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Experiencia Nº 01

CIRCUITOS SINTONIZADOS Y
TRANSFORMADORES DE REDES
SELECTIVAS
Ordoñez Egoavil, Bill Randy
bill.egoavil.m@gmail.com

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería

Lima, Perú
Son circuitos formados por elementos reactivos, inductancias,
condensadores, líneas de energía cristales piezoeléctricos, etc.
I. OBJETIVOS: y se utilizan en los receptores y trasmisores. Una aplicación
típica es en las etapas de radiofrecuencia de amplificación
Medir los parámetros de las bobinas de FI a AM. donde se quiere que el circuito amplifique solamente una
banda de frecuencias.

A las inductancias y condensadores están asociadas

II. MATERIALES:
resistencias que se deben a la resistencia óhmicas en las
bobinas y pérdidas dieléctricas en los condensadores que se
Q1, Q2, Q3 Transistor 2 x 2N2222 hacen más evidentes a altas frecuencias. Podemos modelarlos
BF 494 suponiendo que son elementos ideales, reactivos puros, con
una resistencia que podemos asociar en paralelo, en serie o en
Bobinas de FI a
ambos. Por ejemplo:
AM
R1 Resistencia 10
2 x 1K
2 x 10K
Es
Rp Potenciómetro 500K
C1, C2 Condensador 1uF
electrolítico 2 x 10uF
C3 Condensador 47 pF
cerámico 100 pF
Fuente de 30 V
alimentación
doble
Osciloscopio
Generador de
funciones
Multímetro digital
interesante relacionar las pérdidas óhmicas y la energía que
Panel de
almacena como elemento reactivo, lo que nos permite medir la
experimentos
bondad del componente. El factor de mérito o Q se define
como:

Energía almacenada
Q=2 π .
Energía disipada por ciclo
III. FUNDAMENTO TEORICO

En el caso de:
Circuitos Sintonizados
 2

Ls ω 1 Rp Vemos que si la componente es de buena calidad, o sea que Q

a¿ b¿ c¿ d ¿ Rp C p ω es mayor que 10 (en el caso de condensadores suele ser mucho
Rs Cs ω Rs Lp ω mayor), entonces:

Por ejemplo en el caso a)

X p ≅ Xs y Rp ≅ RsQ2

Vemos que la componente reactiva no cambia casi su valor al

1

Q=2 π .
( 2 L I m2 ) =
Lω
cambiar la configuración (de serie a paralelo o viceversa) y el
valor de la resistencia de pérdidas paralelo es mucho mayor
que la resistencia serie, Q 2 veces.
R
( 2 L1R ) .( 2ωπ )
2
El Circuito Resonante

Circuito L, C y R Resonante Paralelo:

y de forma similar en los otros casos.
Suponemos que L y C son ideales (sus pérdidas podemos
Si trabajamos a una frecuencia fija podemos hallar una transferirlas a R)
relación entre los valores de los ejemplos vistos. Llamamos X
a la reactancia de una inductancia o condensador,

R p jX p R p X p2 + jX p R p2
R s+ jX s= =
Rs + jX s R p2 + X p 2
Figura 2.
Podemos definir también entonces:
−1 X 2 1
X s=Ls ω ó X s = → Qs = s Si introduzco LC ω 0 =1 ,C ω0= y entonces Z=R, se
Cs ω Rs L ω0
dice que el circuito está en resonancia en la frecuencia
−1 X ω0
X p =L p ω ó X p = → Q p= p f =f 0= .
Cpω Rp 2π
Z 1
=
R ω R ω
Separando parte real e imaginaria tenemos: 1+C ω0 Rj − j
ω0 Lω 0 ω0
Rp
R s= …(1) R
1+Q p2 C ω 0 R=Q=
L ω0

Xp X p Q p2 Donde Q es el factor de mérito del circuito relativo a R a la

X s= = …(2)
1 2 frecuencia f 0 .
1+ 2 1+Q p
Qp
Z 1 1
= =
R ω ω0 1+ jβQ
X s X p Q p2
Qs =
Rs
=
Rp
=Q p … (3) 1+ j
( −
ω0 ω )
ω ω0
De (1), (2) y (3): β= −
ω0 ω
R p =R s ( 1+Q s2 ) Si los apartamientos de la frecuencia de resonancia son
pequeños, o sea entonces:
1
X p =X s 1+
( Q s2 )
 3

Figura 3.
( ω+ ω0 ) ( ω 0−ω ) ∆ ω De dondeV 01=−R p G m V been resonancia.
β= ≈2
ω0 ω ω0 Pero:
V be =−V ref
Recibe el nombre de “Ancho de Banda Relativo”, B es el Luego:
“ancho de banda de potencia mitad”. V 01=−R p Gm V ref
En decibeles, si I es constante al variar la frecuencia, cuando
Q=1 , Si consideramos ‘n’ el número de relación de transformación
de la bobina, tendremos que: V 02 =−V 01
P0
10 log 10 =10 log 10 2=3 dB Entonces:
P1
V 02=R p Gm V ref

ω0 Si tenemos a la bobina:
Es decir que cuando B= la potencia cae en 3dB y la
Q
tensión en√ 2en los extremos de la banda.

