Licenciatura en Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica

UDA: Optoelectrónica

Consigna: Investigación y caracterización de fotorresistencias.

Descripción: Realizar una investigación sobre materiales, funcionamiento, uso y fabricación de
fotorresistencias y caracterizar una de ellas.

Profesor: Dr. José Amparo Andrade Lucio

Alumno: Álvarez Rendón Luis Ángel
NUA: 144919
Grupo: C1

Correo electrónico institucional: l.alvarezrendon@ugto.mx

A 21 de febrero de 2020, Dolores Hidalgo C. I. N., Guanajuato.

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 Contenido Página

1. Consigna 2

2. Desarrollo 2

3. Referencias 6

1 CONSIGNA
Investigar sobre la fabricación de fotorresistencias, materiales utilizados para su fabricación,
funcionamiento de estas y caracterizar su respuesta para diferentes logitudes de onda de la luz incidente
a ellas. Diseñar un experimento en el cual se obtenga su respuesta de: Resistencia contra Longitud de
onda y graficar esta. Pueden considerar el uso de leds de diferentes colores para usar como fuente de luz
incidente a la fotorresistencia.

1.1 FOTORRESISTENCIA
Una fotorresistencia es un componente eléctrico que tiene como función cambiar su valor de resistencia
en acuerdo a la necesidad, sin embargo, no lo hace convencionalmente. Cuando la intensidad luminosa
que recibe la resistencia es muy alta, aumenta su valor de resistividad; a la inversa, a baja intensidad
luminosa, su valor de resistencia aumentará a un nivel muy alto. El valor más común de estas resistencias
es de 1 (MΩ). Su tiempo de respuesta típico es de una décima de segundo.

1.2 FUNCIONAMIENTO
Se basan en el efecto fotoeléctrico. Están hechas de un material semiconductor, por lo general sulfuro de
Cadmio. Los fotones son absorbidos por el material debido a su elasticidad energizando a los electrones
en la banda de valencia. Entonces saltan a la banda de conducción, conduciendo corriente eléctrica. Esto
disminuye la resistencia del material.

1.3 FABRICACIÓN
Se fabrican usando substratos de sílice con nanopilares hechos con Cloruro de Cesio. Aumentando el área
cubierta por estos nanopilares, aumenta la fotosensividad de los resistores. Al Cloruro de Cesio se le hace
una litografía y se le aplica Plasma Acoplado por Inducción, dejando un grabado en seco y quedando así
nanopilares de silicio. Después de la oxidación, los nanopilares de silicio son totalmente transformados en
nanopilares de sílice. Entonces se agrega un film de Sulfuro de Cadmio de 200 nanómetros en la superficie
de los nanopilares mediante pulverización catódica con un magnetrón de radiofrecuencia.

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1.4 USO
Son empleadas por una gran cantidad de electrónicos de consumo, por ejemplo, las cámaras digitales,
las lámparas de encendido automático, medidores de luz, etc. Cada vez se extiende más su uso.

2 DESARROLLO

2.1 DISEÑO EXPERIMENTAL

Como induce su nombre, una fotorresistencia ve cambio en su valor de resistividad al entrar en contacto
con distintos niveles de luminosidad (y longitudes de onda), se desarrollará un experimento para
caracterizar una fotorresistencia de 1 (MΩ). Se tiene el siguiente arreglo simple.

Figura 1. LED en serie con resistencia, la fotorresistencia se coloca inclinada en dirección hacia el LED, no
se conecta la resistencia, sólo se mide su resistencia con el multímetro.

Un LED en serie con una resistencia de 220 (Ω), alternativamente se tiene una resistencia de 120 (Ω) que
se empleará para un LED ultravioleta, que emite luz de menor intensidad.

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 Figura 2. Arreglo con una caja que impide que entre luz de otras fuentes.

Inicialmente se usaban LED’s con encapsulados del color correspondiente, se encontraron inconvenientes
al necesitar diferentes valores de voltaje lo que hacía que algunos emitieran luz de muy baja intensidad,
la mejor solución que se encontró fue usar LED’s que emitieran la longitud de onda correspondiente, con
un encapsulado transparente. A excepción de los LED’s, se ha procurado mantener el resto de elementos
en un estado constante.

2.2 CARACTERIZACIÓN

Figura 3. El circuito en funcionamiento.

Se procedió a hacer la caracterización de la fotorresistencia de 1 (MΩ), con una batería alcalina que al
momento de uso reportó un voltaje de 4.65 (V).

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 Color Resistencia
Azul 30.5 (kΩ)
Verde 40.7 (kΩ)
Amarillo 41.2 (kΩ)
Rojo 49.3 (kΩ)
UV* 433 (kΩ)
Blanco ultrabrillante 20.1 (kΩ)

A pesar de haber medido la resistencia de varios LED’s, se despreciará el LED blanco pues abarca todo el
espectro, y el LED ultravioleta pues la intensidad de la luz que nos proporciona es demasiado baja como
para observar la disminución esperada en el valor de la resistencia, esto se aprecia al observar que el
multímetro arrojó un valor de 433 (kΩ).

Resistencia
60

50 y = 0.097x - 14.021
R² = 0.9635

40
Resistencia (kΩ)

30

20

10

0
0 100 200 300 400 500 600 700 800
λ (nm)

Se observó la menor variación entre el LED amarillo y el verde, lo cual ya se esperaba al observar el circuito
en funcionamiento pues probablemente por algún movimiento del circuito el LED brillaba con menor
intensidad. Se despreció el LED Ultravioleta pues la intensidad de la luz que emitió era muy limitada,
dando una medición de resistencia demasiado alta. Se obtuvo una ecuación empírica linealmente
creciente de y = 0.091x – 14.021 con un coeficiente de determinación de 0.9635 para λ ϵ ℝ.

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3 REFERENCIAS
VALDÉS SALDAS, Benjamín, 2006. Tecnología en la UABC. 1ª ed. Baja California: Miguel Ángel
Porrúa. ISBN 970-701-843-7.
Jing Liu, Yaxiang Liang, Lin Wang, Bo Wang, Tianchong Zhang, Futing Yi, Fabrication and
photosensitivity of CdS photoresistor on silica nanopillars substrate, Materials Science in
Semiconductor Processing, Volume 56, 2016, Páginas 217-221, ISSN 1369-8001,
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.08.024.
RAMÍREZ BELLO, María G.; MENDOZA MARTÍNEZ, Miguel Á. " Diseño e implementación de un
sistema autónomo de iluminación con sensores de luz y presencia". Director: Elsa González
Paredes. Instituto Politécnico Nacional, Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica,
Ciudad de México, 2016.