Arseniuro de Galio

• material semiconductor
• Tiene un ancho de brecha energética de 1,424 eV
• Alta resistividad y rápida transferencia de electrones.
• Es un material flexible y de bajo peso (144,64 g/mol)

USOS: Circuitos integrados a

frecuencias de microondas,
transistores, diodos de emisión
infrarroja, diodos láser, células
fotovoltaicas y optoelectrónica.

Desventajas: Es
un material muy
costoso
comparado con el
silicio.

R. Askeland et al, 2016 ; M. Stea, sin fecha.