Elementos de sistemas de telecomunicaciones 1º STI

PRÁCTICA Nº 6
ESTUDIO DEL TRANSISTOR: ZONAS DE TRABAJO
©PREL6--Trans-zonas.doc
OBJETIVOS:
 Comprobar el funcionamiento del transistor, analizando su comportamiento en la zona activa,
corte y saturación.
CONTENIDOS:
 Zonas de funcionamiento del transistor. Diferencias básicas entre ellas.
 Amplificación de tensión y corriente del transistor. El factor .
PROCESO OPERATIVO:
Vcc = 12 V.
Montar el circuito de la figura.
Alimentarlo con 12 V. Rc = 470 Ω
A. Transistor en saturación.- Rb = 4K7
 Poner el potenciómetro al P = 200 K
mínimo. Medir tensión entre Transistor: BC 547
los electrodos del transistor.
Medir también la corriente
de base y de colector. Anotar
los resultados en la tabla.
 Cambiar Rb por otra de 33K y repetir las medidas. Anotar los resultados y razonar la zona de
trabajo del transistor.
B. Transistor en zona activa.-
 Volver a realizar todas las medidas con el potenciómetro a 1/3, 2/3 y 3/3 de su valor.
Completar la tabla.
 Con los resultados obtenidos, calcula la β del circuito.
C. Transistor en corte.-
 Sustituir el potenciómetro por una resistencia de 3M3 y volver a realizar
las medidas. Anotar resultados en la tabla.
Saturación Saturación Activa 1 Activa 2 Activa 3 Corte
VBE (V)
VCE (V)
Ic (mA)
IB (mA)
β ...... ...... ......
D. Circuitos de aplicación
 Montar y comprobar los circuitos de aplicación corte-saturación que aparecen en los
apuntes.