelana esmaltada
Azul 0.44 0.10 0.05 0.23
Naranja 0.09 0.09 0.59 0.69
Roja 0.05 0.03 0.08 0.62
Blanca 0.77 0.73 0.72 0.70
Amarilla 0.11 0.46 0.62 0.62

Cuando se tiene una solución o mezcla o un compuesto, la concentración de cada una de las
especies tiene su absorción característica, e influye en la absorción total. Así, e l coeficiente de
absorción α es directamente proporcional a la concentración (   C ), introduciendo una constante
de proporcionalidad (K) e introduciéndola en la ecuación 4.77, se tiene la ley de Lambert y Beer

 I 
In    KCx 4.78
 I0 
La energía radiante que absorbe el material puede ser:
i) emitida de nuevo sin cambio de longitud de onda, o sea dispersada en otra dirección de
propagación.

214
 ii) emitida de nuevo a diferente longitud de onda, si el cambio de absorción posteriormente
efectúa una transición a un diferente nivel de energía con respecto al nivel en que se
excitó primero.
iii) Perderse en forma de energía cinética de movimiento atómico (transformarse en energía
térmica) si el átomo ó átomos que participan chocan con sus vecinos.

Tabla 4.18 Coeficientes de reflexión de superficies metálicas para luz incandescente. Robert C.
Weast, Ph.D. Handbook of Chemistry and dPhysics, 52 nd Edition. The Chemical Rubber Co.
1971-1972. p E-207

Material Naturaleza de la superficie Coeficiente

Aluminio pulido Especular 0.69
Cromo Especular 0.62
Cobre Especular 0.63
Oro Especular 0.75
Níquel Especular 0.62-0.64
Platino Especular 0.62
Plata pulida Pulida 0.93
Acero Especular 0.55
Oxido de magnesio Difusora 0.98
Papel negro Difusora 0.05-0.06

Tabla 4.19 Coeficientes de absorción (α) de radiación solar para algunos materiales. Robert C.
Weast, Ph.D. Handbook of Chemistry and dPhysics, 52 nd Edition. The Chemical Rubber Co.
1971-1972. P E-207

Coeficiente de Coeficiente de
Material Material
absorción absorción
Plata, altamente pulida 0.07 Pintura de aluminio 0.55
Platino, altamente pulido 0.10 Metal monel pulido 0.40
Níquel, altamente pulido 0.15 Cinc pulido 0.55
Aluminio 0.15 Pintura gris 0.75
Carbonato de magnesio 0.15 Negro mate 0.97
Oxido de Zinc 0.15 Pintura crema clara 0.35
Acero pulido 0.20 Pintura amarilla clara 0.45
Cobre 0.25 Pintura verde clara 0.50
Pintura de oxido de cinc 0.30

El proceso que se lleve a cabo depende de las probabilidades relativas: con frecuencia se habla de
probabilidades de transición entre niveles de energía de electrones

Así cada material absorbe energía en algún grado debido a la interacción de los fotones de la luz con
la estructura electrónica de los átomos, iones o moléculas que constituyen el mate rial.

En los metales excepto para secciones muy finas, reflejan o absorben fuertemente la radiación
incidente desde longitudes de ondas largas (ondas de radio) hasta la mitad del rango ultravioleta.
Puesto que en los metales la banda de conducción se superpone a la banda de valencia, la radiación

215
incidente eleva fácilmente los electrones hasta niveles de energía superiores. Al descender a niveles
de energía más bajos, las energías de los fotones resultan bajas y sus longitudes de onda largas. Este
tipo de acción produce unos rayos fuertemente reflejados desde una superficie lisa, como se observa
para muchos metales, como por ejemplo el oro y la plata. La cantidad de energía absorbida por los
metales depende de la estructura electrónica de cada metal. Por ejemplo, el cobre y el oro hay
absorben longitudes de onda más cortas, como el azul y el verde, y reflejan las longitudes de onda
más largas, como el amarillo y el rojo; así las superficies lisas de estos metales muestran dichos
colores reflejados.

En los semiconductores los fotones pueden ser absorbidos de varias formas. En los semiconductores
intrínsecos (puros) como Si, Ge y GaAs, los fotones pueden ser absorbidos para crear parejas
electrón-hueco obligando a los electrones a saltar la barrera entre band as de energía desde la banda
de valencia hasta la de conducción. Para que esto pueda ocurrir los fotones incidentes deben tener
una energía mayor o igual a la barrera de energía E g. Si la energía de los fotones es mayor, el exceso
se disipa como calor. En los semiconductores tipo p y tipo n, muchos fotones de baja energía son
absorbidos al provocar el salto de los electrones desde la banda de valencia a nivel de donador, en la
banda de conducción, por lo tanto estos materiales son opacos.

Los polímeros no cristalinos como el poliestireno, metacrilato y el policarbonato tienen excelente

transparencia. Sin embargo, en algunos materiales poliméricos hay regiones cristalinas que tienen un
mayor índice de refracción que las regiones no cristalinas. Si estas regiones son de tamaño mayor
que la longitud de onda de la luz incidente, las ondas electromagnéticas serán dispersadas por
reflexión y refracción y por tanto la transparencia disminuye.

4.3.2.5 Luminiscencia.

La luminiscencia se puede definir como el proceso por el cual una sustancia absorbe radiaciones y
otras formas de energía y después, espontáneamente, emite radiación en el espectro visible o
cercano a éste. Este fenómeno ocurre cuando una radiación incidente excita electrones de la banda
de valencia para pasar a través de la brecha de energía prohibida E g y haciéndolos llegar finalmente a
la banda de conducción. Los electrones excitados se quedan brevemente en los niveles superiores de
energía, y cuando regresan a la banda de valencia, emiten foton es, y si sus longitudes de onda están
dentro del espectro visible es luminiscencia.

Cuando se produce la absorción de energía en forma de radiación electromagnética en un material,

éste adquiere la energía de la radiación que ha absorbido. Esta energía p uede transformarse en
energía térmica, produciendo el calentamiento del material, como ocurre cuando se pone al sol algún
objeto oscuro. En otras ocasiones solamente parte de la energía absorbida se transforma en calor,
mientras que otra parte es emitida por el material como radiación. La emisión de radiación de longitud
de onda cercana al visible, producida por una absorción de luz cuando el material está siendo
iluminado, se conoce como fotoluminiscencia o luminiscencia fotoestimulada.

El proceso de la luminiscencia puede entenderse básicamente considerando la interacción entre un

fotón de luz incidente y un único defecto o impureza del interior del material. El proceso de absorción
se produce por colisión o choque entre un fotón de la luz de iluminación con la impureza. En este
choque el fotón queda absorbido solamente si su energía coincide con la de alguna transición
electrónica de la impureza. Suponiendo que se ha producido la absorción del fotón, esa energía E f de
éste ha pasado a la impureza situándola en un estado excitado (figura 4.59). La impureza excitada
tiende a perder energía para volver a su estado inicial, y esta desexcitación se puede realizar de
varias formas. Una desexcitación que sólo produce calentamiento del material ocurre cuando la
impureza cede toda su energía extra E f a la estructura del material, causando la vibración de ésta, y
por tanto su calentamiento. Otra forma de desexcitación ocurre cuando la impureza pierde parte de su
energía extra como calor, con lo que llega a un estado más estable aunque la energía E 1 mayor que la
de su estado inicial E 0. Desde este estado intermedio la impureza pasa al estado fundamental
emitiendo un fotón de energía E e = E1 – E0. Como parte de la energía E f del fotón inicial absorbido se

216
ha transformado en calor, resulta en general que E e<Ef, y a la diferencia E f-Ee se le llama
desplazamiento de Stokes.

`
Banda de conduccion

`
E1 Electron
-

2 Nivel donor

`
`

Excitacion Trampas Emision del activador Eg

`
3 Emision Salto entre
1 Fluorescencia bandas de
Ef

`
Nivel activador Fosforescencia energia

Nivel donor
del activador
E0 +
Hueco

Banda de Valencia

Figura 4.59 Se esquematizan las variaciones de energía durante el proceso de luminiscencia. 1) El

electrón de banda de valencia es excitado hacia la banda de conducción. 2) Un electrón de la
banda de conducción puede descender a niveles de energía de los activadores denominados
trampas, y absorber pequeñas cantidades de energía para regresar a banda de conducción.
3) Un electrón de la banda de conducción puede caer progresivamente a diferentes niveles
de energía, presentes por los átomos de impureza ó activadores.

