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Tema 1: Tecnología de
materiales y mecatrónica.
A
Estructuras cristalinas metálicas
Celda cúbica centrada en las caras (FCC)
Nº de coordinación: 12
Atomos por celda: 8 vértices*1/8 + 6 caras * ½ = 4
Relación radio-arista: (4r)2=a2+a2
4r a = 2 2r
Nº de coordinación: 12
Atomos por celda hexagonal (3 celdas simples):
c 12 vértices*1/6 + 2 caras*1/2 + 3 centro = 6 átomos
Relación radio-arista: a=2r
Relación altura-arista: c/a = 1,633
a Factor de empacado: 74%
Vocupado 6(4 / 3 )πr 3 6(4 / 3 )πr 3
F .E. = = = = 0.74
Vcelda Abase c 3 3 2
2 a 1,633a
Estructuras cristalinas metálicas
Celda cúbica centrada en el cuerpo (BCC)
Nº de coordinación: 8
Atomos por celda: 8 vértices*1/8 + 1 centro = 2
Relación radio-arista: (4r)2=a2+b2=a2+(a2+a2)
c
4
a= r
3
b
Factor de empacado: 68%
a
Vocupado 2(4 / 3 )πr 3 2(4 / 3 )πr 3
F .E. = = 3
= 3
= 0.68
Vcelda a 4
r
3
Estructuras cristalinas metálicas
Celda cúbica simple (CS)
Nº de coordinación: 6
Atomos por celda: 8 vértices*1/8 = 1
Relación radio-arista:
a = 2r
Factor de empacado: 52%
F .E. =
Vocupado
=
(4 / 3 )πr 3 (4 / 3 )πr 3
= = 0.52
Vcelda a 3
(2r )3
2
2 2 1
h = ra + a
2
h 2 = a 2 + ( 2a )2 h2 = a2 + a2 2
2 1
(2ra + 2rc )2 = (2ra )2 + ( 2 2ra )2
2
(2ra + 2rc ) = (2ra ) + (2ra )
2 2 (ra + rc ) 2
= (ra ) + 2ra
2
(ra + rc )2 = (ra )2 + 2(ra )2 (ra + rc )2 = (ra )2 + (ra )2 3
ra + rc = ra
ra + rc = 3 ( ra ) ra + rc = 2 (ra ) 2
rc rc 3
rc
= 3 − 1 = 0,732 = 2 − 1 = 0,414 = − 1 = 0,225
ra ra ra 2
Estructura CsCl Esteq. AB
1 > (rc/ra) > 0,732
Red: Cúbica-P. Base: Cs (0,0,0); Cl (½, ½, ½)
Sitios de catión y anión idénticos (2 Cúbica-P
desplazadas por (½, ½, ½)).
1 CsCl por celda. NC: 8:8 (cúbica)
Típica de haluros de cationes voluminosos (Cs+,
Tl+, NH4+)
AB
Estructura sal común (NaCl)
0,732 > (rc/ra) > 0,414
O Ca
Ti
O O
Estructuras covalentes
Diamante
Red: Cúbica-F. Base: 2C (0,0,0) ; (¼, ¼, ¼)
Ejemplos: C (diamante), Si, Ge, Sn.
8 at/celda. NC: 4
Radio covalente
del C = 77 pm
3a = 8 R 4 3
8 × πR
F.E. = 3 = 0.34
3
a
Indices de Miller
Coordenada cristalográficas
Las coordenadas cristalográficas se escriben en forma x,y,z donde los
tres índices corresponden a la fracción de los parámetros de red a,b,c en
las direcciones cartesianas.
Indices de Miller
Indices de Miller de direcciones cristalográficas:
- Determine las coordenadas u,v,w de los dos puntos de la dirección.
- Sustraiga las coordenadas del primer punto.
- Elimine las fracciones multiplicando por el factor necesario para obtener los
números enteros más bajos posibles.
- Los índices se escriben [uvw]. Los signos negativos se sitúan encima de los
números
Indices de Miller
Indices de Miller de un plano cristalográfico:
1. Determine los puntos de corte del plano con los ejes X, Y y Z.
- Si el plano es paralelo a un eje, el punto de corte es ∞.
- Si el plano pasa por el origen, escoja otro plano equivalente o mueva el origen a un punto equivalente
en una celda vecina.
2. Calcule la inversa de los puntos de corte.
3. Elimine las fracciones multiplicando por factor necesario para obtener los números enteros
más bajos posibles.
4. Los índices se escriben (hkl). Los signos negativos se sitúan encima de los números
Difracción de Rayos X
La luz se difracta (se reemite en todas las direcciones) cuando encuentra un
obstáculo de dimensiones similares a su longitud de onda.
- Aparece un patrón de interferencia, similar al observado en experimentos de
difracción de doble rendija por Thomas Young
Ley de Bragg
n λ = 2 d s in θ
Bragg supuso
reflexión!!
d sin θ d sin θ
Difracción de Rayos X
Técnica de difracción de polvos
Defectos en sólidos cristalinos
Muchas propiedades importantes están limitadas por los
defectos en la red cristalina.
Los defectos se clasifican en los siguientes grupos:
n n − Ev n − EF n − ES
≈ = exp 1/ 2
≈ exp = exp
(NN ′) 2kT N 2kT
N N −n kT
Si Ev = 1 eV
n/N = 10-5
T = 1000K
Defectos puntuales extrínsecos
Fotomicrografía electrónica de
apilamiento de dislocaciones en
Ti3Al (x26.500).
Dislocación de tornillo
Línea de
dislocación