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24DR Avb
24DR Avb
TESIS DOCTORAL
presentada por
Director de tesis:
Dr. Carlos Aguilar Castillo
Co-Director de tesis:
Dr. Francisco Canales Abarca
Revisores:
__________________________________ ___________________________________
Dr. Abraham Claudio Sánchez (CENIDET) Dr. Jaime E. Arau Roffiel (CENIDET)
__________________________________ ___________________________________
Dr. Víctor Alvarado Martínez (CENIDET) Dr. Horacio Visairo Cruz (Intel)
___________________________________
Dr. Ulises Cano Castillo (IIE)
iv
DEDICATORIA
v
RECONOCIMIENTOS
vi
RESUMEN
In this thesis, a power conditioning design methodology for fuel cell based
power supply systems is developed. This methodology includes the
selection and the operation analysis for the appropriated topologies as well
as its design and simulation, besides the implementation of a fuel cell
based power conditioner experimental prototype.
The thesis gets organized in six chapters. The first chapter describes the
contextual scientific field for this PhD research and also presents the
general and particular objectives. Chapter two contains a state of the art
review related with the investigation, including the fuel cell technology and
the power conditioning. Besides, in this chapter two power conditioner
schemes, a two-stage scheme and integrated single-stage, are proposed.
Chapters three and four describe in detail the design methodology for the
proposed fuel cell based power conditioners. Chapter five presents the
implementation for the proposed power conditioner schemes as well as the
obtained experimental results. Finally, chapter six presents the general
conclusions for this thesis, the contribution and the generated papers,
besides some future works related with this research are proposed.
viii
CAPÍTULO
1
Capítulo 1: INTRODUCCIÓN
Por lo tanto, el cambio climático global es una de las razones por las que
se tienen que implementar energías renovables en diversos países en el
ámbito mundial eliminando gradualmente la dependencia de combustibles
fósiles y fomentando la entrada de programas de ahorro de energía,
eficiencia energética y por supuesto de energías renovables [15].
13
Voltaje regulado
Almacenamiento corriente alterna
de energía
1.2 MOTIVACIÓN
19
cenidet
Centro Nacional de Investigación y
Desarrollo Tecnológico
20
2
Capítulo 2: ESTADO DEL ARTE
2.1.3.1 ESTRUCTURA
2.1.3.2 OPERACIÓN
H2
Ánodo Protones Cátodo
Membrana de Electrolito Polímero
H2 2H+ + 2e-
2H+ + 2e- + ½O2 H2O
0.8
Vohm
Voltaje (V)
0.4
0.7
Eficiencia
Vcon
0 0
Densidad de corriente (mA/cm 2)
(4)
Dónde:
E es el voltaje a circuito abierto para una mono-celda (~1.15 V) y
∆Vactivación, ∆Vohmicas y ∆Vconcentración son las caídas de voltaje.
(5)
31
2.1.3.4 EFICIENCIA
1.84kW
Calor
3.84kW
Hidrógeno
Eléctrica Total
2kW Energía
1.64kW
Energía
Eléctrica
Especificaciones técnicas:
Potencia nominal: 1200 W,
Voltaje nominal: 26 V (22-50V),
Corriente nominal: 46A,
Tiempo de encendido: ~ 2min,
Eficiencia: 43%.
36
Almacenamiento
de energía
Convertidor Inversor
CD-CD CD-CA Carga
Celda de
120VCA
combustible
60Hz
Control
Control PWM SPWM
ACONDICIONADOR DE POTENCIA
39
41
S1 S2
D1 D4
Ss
Ld T
Co
Ventrada Vsalida
Vp Vs
D3 D2
Cs S3 S4
44
Inversor
Filtro LC
Puente completo
S1 S2
Lo
Co
Carga
Ventrada Vp
S3 S4
46
Voltaje de Ns
entrada Q3
Co Carga
Lext S3
C2
S1
Q4
CT
S4
Voltaje de Voltaje de
entrada salida
Sa11 Sa21
Co2
D21
S2 S4 - Lo2
+
D22 Sa12 Sa22
Sb2 Sb3
L22
S1 S3 R1 R3
T1 T3 T5
Lf VA
Cf
U
Voltaje de Lf
entrada Vp
V Voltaje de
Vs salida
Pre-regulado Lf
W
Cf
Vc VB
S4 S2 R4 R2
T4 T6 T2
Q1 Q3 Vs C1
Vs D2 S1 La1
Vp
Va1
D3
Vs C2
Q2 Q4 Ca1
S2
Vs
D4 L2
Voltaje de C X2 L3
D5
entrada
Voltaje de
Ultracap Q5 Q7 Vs salida
C3
Vs D6 S3 La2
Vp
Va2
D7
Vs C4
Q6 Q8 Ca2
S4
Vs
D8 L4
50
51
52
Celda de Carga
combustible: Convertidor
b) 120VCA
Nexa integrado CD-CA
60Hz
53
cenidet
Centro Nacional de Investigación y
Desarrollo Tecnológico
54
3
Capítulo 3: Acondicionador de Potencia de
dos etapas (Esquema I)
En base a la revisión del estado del arte, las topologías seleccionadas para
el acondicionador de potencia de dos etapas son:
Convertidor puente completo con sujetador activo (ACFBC) para la
etapa del convertidor CD-CD e
Inversor puente completo con SPWM para el convertidor CD-CA.