4.3.2.6 Fluorescencia y fosforescencia.

También se puede considerar que, en el proceso de luminis cencia, la energía incidente excita
electrones de un material luminiscente de la banda de valencia a la de conducción. La fuente de
energía incidente puede ser, por ejemplo, fotones de alta energía o luminosos. Los electrones
excitados durante la luminiscencia caen a niveles de menor energía. En algunos casos los electrones
pueden recombinarse con los huecos. Si la emisión tiene lugar dentro de 10 -8 s después de la
excitación, la luminiscencia se llama fluorescencia, y si la emisión dura más de 10 -8 s se denomina
fosforescencia.

La luminiscencia se produce por materiales llamados fosforescentes que son capaces de absorber
radiaciones de onda corta y alta energía, y emitir espontáneamente radiación luminosa de longitud de
onda más larga y energía más baja. El espectro de emisión de los materiales luminiscentes se
controla industrialmente añadiendo los átomos de impurezas llamándoles activadores, éstos
proporcionan niveles de energía definidas en la banda prohibida, entre la banda de valencia del
material solvente y el de conducción (figura 4.59), como se vio en los materiales semiconductores
(figura 4.60).

Un mecanismo propuesto para el proceso de fosforescencia es que los electrones excitados son
capturados de diversos modos en los niveles de alta energía y deben salir de la trampa antes de que
caigan a niveles de menor energía y emitan luz de una banda espectral característica. El proceso de
captura se utiliza para explicar el retraso en la emisión de luz por los materiales fosforescentes
excitados.

En todos los casos analizados, la energía del fotón emitido es menor que la del fotón absorbido, lo
que equivale a decir que la longitud de onda de la luz emitida es mayor que la de la luz absorbida. Así
por ejemplo, si en un material que absorbe luz de longitud de onda correspondiente al calor verde, la
luminiscencia deberá aparecer a una longitud de onda mayor, hacia la región roja del espectro. Un
espectro de emisión es una representación gráfica de la intensidad de la luz emitida en función de su
longitud de onda, cuando el material se encuentra excitado con un haz de luz que es absorbido. La

217
longitud de onda de excitación es un parámetro en estos espectros. Para un mismo material se
pueden obtener muchos espectros de emisión diferentes, dependiendo de l a longitud de onda de la
luz empleada para excitar el material en cada uno de ellos.

Banda de ` Banda de Banda de

`
conduccion

`
conduccion conduccion
- - -
Ed
Eg Nivel donador
Eg Eg
Nivel aceptor Ea
+ + +
Banda de
Banda de Banda de
Valencia
Valencia Valencia
`

(a) Intrinseco (b) Tipo p (c) Tipo n

Figura 4.60 Absorción óptica en semiconductores.

Un espectro de excitación es una gráfica en que se representa la intensidad de luz emitida por el
material (a cierta longitud de onda determinada) en función de la longitud de onda que se está usando
para excitar el material. Este tipo de espectros indica aquella parte del espectro de absorción que es
capaz de producir una determinada emisión de luz en el material. Pueden obtenerse diferentes
espectros de excitación en un mismo material, dependiendo de la longitud de onda de emisión que se
seleccione. El equipo que sirva para obtener espectros de excitación y emisión luminiscente se
conoce como espectrofluorímetro.

Fotoconducción. En los semiconductores ocurre la fotoconducción si el material forma parte de un

circuito eléctrico. En este caso, la primera parte del proceso es idéntica a la luminiscencia, el material
recibe un haz de radiación electromagnética que estimula electrones de la banda de valencia, los
electrones estimulados, que han pasado a la banda de conducción, producen una corriente en vez de
una emisión de ondas electromagnética. Así, la energía de un fotón incidente debe ser suficiente,
para excitar un electrón y pasar a la banda de conducción, creando un hueco en la banda de valencia,
y el electrón o el hueco transportarán una carga a través del circuito. La longitud de onda máxima del
fotón incidente necesario para que se produzca fotoconducción está relacionada con la banda de
energía prohibida (figura 4.60) del material semiconductor.

hc
 4.79
Eg

Este principio se aplica en celdas fotoeléctricas, celdas solares, etc.

Comparando fotoconducción con luminiscencia se tiene que en el primero se produce conducción

eléctrica, y en el segundo caso es emisión de ondas electromagnéticas visibles.

4.3.3 Láser.

La absorción de las radiaciones electromagnéticas por la materia, incluso por el vidrio de ventana que
normalmente se considera es totalmente transparente, es una realidad. Un efecto contrario a esto es
el efecto láser, (Light Amplification by Stimulated Emisión of Radiation = Amplificación lumisosa por
Emisión estimulada de radiación) la luz se amplifica al atravesar ciertos materiales en unas
condiciones muy especiales, de forma que su intensidad aumenta. Estos materiales que pueden dar
lugar a amplificación de la luz se llaman materiales ópticamente activos, los materiales que presentan
fluorescencia son probables candidatos como materiales láser.

218
Una forma de comprender la emisión estimulada de radiación y el efecto Láser, es mediante el análisis
del proceso de emisión de luz por un átomo o conjunto de átomos excitados. Un átomo que recibe la
irradiación de una onda electromagnética se dice que se excita cuando uno de sus electrones pasa a
un nivel de mayor energía, usando para ello energía de la onda electromagnética que ab sorbe en el
proceso. El átomo no permanece mucho tiempo en ese estado excitado, sino que después de un
cierto tiempo  se desexcita espontáneamente, emitiendo un fotón de igual energía. En general
cuando se excitan los átomos de un gas, éstos se desexcitan de manera independiente y al azar, esto
es lo que ocurre para la luz emitida por los tubos fluorescentes o los de neón, en este caso la
radiación emitida está en direcciones aleatorias y los frentes de onda están desfasados entre sí, este
tipo de radiación se llama incoherente. Por el contrario, la fuente de luz láser produce un haz de
radiación cuyas emisiones de fotones están en fase, es decir son coherentes y además son paralelas,
direccionales y monocromáticas. En los laceres algunos fotones activos al ser emitidos estimulan a
que muchos otros de la misma frecuencia y longitud de onda sean emitidos en fase, formando un haz
luminoso intenso y coherente (figura 4.61)
`
Electron

`
E2 Estado de energia exitado

` h1
Foton activo
h1
`

Foton activo
h1
`

Foton estimulado
`

E1 Estado de energia fundamental

Figura 4.61 Representación de la emisión de un fotón estimulado mediante un fotón activo de la

misma frecuencia y longitud de onda

En los materiales normalmente los electrones se encuentran en los átomos en los niveles de menor
energía, y cuando son iluminados con un haz de luz apropiado se fuerzan a los electrones a pasar a
niveles de mayor energía, mientras otros son forzados a pasar del estado excitado a niveles de menor
energía emitiendo un fotón luminoso, es decir, produciendo una emisión inducida (o estimulada).
Debido a que hay muchos más átomos con electrones en nivel de menor energía que en estados
excitados, y teniendo en cuenta que la probabilidad de producir una absorción o una emisión inducida
son iguales, es evidente que el resultado neto es una absorción de energía luminosa por el material, y
por tanto una disminución de la intensidad del haz luminoso que lo atraviesa.

Sin embargo, si se consigue por algún medio que el material se encuentre muy excitado, de forma tal
que existan más átomos con electrones en nivel de mayor energía, que en e l nivel fundamental ó de
mínima energía, el efecto del haz luminoso que atraviesa el material será producir más descensos al
nivel fundamental, que elevaciones de electrones al nivel excitado. Por tanto aumentará la intensidad
de la luz conforme se transmite a través del material, surgiendo la amplificación de la luz. El estado del
material con más átomos excitados que en el nivel fundamental se conoce como estado de inversión
de población.

Para conseguir que el nivel excitado esté más poblado que el funda mental se debe efectuar una
operación conocida como bombeo, mediante la cual se aporta gran cantidad de energía al material
para conseguir la inversión de población. El bombeo puede realizarse con luz (bombeo óptico),
iluminando el material con una lámpara muy potente y que tenga el espectro adecuado, otra forma es
haciendo pasar una corriente eléctrica a través del material, bombeo eléctrico.

