“AÑO DEL BUEN SERVICIO AL CIUDADANO”

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y

ELECTRONICA

INFORME previo n°2: LA CARACTERÍSTICA

EXPONENCIAL DEL TRANSISTOR BIPOLAR

CURSO: Laboratorio de Electrónica III

(EE 443 O)

ALUMNO:

Ordoñez Egoavil, Bill Randy

20122503A

LIMA-PERÚ
2017
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

INFORME PREVIO
1. Calcule el punto de operación del
transistor del amplificador de la
figura #1.
En DC:

VCEQ y ICQ son obtenidos del circuito

equivalente Thevenin.

VCEQ=6 v
ICQ=0.54 mA

Equivalente Thevenin: 2. Determine una expresión general

para VA, VB y Vo en resonancia
asumiendo los datos de la bobina y
un Qt alto ( los dtos del transistor son
conocidos).
En AC:
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FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

Vb=iC*R6

Va = Vb + ΔV
Va = Vb + Rp*iC*(N1/N2)^2
Va = iC*[R6+Rp*(N1/N2)^2]

Vo = ΔV*(N3/N1)
Vo = iC*Rp*(N3/N1)*(N1/N2)^2
Vo = iC*Rp*(N1N3/N2N2)

iC =
ICQ*[1+Ʃ(2In/Io)cos(n*wo*t)]

3. Calcule Gm(x) y 2I1(x)/Io(x) para los

valores de
V1=20,50,70,100,200,300,350 mv.
gm = 0.02 A/V
a(x) = [2*I1/Io]/x
Gm = gm * a(x) en [mA/V]

v1 20 50 70 100 200 300

x 0.8 2 2.8 4 8 12
2I1/Io 0.89 1.4 1.6 1.73 1.8 1.91
7
a(x) 1.11 0.7 0.5 0.43 0.2 0.16
7 3
Gm 22.2 14 11. 8.6 4.6 3.2
4

4. Para Vin=260mV cos(wot/n)

encuentre una expresión general para
Vo(t).

Vm = 260 mv
x = Vm/Vt = 10.4
Vo = Rp*(N1N3/N2N2)*iC

iC = ICQ*[1+Ʃ(2In/Io)cos(n*wo*t)]

iC = ICQ*[1+2I1/Io*cos(wo*t)]