Convertidor Puente Completo con Sujetador Activo Inversor Puente Completo con SPWM
L
S1 S2 S5 S6
D1 D4
Sc Lo
Ld X1
Co Co
Vp Vs
D3 D2
Cc S3 S4 S7 S8
L
Vsalida
S1 S2 D1 D2
Ds1 Cs1 Ds2 Cs2
Ss
Ventrada Dss Css
Ld
Co RL
Cs Vs
D3 D4
S3 S4
Ds3 Cs3 Ds4 Cs4
1-D D
S1-S4
Ts
S2-S3
Ss
Vp
iL
2ientrada tmuerto
ip
iCs
i(S1-S4)
t0 t1 t2 t3 t4
iL
+ S1 S2
D1 D2
Ds1 Cs1 Ds2 Cs2
Ss
Ventrada Dss
- Css Co
Ld
RL
+
Cs Vs
D3 D4
- S3 S4
Ds3 Cs3 Ds4 Cs4
iL
id + S1 S2
D1 D2
Ds1 Cs1 Ds2 Cs2
Ss
Ventrada Dss- Css Co
Ld
RL
+
Cs Vs
D3 D4
- S3 S4
Ds3 Cs3 Ds4 Cs4
iL
S1 S2
D1 D2
Ds1 Cs1 Ds2 Cs2
Ss
Ventrada Dss Css Co
Ld
iP iS
RL
+
Cs Vs
D3 D4
- S3 S4
Ds3 Cs3 Ds4 Cs4
60
iL id
S1 S2
D1 D2
Ds1 Cs1 Ds2 Cs2
Ss
Ventrada Dss Css Co
Ld
RL
+
Cs Vs id
D3 D4
- S3 S4
Ds3 Cs3 Ds4 Cs4
El tiempo muerto necesario para lograr la operación con ZVS del ACFBC
está determinado por la magnitud de la corriente en el primario del
transformador ip ya que la operación con ZVS se logra antes de que su
magnitud caiga a la mitad de su valor pico [29] (ver figura 33).
(6)
√
( ) ( )
(7)
( )
(8)
20
nT=4
18
nT=3.5
16 nT=3
Ganancia (Vsal /Vent)
14
f ( D ) 12
g( D )
10
h( D )
8
Vbajo (22V)
6
Vnominal (26V)
4
Valto (50V)
2
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
D
Ciclo de trabajo (D)
100kHz
200kHz
300kHz
Área de ZVS
400kHz
500kHz
Por lo tanto, considerando tener una mayor área de operación con ZVS,
se selecciona una frecuencia de operación de 100kHz, resultando en una
inductancia de dispersión ≤ 0.3uH.
Los esfuerzos de voltaje en los interruptores del ACFBC están dados por el
voltaje presente en el capacitor del sujetador, el cual está dado por la
siguiente relación [70]:
(9)
400
350
300
250
Vo( D)
200
Vclamp( D) Vsalida 200V
150
100
50 Vsujetador 57V
Ventrada =26V
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
D
Inductor de entrada:
(11)
65
Capacitor de salida:
(12)
1 2
500u
0
1
1
1 1
2 2
3
V9 V12 K K2
TD = 0 TD = 5u K_Linear
2
PW = 7.8u IRFPS3815 PW = 7.8u IRFPS3815 COUPLING = 1
TD = 8.2u V8 PER = 10u PER = 10u L1 = L3
2
PW = 1.4u L2 = L4
PER = 5u 1
3
2 1 2 1 2
1
300n
26Vdc
0
2 1
0
PARAMETERS:
Lp = 1
1
1
1 1 Ls = {Lp*N*N}
2 2 0
3
3
10u V10 V11 N = 3.5
TD = 5u TD = 0
2
2
PW = 7.8u IRFPS3815 PW = 7.8u IRFPS3815
PER = 10u PER = 10u
TC
15V
10V
5V
0V
S1_S4 ½ TC
15V
10V
5V
0V
S2_S3 ½ TC
15V
10V
5V
SEL>>
0V
20us 22us 24us 26us 28us 30us 32us 34us 36us 38us 40us 42us 44us 46us 48us 50us
Ss
Time
100V
75V
50V
25V
0V
Vsujetador
100V
75V
50V
25V
0V
Vpuentecompleto
40.8A
40.6A
SEL>>
40.4A
4.970ms 4.972ms 4.974ms 4.976ms 4.978ms 4.980ms 4.982ms 4.984ms 4.986ms 4.988ms 4.990ms 4.992ms 4.994ms 4.996ms 4.998ms
IL
Time
100A
0A
-100A
Iprimario
50A
25A
0A
-25A
-50A
ICsujetador
100A
50A
SEL>>
-10A
4.970ms 4.972ms 4.974ms 4.976ms 4.978ms 4.980ms 4.982ms 4.984ms 4.986ms 4.988ms 4.990ms 4.992ms 4.994ms 4.996ms 4.998ms
IS1_S4
Time
50A 40V
1 2
25A 20V
26 VCD 40.668 A
>>
0A 0V
1 Ientrada 2 Ventrada
300V 10A
1 2 199.95 VCD
200V
5A
100V
SEL>> 4.998 A
0V 0A
5.0ms 5.5ms 6.0ms 6.5ms 7.0ms 7.5ms 8.0ms 8.5ms 9.0ms 9.5ms 10.0ms
1 Vsalida 2 Isalida Time
68
+Ventrada
Vp
-Ventrada
S1 S2 ip
Lo Vsalida
ip iS1,
Co iS4
Carga
Ventrada Vp
iS2,
iS3 t
S3 S4 Vsalida Vp
+Ventrada
-Ventrada
|VT|
|VS|