219
Un material ópticamente activo del rubí, por lo que se considera el láser de éste para comprender el
funcionamiento. El rubí es un monocristal de óxido de aluminio (Al 2O3) que contiene
aproximadamente 0.05% de iones Cr +3, los cuales ocupan sitios en la estructura del óxido de aluminio
cristalino y son responsables de su color rosa. Estos iones actúan como centros fluorescentes que
cuando están excitados caen a niveles de menor energía, originando emisiones de fotones a
longitudes de onda específicas. En los extremos del cristal de la barra de rubí están colocados
paralelamente un espejo totalmente reflectante por un lado y por el otro uno parcialmente reflectante
para permitir que parte del haz láser lo atraviese.

Bomba
`

Material opticamente activo

`

(Rubi, He, Ne)

`
Luz laser

Espejo totalmente Espejo parcialmente

reflectante reflectante

Figura 4.62 Representación de un amplificador láser, la bomba puede ser una fuente de luz intensa o
de potencia eléctrico.

La bomba la constituye una lámpara de destello de xenón que proporciona la energía suficiente para
+3
excitar los electrones del ion Cr , que pasan del estado fundamental a niveles de mayor energía
como la banda E3 de la figura 4.63, Esta acción se denomina bombear el láser. Los electrones
excitados del Cr+3 pueden regresar al nivel inicial o a un nivel de energía metaestable E 2. Antes de
que pueda ocurrir la emisión estimulada de fotones en el láser, tiene que haber más electrones
bombeados al nivel de energía intermedio que en el estado fundamental, E 1, teniéndose así una
inversión de población de los estados de energía electrónicos.
`

Electron
`

E3 Estado de energia exitado

Nivel de energia electronica

`
Emision espontanea

` E2
`

Nivel de energia metaestable

`

Emision espontanea y estimulada

`

Excitacion
`

rendimiento laser
`

E1 Estado de energia fundamental

Figura 4.63 Diagrama de energía electrónica para un sistema láser de tres ni veles.

Los iones Cr+3 excitados pueden permanecer en el estado metaestable durante algunos milisegundos
antes de que tenga lugar la emisión espontánea debida al regreso de los electrones al nivel
fundamental. Los primeros fotones producidos por el salto d e electrones del nivel metaestable E 2 al
fundamental E 1 disparan una reacción en cadena de emisión estimulada provocando a su vez que
más electrones salten del nivel E 2 al E1. Este proceso produce un gran número de fotones en fase

220
moviéndose paralelamente. Algunos fotones se pierden fuera del cristal, pero muchos son reflejados y
enviados a lo largo de la barra de rubí por los espejos de los extremos y estimulan a más electrones a
saltar de estado contribuyendo a formar un intenso haz de radiación coherent e. Finalmente, cuando se
consigue un rayo suficientemente intenso dentro de la barra, éste se transmite como un pulso de alta
energía (≈0.6 ms) a través del espejo parcialmente transmisor en el extremo del láser (figura 4.62). El
rayo láser producido por la barra del monocristal de óxido de aluminio con impurezas de Cr +3 tienen
una longitud de onda de 694.3 nm, que es una línea visible roja. Este tipo de láser, que puede
funcionar intermitentemente en ráfagas, se conoce como de tipo pulsado. La mayoría de los láseres
funcionan como un haz continuo y se denominan láseres de onda continua.

Existen diversos tipos de láseres, de gases líquidos y sólidos usados en la tecnología actual.

Tabla 4.20 Algunos tipos de láser y su aplicación

Longitud de onda
Tipo de láser Emisión Aplicación
emitida nm
Rubí 694 Intermitente Desuso
Neodimio -YAG 1.314 ó 1060 continua Soldadura, corte, perforación
Soldadura, corte, Tratamiento térmico
CO2 10600 continua
superficial de aceros
Semiconductor (GaAs) 850 continua Lectura de Discos compactos

4.4 PROPIEDADES TÉRMICAS.

Dentro de las propiedades térmicas de los materiales están dilatación térmica, punto de fusión,
conductividad térmica, calor específico ó capacidad térmica, emisividad, que son propiedades
insensibles a la estructura.

El cristal perfecto como se ha visto hasta ahora es sólo el ideal, la base de la cual se debe partir, en
este ideal se consideraron los átomos como esferas duras, fijas en el espacio, lo cual ocurre solo en a
temperaturas del cero absoluto (0 K), de acuerdo a lo visto en el apartado 1.2.1, al incrementar la
temperatura se incrementa la energía (figura1.12), y el almacenamiento de esta energía térmica en el
sólido está asociada con la vibración atómica. Al considerar este movimiento se puede comprender la
relación entre energía térmica y temperatura, por lo tanto entre calor específico y expansión térmica.

La vibración de los átomos fue algo difícil de aceptar, pero el primero en presentar evidencias del
movimiento de los átomos fue el botánico Brown en 1828, quien al ver al microscopio el aire con
partículas de polen observó que estas partículas se movían continua e irregularmente. Consideró que
se debía a que eran golpeadas de forma aleatoria por los átomos del gas en que se encon traban,
que tenían movimiento continuo y energía térmica. La confirmación de este principio fue gracias a la
teoría cinética de los gases, que se basa en el concepto de movimiento continuo de los átomos y que
explica las leyes de los gases de Boyle y de Charles, así como sus desviaciones. En honor a Brown
el movimiento aleatorio de los átomos en los gases se denomina movimiento browniano.

Para comprender mejor el comportamiento térmico de los materiales, es conveniente recordar lo visto
en el curso de Fisicoquímica, sobre la teoría cinética de los gases.

Contenido de Energía calorífica en átomos de los gases ideales . La teoría cinética de los gases
deduce a que la presión ejercida por un gas sobre las paredes del recipiente que lo contiene se debe
al bombardeo continuo de los átomos del gas. Considerando los átomos como pequeñas esferas
duras elásticas, se tiene que la rapidez de variación de la cantidad de movimiento es la fuerza
actuante sobre la pared del recipiente. Y como la presión es fuerza por unidad de área, el cambio de
momento depende de la velocidad (u), de la masa (m) y el número (n’) de átomos del sistema, de la
siguiente forma:

221
 f 2 m n' u 2 2 m n' u 2 m n' u 2
P    4.80
A lA 6 l 2l 3V

donde P es la presión, l es la longitud de la arista considerando el recipiente como cubo, A el área

2
total sobre la cual se ejerce la fuerza, y como es el área del cubo corresponde a 6l , V es el volumen
del recipiente, y es aplicable a cualquier forma del recipiente que contiene al gas.

La energía cinética total, E de los átomos es:

1
E n' m u 2 4.81
2
Combinando las ecuaciones anteriores (4.80 y 4.81)
2
PV  E 4.82
3
De las leyes de los gases ideales, se tiene que la energía cinética de los átom os del gas es
proporcional a la temperatura. Se tiene que, la temperatura absoluta, en la escala de temperaturas de
los gases ideales, se define mediante la siguiente ecuación:

1 3
mu2  K T 4.83
2 2
Donde K es la constante de Boltzmann. Combinando las ecuaciones 4.83 con 4.82 y 4.81 se tiene:

PV  n' KT 4.84

Que es la ecuación de la ley general de los gases ideales, como función del número de átomos, pero
si se divide y multiplica por el número de Abogador, N 0, se tiene que n’/N0 = N número de moles, y
KN0=R constante de los gases ideales para una mol gramo. Y se puede reescribir la ecuación 4.84:

PV  NRT 4.84 a

Se puede tener una idea de la magnitud de la velocidad molecular a partir de la ecuación 4.80, si se
observa que la expresión n’m/V es justamente la masa total dividida por el volumen, es decir, la
densidad del gas ρ. Por lo cual la velocidad media de los átomos del gas está dada por:

3P 3RT
u o u 4.85
 m
Aplicando esta ecuación para calcular la velocidad de moléculas de hidrógeno a 0ºC se sabe que
R=8.314 joulios por mol grado Kelvin, T=273.15 K y m = 2.016. Por tanto, la velocidad es 1.84 Km/s,
para el dióxido de azufre m=64, la velocidad a 0ºC es 0.325 Km/s, y para el CO 2 de m=44, u=0.393
Km/s.

