UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

Facultad de Ingenierı́a
Programa de Ingenierı́a Mecatrónica

LABORATORIO N°01
Curva Caracterı́stica de un Diodo

DESARROLLO DE GUÍA DE LABORATORIO

Electrónica Analógica
Estudiantes :
Ferrel Alfaro, Keyar Raúl
Montoya Herrera, Marcelo José
Olórtegui Revoredo, Josué Eduardo
Docentes :
Dra. Vilma J. Méndez Gil
Dr. Luis E. Alfaro Garcı́a
Mg. Fernando J. Hurtado Butrón
Mg. Yamil Z. Minez Cuba
Ciclo :
2021 I

Trujillo, Perú
2021
CURVA DE UN DIODO ELECT. ANALÓGICA

Tabla de Contenidos

Resumen 2

1. Resultados de la experiencia 3

2. Desarrollo del test de comprobación 8

3. Recomendaciones 9

4. Conclusiones 10

Bibliografı́a 11

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CURVA DE UN DIODO ELECT. ANALÓGICA

Resumen
En el presente laboratorio se analizaron dos circuitos electrónicos, con el fin de analizar
un diodo rectificador ya sea en polarización directa o inversa. El experimento virtual consistió
en la construcción de dos circuitos haciendo uso del programa Multisim e integrando com-
ponentes tales como:un diodo 1N4007, una fuente de voltaje y una resistencia de 1K. Para
responder al problema acerca de la obtención de la curva caracterı́stica del diodo rectificador
de silicio, fue necesario hacer un registro en tablas sobre los valores de voltaje y corriente que
se obtienen del diodo. Estos datos, fueron graficados con la intención de estudiar el compor-
tamiento de la curva generada. Al observar y analizar la dicha curva, se comprobó que tiene
una forma exponencial en polarización directa,teniendo como voltaje de rodilla un valor de
0.7 V. Ası́ mismo, para la polarización inversa se observó que la curva sufre una caı́da en
su forma para un valor de tensión de -1100 V, por lo que este dato representa el voltaje de
ruptura. Finalmente, al realizar una comparación con otros tipos de diodos, se concluyó que
el valor del voltaje rodilla no es único y está sujeto a diferentes condiciones.

Palabras Claves: Diodo, polarización, voltaje, corriente.

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Desarrollo del Laboratorio

1. Resultados de la experiencia

Se instalaron dos circuitos eléctricos en el software Multisim. Con polarización directa e

inversa del diodo 1N4007.

(a) (b)

Figura 1: (a) Polarización Directa. (b) Polarización Inversa.

Se controló la salida del voltaje de la fuente de CC, intercalando de 0.5 V en 0.5 V desde
0 V hasta 25 V , para medir la caı́da de tensión entre los terminales del diodo, y la intensidad
de corriente que se da en el circuito de la Figura 1a, en la cual el diodo está en polarización
directa. Posteriormente se colocaron los datos en las Tablas 1 y 2.

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Tabla 1: Voltaje e intensidad de un diodo 1N4007 en polarización directa, variando el voltaje

de la fuente de 0 a 12.5 V.

Voltaje de la Voltaje de polarización Intensidad del

Fuente de CC(V) Directa del diodo (V) diodo (mA)
0 0 0
0.5 0.410547 0.089453
1 0.499609 0.500391
1.5 0.533671 0.966329
2 0.554521 1.445
2.5 0.569508 1.93
3 0.581194 2.419
3.5 0.590765 2.909
4 0.598867 3.401
4.5 0.605889 3.894
5 0.612086 4.388
5.5 0.617631 4.882
6 0.622647 5.377
6.5 0.627227 5.873
7 0.631441 6.369
7.5 0.635342 6.865
8 0.638975 7.361
8.5 0.642373 7.858
9 0.645566 8.354
9.5 0.648576 8.851
10 0.651424 9.349
10.5 0.654127 9.846
11 0.656698 10.343
11.5 0.659149 10.841
12 0.661492 11.339
12.5 0.663736 11.836

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Tabla 2: Voltaje e intensidad de un diodo 1N4007 en polarización directa, variando el voltaje

de la fuente de 13 a 25 V.