Portadora Portadora
- Referencia
Salida
Referencia
+
Salida
Comparador
(13)
( ) (14)
120VCA - 60Hz
VPuente L
+Ventrada
C
-Ventrada
Fundamental
Fundamental
1
fc
2 LC
fC
Armónicos a ser filtrados
Para el cálculo del filtro se toman en cuenta aspectos como la carga y las
frecuencias de los armónicos que se desean eliminar [24], las ecuaciones
que se emplean para el diseño son las siguientes:
(17)
72
BUS
S1 S2
Pulso1
+ + + +
Pulso2
- - - -
BUS
0 0
1.1m
1 2
V2
200Vdc
5.5u 14.4
0
S3 S4
+ + + +
Pulso1
Pulso2 - - - -
1.0V
0.8V
0.6V
0.4V
0.2V
0V
0s 2ms 4ms 6ms 8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 17ms
Triangular Senoidal
Time
a)
1.0V
0.5V
0V
Senoidal Triangular
6.0V
4.0V
2.0V
SEL>>
0V
7.70ms 7.72ms 7.74ms 7.76ms 7.78ms 7.80ms 7.82ms 7.84ms 7.86ms 7.88ms 7.90ms
PatronSPWM
Time
b)
5.0V
2.5V
0V
S1_S4 tmuerto
5.0V
2.5V
SEL>>
0V
7.70ms 7.72ms 7.74ms 7.76ms 7.78ms 7.80ms 7.82ms 7.84ms 7.86ms 7.88ms 7.90ms
S2_S3
Time
c)
Figura 49 Resultados de simulación: a) Comparación de las señales
triangular y sinusoidal, b) Señal de control con patrón SPWM, c) Señales
de control para los interruptores del inversor puente completo.
20A
1 200V 2
15A
200 VCD
100V 10A
5A
>>
0V 0A
1 V(BUS) 2 Ientrada
200V 20A
1 2 120 VRMS
0V 0A
8.33 ARMS
>>
-200V -20A
10ms 12ms 14ms 16ms 18ms 20ms 22ms 24ms 26ms 28ms 30ms 32ms 34ms 36ms 38ms 40ms
1 Vsalida 2 Isalida
Time
1 2 BUS
500u
Fc=100kHz
0
0
1
Pulso1
1 1 K K2 + + + +
2 2 Pulso2
3
TD = 0 TD = 5u K_Linear - - - -
PW = 8.1u PW = 8.1u COUPLING = 1 BUS
2
PER = 5u
1 0 0
3
2 1 2 1 2
1 2
1
300n
1.1m
26Vdc
0
U7 PARAMETERS:
Lp = 1
1
1 1 Ls = {Lp*N*N} + + + +
2 2 Pulso1
3
10u N = 3.5
0 Pulso2 - - - -
TD = 5u IRFPS3815 TD = 0
2
PW = 8.1u PW = 8.1u
PER = 10u PER = 10u
0
0
76
55.0A 40V
1 2 26 VCD
52.5A
50.0A 20V
>> 50.3 A
46.0A 0V
1 Ientrada 2 Ventrada
200V 20A
1 2 120 VRMS
0V 0A
8.7 A
>>
-200V -20A
100ms 110ms 120ms 130ms 140ms 150ms 160ms 170ms 180ms 190ms 200ms
1 Vsalida 2 Isalida
Time
77
cenidet
Centro Nacional de Investigación y
Desarrollo Tecnológico
78
4
Capítulo 4: Acondicionador de Potencia
integrado (Esquema II)
L vp
iL
S1 S2 Vsalida
Ss Lo
n
Ventrada
Co
+
Cs Vs
- S3 S4
Referencia Portadora
TS
1-D D
S1 – S4
S2 – S3
Ss
IL
VP
t0 t1 t2 t3 t 4
iL
+ S1 S2
Ds1 Cs1 Ds2 Cs2
Ss
Ventrada Dss- Css
Lf
RL
Cf
+
Cs Vs
- S3 S4
Ds3 Cs3 Ds4 Cs4
82
iL
id + S1 S2
Ds1 Cs1 Ds2 Cs2
Ss
Ventrada Dss- Css
Lf
RL
Cf
+
Cs Vs
- S3 S4
Ds3 Cs3 Ds4 Cs4
iL
S1 S2
Ds1 Cs1 Ds2 Cs2
Ss
Ventrada Dss Css
Lf
iP iS RL
Cf
+
Cs Vs
- S3 S4
Ds3 Cs3 Ds4 Cs4
iL id
+ S1 S2
Ds1 Cs1 Ds2 Cs2
Ss
Ventrada Dss - Css
Lf
iP iS RL
Cf
+
Cs Vs
id
- S3 S4
Ds3 Cs3 Ds4 Cs4
[t4] A partir del instante t4, donde se encuentran encendidos todos los
interruptores, comienza un nuevo ciclo de operación de este convertidor
integrado.
84
Por otro lado, considerando que el valor mínimo recomendado del ciclo de
trabajo para una correcta operación de esta topología es del 10% [29], se
establece un ciclo de trabajo de D=10% que corresponde a 1us.
Para calcular los valores del capacitor del sujetador y del inductor de
entrada se emplean las ecuaciones (10) y (11) respectivamente, en las
cuales se sustituyen los valores establecidos del ciclo de trabajo y
frecuencia de operación.