Determinando la energía promedio. A partir de la ecuación 4.83, se tiene que a 0ºC, es de 5.65 X 10 21
J, o 3.53 X 10 -2 eV. Muy por debajo de la que se requiere para excitar a los electro nes para que pasen
de la banda de valencia a la banda de conducción. Por lo tanto, el número de átomos que contienen
electrones en estados excitados es despreciable y se llega a la conclusión de que la energía cinética
E = ½ n’mu2 de la ecuación 4.81, representa la energía calorífica total de los átomos gaseosos. El
calor específico de un gas ideal debe ser constante e independiente de la temperatura, ya que la

222
cantidad de calor que debe agregársele para que la temperatura se eleve un grado es la misma, si n
importar dicha temperatura. El calor específico se puede definir como la derivada de la energía
calorífica con respecto a la temperatura por unidad de masa y, por lo tanto, es constante cuando la
energía interna E es proporcional a la temperatura.

4.4.1 Distribución de energía.

Para los gases ideales de acuerdo a la ecuación 4.83 la energía calorífica es proporcional a la
temperatura, pero esto no es de todo cierto para gases reales, ni para sólidos, puesto que los calores
específicos no son constantes e independientes de la temperatura, y en general los gases al
acercarse a la temperatura de condensación del estado líquido o sólido, se comportan como reales.

De acuerdo a la teoría cinética, las moléculas de los gases se mueven en todas las direcci ones
posibles y a muy alta velocidad, según se comprobó para el hidrógeno 1.84 Km/s. Naturalmente,
éstas chocarán con frecuencia entre sí y ganarán o perderán velocidad en cada colisión, aunque la
suma de las energías de los dos átomos que chocan permanezca constante. Así su velocidad y sus
energías cinéticas variarán en torno a un valor promedio. y el número de átomos n’(E)dE, que se
encuentran entre un valor de energías E y ( E+ dE ) está dado por:
1
2 n' E 2
E
n' ( E ) dE  3 e KT
dE 4.86
 kT  2

Esta ecuación es aplicable solo para gases ideales, pero a partir de ésta, se puede derivar una
expresión para gases reales pliatómicos, en los cuales una parte de la energía molecular es debida a
la rotación de las moléculas, o a la vibración de los átomos, uno con respecto al otro. En este caso la
expresión para n’(E) contiene el factor exp(-E/KT), en donde E corresponde a la energía molecular
total. Y de forma general, se puede escribir la ecuación como:
E
n' ( E )  C e KT
4.87

C es un factor que depende del sistema al cual se aplica la ecuación, y es función de la energía E y la
temperatura, pero la variación es muy lenta en comparación con el factor exponencial, por lo que para
fines prácticos, se puede considerar como una constante.

La ecuación 4.87 es aplicable a cualquier conjunto de átomos en los cuales los efectos de
cuantización de la energía sean despreciables. El factor exponencial se denomina factor de
Boltzmann, y surge debido a la naturaleza aleatoria, probabilística, de las distribuciones de energía
térmica, característica común de todos los sólidos, líquidos y gases. De hecho, el factor de Boltzmann
se deduce a partir de consideraciones estadísticas mucho más generales que la cinética de los gases.
Por otra parte, el factor C de la ecuación 4.87, depende de la distribución detallada de los niveles de
energía disponibles y, a diferencia de la exponencial, no depende de que los procesos térmicos sean
aleatorios.

Considerando que para todos los casos reales la energía está cuantizada, y aunque los est ados
cuánticos disponibles estén muy cercanos, para fines prácticos la variación de la energía se considera
continua. En este caso el factor C se expresa como el producto de dos cantidades, una de ellas es
dS/dE, en donde dS es el número de estados cuánticos (es decir estados con conjuntos diferentes de
números cuánticos) disponibles en el intervalo de energía E. Este factor, que suele llamarse densidad
de los estados, es el numero de estados por intervalo unitario de energía en torno a la energía E y, en
general, depende de E. El otro factor de proporcionalidad será A.

Así que la ecuación 4.87 se puede escribir como:

223
 dS E
n' ( E ) dE  Ae KT dE 4.88
dE
n’(E)dE, es el número de átomos que tienen energías debido a las vibraciones térmicas dentro del
intervalo dE, el factor A exp (-E/KT), representa la fracción de estados cuánticos que en realidad
están ocupados. También representa la probabilidad, p(E), de que un estado cuántico individual de
energía E esté ocupado. Además, como el número de estados con e nergía E ocupados es igual al
número de átomos que tienen energía E, la probabilidad de que un átomo individual tenga la energía
E es proporcional al mismo factor.

Si la probabilidad es mucho menor que la unidad, la probabilidad de que existan átomos en estados
distintos de energía E1, E2, E3, etc, dependen solo del factor: exp(-E1/KT); exp(-E2/KT); exp(-E3/KT);
etc.

Pero si, la probabilidad es alta, la constante A depende de la energía E. Y la expresión correcta para
la probabilidad p(E) se deduce estadísticamente, y se anota continuación:
1
p( E ) 
 1 A e E
KT
1
4.89

La ecuaciones 4.88 y 4.89 son aplicables a cualquier sistema de partículas que tengan energía
térmica y se encuentren en equilibrio térmico. La única excepción son partículas como los electrones,
que obedecen al principio de Pauli, en este caso está dado por la probabilidad de Fermi -Dirac, f(E):

1
f E    E  EF  KT 4.90
1 e
En donde EF es la Energía de Fermi.

4.4.2 Fuerzas interatómicas y efectos térmicos.

La capacidad calorífica de un sólido varía en forma considerable con la temperatura y tiende a cero el
cero absoluto (0 K), como se observa en la figura 4.64, además de los cambios con las formas
alotrópicas, a diferencia del comportamiento de los gases ideales que tie nen calores específicos
constantes.

Considerando que el sólido es una red cristalina de átomos esféricos que se mantienen unidos por
enlaces que no son estrictamente rígidos, es posible imaginar que los átomos se desplazan de sus
posiciones de equilibrio como si estuvieran unidos mediante resortes, y debido a su masa, oscilan a
una posición media con una amplitud que depende de la cantidad de calor contenida (figura 4.65).

Como se trató en el inciso 1.2.1.1, los átomos o iones se mantienen a cierta dist ancia interatómica en
equilibrio, de acuerdo al balance de fuerzas de atracción y repulsión, donde la ecuación del equilibrio
de fuerzas (F) para dos átomos es la 1.23 y para la energía potencial (se considerará por el símbolo V
para diferenciarla de la energía cinética E) la ecuación 1.28.

Z1 Z 2 q 2 1 nb
F 2
 n 1 4.91
4 0 a a

Z1 Z 2 q 2 1 b
V   4.92
4 0 a a n

224
 25

Ag
20 Cu
Cv = Cp *Julios/mol ) Al

Si
15

10
C

0
0 100 200 300 400
Temperatura K
Figura 4.64 Dependencia de la capacidad calorífica, para Carbono, Silicio, Aluminio, Cobre y Plata ,
Por arriba de 200 K el C v que es casi igual que el C p se aproxima a 3R.

ao

ao

Figura 4.65 Modelo mecánico de una red cristalina, manteniendo las distancias relativas al equilibrio
a0, como una función de las fuerzas interatómicas.

Como Z1, Z2, son las valencias de cada átomo, q la carga del electrón, 0 , permisibilidad en el vació,
y además como n y b son constantes, se pueden considerar todas en una sola constante pudiendo
rescribir las ecuaciones de la siguiente forma:

dV mA nB
F  m 1  n 1 4.93
da a a

A B
V  m
 n 4.94
a a

225
La figura 4.66 muestra una representación gráfica de las curvas Condon -Morse, correspondientes a
las ecuaciones 4.93 y 4.94, las cuales tienen la misma forma solamente que invertidas, el valor de a
que corresponde al mínimo de energía potencial, es la separación de equilibrio entre los dos átomos,
a0, a 0 K, la fuerza neta es cero en a0, puesto que corresponde a la derivada del mínimo, de la
energía potencial respecto a la distancia interatómica. El desplazamiento en cualquier dirección
provocará la acción de fuerzas de atracción o repulsión (según se alejen o acerquen), que restauren el
equilibrio. Aunque las figuras 4.66 se construyeron para dos átomos, es claro que se producirá un
comportamiento semejante entre cada par de átomos en la red cristalina, y cada átomo libre que se
acerca a la red experimenta la misma fuerza de atracción hasta alcanzar el equilibrio. Por lo tanto,
los átomos en una estructura cristalina tienden a estar arreglados en un patrón definido con respecto a
sus vecinos. Los valores de las constantes son características de acata tipo de enlace y cada material,
ejemplo de éstos se dieron en el apartado 1.2.1.1.

