UNIVERSIDAD RICARDO PALMA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA MECATRÓNICA

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

NOTA

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

EXPERIENCIA N°7

CURSO: CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

PROFESOR: ING. JAVIER RIVAS LEÓN

GRUPO: 01

INTEGRANTES:
1.

2.

SANTIAGO DE SURCO, 2021

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SETIMO LABORATORIO INGENIERÍA MECATRÓNICA

Transistores de Efecto de Campo

COMPETENCIAS:

 Verificar prácticamente el punto de operación de corriente continua.

 Obtener las ganancias de tensión, corriente y potencia de un amplificador
fuente común.
 Analizar y comprobar el funcionamiento de una fuente de corriente con
transistor de efecto de campo.
 Analizar el funcionamiento del transistor de efecto de campo fuera de la
zona lineal.

EQUIPOS Y MATERIALES:
- Multímetro digital
- Fuente de alimentación DC digital
- 01 Resistencia de 1 KΩ (1/2W),
- 01 Resistencia de 10 KΩ (1/2W),
- 01 potenciómetro de 10 KΩ
- 01 FET 2N3819
- 01 MOSFET 2N7000
- Tablero de conexión
- Alicate

ENTREGA DE INFORMES:
Siguiente sesión luego de terminada la experiencia.

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SETIMO LABORATORIO INGENIERÍA MECATRÓNICA

ETAPA EXPERIMENTAL:

I. Circuitos Amplificadores con JFET

I.1. Circuito 01. Fuente de corriente utilizando un transistor de efecto de campo

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Calibrar la tensión de la fuente de alimentación de continua a 12 voltios y variar

solamente el valor del potenciómetro, midiendo los valores de la corriente de drenador
y la tensión drenador-surtidor.

RV1 100 1K 2K 5K 6K 7K 8K
(ohm)
ID
VDS

a) Tomar nota del valor de RL (RV1) y de la tensión drenador-surtidor para las

cuales la corriente de drenador deja de ser constante.

b) Explicar el principio de funcionamiento del circuito utilizado.

I.2. Circuito 02. Resistencia controlada por tensión utilizando un transistor de efecto
de campo. Vs = 100 mVp, F = 5 KHz

a) Polarizar la compuerta del transistor con una señal negativa de nivel bajo (del
orden del voltio).

b) Aplicar una pequeña señal senoidal en la entrada (Vs) del circuito. Observar la
amplitud de la tensión alterna para diferentes valores de RL.

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RL 100 1K 2K 3K 5K 6K 7K 8K
(ohm)
VGS
VDS

I.3. Circuito 03. Amplificador en configuración fuente común

Mediante la simulación virtual del circuito, llene la tabla y obtenga el punto de

polarización del amplificador.
Vs = 100 mVp, F = 5 KHz

Medidas Valor simulación

VDSQ (drenador-fuente)
VRD (resistencia drenador)
VGSQ (compuerta-fuente)
IDQ (drenador)

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a) Ajustar la amplitud de la señal de entrada hasta que no haya distorsión en la

tensión de salida.

b) Medir los valores de estas tensiones y dibujar en un mismo gráfico las formas de
onda de entrada y de salida, respetando el desfasaje si lo hubiese.
c) Calcular las ganancias de tensión según las expresiones siguientes:

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II. Circuitos con MOSFET

II.1. Polarización del MOSFET

Vcc = 20V
V1 = 4.5V

a) Mida los valores de corriente a través del diodo Id y V DS, para las condiciones dadas en el
cuadro:

Medidas V1 = 0V V1 = 4.5
Id (mA)
VDS (V)

b) Describa la operación del MOSFET para cada nivel de entrada.

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c) Armar el circuito con relay de 24V

Vcc = 24V
V1 = 4.5V
V2 = 12V

d) Describa detalladamente la operación del circuito.

e) Indique ¿qué aplicaciones puede darle al circuito?

II.2. Utilización del MOSFET para controlar un motor

a) Dado el circuito, llene los datos de la tabla con los valores correspondientes:

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Medidas Vin = 0V Vin = 4.5

VDS (Mosfet N)
I(motor)
IG (Mosfet N)
IS (Mosfet N)

b) Indique el sentido de las corrientes para cada valor de Vin.

II.3. Accionamiento de motor con MOSFET y opto acoplador.

a) Arme el circuito, y explique detalladamente su operación.

b) Muestre la simulación respectiva.

CUESTIONARIO

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1. Realizar un breve análisis de los resultados obtenidos en cada uno de los

circuitos implementados.

2. Explicar el principio de funcionamiento de uno de los circuitos implementados.

3. Proponer por lo menos dos aplicaciones prácticas para el mismo.

4. En un cuadro realice la comparación de diferencias entre un BJT y un FET

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