Universidad Politécnica Salesiana

Electrónica Industrial – P59

Nombre: Jhonny Toapanta

Deber: Capitulo 1- Primera parte

Enlace covalente y materiales intrínsecos

1. Bosqueje la estructura atómica del cobre y explique por que es un buen

conductor y en que forma su estructura es diferente de la del germanio y
el arseniuro de galio

¿Porque es un buen conductor? Es mas facil para moverse a un electron

Porque cada atomo de cobre que ha perdidio el electrón y se convierte en un
ión positivo tambien que contiene mayor o menor medida tambien conduce el
calor y la electricidad.

La estructura atómica del germanio, silicio y arseniuro de galio tienen más de

un electrón en su capa de valencia

2. Con sus propias palabras defina un material intrinseco coeficiente de

temperatura negativa y enlace covalente

Intrínseco: Es aquel que está formado por un solo tipo de átomo. También es
un
Material semiconductor que haya sido refinado cuidadosamente para
logrartener un menor número de impurezas,

Coeficiente de temperatura negativo: Su resistencia disminuye con un

aumento de la temperatura.Todo material semiconductor tiene un coeficientede
temperatura negativo ya que presentan una conductividad con el nivel de calor.

Enlace covalente: Se refiere a como están enlazados los átomos entre sí para
formar una estructura cristalina.

3. Consulte su biblioteca de referencia y haga una lista de 3 materiales que

tenga un coeficiente de temperatura negativo y de tres que tenga un
coeficiente de temperatura positivo

Coeficiente negativa.
Material Temperatura
Carbón -0.5 x 10^-3
Germanio -4.8 x 10^-2
 Silicio -75 x 10^-3

Coeficiente positiva.
Material Temperatura
Cobre 3.93 x 10^-3
Aluminio 4.07 x 10^-3
Plata 3.8 x 10^-3

Niveles de Energia

4. ¿ Cuánta energía en joules se requiere para mover una carga de 6 C a

través de una diferencia de potencial de 3 V?

5. Si se requiere 48 eV de energia para mover una carga a través de una

diferencia de potencial de 12 V. determine la carga implicada

6. Consulte su biblioteca de referencia y determine el nivel de Eg para GaP

y ZnS dos materiales semiconductores de valor practico ademas
determine el nombre escrito para cada material

GaP: fosfuro de galio Nivel de Eg: 2.24 eV

ZnS: sulfuro de zinc Nivel de Eg: 3.67 eV

Materiales extrínsecos: materiales tip N y tipo P

7. Describa la diferencia entre materiales semiconductores tipo (n) y topo

(p)

El material tipo n: aumenta la conductividad de un semiconductor mediante de

aumentos de números de electrones disponibles. Tiene un exceso de
electrones para de conducción con átomos donadores para establecer un
enlace covalente.
El material tipo p: Aumenta la conductividad al aumentar el numero de
orificios presentes. También está formado por un material intrínseco con
átomos que tiene un número insuficiente de electrones.

8. Describa la diferencia entre impurezas de donadores y aceptores

• Las impurezas de donadores son difundidas con cinco electrones de

valencia, mientras que las impurezas de aceptores son difundidas con
tres electrones de valencia.

• Un donante de electrones es un átomo dopante que, cuando se agrega

a un semiconductor, puede formar un semiconductor de tipo n. Un
aceptor de electrones es un átomo dopante que, cuando se agrega a un
semiconductor, puede formar un semiconductor de tipo p

9. Describa la diferencia entre portadores mayoritarios y minoritarios

En un tipo del material del electrón se llama portador mayoritario y el hueco

sobrante que queda se llama portador minoritario en un material tipo P
A continuación, un ejemplo;

10. Bosqueje la estructura atómica del silicio e inserte una impureza de

arsénico como se demostró para el silicio
 Electrón libre

Impureza de arsénico

11. Repita el problema 4 pero ahora inserte una impureza de indio

IMPUREZA DE
INDIO

hueco

12. Consulte su biblioteca de referencia y busque otra explicación del flujo

de huecos contra el de electrones. Con ambas descripciones, describa
con sus propias palabras el proceso de conducción de huecos.

el flujo de huecos sería una energía exterior al cristal a la que obliga a que el
electrón abandone su enlace y deje huecos de la misma manera Al estar una
temperatura por encima del cero absoluto habrá electrones que están
enlazados causando y entra a la banda de conducción donde podrán producir
corriente al cruzar el electrónico deja un puesto vacante o hueco en la
estructura cristalina del silicio tanto el electrónico como el hueco pueden
moverse a través del material

DIODO:

13. Describa cómo recordará los estados de polarización en directa y en

inversa del diodo de unión p-n. Es decir, ¿cómo recordará cual potencial
(positivo o negativo) se aplica a cuál terminal?

diodo de unión p-n esté en polarización directa debemos conectado al material

tipo (n) y el negativo conectado al tipo (p) material tipo n se incrementará para
la gran cantidad de electrones libre atraídos por el voltaje aplicado

14. Determine la corriente en el diodo a 20°C para un diodo de silicio con 𝐼𝑠

= 50 𝜂𝐴 y una polarización en directa aplicada de 0.6 V.

15. Repita el problema 2 con 𝑇 = 100°𝐶 (punto de ebullición del agua).

Suponga que 𝐼𝑠 se ha incrementado a 50 𝜇𝐴.

16. Determine la corriente a 20°C en un diodo de silicio con 𝐼𝑠 = 0.1𝜇𝐴 con

un potencial de polarización en inversa de -10 V. ¿Es el resultado
esperado?, ¿por qué?
Si es el resultado esperado dado que al ser un diodo en inversa se considera
cercana a 0