+
`

Atraccion
`
Atraccion

V
Fuerza interatomica

Energia potencial
`

0 a 0
` a

`
Repulcion

`
Repulcion

Vo

(a) (b)
Figura 4.66 Curvas de equilibrio de distancias interatómicas de acuerdo a: (a) Fuerzas de atracción y
repulsión. (b) energía potencial V. Conocidas como curvas de Condon -Morse.

`
Atraccion

df/da
Energia potencial V
Fuerza interatomica

Distancia interatomica a
`

0 a
`
amin amedio amax
`

`
Repulcion

ac ae ab
`

Intervalo elastico V(T) Incremento en

Temperatura
0K
ao
(a) (b)
Figura 4.67 (a) En la curva de fuerzas, su tangente en a0, coinciden con la curva, y corresponde al
intervalo de deformaciones elásticas encontrado en materiales cristalinos, y a la amplitud de la
agitación térmica. (b) Cambio en la distancia interatómica, en función de un incremento de
temperatura, la energía térmica provoca la oscilación entre ab y ac la posición promedio ae es
mayor que a0 (0 K) debido a la asimetría de la curva de energía potencial.

226
A la temperatura del cero absoluto como se ha dicho (en donde los movimientos térmicos han
cesado), el espacio interatómico tiene el valor a0. Sin embargo, a medida que se añade energía
térmica a los átomos, comienzan a oscilar alrededor de sus posiciones de equilibrio ae. De esta
manera, a la temperatura T 1 en la figura 4.67, los espacios interatómicos máximo y mínimo están en
los puntos ab y ac, respectivamente, y el espacio interatómico promedio está en el punto ae, durante
este movimiento del átomo, su energía total permanece constante, ya que se debe cumplir con la ley
de la conservación de energía y esta energía está constituida en parte por la energía cinética y en
parte por la energía potencial. La diferencia entre la e nergía (dV) a la temperatura T 1 y la energía a 0
K es la energía que se cedería si el átomo quedara permanentemente en reposo.

Basándose en la teórica cinética de los gases, todos los átomos del gas estarán en reposo en el limite
de temperatura igual a cero. Esto se deduce de la ecuación 4.83. Es razonable suponer que lo mismo
ocurre con los sólidos, por lo tanto, la energía dV constituye la energía calorífica que tiene el átomo en
cuestión. Esto no se presenta en la naturaleza, no es posible que un solo átomo vibre de manera
aislada puesto que al hacerlo ejerce fuerza sobre sus vecinos y hace que también vibren, como se
podría visualizar en un modelo de esferas unidas por resortes según se presenta en la figura 4.65.

Es evidente que debido a la asimetría de la curva de energía potencial, el espacio promedio deberá
acrecentar con un aumento en temperatura, la expansión térmica lineal o bien en una sola dirección,
resulta de un aumento en temperatura dT, puede expresarse con la ecuación:

dl
 dT 4.95
l
Donde l es la longitud a una temperatura determinada, dl es el cambio en longitud que se obtiene
de un cambio en temperatura dT y corresponde a una variación de la distancia interatómica da , y α
es el coeficiente lineal de expansión térmica (el cual es una función de temperatura). La expansión
térmica es generalmente isotrópica en cristales cúbicos, y un solo coeficiente lineal de expansión
térmica es adecuado para describir la expansión volumétrica (tres veces la expansión lineal), durante
un calentamiento. Sin embargo, en materiales con estructuras cristalinas diferentes a la cúbica, se
requieren de dos o tres coeficientes dependiendo de las direcciones cristalográficas.

De la fuerza de enlace en el material depende la temperatura de fusión, sublimación, su

comportamiento de expansión térmica y su comportamiento elástico. En la figura 4.68, se observa que
para enlaces fuertes, como son los iónicos y covalentes, es grande la profundidad de la curva de
energía potencial-distancia interatómica y corresponde a altas temperaturas de fusión y sublimación
ya que se requiere mayor cantidad de energía para separar a los átomos, además de pequeños
coeficientes de dilatación, en los metales varía su comportamiento de enlace fuerte a débil, ejemplos
extremos son el W y el Hg, mientras que los enlaces por fuerzas de VanDer-Wals son débiles y tienen
bajo punto de fusión y alto coeficiente de dilatación.

Expansión térmica anormal. El comportamiento de la expansión térmica es desigual en los sistemas

cristalinos diferentes al sistema cúbico. Un ejemplo del uranio, con estructura ortorrómbica, la cual es
altamente anisotrópica, tiene tres coeficientes lineales incluso uno negativo, los cuales son:
α1=33X10-6, α2=-6.5 X10-6 y α3=17 X 10-7. Otro caso anormal es el cambio discontinuo de α cuando
se tienen cambios alotrópicos. Caso especial es el hule cuyo coeficiente de expansión térmica es
negativo si soporta esfuerzos mecánicos, pero es positivo si está libre de ellos.

Para el análisis de la expansión se ha considerado únicamente la estruct ura cristalina teniendo en

cuenta solo las fuerzas electrostáticas existentes entre los átomos y los electrones que forman el
cristal. Para algunas finalidades es necesario, sin embargo, considerar los efectos resultantes del
momento magnético asociado a los átomos de algunos metales. Cualquier electrón de un átomo tiene

227
un momento magnético como consecuencia de su espín. En el caso de hierro, níquel, cobalto,
manganeso y gadolinio hay un electrón desapareado en el nivel 3s, y el átomo tiene un momento
magnético. Como consecuencia de la interacción de los momentos magnéticos tienden a alinearse los
espíns y los átomos ejercen fuerzas de origen magnético sobre los demás, a no ser que la agitación
térmica sea suficiente para destruir la alineación. La temperat ura a que esta destrucción ocurres es la
de Curie, a la cual se anulan los efectos ferromagnéticos externos. Un efecto de las fuerzas
magnéticas ejercidas entre los átomos es cambiar, en el caso del hierro, el espaciado interatómico, el
cual aumenta cuando los espíns se alinean, como consecuencia de la repulsión de polos magnéticos
iguales. Si la temperatura se eleva por encima de la de Curie, se producirá la expansión térmica
normal y, superpuesta a ella, una contracción debida a la desalineación de los e spíns causada por la
agitación térmica. La dilatación térmica resultante alrededor del punto de Curie puede ser positiva,
negativa o nula, según sea la composición de la aleación. Un ejemplo de esto es el metal INVAR.
(63% Fe, 36% Ni) sin embargo tiene un coeficiente de expansión constante en un amplio intervalo de
temperatura, que lo hace muy útil, para cuando se requiere mantener dimensiones constantes.

`
Enlace fuerte Enlace intermedio Enlace debil

Energia potencial V
Energia potencial V
Energia potencial V

a a a
ae
ae
` ae ` `

Figura 4.68 Dependencia de la temperatura de fusión y coeficien te de expansión térmica, relacionada

con la curva de energía potencial de Condon-Morse. A mayor profundidad mayor temperatura
de fusión, La expansión térmica está relacionada con el grado se simetría de la curva, al
incrementar la temperatura incrementa la energía potencial y la distancia interatómica ae.

4.4.3 Capacidad térmica de los sólidos.

La variación de la capacidad térmica específica, o simplemente capacidad térmica, con la temperatura

para varios elementos sólidos se indica en la figura 4.64. S e observa que las capacidades térmicas
son cero a 0 K, y para elementos como aluminio, cobre y plata, aumentan muy rápidamente al
elevarse la temperatura, acercándose a un valor de 3R=24.942 J/mol= 5.67 cal/mol, cerca de la
temperatura ambiente. Por otra parte, el carbono y el silicio muestran un incremento mucho más
gradual en su capacidad térmica al elevarse la temperatura y no alcanzan el valor de 3R hasta adquirir
temperaturas mucho mayores. De hecho, la capacidad térmica del carbono no llega a 3R sino hasta
temperaturas superiores a los 1573 K, también es necesario considerar que tanto el carbono como el
silicio tienen enlace covalente, mientras que los elementos los otros elementos considerados tienen
enlace metálico.