Voltaje de la Voltaje de polarización Intensidad del

Fuente de CC(V) Directa del diodo (V) diodo (mA)
13 0.665889 12.334
13.5 0.667957 12.832
14 0.669948 13.33
14.5 0.671867 13.828
15 0.673719 14.326
15.5 0.675509 14.824
16 0.67724 15.323
16.5 0.678917 15.821
17 0.680543 16.319
17.5 0.68212 16.818
18 0.683653 17.316
18.5 0.685142 17.815
19 0.686591 18.313
19.5 0.688002 18.812
20 0.689377 19.311
20.5 0.690717 19.809
21 0.692024 20.308
21.5 0.693301 20.807
22 0.694547 21.305
22.5 0.695766 21.804
23 0.696957 22.303
23.5 0.698123 22.802
24 0.699264 23.301
24.5 0.700381 23.8
25 0.701476 24.299

También se controló también la salida del voltaje de la fuente de CC, intercalando de

manera no uniforme desde 50 V hasta 1350 V, para medir la caı́da de tensión entre los
terminales del diodo, y la intensidad de corriente que se da en el circuito de la Figura 1b,
en la cual el diodo está en polarización inversa. Posteriormente se colocaron los datos en las
Tablas 3 y 4. Adicionalmente se llenó la tabla 5 en polarización inversa para poder obtener
con mayor claridad la curva caracterı́stica del diodo rectificador de silicio.

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Tabla 3: Voltaje e intensidad de un diodo 1N4007 en polarización inversa, variando el voltaje

de la fuente de 50 a 990 V.

Voltaje de la Voltaje de polarización Intensidad del

Fuente de CC (V) Inversa del diodo (V) diodo (mA)
50 -50 -0.000082
100 -100 -0.0001321
150 -150 -0.0001821
200 -200 -0.0002322
250 -250 -0.0002822
300 -300 -0.0003323
350 -350 -0.0003823
400 -400 -0.0004324
450 -450 -0.0004824
500 -499.999 -0.0005325
550 -549.999 -0.0005825
600 -599.999 -0.0006326
650 -649.999 -0.0006826
700 -699.999 -0.0007327
750 -749.999 -0.0007827
800 -799.999 -0.0008328
850 -849.999 -0.0008828
900 -899.999 -0.0009329
950 -949.999 -0.0009829
960 -959.999 -0.0009929
970 -969.999 -0.001003
980 -979.999 -0.001013
990 -989.999 -0.001023

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Tabla 4: Voltaje e intensidad de un diodo 1N4007 en polarización inversa, variando el voltaje

de la fuente de 1000 a 1350 V.

Voltaje de la Voltaje de polarización Intensidad del

Fuente de CC (V) Inversa del diodo (V) diodo (mA)
1000 -999.999 -0.001033
1010 -1010 -0.001043
1020 -1020 -0.001053
1030 -1030 -0.001063
1040 -1040 -0.001073
1050 -1050 -0.001083
1060 -1060 -0.001093
1070 -1070 -0.001103
1080 -1080 -0.001113
1090 -1090 -0.001123
1100 -1100 -0.031136
1110 -1100 -9.881
1120 -1100 -19.862
1130 -1100 -29.851
1150 -1100 -49.837
1170 -1100 -69.828
1200 -1100 -99.817
1250 -1100 -149.804
1300 -1100 -199.795
1350 -1100 -249.787

Tabla 5: Voltaje e intensidad de un diodo 1N4007 en polarización inversa, variando el voltaje

de la fuente de 0 a 0.7 V.

Voltaje de la Voltaje de polarización Intensidad del

Fuente de CC(V) Inversa del diodo (V) diodo (nA)
0 0 0
0.1 -0.1 -27.456
0.2 -0.2 -31.516
0.3 -0.3 -32.19
0.4 -0.4 -32.373
0.5 -0.5 -32.485
0.6 -0.6 -32.587
0.7 -0.7 -32.687

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2. Desarrollo del test de comprobación

a) ¿Cómo se puede obtener la curva caracterı́stica del diodo rectificador de silicio?