85
(20)
(a)
(b)
tmuerto
(c)
39.38 Aavg
26 V
120 Vrms
8.43 Arms
Para calcular los valores del filtro LC se emplea la ecuación (15) para la
frecuencia de corte, seleccionando una frecuencia de corte por debajo de la
frecuencia del rizado de corriente de entrada (<120Hz).
Los valores obtenidos para el filtro LC se presentan en la tabla 7. 89
40.2 A promedio
26 VCD
120 Vrms
8.5 A rms
91
cenidet
Centro Nacional de Investigación y
Desarrollo Tecnológico
92
5
Capítulo 5: Implementación y resultados
experimentales
L
D
S1-S4 S1 S2
Ss
Ts
S2-S3 Co
tmuerto Ts/2 Cs Vs
S3 S4
Ss t
Las señales S1-S4 y S2-S3 manejan los interruptores del puente completo y
la señal SS se utiliza para el control del interruptor del sujetador. Las
señales de control S1-S4 y S2-S3 son similares pero están desfasadas 180° y
la señal de control del sujetador S S tiene el doble de la frecuencia de
operación, además es encendida solamente durante el tiempo de apagado
de cada rama diagonal. La señal de control del sujetador debe incluir el
94 tiempo muerto necesario para lograr la conmutación con voltaje cero.
PWM
TL494CN
Entrada
Comp. S1-S4 TC
50% TC S1-S4
Triangular Monoestable
Q
fC MC14538BCP
Q’ OR
74HS32
50% TC
S2-S3
50% TC S2-S3
Monoestable
MC14538BCP Q
Q’
Ahora, para obtener la señal del sujetador, las señales S1-S4 y S2-S3 se
pasan por una compuerta AND (74HS08), después se utiliza un
monoestable MC14538BCP (con un 95% de la mitad del periodo de
conmutación) y un retardo mediante una compuerta NAND (74HS00).
Finalmente, mediante una compuerta AND (74HS08) se obtiene la señal
final. En la figura 66 se muestra el diagrama de bloques del proceso de
generación de la señal SS.
95% ½ TC
S1-S4
AND Monoestable
Q’ TC
74HS08 MC14538BCP
S1-S4
Q AND
74HS08
t
S2-S3
SS 50% TC
NAND
74HS00 S2-S3
tmuerto
Ss
t
S1-S4
D
S2-S3
SS
tMuerto
97
Amplificador
operacional
Microprocesador Convertidor TL082 SSinusoidal
PIC16F84A
Digital/Analógico 60Hz
+
DAC0800
-
Ssinusoidal t
Secuencia digital Señal analógica
fReloj
Señal de referencia
sinusoidal
98
PWM
TL494CN Circuito de
Señal de control medio
puente
referencia
IR2104
99
S1-S4
S2-S3
tMuerto
5.1.3 Impulsores
100
impulsor en cada una de las señales de control de los interruptores.
Circuito S1 Circuito S2
Impulsor Impulsor
Circuito
Tierra Tierra
de Control flotante flotante
1 2
Circuito S3 Circuito S4
Impulsor Impulsor
Tierra
Fuente aislada VS
Regulador
7805
VCC
Opto-acoplador
Señal de Señal de
control compuerta
HCPL2611
Tierra Impulsor
control
MIC4451
Tierra aislada
101
(21)
Los esfuerzos de voltaje en los interruptores están dados por el voltaje del
sujetador, por lo tanto tenemos que:
(22)
Por otro lado, los diodos del rectificador de salida del convertidor CD-CD
deben soportar un voltaje de 200VCD presente en el bus de CD y una
corriente promedio de 5A aproximadamente dada por la potencia de salida.
(23)
102
103
1200
IGBTs
1000
Voltaje (V)
800
600
IGBTs ??? MOSFETs
400
200
MOSFETs
0
10 100 1000
Frecuencia (kHz)
Figura 75 Selección de los dispositivos de conmutación adecuados (rangos
de voltajes y frecuencias de operación).
105
VEntrada
VCapacitor sujetador
VSujetador
VEntrada ILEntrada
VSalida
VCapacitor sujetador
VEntrada
IEntrada
ISalida
VSalida
VSalida
ISalida
VEntrada
IEntrada
107
Carga 900 W
= 75% VSalida
∆Ientrada = 5 %
ISalida
VEntrada
IEntrada
THD = 2.1 %
100
max = 85%
90
80
70
Eficiencia (%)
60
50
40
30
20
Ventrada 26V
10
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900
Potencia de salida (W)
L
D
S1-S4 S1 S2
Ss
Ts
S2-S3
tmuerto Cs Vs
½ Ts S3 S4
Ss t
Las señales de control S1-S4 y S2-S3 se generan a partir del patrón SPWM
manteniendo constante el ciclo de trabajo (o tiempo de traslape entre estas
señales). La señal de control del sujetador SS tiene el doble de la frecuencia
de operación y además es encendida solamente durante el tiempo de
apagado de cada rama diagonal, además debe incluir el tiempo muerto
necesario para lograr ZVS.
S1-S4
Sb S2-S3
S1-S4
D
S2-S3
SS
tMuerto
Como se puede ver en la figura 85, las señales S1-S4 y S2-S3 mantienen el
ciclo de trabajo establecido (1us) y la señal del sujetador SS tiene el doble
de la frecuencia de conmutación. Además, se observa el tiempo muerto
entre las señales de control de las ramas del puente completo y la señal de
control del sujetador cuya magnitud es de aproximadamente 100ns.