El primer estudio satisfactorio de la teoría de las capacidades térmicas de los sólidos monoatómicos
cristalinos fue realizado por Albert Einstein en 1907. Einstein señaló que los átomos que constituyen
un cristal se consideran como osciladores en movimiento armónico simple con respec to a su posición
media de equilibrio en el cristal. A cada sustancia se corresponde una frecuencia de vibración
constante, , y postuló que la absorción de energía por los osciladores no tienen lugar en forma

228
continua, sino de modo discontinuo acorde con la teoría cuántica de Planck. Con estas hipótesis
Einstein pudo demostrar que la capacidad térmica molar a volumen constante, C v, a una temperatura
T, debe darla un sólido cristalino monoatómico por la ecuación

2
dQ  hv  e hv KT
Cv   3KN 0   4.96
dT 
 KT  e hv KT  1
2

Donde N0 corresponde al número de Abogador, K la constante de Boltzmann (R/N 0), e la base de los
logaritmos naturales y h la constante de Planck, en tanto que θE, la temperatura característica de
Einstein, se define por:
hv
E  4.97
K
La ecuación 4.96 indica que C v es la misma función que θ/T para todos los sólidos monoatómicos.
Además esta ecuación indica que Cv se aproximará asintóticamente al valor 3R. En ambos aspectos
la ecuación concuerda en general con los hechos. En el intervalo intermedio, sin embargo, la ecuación
da valores de Cv inferiores a los observados en realidad. Esto concuerda con la ley empírica de
Dunlong y Petit, (1819) quienes predijeron que a temperaturas ordinarias los calores específicos por
mol son aproximadamente iguales para todos los materiales e igual a 3R.

Una teoría más acertada acerca de las capacidades térmicas de los sólidos es la debida a Peter
Debye (1912). Quien consideró que un sólido puede vibrar con una frecuencia que va desde cero
hasta un valor límite, m. Introduciendo ciertos principios de la teoría de elasticidad y empleando la
teoría cuántica, pudo deducir una ecuación para C v en función de la temperatura, la cual aunque más
complicada que la de Einstein, está en excelente acuerdo con la experimentación realizada para un
gran grupo de sólidos cristalinos, que incluyen no sólo los sólidos monoatómicos sino también
sustancias como cloruros, nitruros , etc. La teoría de Debye expresa a C v como una función de θD/T,
donde θD, que es la temperatura característica de Debye, se define por:

hvm
D  4.98
K
Esta teoría predice que C v será cero para T=0 K, y se aproximará al límite 3R a temperaturas
elevadas. Además, predice que a temperaturas muy bajas existe una relación lineal entre C v y T3:

 12 R 4  3
C v   3
T 4.99
 5 D 
Esta ecuación es conocida como la ley de la tercera potencia de Debye, ha sido verificada
experimentalmente para determinar las capacidades térmicas específicas de sólidos a temperaturas
inferiores a 20 K (figura 4.64).

El inconveniente de esta teoría es que sirve sólo para capacidades térmicas con valores hasta 3R. Sin
embargo, los metales alcalinos, alcanzan a temperaturas elevadas valores superiore s a tal límite. El
exceso de absorción de energía suele asignarse por lo general a los electrones cuyos
desplazamientos por medios térmicos no están considerados en la teoría de Debye.

Obsérvese en la ecuación 4.96 y 4.98, que excepto en el límite de alta temperatura, C v depende de la
frecuencia . Por lo tanto, es de esperarse que el calor específico varíe de uno a otro sólido, En
particular, la ecuación 4.96, se observa que cuando  tiene mayor valor, el calor específico es menor.
Esto se debe a que, al agregar la misma cantidad de calor a dos s ólidos y elevar sus temperaturas, los

229
átomos se deben excitar con mayor energía en el sólido que tiene frecuencia de vibración más alta, ya
que la distancia entre los niveles es más grande.

La dependencia del calor específico con respecto a la frecuencia es muy importante, ya que permite
observar los estados alotrópicos de los sólidos, siendo distintos los calores específicos de las
diferentes formas alotrópicas de una sustancia, como sus estructuras, difieren también las curvas de
Condon-Morse y esto es consecuencia de la frecuencia de vibración atómica. De acuerdo a la figura
4.67 se observa que si aumenta la pendiente de fuerza para a0, el mínimo de energía potencial
presenta mayor curvatura. Esto simplemente se expresa por la ecuación:

dF d 2V
 4.100
da da 2
Una pendiente de fuerza más alta da una frecuencia vibraciónal superior (esto equivale a que los
resortes que unen a los átomos se hagan más rígidos), lo cual a su vez produce un calor específico
inferior.

En el caso de los sólidos la variación del volumen en función de la presión es muy pequeña, por lo que
para fines prácticos es común sustituir los valores de las capacidades caloríficas a volumen constante
por las capacidades caloríficas a presión constante.
Relación entre dilatación térmica y temperatura de fusión. La temperatura absoluta de fusión es
4
proporcional al calor de fusión por átomo, el producto de estas es aproximadamente 2 x 10
KJ/gmolºC, la temperatura de fusión se alcanza cuando el valor de KT llega a tomar el va lor de alguna
fracción definida del calor latente de fusión.

El calor latente de fusión es proporcional al calor de vaporización, y este, a su vez, es el trabajo

suministrado al sistema para separar a los átomos de sus posiciones en el cristal y alejar los tanto que
desaparezcan las interacciones. Gráficamente corresponde al área bajo la curva Fuerza -distancia
interatómica de la figura 4.66 a, La dilatación térmica varía inversamente con la temperatura de fusión,
en la tabla 4.14, se dan algunos valores en metales. Salvo algunas excepciones, por cambios
alotrópicos hay concordancia razonable en los metales cúbicos de caras centradas.

4.4.4 Cambios alotrópicos de fase.

Algunos sólidos cambian de estructura cristalina al variar la temperatura, un ejemplo clásico de esto
es el hierro, el cual tiene estructura centrada en el cuerpo (Feα) hasta los 910 ºC, y a temperaturas
superiores cambia a cúbica de caras centradas (Fe), otro caso es el estaño, que de estructura
diamante (Snα) a temperaturas inferiores a los 13ºC al elevar la temperatura cambia a tetragonal
(Snβ). Estos cambios de formas alotrópicas son las diferentes fases del material sólido y la
transformación de una a otra es muy similar en los cambios de fase de fusión y vaporización. Por lo
general, se desprende calor latente cuando la fase de alta temperatura se enfría y atraviesa por la
temperatura de transición, por lo que el calor específico cambia de forma abrupta a la misma
temperatura. Sin embargo, resulta sorprendente que se produzca el cambio. S i el calor latente se
desprende cuando el hierro se enfría hasta 910 ºC, la forma cúbica centrada en el cuerpo a la cual se
transforma, tiene energía inferior y, según los principios propuestos, debe ser la forma más estable.
Esta diferencia de energía se ve reflejada en las curvas de Condon-Morse de energía potencial –
distancia interatómica para las dos estructuras, como se puede observar en la figura 4.69. El mínimo
más bajo de la curva del hierro α representa una energía inferior en el estado de equilibrio, cuando la
separación atómica es a0.

A cualquier temperaturas superior a 0 K, la energía promedio por átomo es superior al mínimo de la

curva de Condon-Morse, puesto que el sólido ha almacenado una cantidad de energía calorífica, que
se ha agregado desde 0 K hasta la temperatura T en cuestión y que depende del material, esta dada
por:

230
 T
H   C p dT 4.101
0

Donde Cp es la capacidad calorífica a presión constante, y como para cada sólido es diferente C p,
cada uno contiene distintas cantidades de energía térmica a la misma temperatura, lo que equivale a
decir cada sólido tiene su propia curva de Condon-Morse. Sin embargo, esto no explica el cambio de
fase en el hierro, a 910ºC, es necesario suministrar calor adicional al hierro α, calor latente de
transformación, para que cambie a la fase .
Energia potencial V

Fe  (fcc)
`

ao

Fe  (bcc)

ao

Figura 4.69 Curvas de Condon-Morse para el hierro α y el hierro .

4.4.5 Calor latente y calor específico.

Si dos fases tienen el mismo calor específico no ocurrirá ningún cambio, porque la distribución de los
niveles de energía será igual en ambas. La temperatura de transición normal, T t entre dos fases
depende de la distribución de los niveles de energía. El calor latente a esta temperatura depende de
los calores específicos de ambas fases. El calor latente es igual a la diferencia de energía total entre
las fases a Tt. Si la diferencia de energía, considerando la Entalpía como la medida del contenido
calorífico de una substancia, es ΔH0 a la temperatura del cero absoluto (la diferencia entre los
mínimos de las curvas de Condon-Morse respectivas) entonces la diferencia de energía ΔH a la
temperatura T t está dada por:

Tt Tt
H  H 0   C p dT   C p dT 4.102
0 0

En donde Cpα y Cpβ son los calores específicos a la temperatura T de las dos fases, por lo regular, el
Cp de la fase de alta temperatura () no puede medirse a temperaturas inferiores a T t, pero se puede
calcular teóricamente según ecuación 4.96 y 4.98.