Se obtuvo la curva realizando el experimento de la anterior sección, y graficando los

datos de la caı́da de tensión del diodo y la intensidad de corriente obtenidos de las
Tablas 1, 2 y 5 (Véase la Figura 2).

Intensidad del Diodo vs. Voltaje a través del Diodo

25

20
ID (mA)

15

10

−5
−0.6 −0.4 −0.2 0 0.2 0.4 0.6
VD (V)

Figura 2: Intensidad de corriente vs. Voltaje de un diodo 1N4007, al variar una fuente CC.

b) ¿Cuál el voltaje de ruptura del diodo rectificador de silicio?

Usando los datos obtenidos de las Tablas 3 y 4, se pudo graficar la curva del diodo en
polarización inversa de una manera más completa (Véase la Figura 3). Por inspección
de las tablas mencionadas y de la Figura 3, se observó que la intensidad de corriente
aumentó de manera notable (del orden de los microamperios al orden de los miliam-
perios) a partir de VD = −1100 V. Esto sugiere que el voltaje de ruptura del diodo de
silicio es aproximadamente 1100 V.

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Intensidad del Diodo vs. Voltaje a través del Diodo

0

−50

−100

ID (mA) −150

−200

−250

−1,200 −1,000 −800 −600 −400 −200 0

VD (V)

Figura 3: Intensidad de corriente vs. Voltaje de un diodo 1N4007 en polarización inversa;

incluye la región de ruptura.

c) ¿Cuál es el voltaje de conducción de un diodo de germanio y un diodo Schottky?

El punto de levantamiento vertical de la curva caracterı́stica es diferente para cada

material, aunque la forma general de cada una es muy semejante. El germanio tiene
una curva relativamente cercana al eje vertical, y el centro de su rodilla (el voltaje de
conducción) está aproximadamente en 0.3 V (Boylestad y Nashelsky, 2008).

El voltaje de rodilla del diodo Schottky es menor que el de un diodo de silicio, y

debido a que no hay región de empobrecimiento como en el diodo de unión pn, su valor
normalmente es de alrededor de 0.2 a 0.4 V (Floyd, 2008).

3. Recomendaciones

a) En la obtención de datos de intensidad y voltaje del diodo (en polarización directa),

se recomienda que se aumente el paso del voltaje (de 0.5 V en 0.5 V); un paso de 1 V
serı́a suficiente para construir una gráfica suave.

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4. Conclusiones

Al finalizar el presente laboratorio, donde se realizó la experimentación virtual con el

diodo 1N4007, se logró obtener la curva caracterı́stica del diodo rectificador de silicio a
partir de la toma de datos de voltaje en intensidad en el diodo en un circuito haciendo uso
del programa Multisim. Se tiene que:

Para el circuito de Polarización Directa de un diodo de silicio ,experimentalmente se

obtuvo que la corriente es demasiado baja para tensiones inferiores a los 0.7 V. Sin
embargo, cuando la tensión aumenta por encima de este nivel, se logra notar que el
valor de la corriente obtiene grandes aumentos para pequeños incrementos del voltaje.
De este hecho se concluye que la curva tiene un carácter exponencial.

Para el circuito de Polarización Inversa de un diodo de silicio, experimentalmente se

obtuvo que circula un nivel muy bajo de corriente, hasta llegar a un lı́mite donde la
curva sufre una caı́da o avalancha. Para este caso, el valor lı́mite es cuando la caı́da de
tensión por el diodo es de -1100 V.

El punto de levantamiento vertical de las caracterı́sticas no es el mismo para todos los

diodos. Para el diodo de silicio, el voltaje de rodilla es de aproximadamente 0.7 V, para
un diodo de germanio es de aproximadamente 0.3 V, y para el diodo de Schottky es de
alrededor de 0.2 a 0.4 V.

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Bibliografı́a

Boylestad, R. L. & Nashelsky, L. (2008). Electrónica: Teorı́a de Circuitos y Dispositivos

Electrónicos (8.a ed.). Pearson Educación.
Floyd, T. L. (2008). Dispositivos Electrónicos. Pearson Educación.
Malvino, A. P. & Bates, D. J. (1991). Principios de Electrónica (Vol. 2). McGraw-Hill.

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