112
VEntrada
VCapacitor sujetador
VSujetador
IInductor
Señal antes
del filtro
Señal después
del filtro
= 73%
Carga 900 W
VSalida
ISalida
∆Ientrada = 100 %
IEntrada
Carga 900 W
∆Ientrada 6.5%
IEntrada
VEntrada
100
90
80 max = 90%
70
Eficiencia (%)
60
50
40
30
20
Ventrada 26V
10
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900
Potencia de salida (W)
= 94.7 %
96
94
92
90
= 86.4 %
Eficiencia (%)
88
86
84
100W
82 = 79 % 500W
80 900W
78
76
74
Variación de voltaje 26-48VCD
72
70
26V 28 30V 32V 34V 36V 38 40V 48V
Voltaje de entrada del API
Carga 100W
100 Vcelda=40V
90
= 76 %
80 = 93 %
70
Eficiencia (%)
60
Carga 900W
50 Vcelda=30V
40
30
20
Variación de voltaje 40-30VCD (@ 100-900W)
10
0
26V 30V 31V 32V 33V 34V 35V 36V 37V 40V
Voltaje de salida de la celda de combustible Nexa
118
parámetros que más afectan la eficiencia del acondicionador de potencia.
Pérdidas -3
Rprimen el transformador:
: 1.8 10 Ohms
L
2
Pprim : 0.9
Rsec : Iprimrms Rprim
Ohms
2
Psec : Isalidarms Rsec
S1 S2
Ss
Cs Vs
S3 S4 Pérdidas por conducción del MOSFET:
T
2
1 2
Pcond_MOSFET : i ( t ) RMOSFETequiv d ( t ) d t
T 0
Pérdidas por conducción del MOSFET:
T 2 Pérdidas por conducción del diodo:
PcondsMOSFET : ( ISujrms) RMOSFETequiv T
2
1 2 Pérdidas 1.708 Watts
por conducción
PcondsMOSFET del diodo: 2
T : i ( t) RMOSFETequiv d ( t) d t 1 2
T 2
PcondsDiodo : ( ISujrms) RDiodoequiv Pcond_Diodo : i ( t ) RDiodoequiv d ( t ) d t
0 T 0
Pérdidas por carga de compuerta: Pérdidas por carga de compuerta:
Pccs : nMOS Qgs Vgs Fconms Pcc : nMOS Qgs Vgs Fconm
Pérdidaspor
Perdidas por capacitancia
capacitancia parásita:
parásita:
Pérdidas porcapacitancia
Perdidas por capacitancia parásita:
parásita:
nMOS 2
nMOS 2 Pcp : Coss Vds Fconm
Pcps : Coss Vds Fconms 2
2
Pérdidas porconmutación:
Perdidas por conmutación: Pérdidaspor
Perdidas por conmutación:
conmutación:
Vds Vds
Pconms : Fconms ( tr + tf ) ISujrms Pconm : Fconm ( tr + tf ) Iprimrms
2 2
100
90
80
70
60
Eficiencia_Experimental
50
Eficiencia_Modelo
40
30
20
10
0
3
100 200 300 400 500 600 700 800 900 110
P otencia_Carga
90
80
70
Eficiencia (%)
60
Carga 900W
50
40
30
20
Modelo de pérdidas en MathCad
10
Resultados experimentales
0
26V 30V 31V 32V 33V 34V 35V 36V 37V 40V
Voltaje de salida para la celda de combustible Nexa
120
100
95
90
85
80
Eficiencia_IRFB4710
75
Eficiencia_IRFS3107
70
65
60
55
50
3
100 200 300 400 500 600 700 800 900 110
P otencia_Carga
121
100
95
90
85
80
Eficiencia_Modelo
75
Eficiencia_Ideal
70
65
60
55
50
3
100 200 300 400 500 600 700 800 900 110
P otencia_Carga
100
90
80
70
Eficiencia (%)
60
50
40
30
20
Acondicionador de potencia de dos etapas (Esquema I)
10
Acondicionador de potencia integrado (Esquema II)
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900
Potencia de salida (W)
= 85.5 %
THD 2.1 %
124
dos etapas alimentando una carga inductiva.
= 88.1 %
THD 5.3 %
S=P+Q (24)
cenidet
Centro Nacional de Investigación y
Desarrollo Tecnológico
126
6
Capítulo 6: Conclusiones
128
su explotación comercial es el alto costo inicial de producción, no
[A] Alejandro Vázquez, Carlos Aguilar and Francisco Canales, “New Power
Conditioner Topology for Fuel Cell based Power Supply Systems:
Design Considerations”, Seminario Anual de Automática, Electrónica
Industrial e Instrumentación 2007, SAAEI 2007, (10-12 de Septiembre de
2007, Puebla, México). 131
cenidet
Centro Nacional de Investigación y
Desarrollo Tecnológico
134
Libros:
[1] Muhammad H. Rashid, Power Electronics, Circuits, Devices and
Applications, Second Edition, Prentice Hall, 1993.
[2] Jai P. Agrawal, Power Electronic Systems: Theory and Design,
Prentice Hall, 2001.
[3] Ned Mohan, Tore M. Undeland, William P. Robbins, Power Electronics:
Converters, Applications and Design, Third Edition, John Wiley and
Sons Inc., 2003.
[4] Colonel Wm. T. McLyman, Transformer and Inductor Design
Handbook, Third Edition, Revised and Expanded, Marcel Dekker Inc.,
2004.
[5] James Larminie, Andrew Dicks, Fuel Cell Systems Explained, Second
Edition, John Wiley & Sons Ltd, 2003.