Considerando que por convención la entalpía de elementos puros a 298 K es igual a cero (H 298k=0), se
puede calcular el contenido calorífica a cualquier temperatura, teniendo C p como función de la
temperatura según la ecuación empírica:

C p  a  bT  cT 2  dT 2 4.103

231
 Tabla 4.14 Relación entre punto de fusión y dilatación térmica a 25ºC

Coeficiente Calor latente

Temperatura Calor latente α X 102
lineal de de fusión X
Estructura Metal de fusión de fusión Temperatura
expansión α X 104
K 6 -1 KJ/gmol de fusión
α X 10 K KJ/gmolºC
FCC Cu 1356 16.6 13,0129 2,16 2,25
Ag 1233 19 11,9459 2,27 2,34
Au 1336 14.2 12,6781 1,80 1,90
Pt 2042 9 21,7578 1,96 1,84
Ir 2727 6 27,6157 1,66 1,64
Rh 2239 8 21,7578 1,74 1,79
Pd 1825 11.8 17,2389 2,03 2,15
Al 933 25 10,7534 2,69 2,33
Ni 1726 13 17,6155 2,29 2,24
Caº 1111 22 9,2052 2,03 2,44
Pb 600 29 4,7742 1,38 1,74
Th 2023 12 19,2473 2,31 2,43

HC Cd 594 30 6,1089 1,83 1,78

(35) 15.0,
Zn 692 6,6738 2,34 2,42
61.8
Mg 923 25 9,2052 2,30 2,31
Be 1550 12 9,7701 1,17 1,86
Co 1768 12 15,4815 1,86 2,12
Os 3373 5 26,7789 1,34 1,69
Teº 722 11 17,9084 1,97 0,79
Tiº 1941 8.5 19,2473 1,64 1,65
Zrº 2125 5 20,5026 1,03 1,06

BCC Li 453 56 2,8871 1,62 2,54

Na 371 70 2,6360 1,85 2,60
K 336 83 2,3327 1,94 2,79
Rb 312 90 2,1967 1,98 2,81
Cs 302 97 2,0921 2,03 2,93
V 2173 8 16,7368 1,34 1,74
Cr 2148 6 14,6447 0,88 1,29
Feº 1809 12 16,1510 1,94 2,17
Nb, Cb 2741 7 24,2683 1,70 1,92
Mo 2883 5 24,2683 1,21 1,44
Ta 3269 6.5 31,3815 2,04 2,12
Wº 3683 4.5 35,2309 1,59 1,66

Otras Sb 903 9 20,0841 1,81 0,81

Bi 544 13 11,0044 1,43 0,71
Ga 303 18 5,5859 1,01 0,55
In 429 33 3,2428 1,07 1,42
Sn 505 20 7,0713 1,41 1,01
Mnº 1518 22 14,6447 3,22 3,34
º Indica cambio alotrópico entre temperatura ambiente y la de fusión.

232
 Tabla 4.15 Constantes para el cálculo de capacidad calorífica

Temperatura Calor de
Elemento Fase de transición transformación a b X 103 c X 106 d X 10-5
(K) Kcal/gmol
Ag s 1090 2.855 5.09 1.02 - 0.36
l 2485 60.72 7.30 - - -
Al s 931.7 2.57 4.94 2.96 - -
l 2600 67.9 7.0 -
Au s 1336.16 3.03 6.14 -0.175 0.92 -
l 2933 74.21 7.00 - - -
Ba sα 648 0.14 5.55 1.50 - -
sβ 977 1.83 5.55 1.50 - -
l 1911 35.665 7.4 - - -
Ca sα 723 0.24 5.24 3.50 - -
sβ 1123 2.2 6.29 1.40 - -
l 1755 38.6 7.4 - - -
Co sα 723 0.005 4.72 4.30 - -
sβ 1398 0.095 3.30 5.86 - -
Sγ 1766 3.7 9.60 - - -
l 3370 93 8.30 - - -
Cr s 2173 3.5 5.35 2.36 - -0.44
l 2495 72.97 9.40 - - -
Cu s 1356 3.11 5.41 1.50 - -
l 2868 72.8 7.50 - - -
Fe sα 1033 0.410 3.37 7.10 - 0.43
sβ 1180 0.217 10.40 - - -
sγ 1673 0.15 4.85 3 - -
sδ 1808 3.86 10.30 - - -
Va s 2003 4.0 5.57 0.97 - -
l 3800 - 8.6 - - -
W s 3650 8.42 5.74 0.76 - -

Así, para determinar el contenido calorífico para una fase de alta temperatura, partiendo desde 298 K,
con un cambio alotrópico se tendría:

T   T2
H T 2  H 298 K  
298 K
a  
 b T  c T 2  d  T  2  H     
T  
a   b T  c  T 2  d  T  2 
4.104

la variación del contenido térmico sigue el comportamiento del siguiente gráfico (figura 4.70). Los
valores de las constantes a, b, c y d, y el valor del calor latente de transformación ΔHα→β se toman de
tablas (se presentan valores para algunos elementos en la tabla 4.15).

233
 H2

H
Contenido calorifico H
`

298 K T T2
Temperatura absoluta

Figura 4.70 Representación gráfica de la variación del contenido calorífico de un elemento puro con un
cambio de fase α→β

V= volumen μ0 = permeabilidad magnética en el vació

m= masa del átomo μm = permeabilidad magnética del material
n’ = número de átomos h = Constante de plank
l = longitud m = Masa del electrón
f = fuerza n’ = N/2V número de estados cuánticos
A = área ocupados, por unidad de volumen
P = presión N (E) = Densidad de estados
u = velocidad de los átomos N = número de electrones
ρ = densidad n = número de electrones de conducción por
K = constante de Boltzmann = (R/N 0)=1.38 X unidad de volumen (m -3)
1023 Joules/K v = velocidad de los electrones de conducción
E = Energía cinética q = carga del electrón = 1.6 x 10 -19 C (coulomb)
R = constante de los gases ideales= 8.314 l = camino libre medio de un electrón
J/mol K = 1.987 Cal/mol K I = corriente en Ameres ( 1 A 0 1 C/s)
ρ = densidad R = resistencia en ohms (Ω)
V = Energía potencial V = voltaje en volts
N0 = número de Abogadro Μ = movilidad (m2/Vs)
N = número de moles K = constante de Boltzmann (13.8 X 10 -24 J/K)
h = constante de Planck ρr = resistividad residual
θE = temperatura característica de Einstein ρT = resistividad a una temperatura dada
Cp = Capacidad calorífica a presión constante α = coeficiente térmico de resistividad
Cv = Capacidad calorífica a volumen constante T0= Temperatura ambiente K
T = temperatura absoluta T = Temperatura
H = Entalpía = contenido calorífico = contenido X = concentración, fracción molar
térmico. A = constante
r = radio medio de la orbita de un electrón en J = densidad de corriente = (A/m2)
torno al núcleo σ = conductividad
β = magnetón de Bohr σe = conductividad electrónica
n = número de vueltas (m) c = velocidad de la luz en el vacío = 3 X 10 8
I = Intensidad (A) m/s
H = Intensidad de campo magnético (amperes h = constante de Planck = 6.62 X 10 -34 J s
vuelta / metro) = A/m = 4.14 X 10-15 eV s
 = susceptibilidad magnética eV = 1.6 X 10-19J
μ = momento magnético

