I) Obtencion de la curva de transferencia de un transistor MOSFET

a) Se coloco una tension variable linealmente V2 entre Gate y source y se procede a

visualizar la curva de transferencia:

grafico de Id

Del grafico se pueden sacar las siguientes conclusiones:

1) Vt es 1V (aprox)
2) El mosfet es de canal inducido porque se necesita de una Vg para formar el
canal
 3) El MOSFET es de canal N porque la tension Vg es positiva
4) De la pendiente se saca que el valor de la transconductancia es de 134.2

b) Se repita la simulación anterior, pero en este caso para distintas temperaturas.

c) Conclusiones:

a) A mayor temperatura la Vt es menor, significa que a medida que incrementa la

temperatura, se necesita menos potencial sobre la juntura para formar el canal.

b) A mayor temperatura la transconductancia es menor debido ala reduccion de la

movilidad de los portadores.
II) Obtención de la curva de salida de un MOSFET

a) Se demuestran en el grafico las tres zonas de funcionamiento:

b) del ápice obtuve que las corrientes para Vg 4V y 5V eran 113,8A y 219,6A
respectivamente
∆Vgs = 5 – 4 = 1 ∆Id= 219,6 – 113,8 = 105,8 gm= ∆Id / ∆Vgs = 106

La transconductancia en este caso da menor que la que obtuve antes y esto se debe a que
no fue tomada para el mismo valor de Vgs. De esto puedo concluir que la
transconductancia depende del punto de trabajo

c) Podemos observar que la resistencia dinamica:

Grafico para una Vgs de 4V

∆Vds = 0.8 – 0.6 = 0.2V ∆Id = 62 – 49 = 13 Rd = ∆Vds/ ∆Id = 15.4mΩ

III) Amp. monoetapa con MOSFET. Obtención de la ganancia de tensión

a) Grafico de Vg
Grafico de Vl

Calculo de la ganancia de tension:

∆V = Vl / Vg = 6.7 / 1 = 6.7

b)Grafico de Vg y Vl

Se puede ver claramente que hay un defasaje de 180 grados entre la señal de entrada y
la de salida
IV) Amp. monoetapa con MOSFET. Obtención de la respuesta en frecuencia del
circuito

a)Se observa la respuesta en frecuencia, la frecuencias de corte.

Frecuencia de corte inferior 1Hz y superior 100Khz

b) Modificando los valores de los capacitares internos del MOSFET, verificamos si
estos ala respuesta en altas y bajas frecuencias:

Grafico modificando Cgdmax = 110n Cgdmin= 4n Cgs=15n

Grafico modificando Cgdmax = .25n Cgdmin= .05n Cgs=.8n

c) Conclusiones
1) a pesar de haber modificado las capacidades del MOSFET esto no infirió en la
frecuencia de corte inferior ya que esta depende de los capacitares del circuito.
2) Cuando aumento las capacidades disminuye la frecuencia de corte superior.
3) Cuando disminuye las capacidades aumenta la frecuencia de corte superior.