LAS SPES SE PUEDEN ENCONTRAR EN NUMEROSOS SISTEMAS DE

MATERIALES.
Para los materiales tridimensionales, los ejemplos más destacados
comprenden defectos atómicos fluorescentes, los denominados centros de
color y puntos cuánticos semiconductores.
Recientemente, se descubrió que los materiales bidimensionales también
pueden albergar SPEs, donde los SPEs inducidos por tensión aparecen
aleatoriamente cerca de bordes o arrugas, como se informó por primera vez
para monocapas de dicalcogenuros de metal de transición (TMDC) como
WSe2 (diselenio de tungsteno) .
¿CÓMO SE GENERA O DEMUESTRA LAS SPES?
Las SPE inducidas por deformaciones deterministas en TMDC podrían
demostrarse a través de entornos con nanopatrones incluso dentro de matrices
a gran escala. Las SPEs también se demostraron en grupos de selenio, en el
que las deformaciones a través de los grupos de Se formados durante el
proceso de crecimiento pueden causar tensión y, a su vez, el potencial de
confinamiento local resultante atrapa los excitones. En el nitruro de boro
hexagonal (hBN), se observa emisión de fotón único hasta temperatura
ambiente. Aquí, las SPEs se pueden generar mediante irradiación. Sin
embargo, la posición espacial de tales SPEs es aleatoria o semi-determinista
con una variación bastante amplia de energías de emisión.
Las SPEs se pueden generar en monocapas de MoS2 con precisión de 9 nm a
través de la irradiación con un haz de iones de He enfocado. Para generar
SPEs ópticas de alta calidad, la monocapa de MoS2 está encapsulada en la
capa superior e inferior de hBN (nitrato de boro hexagonal) de 10 nm de
espesor.
La encapsulación reduce el impacto de los gases ambientales y el sustrato de
SiO2 / Si, por ejemplo, por dopaje y rugosidad de la superficie, y reduce el
efecto de los residuos de la nanofabricación.

CARACTERÍSTICAS DE LOS SPES

Todos los sistemas descritos exhiben sus propias características y propiedades

ventajosas de relevancia tecnológica ya que diferentes las aplicaciones tienen
requisitos específicos. Como consecuencia, se están realizando grandes
esfuerzos para investigar los sistemas SPE. Un SPE ideal emite monofotones
bajo demanda con alta pureza, así como alto brillo y estabilidad. Además, debe
colocarse con precisión y los fotones individuales emitidos deben ser
indistinguibles con una distribución de conjunto estrecha de energías de
emisión.
En esta perspectiva, discutimos un sistema SPE recientemente establecido, es
decir, un solo defecto atomístico en monocapa MoS2, como un escalable
enfoque para definir SPEs con una precisión de posición de aproximadamente
9 nm.
¿QUÉ PODEMOS SABER DE LOS DEFECTOS ATOMÍSTICOS?
Debido a las ventajas del método de fabricación de un patrón sin máscara (con
un haz de iones de He enfocado) y sus características beneficiosas, los
defectos presentados son candidatos interesantes para ser integrados en
dispositivos fotónicos y optoelectrónicos. También se destaca los avances
recientes en la generación escalable de tales defectos atomísticos en
monocapa MoS2 y discutimos las características ópticas de la emisión de
fotones, que es estable en el tiempo durante varias semanas. Además,
demostramos que los ciclos de temperatura reducen la distribución de energía
de emisión de los conjuntos.
Figura (1a ) Emisores de fotón único nanofabricados en una monocapa de
MoS2. (a) Esquema de generación de defectos atomísticos en un heterostack
de hBN / MoS2 / hBN utilizando un haz de iones de He enfocado y posicionado
en un microscopio de iones de He (HIM). (b) Espectro de fotoluminiscencia a
baja temperatura de un defecto que actúa como un emisor de fotón único
(SPE).
Figura (1ª) Imagen de microscopio de un heterostack (línea blanca) con puntos
rojos que resaltan la posición de la irradiación de iones de He. (1) - (7) Mapas
PL de la muestra tomada después de uno (1) a siete (7) ciclos de enfriamiento
desde temperatura ambiente hasta Tbath¼10 K para el área marcada en rojo
en la imagen del microscopio. (b) y (c) Espectros PL del emisor defectuoso en
las posiciones A y B que se muestran para los ciclos de enfriamiento (1) - (7) y
los días de tiempo de laboratorio dados