[6] U. S. Department of Energy, National Energy Technology Laboratory,
Fuel Cell Handbook, Sixth Edition, EG&G Technical Services Inc., 2002.
[7] Frano Barbir, PEM Fuel Cells: Theory and Practice, Elsevier
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[8] Supramaniam Srinivasan, Fuel Cells form Fundamentals to
Applications, Springer, 2006.
[9] Enrique Palacios, Fernando Remiro, Lucas J. López, Microcontrolador
PIC16F84: Desarrollo de Proyectos, Tercera Edición, Alfaomega, 2009.
Inversores Monofásicos
[77] Y. Xue, L. Chang, S. B. Kjaer, J. Bordonau, T. Shimizu, “Topologies
of Single-Phase Inverters for Small Distributed Power Generators: An
Overview”, IEEE Transactions on Power Electronics, September 2004,
Vol.19, No.5, pp. 1305-1314.
5 P
0 0
0
K
Cref
0.1uF
C
1
V
0.01uF
C
C
5 P
2
K 1
0.1uF C
5
source
8 7 6 5 4 3 2 1
PWM
Control +
1
5
TL494CN PWM C
v
4
1
Header
C G R C DTC CMPEN IN1- IN1+
1 Alimentación
1 N T T
1
0
D
u
2
F
2 1
3
CNTLO
VREF
V IN2+
IN2-
+
C
C
E E
5
C
1 2 2
v
0.0002u Cap C
5
V
C
1 R
9 1 1 1 1 1 1 1
0 1 2 3 4 5 6
C
K
1
C
1 Res2 R
1 C
0
1
1 R
1
0
3
K
K
2
u
1 1 1
F
5 3 2 1
8 7
4
6
2
0
V
K
PIC16F84A-04/P U RFrec
C
1
Fuse F
1
V
VSS RA4/T0CKI R R R R MCLR
C
OSC1/CLKI
1
C
A A A A
C
2
0.1uF
V
4 R
C
3 2 1 0
6
7
C
1
C
0.1uF
K
C
2
.001uF
1N4148
Diode D
control
Muertos
Tiempos .001uF
1
V
C
1 1
OSC2/CLKO
C
0 0
0 0
C C
CONTROL PARA EL ACFBC
p p
8 7
RB0/INT
F F
FUENTES DE ALIMENTACIÓN
V
R R R R R R R
V
1 1 1 1
D
B B B B B B B
3 5 4 2
3 1 2 4
C
C
0.1uF
D
7 6 5 4 3 2 1
C
9
5 P MC14538BCP 5 P
V
Trans T
K 3 K 2
CLR CX/RX CLR CX/RX
C
B A B A
1
1 1 1 1 9 8 7 6 1 1
C
V
3 2 1 0 5 4
C
C
U1A U1B
V V
Q Q Q Q
C C
0.1u Cap C
C C
1
7 6 9 1
us
10
of
50%
0
1 1 1
2 1
3
2 1 0
9 8 7 6 5 1
SN74LS32N U2A
DAC0800 U
2
VEE B B B B B B B B VLC
8 7 6 5 4 3 2 1
1 Cap C
0
2
VREF+
3
COMP VREF-
IOUT IOUT
V
3
D
D
0.1uF C
G V
4
D
N C
1
2 1
1 1 1 2 4 1
D C
6 4 5 3
SN7400N U3A
1 Res1
1 R
0
0
6
(S2-S3) (S1-S4)
K
K
C
R
3
2
1
0
3
K
1
R
0
2
K
Res1 R
5 4
4
5 RPot Roff
0
ANEXOS
SN7400N U3B
K
sujetador
para
Muertos
Tiempos
0.1uF Cap C 5 Res1
0
1
K
R
C
5
3
.1uF C11
.001uF
1
GENERADOR DE SEÑAL DE REFERENCIA (SINUSOIDAL)
6
5 RPot Ramp
C10
V V
0
MC7815CT U
C C
K
1
C C
I
N
2
G
N
5 P
D
k 4
O
3 5 4 2
5 P D
U
k 5
1
MC14538BCP U4A
T
3 2
CLR CX/RX
B A
3
4 8
.001uF C12
us
5
of
95%
+
V
-15
1
1
R
0
9
C
5
2
C
C
Q Q
4.7K
SN7400N U3C
4
1
7 6
LED1 DS1
TL082ACJG U3A
8
1 1
3 2
SN7400N U3D
A.1 Diagramas eléctricos de los circuitos implementados
2
Header JP2
V
Figura 1 Esquemático fuentes de alimentación.
2 1
C
C
.1uF C13
1
V
1
C
C
.1uF C14
Figura 3 Esquemático generador de señal de referencia.
SALIDAS
V
C
C
1
1
.1uF C15
con
2
3
2
CONTROL
1
TMs
2
SN7400N U5A
Figura 2 Esquemático etapa de control para el convertidor puente
completo con sujetador activo (acondicionador de potencia dos etapas).
