El Dopado de Semiconductores

La adición de un pequeño porcentaje de átomos extraños en la red cristalina regular de silicio o germanio,

produce unos cambios espectaculares en sus propiedades eléctricas, dando lugar a los semiconductores de tipo
n y tipo p.
Impurezas pentavalentes
Los átomos de impurezas con 5 electrones de valencia, producen semiconductores de tipo n, por la contribución
de electrones extras.

Semiconductor Tipo N

La adición de impurezas pentavalentes como el antimonio,

arséniso, o fósforo, aportan electrones libres, aumentando
considerablemente la conductividad del
El fósforo se puede añadir por difusión del gas fosfina (PH
Impurezas trivalentes
Los átomos de impurezas con 3 electrones de valencia, producen semiconductores de tipo p, por la producción
de un "hueco" o deficiencia de electrón.

Semiconductores Tipos P y N

Semiconductor Tipo P
Bandas en Semiconductores Dopados
La aplicación de la teoríatrivalentes
adición de impurezas de bandas atales
los como
semiconductores de tipo
boro, aluminio, n y tipo
o galio a p muestra que los
niveles adicionalesintrínseco,
un semiconductor se han añadido
creanpor lasdeficiencias
unas impurezas. deEnelectrones
el materialdede tipo n hay electrones con
niveles dellamadas
valencia, energía cerca de la Lo
"huecos". parte superior
normal de laelbanda
es usar prohibida,
gas diborano B2Hde6, modo que pueden ser
fácilmente excitados
para difundir el boro hacia la banda de
en el material de silicio.
conducción. En el material de tipo p, los huecos adicionales
en la banda prohibida, permiten la excitación de los electrones de la banda de valencia, dejando
huecos móviles en la banda de valencia.