Transistores NPN

El análisis en un transistor pnp es casi similar a un npn ya anteriormente estudiado

para empezar determinamos Ib. con la aplicación de relaciones de transistor
apropiadas.
La diferencia en las ecuaciones es el signo asociado con cantidades particulares.
en este circuito se puede notar que la notación subíndice continua teniendo las
polaridades Vbe y Vce serán negativas

Para la resolución de este se debe aplicar las leyes de Kirchhoff de base emisor para
obtener la ecuación

Sustuimos

Teniendo una ecuación similar alas planteadas en un NPN pero vemos la diferencia en
el signo de Vbe considerando que la dirección de Ib. es opuesta a la anterior
configuración.
Con las leyes de Kirchhoff se aplica la malla colector emisor para obtener una
ecuación.

Sustituimos
En esta ecuación el signo de por delante cambia yala derecha también cambia los
signos

Ejemplo:
Determine Vce para la configuración de polarización por medio del divisor de voltaje

βRe ≥ 10 R 2
120 ( 1.1 KOhm ) ≥10 ( 10 KOhm )
132 KOhm ≥ 100 KOhm(satisfecha)

R 2∗Vcc 10 kOhm∗(−18 V )
Vb= = =−3.157 v
R1+ R 2 47 KOhm+ 10 KOhm
Aplicamos la ley de voltajes de Kirchhoff (base -emisor)
+Vb−Vbe−Ve=0
Ve=Vb−Vbe
Ve=−3.157 v−(−0.7 v )
Ve=−3.157 v+ 0.7 v
Ve=−2.457 v
Para un transistor npn la ecuación Ve =Vb - Vbe sería exactamente la misma. La única
diferencia se presenta cuando se sustituyen los valores.
La corriente es
Ve 2.457 v
Ie= ℜ = =2.31 mA
1.1 kOhm
Para la malla colector-emisor
-IeRe + Vce - IcRc + Vcc = 0
Concideramos que Ie≅Ic y reemplazando tenemos
Vce=−Vcc+ Ic ( Rc+ ℜ )
Vce=−18 v + ( 2.31 mA ) ( 2.4 KOhm+1.1 KOhm )
Vce=−18 v +8.085 v
Vce=−9.915 v