Amplificadores con FET

Por la alta característica de entrada de los FET, en ocasiones un modelo equivalente de ca es un

poco más simple que el que se emplea para los BJT. Mientras que el BJT tiene un factor de
amplificación β (beta) el FET tiene un factor de transconductancia, gm.

Al igual que con los amplificadores con BJT, las características de circuito importantes incluyen la
ganancia de voltaje, la impedancia de entrada y la impedancia de salida. Debido a la muy alta
impedancia de entrada, la corriente de entrada en general se supone que es de 0 mA y la
ganancia de corriente es una cantidad indefinida.
MODELO DEL JFET DE SEÑAL PEQUEÑA

El voltaje de la compuerta a la fuente controla la corriente del drenaje a la fuente (canal) de un JFET.

Un voltaje de cd de la compuerta a la fuente controla el nivel de la cd de drenaje mediante una relación conocida
como ecuación de Shockley. El cambio en la corriente del denaje que resultará de un cambio en el voltaje de la
compuerta a la fuente, se determina mediante el factor de transconductancia gm como sigue:

El prefijo trans en la terminología aplicada a gm revela que establece una relación entre una cantidad de salida y una
cantidad de entrada. Se escogió la palabra conductancia porque a gm lo determina una relación de voltaje a corriente
similar a la relación que define la conductancia de un resistor G= 1/R= I/V.
DETERMINACIÓN GRÁFICA DE gm

El la curva de transferencia, se observa que gm es en realidad la pendiente en el punto de operación. Es decir,

DEFINICIÓN MATEMÁTICA DE gm

La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la recta tangente trazada en dicho punto.

En la curva de transferencia se puede apreciar que la pendiente alcanza su valor máximo en VGS= 0 V
En las hojas de especificaciones se da gm como yfs, donde y indica que es parte de un circuito equivalente de
admitancia. La f significa parámetro de transferencia en directa y la s indica que está conectado a la terminal
de la fuente.

Si se grafica la ecuación
Impedancia de entrada Zi del JFET
La impedancia de entrada de todos los JFET comerciales es lo bastante grande para suponer que las terminales de
entrada se aproximan a un circuito abierto. En forma de ecuación

Para un JFET un valor práctico de 10E9 Ω es típico, en tanto que un valor de 10E12 Ω a 10E15 Ω es típico para los MOSFET
y MESFET

Impedancia de salida Zo del JFET

La magnitud de la impedancia de salida de los JFET es parecida a la de los BJT convencionales. En hojas de
especificaciones de los JFET, la impedancia de salida en general aparece como yos con las unidades de mS. El parámetro
yos es un componente de un circuito equivalente de admitancia donde el subíndice o indica que se trata de un parámetro
de la red de salida y s la terminal (fuente) a la cual está conectado en el modelo.
Circuito equivalente de CA de un JFET

Modelo del transistor JFET en el dominio de ca. Se incluye el control de Id por Vgs como una fuente de corriente gmVgs
conectada del drenaje a la fuente. La flecha de la fuente de corriente apunta del drenaje a la fuente para establecer un
desfasamiento de 180° entre los voltajes de salida y entrada como ocurre en la operación real.

La impedancia de entrada está representada por el circuito abierto en las terminales de entrada y la impedancia de
salida por el resistor rd del drenaje a la fuente. Observe que el voltaje de la compuerta a la fuente ahora está
representado por Vgs (en subíndices de letras minúsculas) para distinguirlo de los niveles de cd. Además, observe que
los circuitos de entrada y salida comparten la fuente, mientras que la compuerta y el drenaje sólo están en “contacto”
por conducto de la fuente de corriente controlada gmVgs.
Si yfs=3,8 mS y yos=20μS, el modelo equivalente es:
CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA

El método es semejante al análisis de ca de amplificadores con BJT, donde se determinan los parámetros importantes
de Zi , Zo y Av para cada una de las configuraciones.
El signo negativo en la ecuación resultante para Av revela con
claridad un desfasamiento de 180° entre los voltajes de
entrada y salida.
CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN RS puenteada
La desventaja de la configuración de polarización fija es que requiere dos fuentes de voltaje de cd. La configuración de
autopolarización requiere sólo una fuente de cd para establecer el punto de operación deseado.
El signo negativo en la solución de Av de
nuevo indica un desfasamiento entre Vi y Vo.
RS sin puentear
Si se elimina CS de la figura, el resistor RS formará parte del circuito equivalente de ca como se muestra. En este caso, no
existe una forma obvia de reducir el nivel de complejidad de la red. Al determinar los niveles de Zi , Zo y Av, se debe
tener mucho cuidado con la notación y las polaridades y dirección definidas. Inicialmente, la resistencia rd se dejará
fuera del análisis para tener una base de comparación.
Al hacer Vi=0 V en la figura la compuerta está a un
potencial de tierra (0 V). El voltaje a través de RG es
entonces de 0V y RG “desaparece” de la imagen.

Al aplicar la ley de corrientes de Kirchhoff

Si se incluye rd en la red, aparecerá el equivalente como se
muestra

Hay que encontrar una expresión para Io en función de ID.

Compuerta G esta a tierra por vi=0

 El voltaje a través de rd utilizando la ley del voltaje
de Kirchhoff es

La aplicación de la ley de corrientes de Kirchhoff da

Av
Para la red, la aplicación de la ley de voltajes de Kirchhoff al circuito de entrada

Sustituyendo Vgs, Vo y VR
El signo negativo revela que existirá un desfasamiento
de 180º entre Vi y Vo.
La configuración de autopolarización tiene un punto de
operación definido por VGSQ= 22.6 e IDQ= 2.6 mA con IDSS= 8
mA y Vp= 6 V. El valor de yos se da como 20 μS.
CONFIGURACIÓN DEL DIVISOR DE VOLTAJE
CONFIGURACIÓN DEL JFET EN COMPUERTA COMÚN

La configuración del JFET en compuerta

común es igual a la configuración en base
común empleada con transistores BJT.

Se cumple que fuente controlada gmVgs se

conecte del drenaje a la fuente con rd en
paralelo.

El resistor conectado entre las terminales de

entrada ya no es RG, sino el resistor RS.

El voltaje de control Vgs aparece

directamente a través del resistor RS
Zi
Al aplicar la ley de corrientes de Kirchhoff en el nodo a
Zi es el paralelo entro RS y Zi’.
El voltaje V’= -Vgs.
Si rd≥10RD, permite la siguiente aproximación puesto que RD/rd<< 1 El voltaje a través de rd es
y 1/rd<< gm:

Al aplicar la ley de corrientes de Kirchhoff en el nodo b

Zo
Sustituyendo Vi= 0 V se “anularán” los efectos de RS y establecerá Vgs
a 0 V. El resultado es gmVgs= 0 y rd estará en paralelo con RD

El hecho de que Av sea un número

positivo dará por resultado una
relación que indica que Vo y Vi
están en fase para la configuración
de compuerta común
Aun cuando inicialmente al parecer la red de la figura
pudiera no ser de la variedad de compuerta común, un
examen minucioso revelará que tiene todas las
características. Si VGSQ=2.2 V y IDQ= 2.03 mA:
CONFIGURACIÓN DEL JFET EN FUENTE-SEGUIDOR (DRENAJE COMÚN)

El equivalente del JFET de la configuración en emisor-seguidor de BJT es la configuración en fuente-seguidor de la figura.

Observe que la salida se toma de la fuente, y cuando a la fuente de cd la reemplaza su equivalente de cortocircuito el
drenaje se pone a tierra (de ahí la terminología en drenaje común).