234
CUESTIONARIO.

1. Investigue a través de los siglos desde cuando se conocían los fenómenos magnéticos, y las
aplicaciones que tuvieron, antes de la interpretación científica del fenómeno.
2. De algunos ejemplos de la aplicación de los imanes permanentes duros y de los imanes suaves
o blandos.
3. ¿Cual es el origen de los fenómenos magnéticos?
4. ¿En qué consisten las alteraciones sufridas por los materiales bajo la acción de un campo
magnético?
5. ¿Porque los diferentes materiales responden distintamente ante un campo magnético?
6. ¿Por qué solo el Fe, Ni y Co presentan propiedades magnéticas fuertes?
7. ¿Por qué unos materiales pueden tener momento magnético permanente mientras que otros
tienen alta permeabilidad?
8. ¿Que es una pared de Bloch y cual es su trascendencia?
9. Investigar la técnica de Bitter, para observar los límites de dominio, paredes de Bloch, en el
microscopio óptico.
10. ¿Que información se puede obtener de un circuito de histéresis magnética?
11. ¿Qué es un dominio?
12. Representar en un diagrama las direcciones de fácil y difícil imanación en materiales
ferrimagnéticos bcc y fcc que han sido laminados, haciendo referencia a la orientación más
adecuada.
13. Dar ejemplos de materiales magnéticos blandos y su aplicación.
14. Dar ejemplos de materiales magnéticos duros y su aplicación.
15. ¿Cuál es la importancia del desarrollo de materiales magnéticos en el desarrollo de los sistemas
de cómputo?
16. Investigar los materiales que se utilizan en motores, transformadores, generadores eléctricos y
su comportamiento.
17. Investigar los vidrios metálicos utilizados en imanes blandos, su comportamiento y ventajas
sobre los metales cristalinos.
18. Investigar los diferentes materiales utilizados en cintas magnéticas.
19. Hacer un diagrama de flujo que seguiría en la selección de un mat erial magnético dependiendo
de tres aplicaciones posibles.
20. Investigar Bordes de absorción.
21. Representar esquemáticamente un espectro de absorción.
22. Enumere y explique los procesos por los cuales puede absorber energía óptica un material.
23. ¿Mediante que procesos puede absorber energía de rayos yXun material?
24. ¿Cual es la limitante para que se puedan absorber las diversas longitudes de onda por un
material semiconductor y un metálico?
25. ¿Porque los materiales poliméricos pueden ser transparentes u opacos?
26. ¿Cuales son las semejanzas y diferencias entre las propiedades ópticas de los materiales y el
comportamiento que guardan estos con los rayos X?
27. ¿A que se debe que los metales sean opacos a casi todo el espectro electromagnético?
28. ¿En que se basan los análisis que se realizan con un espectrofluorímetro?
29. ¿Por qué al hacer pasar un haz de luz blanca por un prisma se genera su descomposición en
los diferentes colores que la forman?
30. Una aplicación de la luminiscencia son las lámparas fluorescentes, investigar s u
comportamiento.
31. Una variación de luminiscencia es la cátodoluminiscencia, una aplicación es el microscopio
electrónico, otra los tubos de rayos catódicos, y las pantallas de televisión en color, ¿cual es la
base en común en su funcionamiento de la cual parten?
32. Defina haz de radiación monocromático.
33. Con base en la refracción y dispersión, diseñe un monocromador.

235
34. Investigar los tipos de láser usados en el área médica.
35. Investigar las propiedades de las fibras ópticas.
36. Investigar el proceso de obtención de las fibras ópticas.
37. ¿Qué fenómenos se producen al incrementar la temperatura de un sistema sólido?
38. ¿Por qué las substancias almacenan energía calorífica en cantidad diferente?
39. Determinar el contenido calorífico del hierro bajo condiciones de equilibr io a 1380 K.
40. Determinar el contenido calorífico del Vanadio a 1800 K.
41. ¿Cual es la cantidad de calor que se requiere para elevar la temperatura de un mol de aluminio
desde 400 K hasta 1100 K?
42. Si se tiene un mol de hierro a 2000 K y se adiciona 0.1 mol de cromo, el cual se encuentra a
temperatura ambiente ¿cuál será la temperatura resultante cuando estén en equilibrio térmico?
43. Definir calor específico y capacidad térmica

BIBLIOGRAFÍA.

Raymond Chang, Williams College, Química, Sexta Edición, McGraw-Hill, 2001.

Modesto Bargalló, Tratado de Química Inorgánica, Editorial Porrúa, S.A., México, D.F., 1962.

William G. Moffatt, Georga W. Pearsall, John Wulff, Ciencia I de los Materiales, ESTRUCTURA,
Editorial Limusa-Willey, S.A., México, 1986.

Robert M. Rose, Lawrence A. Shepart, John Wulff, Ciencia IV de los materiales, propiedades
ELECTRÓNICAS, Editorial Limusa-Willey, S.A., México, 1986.

H.E. Hall, Física del Estado Sólido, Editorial Limusa, México 1978.

William F. Smith, Fundamento de la Ciencia e Inge niería de Materiales, Tercera edición, McGrawhill,
1998

P.V. Pavlov, A.F. Jojlov, Física del estado sólido, Editorial MIR Moscu, 1987

Peter A. Thornton, Vito J. Colangelo, Ciencia de materiales para ingeniería. Prentice-Hall, Inc. 1987.

James F. Shackelford, Ciencia de Materiales para Ingenieros, Tercera Edición, Prentice Hall
Hipanoamericana, S.A. 1995.

Donald R. Askeland, Ciencia e Ingeniería de los materiales, Tercera edición, International Thomson
Editores.

David R. Gaskell, Introduction To Metallurgical Thermodynamics, McGraw-hill, 1973.

J.P. McKelvey, Física del Estado Sólido y de Semiconductores, Editorial Limusa, 1991.

John D. Verhoeven, Fundamentos de Metalurgia Física, Editorial Limusa, 1987.

Bruce Chalmers, Metalurgia Física, Ed. Aguilar, 1968.

Lawrence H. Van Vlack, Materials Science for Engineers, Eddison Wesley Publishing Company. 1973.

Departamento de Física de Materiales, Equipos Básicos para el estudio de Materiales, Universidad

Autónoma, Madrid. Instituto de Ciencias de Materiales, C.S.I.C. Madrid.

Robert E. Reed-Hill, Principios de Metalurgia Física, Segunda Edición, C.E.C.S.A., 1979.

236
Harvey E. White, Ph. D., Sc. D., Física Moderna, UTEHA, 1967

Avner Sydney H. INTRODUCCIÓN A LA METALURGIA FÍSICA. Mc.Graw Hill.

J.M.Albella, A.M. Cintas, T. Miranda, J.M. Serratosa, Introducción a la ciencia de materiales,

Técnicas de preparación y caracterización, Textos Universitarios, Consejo superior de
Investigaciones Científicas.

I, Bunget and M. Popescu, Physics of solids dielectrics, Elsivier 1984.

J.M. Albella y J.M. Martínez Cuart, Dísica de dieléctricos, Marcombo 1984

R. Coelho, Physics of dielectrics, Elsivier, 1979

L. Rosado, Electrónica Física y Microelectrónica, Paraninfo 1987.

R.J. Smith, Electronics, Wiley, 1980

J.M. Cabrera y F.J. López ,Óptica electromagnética, Ed. Dpto. Física Aplicada C. IV, UAM.

J.M. Albella-A.M. Cintas, T.Miranda-J.M. Serratosa, Coordinadores, Introducción a la ciencia de

Materiales, Técnicas de preparación y caracterización, Consejo Superior de Investigaciones
Científicas, UAM. P 335.

Donald R. Askeland, Ciencia e Ingeniería de los Materiales, Tercera edición, International Thomson
Editores, 1999, P 649

William F. Smith, Fundamentos de la Ciencia e Ingeniería de Materiales, Tercera edició n, McGraw Hill
1998, p 261

Robert C. Weast, Ph. D., Handbook of Chemistry and Physics, The chemical Rubber Co. p. B-63, E-
199, E-207.

Harvey E. White, Ph. D., Sc. D. Física Moderna, Unión tipográfica Editorial Hispano Americana, 1967,
p. 325, 335.

Robert C. Weast, Ph. D., Handbook of Chemistry and Physics, The Chemical Rubber Co. 52nd Edition
1971-1972, p D-55

Samuel H. Maron, Jerome B. Lando, Fisicoquímica Fundamental, LIMUSA, 1978, P 116, 308, 347

David R. Gaskell, Introduction To metallurgical Thermocynamics, McGraw-Hill 1973 p 114, 498

Bruce Chalmers, Physical Metallurgy, John Wiley & Sons, 1959 Cap. III

Peter A. Thornton/Vito J. Colangelo, Ciencia de Materiales para ingeniería, Prentice -Hall

Hispanoamericana, S.A., 1985. p 25

237