Es interesante ver la variación de fase entre la corriente y

tensión: en resonancia es 0, 45 grados en los puntos de
potencia mitad y ± 90 º para extremos alejados de la
resonancia. A baja frecuencia predomina la baja impedancia
de la inductancia y a alta frecuencia la del condensador.

De donde:
n2
n=
n1
Figura 4. Ejemplo de una red que forma parte de un
amplificador de RF. Y sea:
n2
n'=
IV. INFORME PREVIO n3
1.- Determinar la expresión de Vo 1 ,Vo 2 y Vo3 en forma Luego:
literal del amplificador mostrado en la figura 1(colector V 02
V 03=
conectado a Vo1). En función de que parámetro principal se n'
encuentra Vo(t).Considerar Lin , Cin , RP en la bobina y
capacidades parasitas del transistor. R p G m V ref
V 03=
n'

Tenemos ahora el circuito equivalente en AC.

V 01se encuentra en función del parámetro Gm del transistor
Q1 .
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2.- Hallar el análisis en DC y determinar el rango de RP y el

valor de la resistencia R1 para obtener una corriente entre 100 1 1
f rmin= f rmin=
y 300µA. 2 π √ Lmax ×C 2 π √ Lmin ×C
La fuente de corriente del circuito es: Para hallar la frecuencia de resonancia mínima se ajusta el
tornillo de la bobina en uno de sus extremos (Para realizar el
12=( R p+ R2 ) I +0.7 ajuste se observa hacia que va disminuyendo la frecuencia de
resonancia, y ese es el extremo buscado). Para hallar la
Para: I =100 µ A frecuencia de resonancia máxima se ajusta el tornillo hacia el
otro extremo.
R p + R2 =113 KΩ …( I )
En el caso que se debe hallar el Lin y Cin de la bobina
primero se sintoniza el tanque a una frecuencia de resonancia,
Para: I =300 µ A por ejemplo:
1
f 0= …( 1)
R pot + R2=37 .66 KΩ … ( II) 2 π √ L¿ × C ¿

En la cual se observa que Lin y Cinson los valores

De (II) Rp debe ser el minimo y en (I) el máximo, luego de la desconocidos mientras que fo si se conoce.
diferencia concluimos que R p debe ser 75,33 KΩ . Luego se conecta un condensador extremo en paralelo
con el condensador de la bobina. Entonces la nueva frecuencia
3.- Describa la manera de obtener en forma experimental: de resonancia ser:

 Frecuencia de resonancia (máxima y mínima). 1

f i= …(2)
 L¿ y C¿de la bobina. 2 π √ L¿ (C¿ +C e )
 R p (Resistencia de pérdidas de la bobina).
Donde en este caso f 1 y Ce son conocidos mientras no se
conocen Lin y Cin.
Sabemos que la frecuencia de resonancia está dada por:
Por lo tanto de las ecuaciones I y II se pueden hallar los
1 valores de Lin y Cin.
f r=
2 π √ LC
De (1) tenemos:
Donde L es la inductancia del tanque y C la capacidad total 1
también del tanque. L¿ C ¿= …(3)
(2 π f 0 )2

De (2) tenemos:
Además
también 1
L¿ C ¿ + L¿ C e= 2
… (4)
(2 π f i)
Reemplazando (4) en (3):

1 1 1

sabemos que una bobina se puede modelar de la forma

L¿ = 2 2
[
− 2
4 π Ce f i f 0 ]
siguiente: Con lo cual también en (3):
En este modelo C es de valor constante y L varia a medida −1
f 02
que se mueve el tornillo de la bobina. Luego para un valor
extremo de L por decir el mínimo la frecuencia de resonancia
será máxima ya que f y L varían en forma inversamente
C ¿=C e
[ ]
f i2
−1

proporcional. Entonces:
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4.- Indique las consideraciones que se deben tomar en cuenta

para escoger los transistores.

El transistor BF494 usado tiene las siguientes características:

 Aplicaciones en receptores de radio y televisión

 Aplicaciones en sintonizadores de FM
 Bajo nivel de ruido en mezcladores-osciladores de
AM
 Receptores AM/FM en media frecuencia
 Capacitancias parásitas en el orden de 1pF.

El transistor 2N2222 usados tienen las siguientes

características:

 Beta mínimo igual a 100.

 Ic máxima igual a 800mA.
 Uso típico en espejos de corriente.

V. BIBLIOGRAFIA

 CLARKE HESS, "COMUNICATION

CIRCUITS:ANALISIS AND DESIGN"

 SMITH, "MODERN COMMUNICATTION

CIRCUITS".

 GUÍA DE LABORATORIO

 CIRCUITOS ELECTRÓNICOS, AMPLIFICACIÓN

LINEAL CON CIRCUITOS DISCRETOS E
INTEGRADOS, CARLOS MEDINA RAMOS