0.0002u C20
Senoidal REFERENCIA
1 R10
0
K
1 2
1 1 1
5 3 2 1
8 7
4
6
2
0
K
PIC16F84A-04/P U RFrec
3
VSS RA4/T0CKI R R R R MCLR
OSC1/CLKI
A A A A
V
3 2 1 0
0.01uF C
C
1
C
5 P
2
IMPULSORES
K 1
0.1uF
1N4148
Diode D
C15
1
SPWM
Control FUENTES
8 7 6 5 4 3 2 1
C14
OSC2/CLKO
TL494CN PWM
1
C G R C DTC CMPEN IN1- IN1+
RB0/INT
1 1
1 N T T
2
0 5
D
u V
V
F
R R R R R R R
D
ALIMENTACION
B B B B B B B
1
D
7 6 5 4 3 2 1
5
2
V
CNTLO
+
VREF
5
V IN2+
1 1 1 1 9 8 7 6 1 1
IN2-
C
3 2 1 0 5 4
C
E E
C
2
1 2
V
C
9 1 1 1 1 1 1 1
LED2
0 1 2 3 4 5 6
C
1 C
0.1u C21
1 R
0
3
K
2
u
F
V
C
V
C
1 R13
D
K
2
CONTROL ALIMENT
V
4 R
D
7
C
1
C
0.1uF
K
C
2
1 1 1
2
Header JP1
3
2 1 0
9 8 7 6 5 1
1 2
DAC0800 U
2
Header JP2
4
VEE B B B B B B B B VLC
1 1
8 7 6 5 4 3 2 1
0 0
1 2
0 0
C C
p p
5 4
F F
V
1 C22
C
0
VREF+
C
3
COMP VREF-
V
1 1 1 1
IOUT IOUT
3 5 4 2 3 1 2 4
C
V
C
0.1uF
C
D
9
3
9
control
Muertos
Tiempos 5 P MC14538BCP 5 P
D
V
0.1uF C23
0
K 3 K 2
R
CLR CX/RX CLR CX/RX
C
B A B A
1
C
1 1 1 2 4 1
V
6 4 5 3
C
C
U1A U1B
V V
1 Res1
Q Q Q Q
C C
1 R
3 2 1
MC7805CT
0
C C
0
6
K
K
HCPL2611 U U
2 1
K A I
7 6 9 1
N
R
0
3
8 2
1
G
V V
VCC
0
N
C C
K
1
D
R11
C C
0
O
C10
K
0.1uF
U
V
Res1 R
G
T
C
N V
4
5 RPot Roff
1
C
D O
0
3 5 1 9
K
5 Res1
3
0
K
0.1uF C24 R
5 6
D D
C C
5
3 2
4 6
0
1 8
R R
S S
MC14013BCP
4 8
5 RPot Ramp
C
U2A U2B
0
0.1uF C
2
K
Q Q Q Q
1
2
2
-VCC
u
F
2 1 1 1
V
2 3
C
1
V
C
C
TL082ACJG U5A
C
1
2 1
FUENTES
1 R
G
2
K
2
N
SN7400N U3A
D
4 2 1
C11
0.1uF
1
integrado.
MIC4451 U
+
3
5
5
G G I
N
2
V
N N
V
D D
C
CONTROL PARA EL INVERSOR PUENTE COMPLETO
0.01uF C
5 P -VCC
C
5
3
C12
1
0.1uF
K 1
3
V
S
V
SN7404N U4C
O
C
1
U
C
G
1
sujetador
para
Muertos
Tiempos
T
N
1 C14
1
SN7404N U4E
D
0
8 7 6 5 4 3 2 1
0
0.01uF C16 LED1
SN7404N U4A
5
p
F
6
TL494CN PWM
C G R C DTC CMPEN IN1- IN1+
potencia dos etapas).
1 N T T
1
D
1 Pol1
Cap C15
5 P
0
0
K 5
2
u
1 R12
F
K
5 P
K 6
C
0.1uF
CNTLO
5 P 1
3
K 4 0
VREF
4H
Header JP3
9
V IN2+
C
0
IN2-
4 3 2 1
p
C
7
C
E E
F
SN7404N U4D
1
C
1 2 2
1
0
3
C
0
1
p
2 C
0
8
V
G
3
F
2
SN7404N U4F C
0
4
C
u
N
9 1 1 1 1 1 1 1
p
6
F
0 1 2 3 4 5 6
F
C
SN7404N U4B
D
1 Pol1
Cap C
8
1 R
0
3
K
2
u
F
1
V
Figura 6 Esquemático impulsores.
2
C
4
V
C
1
D
0
9
V V
4 R
D
1 1
7
C C
3 2
1
SN7400N U3C
0.1uF C
CONTROL PARA EL ACONDICIONADOR DE POTENCIA INTEGRADO
K
C C
6
5 4
SN7400N U3D
0.1uF C
7
SN7400N U3B
G
N
V
D
C
4 1 3 2
C
8
IR2104 U
1
2
C V S I
1
N
D
6
O C
C13
0.1uF
M C
3
SN7404N U5B
5 1
SN7404N U5C SN7404N U5A
V H
L V
O
B O
S
SALIDAS
4
1
5 6 8 7
con
2
6 2
CONTROL
1
TMs
0.1uF
2
C
SALIDAS
V
1
8
C
G
2
C
N
D
Figura 5 Esquemático etapa de control acondicionador de potencia
Figura 4 Esquemático etapa de control inversor SPWM (acondicionador de
A.2 Generación de la señal sinusoidal usando el PIC16F84A
INICIO
Limpiar puerto de
salida y cargar
valor de la tabla
Tabla de
Enviar datos al
valores en
puerto de Salida
hexadecimal
Cargar siguiente
valor de la tabla
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
Consultando la tabla 1, el núcleo que tiene el valor de área efectiva más
cercano al valor encontrado en el diseño es el tipo EC52. Por lo tanto, el
núcleo magnético utilizado es un EC52 con ferrita de material 3C85 de
Ferroxcube.
