Nombre de la práctica: Memoria de Acceso Aleatorio

OBJETIVO

El alumno simulara un circuito que permita leer y escribir datos en una memoria de acceso
aleatorio con base en los ciclos de lectura y escritura.

MARCO TEÓRICO

RAM es el acrónimo inglés de Random Access Memory (memoria de acceso aleatorio ó

memoria de acceso directo). Se trata de una memoria de semiconductor en la que se puede
tanto leer como escribir información. Es una memoria volátil, es decir, pierde su contenido
al desconectar la energía eléctrica. Se utiliza normalmente como memoria temporal para
almacenar resultados intermedios y datos similares no permanentes. Se dicen "de acceso
aleatorio" o "de acceso directo" porque los diferentes accesos son independientes entre sí.
La memoria está organizada en posiciones de n bits en donde se puede escribir (almacenar)
o leer un dato. La forma de acceder a las posiciones es a través de la dirección de memoria
que es número generalmente expresado en hexadecimal. La memoria RAM estática o SRAM
se construye utilizando celdas basadas en flip-flops tipo D bipolares o MOS. La memoria
SRAM recibe este nombre porque no requiere que se lleve a cabo una regeneración de la
información almacenada, solo es necesario la energía de polarización del CI para que no
haya perdida de información.

EQUIPO A EMPLEAR

Software de simulación Proteus.

COMPONENTE EN PROTEUS DESCRIPCIÓN

7SEG-BCD DISPLAY DE 7 SEGMENTOS ROJO
7SEG-BCD-GRN DISPLAY DE 7 SEGMENTOS VERDE
74HCT04 INVERSOR
74LS244 BUFFER
74LS393 CONTADOR BINARIO ASCENDENTE
6116 RAM ESTÁTICA
BUTTON PUSH BUTTON
DIPSW_8 DIP SWITCH 8 INTERRUPTORES
LED-BIGY LEDS AMARILLOS
RT0805DRD07330RL RESISTOR DE 330Ω

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RES6SIPB PAQUETE DE RESISTORES 330Ω
RES10SIPB PAQUETE DE RESISTORES 330Ω

DESARROLLO

1. Capture en el simulador el circuito del diagrama anexo al final de este documento.

2. Considere que todos los circuitos son de lógica positiva TTL.
3. Los displays rojos son los indicadores de los datos de entrada (DATOS ENTRADA),
para modificar el dato de entrada utilice el DIP Switch (DSW1).
4. Los displays verdes son los indicadores del dato almacenado en la memoria (DATO
MEMORIA).
5. Los LEDs amarillos son los indicadores de los bits A3 a A0 de dirección.
6. El circuito de memoria se encuentra en modo de lectura ya que no se tiene pulsado
el push button de ESCRITURA (WR#), por lo que a través de los displays verdes de
datos se muestra la palabra de memoria seleccionada por la dirección de memoria.
7. Registre en la tabla el contenido las palabras de memoria (datos de la memoria) de
cada una de las 16 localidades de memoria. Pulse el push button “DIRECCION”
cuantas veces se requiera para seleccionar la localidad de memoria.

Dirección (A3-A0) DATO(D7-D0)

(0000)2 00000000
(0001)2 00000000
(0010)2 00000000
(0011)2 00000000
(0100)2 00000000
(0101)2 00000000
(0110)2 00000000
(0111)2 00000000
(1000)2 00000000
(1001)2 00000000
(1010)2 00000000
(1011)2 00000000
(1100)2 00000000
(1101)2 00000000
(1110)2 00000000
(1111)2 00000000

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8. Realice una captura de pantalla cuando este en la localidad (1011) 2

9. Para escribir un dato en la memoria se debe seleccionar la localidad donde se

almacenará, observe los LEDs indicadores de dirección para que pueda seleccionar
la localidad. Coloque en el DIP Switch (DSW1) la combinación necesaria para el dato
solicitado, una vez se muestre el dato en los displays rojos, presione el push button
“ESCRIBIR”.

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 10. Almacene los siguientes datos en la memoria.
Dirección (A3-A0) DATO(D7-D0)
(0000)2 0x15
(0001)2 0x23
(0010)2 0xFF
(0011)2 0x32
(0100)2 0x01
(0101)2 0x84
(0110)2 0xAA
(0111)2 0x10
(1000)2 0x63
(1001)2 0x3B
(1010)2 0xA0
(1011)2 0x7E
(1100)2 0x80
(1101)2 0x02
(1110)2 0x04
(1111)2 0x08

11. Realice tres capturas de pantalla para distintas palabras de memoria.

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CONCLUSIONES
Respecto a esta práctica referente a los registros de almacenamiento, se puede concluir
que la memoria RAM opera bajo una base o funcionamiento similar, al menos en esencia.
Este trabajo es un ejemplo de la manera en la cual funciona la memoria RAM, y en general
todos los tipos de memorias. El circuito funciona principalmente en 2 elementos: dirección
y escritura, ambos representados mediante un par de push buttons. Con ayuda del dip
switch podemos introducir los datos de memoria de nuestro agrado, pero sin ayuda del PB
correspondiente a la acción escritura, estos no se guardarán en ningún sitio. El PB
correspondiente a la dirección nos permite seleccionar la localidad donde pretendamos que
los datos que introduzcamos se guarden, estas localidades se representan por los 4 LED’s
amarillos conectados a las salidas Q0…Q3 del C.I. 74LS393. Una vez seleccionada la
localidad, procedemos a introducir los datos, posteriormente oprimir ESCRITURA, y de este
modo la próxima ocasión que seleccionemos dicha localidad aparecerán los datos de
memoria que introdujimos con anterioridad. Cabe recalcar que, relacionado con lo
mencionado previamente, una vez guardado un dato en cierta localidad no importa qué
nuevos datos metamos, mientras no oprimamos ESCRITURA, el dato almacenado no se verá
afectado El mejor ejemplo o justificación de la similitud del circuito realizado con el
funcionamiento de una memoria RAM radica en la volatilidad de la misma. Si bien es cierto
que mientras el circuito sea alimentado los datos almacenados se conservarán siempre que
accedamos a la localidad correspondiente, una vez que retiremos la energía los datos
simplemente desaparecen

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