Sustituyendo el circuito equivalente del JFET obtenemos la configuración de la derecha. La fuente controlada y la
impedancia de salida interna del JFET están vinculadas a tierra por un extremo y a RS por el otro, con Vo a través de RS.
Como gmVgs y RS están conectados a la misma terminal y a tierra, se pueden colocar en paralelo como se muestra en la
figura. La fuente de corriente invierte su dirección, pero Vgs continúa definido entre la compuerta y las terminales de la
fuente.
 cuyo formato es igual a la resistencia total de tres resistores en
Zo: paralelo
Al hacer Vi=0 V la compuerta aparece conectada directamente a tierra
como se muestra en la figura

Av:
El voltaje de salida Vo está determinado por

Aplicando la ley del voltajes de Kirchhoff alrededor del perímetro de

la red de la figura
Como el denominador de la ecuación es mayor que el numerador por un factor de
uno, la ganancia nunca puede ser igual a o mayor que uno (como sucede para la
red de BJT en emisor-seguidor).

Como Av de la ecuación es una cantidad positiva, Vo y Vi están en fase

LOS MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO

El hecho de que la ecuación de Shockley también se aplica a los MOSFET tipo empobrecimiento (D-MOSFET) da la
misma ecuación para gm. En realidad, el modelo equivalente de ca para los D-MOSFET es igual al de los JFET, como
se muestra en la figura. La única diferencia ofrecida por los D-MOSFET es que VGSQ puede ser positivo para
dispositivos de canal n y negativos para unidades de canal p. El resultado es que gm puede ser mayor que gm0. El
intervalo de rd es muy semejante al de los JFET.
LOS MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO

El MOSFET tipo enriquecimiento (E-MOSFET) puede ser un dispositivo tanto de canal n (nMOS) como de canal p (pMOS),
como se muestra en la figura. El circuito equivalente de señal pequeña de ca de cualquiera de los dos dispositivos se
muestra en la figura, donde se revela un circuito abierto entre la compuerta y el canal drenaje-fuente y una fuente de
corriente del drenaje a una fuente de corriente cuya magnitud depende del voltaje de la compuerta a la fuente. Hay una
impedancia de salida del drenaje a la fuente rd, la cual en general se da en hojas de especificaciones como la admitancia
yos. El dispositivo de transconductancia gm aparece en la hoja de especificaciones como la admitancia de transferencia
positiva yfs.

En el análisis de los JFET se derivó una

ecuación para gm a partir de la ecuación de
Shockley. Para los MOSFET, la relación entre
la corriente de salida y el voltaje de control
se define por
CONFIGURACIÓN POR REALIMENTACIÓN DE DRENAJE DEL E-MOSFET

La configuración por realimentación de drenaje del E-MOSFET aparece en la figura. Por los cálculos de cd a RG se la
podría reemplazar un equivalente de cortocircuito puesto que IG=0 y por consiguiente VRG=0 V. Sin embargo, para
situaciones de ca proporciona una importante alta impedancia entre Vo y Vi . De lo contrario, las terminales de entrada y
salida estarían conectadas directamente y Vo Vi .
Zi
Al aplicar la ley de corrientes de Kirchhoff al circuito de
salida (en el nodo D)

Zo
Sustituyendo Vi 0 V resulta Vgs 0 V y gmVgs 0, con una ruta de
cortocircuito de la puerta a tierra como se muestra en la fig. RF, rd y RD
están entonces en paralelo
Av
Al aplicar la ley de corrientes de Kirchhoff en el nodo D

Relación de fase El signo negativo de Av

revela que Vo y Vi tienen un desfasamiento
de 180°
CONFIGURACIÓN DEL DIVISOR DE VOLTAJE DEL E-MOSFET
CONFIGURACIÓN EN CASCADA
La configuración en cascada también se puede utilizar con los JFET o los MOSFET, como se muestra para los JFET en la
figura. Recuerde que la salida de una etapa aparece como la entrada de la siguiente.

La ganancia total es el producto de la ganancia de cada etapa incluidos los efectos de carga de la siguiente etapa
Calcule la polarización de cd, la ganancia de voltaje, la impedancia de entrada y la de salida, y el voltaje de salida para
el amplificador en cascada mostrado. Calcule el voltaje sin carga si se conecta una carga de 10 k a través de la salida.