(6)
(7)
(8)
Donde:
Vp es el voltaje máximo en el devanado primario
Fc es la frecuencia de conmutación
Ae es el área efectiva del núcleo EC52
βNom es la densidad de flujo magnético nominal
K es una constante igual a 4
Sustituyendo los valores en la ecuación (8) se tiene lo siguiente:
(9)
(10)
(11)
Entonces, el área del alambre del devanado secundario está dada por la
ecuación (6):
(12)
Número de vueltas
El número de vueltas del inductor se calcula mediante la siguiente
expresión:
(13)
Donde:
Ae = Área efectiva del núcleo
S2 = 0.75 =Constante
S3 = 0.6 = Constante
Aalambre= Área del alambre según la tabla AWG [cm2]
(15)
Donde:
N = Número de vueltas
Amin = Área mínima del núcleo (Consultar hoja de datos de Ferroxcube)
L = Valor de inductancia
Sustituyendo los valores correspondientes, se tiene que:
(16)
(17)
(18)
Número de vueltas
El número de vueltas del inductor se calcula mediante la ecuación (13),
por lo tanto tenemos que:
(19)
(20)
A.4 Diseño de los elementos magnéticos del API
INDUCTOR DE ENTRADA
(21)
Número de vueltas
El número de vueltas del inductor se calcula mediante la ecuación (13):
(22)
(23)
(24)
(25)
Número de vueltas
El número de vueltas del inductor se calcula mediante la ecuación (13), y
sustituyendo datos se tiene que:
(26)
(27)
√ (28)
Donde:
S = Sección del núcleo en cm2
P = Potencia en Watts
Por lo tanto:
√ (29)
(30)
(31)
Donde:
N1 = Número de espiras del bobinado primario
N2 = Número de espiras del bobinado secundario
V1 = Tensión del bobinado primario en Volts
V2 = Tensión del bobinado secundario en Volts
f = Frecuencia de la red en Hertz
B = Inducción magnética en Gauss
S = Sección del núcleo en cm2
B = μH (32)
Donde:
μ es la permeabilidad del hierro usado en el núcleo
H es el campo magnético
(33)
(34)
Una vez obtenidas las espiras de los dos bobinados se debe calcular el
alambre a utilizar para hacer el bobinado.
(35)
(36)
Pérdidas -3
Rprimen el transformador:
: 1.8 10 Ohms
L
2
Pprim : 0.9
Rsec : Iprimrms Rprim
Ohms
2
Psec : Isalidarms Rsec
S1 S2
Ss
Cs Vs
S3 S4 Pérdidas por conducción del MOSFET:
T
2
1 2
Pcond_MOSFET : i ( t ) RMOSFETequiv d ( t ) d t
T 0
Pérdidas por conducción del MOSFET:
T 2 Pérdidas por conducción del diodo:
PcondsMOSFET : ( ISujrms) RMOSFETequiv T
2
1 2 Pérdidas 1.708 Watts
por conducción
PcondsMOSFET del diodo: 2
i ( t) RMOSFETequiv d ( t) d t 1 2
T 2
PcondsDiodo : ( ISujrms) RDiodoequiv Pcond_Diodo : i ( t ) RDiodoequiv d ( t ) d t
0 T 0
Pérdidas por carga de compuerta: Pérdidas por carga de compuerta:
Pccs : nMOS Qgs Vgs Fconms Pcc : nMOS Qgs Vgs Fconm
Pérdidaspor
Perdidas por capacitancia
capacitancia parásita:
parásita:
Pérdidas porcapacitancia
Perdidas por capacitancia parásita:
parásita:
nMOS 2
nMOS 2 Pcp : Coss Vds Fconm
Pcps : Coss Vds Fconms 2
2
Pérdidas porconmutación:
Perdidas por conmutación: Pérdidaspor
Perdidas por conmutación:
conmutación:
Vds Vds
Pconms : Fconms ( tr + tf ) ISujrms Pconm : Fconm ( tr + tf ) Iprimrms
2 2
PROGRAMA EN MATHCAD
PARÁMETROS DE DISEÑO
Potencia de Diseño:
3
Potencia : 1 10 Watts
DATOS DE COMPONENTES
Inductor de entrada:
-6 -3
Lent : 130 10 Henrios R_Lent : 0.1 10 Ohms
MOSFET IRFB4710:
-3
RDSenc : 14 10 Ohms
CÁLCULO DE PÉRDIDAS
Corrientes rms de Entrada y Salida:
Potencia Potencia
Ientradaprom : Isalidarms :
Vent_nom Vsal
Isalidarms 8.333 Amperes
Ientradaprom 38.462 Amperes
ELEMENTOS MAGNÉTICOS
Transformador de baja frecuencia:
-3
Rprim : 1.8 10 Ohms Rsec : 1 Ohms
2
Pprim : Rprim Iprim Watts
Pprim 6.125
2
Psec : Rsec Isalidarms Watts
Psec 69.444
Ptrans : Pprim + Psec
Ptrans 75.569 Watts
Inductor de entrada:
2
PcondLent : R_Lent ( Ientradaprom)
PcondLent 0.148 Watts
DISPOSITIVOS DE CONMUTACIÓN (IRFB4710)
Puente Completo Sujetador Activo
Pérdidas por conducción: Pérdidas por conducción:
2 2
Pcond : Requiv ( Iprim) Pconds : Requiv ( I_Suj)
Pcond 15.88 Watts Pconds 1.843 Watts
PtotalPuente : PtotalMOS 4
PtotalPuente 121.055
Eficiencia 73.344 %