Consulta N⁰ 2

Nombre: José Cruz Cando

ROM (Memoria de solo lectura)

Este tipo de memoria es de tipo físico, como su nombre ya lo describe maneja información que
solo se puede leer, es decir el usuario solo puede visualizar este tipo de información sin acceso a
ser modificada, otra característica de este tipo de memorias es que su estructura está compuesta
por celdas no volátiles, que en términos sencillos no necesitan energía para mantener información
guardada, con la utilidad de almacenar información permanente o que no cambie con frecuencia.
EPROM (Memoria de solo lectura borrable programable)

Esta memoria permite que la información ser borrada y volver a grabar varias veces, para grabar
datos tiene un pin especial entre 10-25 volts en alrededor de 50 ms, con esto direccionando la
memoria y la información a la entrada de datos, internamente este tipo de memorias esta
compuestas por arreglos de transistores MOSFET de canales aislados, el transistor equivale a una
celda de memoria, el mismo que en un estado apagado tiene un valor de (1) lógicos y al recibir
energía su estado cambia a (0) lógico, así puede mantener información sin necesidad de energía,
para borrar información se da por la exposición de rayos ultravioletas de 10-30 minutos, se da
mediante un circuito integrado con ventana de cuarzo translucido que envía los rayos ultravioletas
a los transistores restableciendo en (1) lógico.
EEPROM (Memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente)

Están compuestas por transistores de MOS Y MNOS, a diferencias de las EPROM están aisladas
en sus compuertas flotantes y no son fotosensibles, la programación se da en las compuertas
asiladas de los MOSFET de transistores aplicando 21 volts [1], para el borrado de información se
aplica tensiones negativas en las compuertas liberado la energía almacenada, las características
principales de estas memorias son:

• Borra información individualmente

• No necesitan programador
• Se puede rescribir al menso 100 veces sin problemas
Memoria Flash

Se pueden grabar y borrar datos eléctricamente, con la diferencia de las EEPROM y demás que
tiene una capacidad alta para alojar información, se puede decir que puede tener alta capacidad a
menor costo frente a los otros tipos de memorias[1]. Las celdas de memoria son transistores MOS
apilada (control/aislada), similar a la EPROM al recibir una carga eléctrica en la compuerta
aislada guarda un (0) lógico y viceversa un (1) lógico.
La lectura y borrado de información en este tipo de memoria son más rápidas, para su
programación se aplica 12-12,75 volts en las compuertas de control, para borrar información se
aplica tensión negativa que desplazan las cargas por medio de las compuertas aisladas d ellos
transistores.
Referencia
[1] E. Géne, “Introducción a la electrónica digital Esteve Gené Pujols 25 horas.” Catalunya,
pp. 23–40, 2015.